CN109553567B - 有机分子,特别是用于光电子器件中的有机分子 - Google Patents

有机分子,特别是用于光电子器件中的有机分子 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种有机化合物,特别是用于有机光电子器件中的有机化合物。根据本发明,该有机化合物具有:具有式I结构的第一化学部分,
Figure DDA0001811959290000011
和两个第二化学部分,每个第二化学部分在每次出现时独立于另一个地具有式II的结构,
Figure DDA0001811959290000012
其中第一化学部分通过单键与两个第二化学部分中的每一个连接;其中,T、V、W、X和Y选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点、RA和R1组成的组;RT、RV、RW、RX和RY选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点、CN和R2组成的组。

Description

有机分子,特别是用于光电子器件中的有机分子
技术领域
本发明涉及有机分子及其在有机发光二极管(OLED)和其他光电子器件中的用途。
发明描述
本发明的目的是提供适用于有机光电子器件的分子。
该目的通过提供了一类新的有机分子的本发明来实现。
根据本发明,有机分子是纯有机分子,即与已知用于有机光电子器件中的金属配合物相比,它们不含任何金属离子。
根据本发明,有机分子在蓝色、天蓝色或绿色光谱范围内显示出发射最大值。有机分子尤其在420nm至520nm之间,优选440nm至495nm之间,更优选450nm至470nm之间表现出发射最大值。特别地,根据本发明的有机分子的光致发光量子产率是20%或更多。根据本发明的分子尤其表现出热激活的延迟荧光(TADF)。在光电子器件(例如有机发光二极管(OLED))中使用根据本发明的分子导致器件的更高效率。与具有已知发射体材料的OLED相比,相应的OLED具有更高的稳定性和相当的颜色。
本发明的有机发光分子包含以下或由以下组成:第一化学部分,其包含式I的结构或由式I的结构组成,
Figure BDA0001811959270000011
Figure BDA0001811959270000021
-两个第二化学部分,其各自独立于另一个地包含式II的结构或由式II的结构组成,
Figure BDA0001811959270000022
其中第一化学部分通过单键与两个第二化学部分中的每一个连接。
T、V、W、X和Y各自选自由将第一化学部分连接至两个第二化学部分之一的单键的结合位点、RA(通过用式A1中的$标记的单键键合)和R1组成的组。
RA由式A1的结构组成,
Figure BDA0001811959270000023
其中$代表连接RA和第一化学部分的单键的结合位点。
AI、AII、AIII、AIV和AV各自选自CF3和RI
RT、RV、RW、RX和RY各自选自由将第一化学部分连接至两个第二化学部分之一的单键的结合位点、CN和R2组成的组。
#表示将第二化学部分连接到第一化学部分的单键的结合位点;
Z在每次出现时独立于另一个地选自由直接键、CR3R4、C=CR3R4、C=O、C=NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2组成的组;
R1在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
氢,
氘,
C1-C5-烷基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;
C2-C8-烯基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;
C2-C8-炔基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;和
C6-C18-芳基,
其任选被选自由氢、氘、OPh、C1-C5-烷基、C2-C5-烯基和C2-C5-炔基组成的组的一个或多个取代基取代。
R2在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
氢,
氘,
C1-C5-烷基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;
C2-C8-烯基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;
C2-C8-炔基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;和
C6-C18-芳基,
其任选被选自由氢、氘、OPh、C1-C5-烷基、C2-C5-烯基和C2-C5-炔基组成的组的一个或多个取代基取代。
RI在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
氢,
氘,
C1-C5-烷基,
其中一个或多个氢原子任选被氘取代;和
C6-C18-芳基,
其任选被一个或多个取代基R6取代。
Ra、R3和R4在每次出现时各自独立于另一个地选自氢、氘、N(R5)2、OR5、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I,
C1-C40-烷基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C1-C40-烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C1-C40-硫代烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C2-C40-烯基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C2-C40-炔基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C6-C60-芳基,
其任选被一个或多个取代基R5取代;和
C3-C57-杂芳基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代。
R5在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:氢、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I,
C1-C40-烷基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;
C1-C40-烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;
C1-C40-硫代烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;
C2-C40-烯基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;
C2-C40-炔基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;
C6-C60-芳基,
其任选被一个或多个取代基R6取代;和
C3-C57-杂芳基,
其任选地被一个或多个取代基R6取代。
R6在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:氢、氘、OPh、CF3、CN、F,
C1-C5-烷基,
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代;
C1-C5-烷氧基,
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代;
C1-C5-硫代烷氧基,
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代;
C2-C5-烯基,
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代;
C2-C5-炔基,
其中任选地一个或多个氢原子彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代;
C6-C18-芳基,
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基取代;
C3-C17-杂芳基,
其任选被一个或多个C1-C5-烷基取代基取代;
N(C6-C18-芳基)2
N(C3-C17-杂芳基)2;和
N(C3-C17-杂芳基)(C6-C18-芳基)。
任选地,取代基Ra、R3、R4或R5彼此独立地与一个或多个取代基Ra、R3、R4或R5形成单环或多环、脂族、芳族和/或苯并稠合的环系。
根据本发明,恰好一个(一个且仅一个)选自由T、V、W、X和Y组成的组的取代基是RA;恰好一个选自由RT、RV、RW、RX和RY组成的组的取代基是CN;恰好一个选自由T、V、W、X和Y组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点,以及恰好一个选自由RT、RV、RW、RX和RY组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点;恰好两个选自由AI、AII、AIII、AIV和AV组成的组的取代基是CF3
在本发明的有机分子的一个实施方式中,恰好一个选自由T、V和W组成的组的取代基是RA;恰好一个选自由RT、RV和RW组成的组的取代基是CN;恰好一个选自由W、Y和X组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点,以及恰好一个选自由RW、RX和RY组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点;
以及除此之外,上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,T选自由RA和R1组成的组;
V选自由RA和R1组成的组;
W选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点、RA和R1组成的组;
X选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点和R1组成的组;
Y选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点和R1组成的组;
RV选自由CN和R2组成的组;
RT选自由CN和R2组成的组;
RW选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点、CN和R2组成的组;
RX选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点和R2组成的组;
RY选自由将第一化学部分连接到两个第二化学部分之一的单键的结合位点和R2组成的组;
其中:
恰好一个选自由T、V和W组成的组的取代基是RA;恰好一个选自由RT、RV和RW组成的组的取代基是CN;恰好一个选自由W、Y和X组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点;恰好一个选自由RW、RX和RY组成的组的取代基代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点;
以及除此之外,上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,第一化学部分包含式Ia-1的结构或由式Ia-1的结构组成:
Figure BDA0001811959270000081
Figure BDA0001811959270000091
其中,
YD代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点,
RYD代表连接第一化学部分和两个第二化学部分之一的单键的结合位点,
Q在每次出现时彼此独立地选自由R1和RA组成的组,
RQ在每次出现时彼此独立地选自由R2和CN组成的组,
其中恰好一个选自由RQ组成的组的取代基是CN,
其中恰好一个选自由Q组成的组的取代基是RA
以及除此之外,上述定义适用。
在一个实施方式中,R1和R2在每次出现时独立于另一个地选自由氢(H)、甲基、均三甲苯基、甲苯基和苯基组成的组。术语甲苯基包括2-甲苯基、3-甲苯基和4-甲苯基。
在一个实施方式中,R1、R2和RI在每次出现时独立于另一个地选自由氢(H)、甲基和苯基组成的组。
在一个实施方式中,RT是CN。
在一个实施方式中,RV是CN。
在一个实施方式中,RW是CN。
在一个实施方式中,RX是CN。
在一个实施方式中,RY是CN。
在一个实施方式中,T是RA
在一个实施方式中,V是RA
在一个实施方式中,W是RA
在一个实施方式中,X是RA
在一个实施方式中,Y是RA
在一个实施方式中,RT是CN并且Y是RA
在一个实施方式中,RT是CN且X是RA
在一个实施方式中,RT是CN并且W是RA
在一个实施方式中,RT是CN且V是RA
在一个实施方式中,RT是CN并且T是RA
在一个实施方式中,RV是CN且Y是RA
在一个实施方式中,RV是CN且X是RA
在一个实施方式中,RV是CN并且W是RA
在一个实施方式中,RV是CN且V是RA
在一个实施方式中,RW是CN且T是RA
在一个实施方式中,RW是CN,Y是RA
在一个实施方式中,RW是CN且X是RA
在一个实施方式中,RW是CN并且W是RA
在一个实施方式中,RW是CN且V是RA
在一个实施方式中,AI和AII是CF3
在一个实施方式中,AI和AIII是CF3
在一个实施方式中,AI和AIV是CF3
在一个实施方式中,AI和AV是CF3
在一个实施方式中,AII和AIII是CF3
在一个实施方式中,AII和AIV是CF3
在本发明的另一个实施方式中,RI彼此独立地选自由H、甲基和苯基组成的组,其中苯基任选被一个或多个取代基R6取代。
在本发明的另一个实施方式中,RI彼此独立地选自由H、甲基和苯基组成的组。
在本发明的另一个实施方式中,RI在每次出现时为H。
在本发明的另一个实施方式中,两个第二化学部分中的每一个在每次出现时独立于另一个地包含式IIa的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000111
其中#和Ra如上所定义。
在本发明的另一个实施方式中,Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
H,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
吡啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
嘧啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
咔唑基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
和N(Ph)2
在本发明的另一个实施方式中,Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
H,
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
吡啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
嘧啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,和
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中,Ra在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
H,
Me,
tBu,
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中,Ra在每次出现时为H。
在本发明的另一个实施方式中,两个第二化学部分中的每一个独立于另一个地包含式IIb的结构、式IIb-2的结构、式IIb-3的结构或式IIb-4的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000131
其中,
Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
氘,
N(R5)2
OR5
Si(R5)3
B(OR5)2
OSO2R5
CF3
CN,
F,
Br,
I,
C1-C40-烷基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C1-C40-烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C1-C40-硫代烷氧基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C2-C40-烯基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C2-C40-炔基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代,且
其中一个或多个不相邻的CH2-基团任选被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;
C6-C60-芳基,
其任选被一个或多个取代基R5取代;和
C3-C57-杂芳基,
其任选地被一个或多个取代基R5取代。
除此之外,上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,两个第二化学部分中的每一个在每次出现时独立于另一个地包含式IIc的结构、式IIc-2的结构、式IIc-3的结构或结构公式IIc-4或由其组成:
Figure BDA0001811959270000151
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
吡啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
咔唑基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代;和
N(PH)2
在本发明的另一个实施方式中,Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
Me,
iPr,
tBu,
CN,
CF3
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
吡啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
嘧啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代。
在本发明的另一个实施方式中,Rb在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
Me,
tBu,
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代。
在下文中,显示了第二化学部分的示例性实施方式:
Figure BDA0001811959270000171
Figure BDA0001811959270000181
其中对于#、Z、Ra、R3、R4以及R5,上述定义适用。
在一个实施方式中,Ra和R5在每次出现时独立于另一个地选自由氢(H)、甲基(Me)、异丙基(CH(CH3)2)(iPr)、叔丁基(tBu)、苯基(Ph)、CN、CF3和二苯胺(NPh2)组成的组。
在本发明的一个实施方式中,有机分子包含式IIIA结构、式IIIB结构或式IIIC结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000191
其中上述定义适用。
在本发明的优选实施方式中,有机分子包含式IIIA结构或由式IIIA结构组成。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式III-1、式III-2、式III-3、式III-4、式III-5和式III-6组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000192
Figure BDA0001811959270000201
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IIIa-1和式IIIa-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000202
其中
Rc在每次出现时独立于另一个的选自由以下组成的组:
Me,
iPr,
tBu,
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
吡啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
嘧啶基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
咔唑基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代;和
N(PH)2
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IIIb-1和式IIIb-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000211
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IIIc-1和式IIIc-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000212
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IIId-1和式IIId-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000221
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,有机分子包含式IVA、式IVB或式IVC的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000222
其中上述定义适用。
在本发明的优选实施方式中,有机分子包含式IVA结构或由其组成。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IV-1、式IV-2、式IV-3、式IV-4、式IV-5和式IV-6组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000231
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IVa-1和式IVa-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000232
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IVb-1和式IVb-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000241
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IVc-1和式IVc-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000242
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式IVd-1和式IVd-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000243
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,有机分子包含式VA、式VB或式VC的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000251
其中上述定义适用。
在本发明的优选实施方式中,有机分子包含式VA的结构或由式VA的结构组成。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式V-1、式V-2、式V-3、式V-4、式V-5和式V-6组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000252
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式Va-1和式Va-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000261
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式Vb-1和式Vb-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000262
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式Vc-1和式Vc-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000263
Figure BDA0001811959270000271
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式Vd-1和式Vd-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000272
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,有机分子包含式VIA、式VIB或式VIC的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000273
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式VI-1、式VI-2、式VI-3、式VI-4、式VI-5和式VI-6组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000281
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式VIa-1和式VIa-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000282
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式VIb-1和式VIb-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000291
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式VIc-1和式VIc-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000292
其中上述定义适用。
在本发明的另一个实施方式中,有机分子包含选自由式VId-1和式VId-2组成的组的结构或由其组成:
Figure BDA0001811959270000293
其中上述定义适用。
在本发明的一个实施方式中,Rc在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
Me,
iPr,
tBu,
Ph,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代,
三嗪基,其任选地被一个或多个彼此独立地选自由Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph组成的组的取代基取代。
如贯穿本申请中所使用的,术语“芳基”和“芳族”可以在最广义上理解为任何单-、双-或多环芳族部分。因此,芳基基团含有6至60个芳族环原子,并且杂芳基基团含有5至60个芳族环原子,其中至少一个为杂原子。尽管如此,在整个申请中,芳族环原子的数目可以在某些取代基的定义中作为下标数字给出。特别是,杂芳环包括一至三个杂原子。此外,术语“杂芳基”和“杂芳族”可以在最广义上理解为包括至少一个杂原子的任何单-、双-或多环杂芳族部分。杂原子在每次出现时可以相同或不同,并且可以单独选自由N、O和S所组成的组。因此,术语“亚芳基”是指与其它分子结构具有两个结合位点并由此用作连接基团结构的二价取代基。如果,示例性实施方式中的基团的定义与此处给出的定义不同,例如,芳族环原子的数目或杂原子的数目与给出的定义不同,将应用示例性实施方式中的定义。根据本发明,缩合(稠合)的芳族或杂芳族多环由两个或多个单芳族或杂芳族环构成,其通过缩合反应形成多环。
特别地,如贯穿本申请所使用的,术语芳基基团或杂芳基基团包括可以通过芳族或杂芳族基团的任何位置结合的基团,其衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、
Figure BDA0001811959270000301
(chrysene)、苝(perylene)、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩;吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩恶嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、恶唑、苯并恶唑、萘并恶唑、蒽并恶唑(anthroxazol)、菲并恶唑(phenanthroxazol)、异恶唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪(benzopyridazine)、嘧啶、喹唑啉、1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-恶二唑、1,2,4-恶二唑、1,2,5-恶二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪(indolizine)和苯并噻二唑或上述基团的组合。
如贯穿本申请所使用的,术语环状基团可以在最广泛的意义上理解为任何单-、双-或多环部分。
如在整个本申请中所使用的,术语联苯基作为取代基可以在最广泛的意义上被理解为邻联苯基、间联苯基或对联苯基,其中关于与另一个化学部分的结合位点来定义邻位、间位和对位。
如贯穿本申请所使用的,术语烷基基团可以在最广义上理解为任何直链、支链或环状的烷基取代基。特别是,术语烷基包括取代基甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(nPr)、异丙基(iPr)、环丙基、正丁基(nBu)、异丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、叔丁基(tBu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-二环[2,2,2]辛基、2-二环[2,2,2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-环己-1-基、1-(正丁基)-环己-1-基、1-(正己基)-环己-1-基、1-(正辛基)-环己-1-基和1-(正癸基)-环己-1-基。
如贯穿本申请所使用的,术语烯基包括直链、支链和环状烯基取代基。术语烯基基团示例性地包括取代基乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。
如贯穿本申请所使用的,术语炔基包括直链、支链和环状炔基取代基。术语炔基基团示例性地包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。
如贯穿本申请所使用的,术语烷氧基包括直链、支链和环状烷氧基取代基。术语烷氧基基团示例性地包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基。
如贯穿本申请所使用的,术语硫代烷氧基包括直链、支链和环状硫代烷氧基取代基,其中示例性烷氧基基团的O被S代替。
如贯穿本申请所使用的,术语“卤素”和“卤代”可以在最广义上理解为优选氟、氯、溴或碘。
无论何时在本文提及氢(H),在每次出现时其也可以被氘代替。
应该理解的是,当分子片段被描述为是取代基或另外连接到另一个部分时,其名称可以写成好像它是片段(例如萘基、二苯并呋喃基)或好像它是整个分子(例如萘、二苯并呋喃)。如本文所使用的,指定取代基或连接片段的这些不同方式被认为是等同的。
在一个实施方式中,根据本发明的有机分子在室温下在以重量计具有10%的有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中具有不大于150μs、不大于100μs、特别是不大于50μs、更优选不大于10μs或不大于7μs的激发态寿命。
在本发明的一个实施方式中,根据本发明的有机分子代表热激活延迟荧光(TADF)发射体,其表现ΔEST值,该值对应于小于5000cm-1、优选小于3000cm-1、更优选小于1500cm-1、甚至更优选小于1000cm-1或甚至小于500cm-1的在第一激发单重态(S1)和第一激发三重态(T1)之间的能量差。
在本发明的另一个实施方式中,根据本发明的有机分子在可见光或最近的紫外光范围内(即在380-800nm的波长范围内)具有发射峰,在室温下在以重量计具有10%的有机分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)膜中具有小于0.50eV、优选小于0.48eV、更优选小于0.45eV、甚至更优选小于0.43eV或甚至小于0.40eV的半峰全宽。
在本发明的另一个实施方式中,根据本发明的有机分子具有超过150、特别是超过200、优选超过250、更优选超过300或甚至超过500的“蓝色材料指数”(BMI)(通过用以%表示的光致发光量子产率(PLQY)除以发射光的CIEy色坐标来计算)。
轨道和激发态能量可以通过实验方法来确定或通过采用量子化学方法的计算来确定,特别是密度泛函理论计算。最高占据分子轨道EHOMO的能量通过本领域技术人员已知的方法由循环伏安法测量确定,具有0.1eV的精确度。最低未占分子轨道ELUMO的能量计算为EHOMO+Egap,其中Egap如下测定:对于主体化合物,除非另有说明,在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中具有以重量计10%的主体的膜的发射光谱的开始用作Egap。对于发射体分子,Egap被确定为在PMMA交叉(cross)中以重量计具有10%的发射体的膜的激发和发射光谱的能量。
第一激发三重态T1的能量由低温(通常在77K)下的发射光谱的开始确定。对于主体化合物,在第一激发单重态和最低三重态在能量上分开>0.4eV之处,在2-Me-THF中在稳态光谱中磷光通常可见。三重态能量因此可以被确定为磷光光谱的开始。对于TADF发射体分子,第一激发三重态T1的能量由在77K的延迟发射光谱的开始确定,如果未另外说明,则在以重量计具有10%的发射体的PMMA膜中测量。对于主体化合物和发射体化合物二者来说,从发射光谱的开始确定第一激发单重态S1的能量,如果未另外说明,则在以重量计具有10%的主体或发射体化合物的PMMA膜中测量。
通过计算发射光谱的切线与x轴的交点来确定发射光谱的开始。发射光谱的切线设置在发射带的高能侧,并且在发射光谱的最大强度的半最大值点处。
本发明的另一方面涉及制备本发明的有机分子的方法(具有任选的后续反应),其中使用被三个R2取代的溴-氟苄腈作为反应物:
Figure BDA0001811959270000341
根据本发明,在用于E1合成的反应中,可以使用硼酸或当量的硼酸酯代替硼酸频哪醇酯。示例性的硼酸酯或硼酸是2-氯-6-氟苯基硼酸酯或2-氯-6-氟苯基硼酸,2-氯-5-氟苯基硼酸酯或2-氯-5-氟苯基硼酸,2-氯-4-氟苯基硼酸酯或2-氯-4-氟苯基硼酸,3-氯-6-氟苯基硼酸酯或3-氯-6-氟苯基硼酸,3-氯-5-氟苯基硼酸酯或3-氯-5-氟苯基硼酸,3-氯-4-氟苯基硼酸酯或3-氯-4-氟苯基硼酸,4-氯-6-氟苯基硼酸酯或4-氯-6-氟苯基硼酸和4-氯-5-氟苯基硼酸酯或4-氯-5-氟苯基硼酸。
通常,Pd2(dba)3(三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0))被用作Pd催化剂,但是替代物是本领域已知的。例如,配体可选自S-Phos([2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基-1,1’-联苯基])、X-Phos(2-(二环己基膦基)-2”,4”,6”-三异丙基联苯基)以及P(Cy)3(三环己基膦)。盐可以例如选自磷酸三钾和乙酸钾,且溶剂可以是比如甲苯或二噁烷的纯溶剂,或比如甲苯/二噁烷/水或二噁烷/甲苯的混合物。本领域技术人员能够确定Pd催化剂、配体、盐和溶剂的何种组合将产生高的反应收率。
对于亲核芳族取代中的含氮杂环与芳基卤化物、优选芳基氟化物的反应,典型的条件包括使用碱,例如磷酸三钾或氢化钠,例如在非质子极性溶剂中,例如二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF)。
另一种合成路线包括通过铜-或钯-催化偶联芳基卤化物或芳基类卤化物(优选芳基溴化物、芳基碘化物、芳基三氟甲烷磺酸盐或芳基甲苯磺酸盐)引入氮杂环。
本发明的另一方面涉及根据本发明的有机分子作为光电子器件中的发光发射体或吸收体、和/或作为主体材料和/或作为电子传输材料、和/或作为空穴注入材料、和/或作为空穴阻挡材料的用途。
光电子器件(也被称为光电子器件)可以在最广义上理解为基于适用于在可见光或最近的紫外光(UV)范围内(即在380nm至800nm的波长范围内)发射光的有机材料的任何器件。更优选地,光电子器件可以能够发射可见光范围内(即400nm至800nm)的光。
在这种用途的情况下,有机光电子器件更具体地选自由以下所组成的组:
·有机发光二极管(OLED),
·发光电化学电池,
·OLED传感器,特别是在非气密地外部屏蔽的气体和蒸气传感器中,
·有机二极管,
·有机太阳能电池,
·有机晶体管,
·有机场效应晶体管,
·有机激光器,和
·下变频元件。
在这种用途的背景的优选实施方式中,光电子器件是选自由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管所组成的组的器件。
在该用途的情况下,在有机光电子器件(更特别是在OLED中)的发射层中,根据本发明的有机分子的分数为以重量计1%至99%,更特别为以重量计5%至80%。在可选择的实施方式中,发射层中有机分子的比例为以重量计100%。
在一个实施方式中,发光层不仅包括根据本发明的有机分子,还包括主体材料,其三重态(T1)和单重态(S1)能级在能量上高于有机分子的三重态(T1)和单重态(S1)能级。
本发明的另一方面涉及包括以下物质或由以下物质组成的组合物:
(a)根据本发明的至少一种有机分子,特别是以发射体和/或主体的形式,和
(b)不同于根据本发明的有机分子的一种或多种发射体和/或主体材料,和
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
在一个实施方式中,发光层包括组合物(或(基本上)由组合物组成),该组合物包括以下物质或由以下物质组成:
(a)根据本发明的至少一种有机分子,特别是以发射体和/或主体的形式,和
(b)不同于根据本发明的有机分子的一种或多种发射体和/或主体材料,和
(c)任选的一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
在具体的实施方式中,发光层EML包括组合物(或(基本上)由组合物组成),该组合物包括以下物质或由以下物质组成:
(i)以重量计1-50%,优选以重量计5-40%,特别是以重量计10-30%的根据本发明的一种或多种有机分子;
(ii)以重量计5-99%,优选以重量计30-94.9%,特别是以重量计40-89%的至少一种主体化合物H;和
(iii)任选地以重量计0-94%,优选以重量计0.1-65%,特别是以重量计1-50%的至少一种另外的主体化合物D,其结构不同于根据本发明的分子的结构;和
(iv)任选地以重量计0-94%,优选以重量计0-65%,特别是以重量计0-50%的溶剂;和
(v)任选地以重量计0-30%,特别是以重量计0-20%,优选以重量计0-5%的至少一种另外的发射体分子F,其结构不同于根据本发明的分子的结构。
优选地,能量可以从主体化合物H转移到根据本发明的一种或多种有机分子,特别是从主体化合物H的第一激发三重态T1(H)转移到根据本发明的一种或多种有机分子E的第一激发三重态T1(E)和/或从主体化合物H的第一激发单重态S1(H)转移到根据本发明的一种或多种有机分子E的第一激发单重态S1(E)。
在另一个实施方式中,发光层EML包括组合物(或(基本上)由组合物组成),该组合物包括以下物质或由以下物质组成:
(i)以重量计1-50%,优选以重量计5-40%,特别是以重量计10-30%的根据本发明的一种有机分子;
(ii)以重量计5-99%,优选以重量计30-94.9%,特别是以重量计40-89%的一种主体化合物H;和
(iii)任选地以重量计0-94%,优选以重量计0.1-65%,特别是以重量计1-50%的至少一种另外的主体化合物D,其结构不同于根据本发明的分子的结构;和
(iv)任选地以重量计0-94%,优选以重量计0-65%,特别是以重量计0-50%的溶剂;和
(v)任选地以重量计0-30%,特别是以重量计0-20%,优选以重量计0-5%的至少一种另外的发射体分子F,其结构不同于根据本发明的分子的结构。
在一个实施方式中,主体化合物H具有最高占据分子轨道HOMO(H),其具有在-5至-6.5eV范围内的能量EHOMO(H),并且至少一种另外的主体化合物D具有最高占据分子轨道HOMO(D),其具有能量EHOMO(D),其中EHOMO(H)>EHOMO(D)。
在另一个实施方式中,主体化合物H具有最低未占据分子轨道LUMO(H),其具有能量ELUMO(H),并且至少一种另外的主体化合物D具有最低未占据分子轨道LUMO(D),其具有能量ELUMO(D),其中ELUMO(H)>ELUMO(D)。
在一个实施方式中,主体化合物H具有最高占据分子轨道HOMO(H)(具有能量EHOMO(H))和最低未占据分子轨道LUMO(H)(具有能量ELUMO(H)),以及
该至少一种另外的主体化合物D具有最高占据分子轨道HOMO(D)(具有能量EHOMO(D))和最低未占据分子轨道LUMO(D)(具有能量ELUMO(D)),
根据本发明的有机分子E具有最高占据分子轨道HOMO(E)(具有能量EHOMO(E))和最低未占据分子轨道LUMO(E)(具有能量ELUMO(E)),
其中,
EHOMO(E)>EHOMO(D),并且根据本发明的有机分子E的最高占据分子轨道HOMO(E)的能级(EHOMO(E))与主体化合物H的最高占据分子轨道HOMO(H)的能级(EHOMO(H))之间的差在-0.5eV与0.5eV之间,更优选在-0.3eV和0.3eV之间,甚至更优选在-0.2eV和0.2eV之间或甚至在-0.1eV和0.1之间;并且
ELUMO(H)>ELUMO(D),并且根据本发明的有机分子E的最低未占据分子轨道LUMO(E)的能级(ELUMO(E))与至少一种另外的主体化合物D的最低未占据分子轨道LUMO(D)的能级(ELUMO(D))之间的差在-0.5eV和0.5eV之间,更优选在-0.3eV和0.3eV之间,甚至更优选在-0.2eV和0.2eV之间,或者甚至在-0.1eV和0.1eV之间。
另一方面,本发明涉及包括有机分子或本文所述类型的组合物的有机光电子器件,更具体是以选自由以下所组成的组的器件的形式:有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池、OLED传感器(特别是在非气密地外部屏蔽的气体和蒸气传感器中)、有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机场效应晶体管、有机激光器和下变频元件。
在优选实施方式中,光电子器件是选自由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管所组成的组的器件。
在本发明的有机光电子器件的一个实施方式中,根据本发明的有机分子E被用作发光层EML中的发射材料。
在本发明的有机光电子器件的一个实施方式中,发光层EML由本文描述的根据本发明的组合物组成。
示例性地,当光电子器件是OLED时,其可以具有以下的层结构:
1.基板
2.阳极层A
3.空穴注入层,HIL
4.空穴传输层,HTL
5.电子阻挡层,EBL
6.发光层,EML
7.空穴阻挡层,HBL
8.电子传输层,ETL
9.电子注入层,EIL
10.阴极层,
其中OLED仅可选地包括选自HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL的每个层,不同的层可以合并,并且OLED可以包括多于一层的以上定义的各个层类型。
此外,光电子器件可以任选地包括一个或多个保护层,以保护器件免受暴露于环境中的有害物质(例如,包括湿气、蒸气和/或气体)的损害。
在本发明的一个实施方式中,光电子器件是OLED,其具有以下倒置的层结构:
1.基板
2.阴极层
3.电子注入层,EIL
4.电子传输层,ETL
5.空穴阻挡层,HBL
6.发光层,B
7.电子阻挡层,EBL
8.空穴传输层,HTL
9.空穴注入层,HIL
10.阳极层A
其中,OLED仅可选地包括选自HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL的每个层,不同的层可以合并,并且OLED可以包括多于一层的以上定义的各个层类型。
在本发明的一个实施方式中,光电子器件是OLED,其可以呈现堆叠的结构。在这种结构中,与OLED被并排放置的典型布置相反,各个单元堆叠在彼此的顶部。采用呈现堆叠结构的OLED可以产生混合光,特别是可以通过堆叠蓝色、绿色和红色OLED来产生白光。此外,呈现堆叠结构的OLED可以任选地包括电荷产生层(CGL),其通常位于两个OLED子单元之间,并且通常由n-掺杂的和p-掺杂的层组成,其中一个CGL的n-掺杂的层通常更靠近阳极层。
在本发明的一个实施方式中,光电子器件是OLED,其包括在阳极和阴极之间的两个或更多个发射层。特别是,这种所谓的串联OLED包括三个发射层,其中一个发射层发射红光,一个发射层发射绿光并且一个发射层发射蓝光,并且任选地可以包括其他层,例如电荷产生层、在各个发射层之间的阻挡层或传输层。在另一个实施方式中,发射层相邻地堆叠。在另一个实施方式中,串联OLED包括在每两个发射层之间的电荷产生层。另外,相邻发射层或被电荷产生层分开的发射层可以合并。
基板可以由任何材料或材料组合形成。最经常地,玻璃载玻片被用作基底。或者,可以使用薄金属层(例如,铜、金、银或铝膜)或塑料膜或载玻片。这可以允许更高程度的灵活性。阳极层A主要由允许获得(基本上)透明膜的材料组成。由于两个电极中的至少一个应当(基本上)透明以允许来自OLED的光发射,所以阳极层A或阴极层C是透明的。优选地,阳极层A包括大量的透明导电氧化物(TCO)或甚至由其组成。例如,这种阳极层A可以包括氧化铟锡、氧化铝锌、氟掺杂的氧化锡、氧化铟锌、PbO、SnO、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂的Si、掺杂的Ge、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯和/或掺杂的聚噻吩。
阳极层A(基本上)可以由氧化铟锡(ITO)(例如(InO3)0.9(SnO2)0.1)组成。由透明导电氧化物(TCO)引起的阳极层A的粗糙度可以通过使用空穴注入层(HIL)来补偿。此外,HIL可促进准载流子(即,空穴)的注入,因为促进了从TCO到空穴传输层(HTL)的准载流子的传输。空穴注入层(HIL)可以包括聚-3,4-乙二氧基噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、MoO2、V2O5、CuPC或CuI,特别是PEDOT和PSS的混合物。空穴注入层(HIL)还可以防止金属从阳极层A扩散到空穴传输层(HTL)中。HIL可以示例性地包括PEDOT:PSS(聚-3,4-乙二氧基噻吩:聚苯乙烯磺酸盐)、PEDOT(聚-3,4-乙二氧基噻吩)、mMTDATA(4,4’,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯基胺、Spiro-TAD(2,2’,7,7’-四(n,n-二苯基氨基)-9,9’-螺二芴)、DNTPD(N1,N1’-(联苯基-4,4’-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)、NPB(N,N’-nis-(1-萘基)-N,N’-双-苯基-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺)、NPNPB(N,N’-联苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]联苯胺)、MeO-TPD(N,N,N’,N’-四(4-甲氧基苯基)联苯胺)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六腈)和/或Spiro-NPD(N,N’-联苯基-N,N’-双-(1-萘基)-9,9’-螺二芴-2,7-二胺)。
邻近阳极层A或空穴注入层(HIL),通常设置有空穴传输层(HTL)。在此,可以使用任何空穴传输化合物。示例性地,可以使用富电子杂芳族化合物,如三芳基胺和/或咔唑作为空穴传输化合物。HTL可以降低阳极层A和发光层EML之间的能量势垒。空穴传输层(HTL)也可以是电子阻挡层(EBL)。优选地,空穴传输化合物承受其三重态T1的相对较高的能级。例如,空穴传输层(HTL)可以包括星形杂环,例如三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、聚-TPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基-联苯基-胺))、TAPC(4,4’-环亚己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](4,4’-cyclohexyliden-bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]))、2-TNATA(4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯基胺)、Spiro-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN和/或TrisPcz(9,9’-联苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9’H-3,3’-联咔唑)。另外,HTL可以包括p-掺杂的层,其可以由有机空穴传输基质中的无机或有机掺杂剂组成。过渡金属氧化物例如氧化钒、氧化钼或氧化钨可以示例性地被用作无机掺杂剂。四氟四氰基醌二甲烷(Tetrafluorotetracyanoquinodimethane)(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属络合物可以示例性地被用作有机掺杂剂。
EBL可以示例性地包括mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯基)、tris-Pcz、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和/或DCB(N,N’-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。
通常,与空穴传输层(HTL)相邻,设置发光层EML。发光层EML包括至少一种发光分子。特别是,EML包括根据本发明的至少一种发光分子E。在一个实施方式中,发光层仅包括根据本发明的有机分子。通常地,EML另外包括一种或多种主体材料H。示例性地,主体材料H选自CBP(4,4’-双-(N-咔唑基)-联苯基)、mCP、mCBP Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、CzSi、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)二苯基硅烷)、DPEPO(双[2-](二苯基膦基)苯基]醚氧化物)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)和/或TST(2,4,6-三(9,9’-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)。通常应选择主体材料H以展现第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级,其在能量上高于有机分子的第一三重态(T1)和第一单重态(S1)能级。
在本发明的一个实施方式中,EML包括具有至少一种空穴主导主体和一种电子主导主体的所谓的混合主体***。在具体的实施方式中,EML恰好包括根据本发明的一种发光有机分子和包括T2T作为电子主导主体的混合主体***,以及主体选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑作为空穴主导主体。在另一个实施方式中,EML包括以重量计50-80%,以重量计优选60-75%的主体,该主体选自CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑;以重量计10-45%,优选以重量计15-30%的T2T和以重量计5-40%,优选以重量计10-30%的根据本发明的发光分子。
邻近发光层EML可以设置电子传输层(ETL)。在此,可以使用任何电子传输体。示例性地,可以使用缺电子的化合物,例如苯并咪唑、吡啶、***、恶二唑(例如1,3,4-恶二唑)、氧化膦和砜。电子传输体也可以是星形杂环,例如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(TPBi)。ETL可以包括NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(联苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、BPyTP2(2,7-二(2,2’-联吡啶-5-基)三苯基)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷),Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基)联苯基硅烷)、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)和/或BTB(4,4’-双-[2-(4,6-联苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1’-联苯基)。任选地,ETL可以掺杂有诸如Liq的材料。电子传输层(ETL)也可以阻挡空穴,或引入空穴阻挡层(HBL)。
HBL可以示例性地包括BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉=浴铜灵(Bathocuproine))、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-联苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(铝-三(8-羟基喹啉))、TSPO1(联苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦)、T2T(2,4,6-三(联苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9’-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑)-9-基)苯)。
邻近电子传输层(ETL)可以设置阴极层C。示例性地,阴极层C可以包括金属(例如,Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、LiF、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金,或者由其组成。出于实践的原因,阴极层也可以(基本上)由不透明的金属如Mg、Ca或Al组成。备选地或另外地,阴极层C还可以包括石墨和/或碳纳米管(CNT)。或者,阴极层C也可以由纳米银线(nanoscalic silver wires)组成。
OLED还可以任选地在电子传输层(ETL)和阴极层C之间包括保护层(其可以被称为电子注入层(EIL))。该层可以包括氟化锂、氟化铯、银、Liq(8-羟基喹啉醇锂(8-hydroxyquinolinolatolithium))、Li2O、BaF2、MgO和/或NaF。
任选地,电子传输层(ETL)和/或空穴阻挡层(HBL)也可以包括一种或多种主体化合物H。
为了进一步改进发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱,发光层EML还可以包括一种或多种另外的发射体分子F。这种发射体分子F可以是本领域中已知的任何发射体分子。优选地,这种发射体分子F是具有与根据本发明的分子E的结构不同的结构的分子。发射体分子F可以任选地是TADF发射体。或者,发射体分子F可以任选地是能够改变发光层EML的发射光谱和/或吸收光谱的荧光和/或磷光发射体分子。示例性地,可以通过发射与有机分子发射的光相比通常红移的光,在松弛到基态S0之前将三重态和/或单重态激子从根据本发明的有机发射体分子转移到发射体分子F。任选地,发射体分子F也可以引起双光子效应(即,吸收最大值的一半能量的两个光子的吸收)。
任选地,光电子器件(例如OLED)可以示例性地为基本上白色的光电子器件。示例性地,这种白色光电子器件可以包括至少一种(深)蓝色发射体分子和发射绿光和/或红光的一种或多种发射体分子。然后,还可以任选地在如上所述的两个或更多个分子之间存在能量透射率。
如本文所使用的,如果在特定的背景中没有更具体地定义,如下指定发射的和/或吸收的光的颜色:
紫色:波长范围为>380-420nm;
深蓝色:波长范围为>420-480nm;
天蓝色:波长范围为>480-500nm;
绿色:波长范围为>500-560nm;
黄色:波长范围为>560-580nm;
橙色:波长范围为>580-620nm;
红色:波长范围为>620-800nm。
关于发射体分子,这种颜色是指发射最大值。因此,示例性地,深蓝色发射体在>420nm至480nm的范围内具有发射最大值,天蓝色发射体在>480nm至500nm的范围内具有发射最大值,绿色发射体在>500nm至560nm的范围内具有发射最大值,红色发射体在>620nm至800nm的范围内具有发射最大值。
深蓝色发射体可以优选具有低于480nm,更优选低于470nm,甚至更优选低于465nm或甚至低于460nm的发射最大值。其通常将高于420nm,优选高于430nm,更优选高于440nm或甚至高于450nm。
因此,本发明的另一方面涉及OLED,其在1000cd/m2表现出大于8%,更优选大于10%,更优选大于13%,甚至更优选大于15%或甚至大于20%的外部量子效率;和/或在420nm与500nm之间,优选在430nm与490nm之间,更优选在440nm与480nm之间,甚至更优选在450nm与470nm之间呈现发射最大值;和/或在500cd/m2表现出大于100h,优选大于200h,更优选大于400h,甚至更优选大于750h或甚至大于1000h的LT80值。因此,本发明的另一方面涉及一种OLED,其发射呈现小于0.45,优选小于0.30,更优选小于0.20或甚至更优选小于0.15或甚至小于0.10的CIEy色坐标。
本发明的另一方面涉及一种在不同色点发光的OLED。根据本发明,OLED发射具有窄发射带(小的半峰全宽(FWHM))的光。在一个方面,根据本发明的OLED发射具有小于0.50eV,优选小于0.48eV,更优选小于0.45eV,甚至更优选小于0.43eV或甚至小于0.40eV的主发射峰的FWHM的光。
本发明的另一方面涉及OLED,其发射具有CIEx和CIEy色坐标的光,该色坐标接近如ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的原色蓝色(CIEx=0.131和CIEy=0.046)的CIEx(=0.131)和CIEy(=0.046)色坐标,因此适用于超高清晰度(UHD)显示器,例如UHD-电视。因此,本发明的另一方面涉及OLED,其发射呈现在0.02和0.30之间,优选在0.03和0.25之间,更优选在0.05和0.20之间,或甚至更优选在0.08和0.18之间,或甚至在0.10和0.15之间的CIEx色坐标,和/或在0.00和0.45之间,优选在0.01和0.30之间,更优选在0.02和0.20之间,甚至更优选在0.03和0.15之间或者甚至在0.04和0.10之间的CIEy色坐标。
另一方面,本发明涉及一种用于生产光电子部件的方法。在这种情况下,使用本发明的有机分子。
光电子器件,特别是根据本发明的OLED可以通过气相沉积和/或液体处理的任何方式来制造。因此,至少一层
-通过升华过程制备,
-通过有机气相沉积过程制备,
-通过载气升华过程制备,
-是加工的或者印刷的溶液。
用于制造光电子器件,特别是根据本发明的OLED的方法是本领域已知的。通过随后的沉积工艺将不同的层单独且连续地沉积在合适的基板上。可以使用相同或不同的沉积方法沉积各个层。
气相沉积工艺示例性地包括热(共)蒸发、化学气相沉积和物理气相沉积。对于有源矩阵OLED显示器,使用AMOLED背板作为基板。单独的层可以从使用适当溶剂的溶液或分散加工。溶液沉积工艺示例性地包括旋涂、浸涂和喷印。液体加工可以任选地在惰性气氛中(例如在氮气氛中)进行,并且溶剂可以任选地通过本领域已知的方式完全地或部分地去除。
实施例
总的合成方案I
Figure BDA0001811959270000481
合成AAV1的一般过程:
Figure BDA0001811959270000491
3-溴-4-氟苄腈(1.00当量),4-氯-2-氟苯基硼酸酯(1.2当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)]([Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)]);0.02当量),S-Phos([2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基-1,1’-联苯];0.08当量)和磷酸三钾(3.00当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例4:1)中于110℃搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000492
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的I1-0。
在随后的反应中,I1-0(1.00当量),I0(1.30当量),Pd2(dba)3[三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.04当量),X-Phos(2-(二环己基膦)-2”,4”,6”-三异丙基联苯,0.16当量)和磷酸三钾(2.50当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例4:1)中于110℃搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000493
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的Z1。
合成AAV2的一般过程:
Figure BDA0001811959270000501
Z2的合成根据AAV1进行,其中4-溴-3-氟苄腈与4-氯-2-氟苯基硼酸酯反应。
4-溴-3-氟苄腈(1.00当量),4-氯-2-氟苯基硼酸酯(1.2当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.02当量),S-Phos([2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基-1,1’-联苯];0.08当量)和磷酸三钾(3.00当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例为4:1)中于110℃下搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000502
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的I2-0。
在随后的反应中,I2-0(1.00当量),I0(1.30当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.04当量),X-Phos(2-(二环己基膦)-2”,4”,6”-三异丙基联苯,0.16当量)和磷酸三钾(2.50当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例4:1)中于110℃搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000503
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的Z2。
合成AAV3的一般过程:
Figure BDA0001811959270000511
Z3的合成根据AAV1进行,其中4-溴-3-氟苄腈与5-氯-2-氟苯基硼酸酯反应。
4-溴-3-氟苄腈(1.00当量),5-氯-2-氟苯基硼酸酯(1.2当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.02当量),S-Phos([2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基-1,1’-联苯];0.08当量)和磷酸三钾(3.00当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例为4:1)中于110℃下搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000512
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的I3-0。
在随后的反应中,I3-0(1.00当量),I0(1.30当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.04当量),X-Phos(2-(二环己基膦)-2”,4”,6”-三异丙基联苯,0.16当量)和磷酸三钾(2.50当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例4:1)中于110℃搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000522
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的Z3。
合成AAV4的一般过程:
Figure BDA0001811959270000521
Z4的合成根据AAV1进行,其中3-溴-4-氟苄腈与5-氯-2-氟苯基硼酸酯反应。
3-溴-4-氟苄腈(1.00当量),5-氯-2-氟苯基硼酸酯(1.2当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.02当量),S-Phos([2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基-1,1’-联苯];0.08当量)和磷酸三钾(3.00当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例为4:1)中于110℃下搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000523
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的I4-0。
在随后的反应中,I4-0(1.00当量),I0(1.30当量),Pd2(dba)3([三(二苯亚甲基丙酮)二钯(0)];0.04当量),X-Phos(2-(二环己基膦)-2”,4”,6”-三异丙基联苯,0.16当量)和磷酸三钾(2.50当量)在氮气氛下在甲苯/水混合物(比例4:1)中于110℃搅拌15小时。向反应混合物中加入
Figure BDA0001811959270000532
和活性炭,并在110℃下搅拌15分钟。
随后将反应混合物热过滤并将残余物用甲苯洗涤。将反应混合物倒入300mL饱和氯化钠溶液中并用乙酸乙酯萃取。将合并的有机相用饱和氯化钠溶液洗涤,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。
通过色谱法(或通过重结晶或者可选地在热乙醇中搅拌并过滤)纯化残余物,得到固体状的Z4。
合成AAV5的一般过程:
Figure BDA0001811959270000531
Figure BDA0001811959270000541
将Z1、Z2、Z3或Z4(各1当量),相应的供体分子D-H(2.20当量)和磷酸三钾(4.40当量)在氮气氛下悬浮于DMSO中并在120℃下搅拌(20小时)。随后将反应混合物倒入饱和氯化钠溶液中,过滤沉淀物并用水洗涤。然后将固体溶解在二氯甲烷中,用MgSO4干燥,减压蒸发溶剂。通过重结晶或通过快速色谱来纯化粗产物。以固体形式获得该产品。
特别地,供体分子D-H是3,6-取代的咔唑(例如3,6-二甲基咔唑,3,6-二苯基咔唑,3,6-二叔丁基咔唑),2,7-取代的咔唑(例如2,7-二甲基咔唑,2,7-二苯基咔唑,2,7-二叔丁基咔唑),1,8-取代的咔唑(例如1,8-二甲基咔唑,1,8-二苯基咔唑,1,8-二叔丁基咔唑),1-取代的咔唑(例如1-甲基咔唑,1-苯基咔唑,1-叔丁基咔唑),2-取代的咔唑(例如2-甲基咔唑,2-苯基咔唑,2-叔丁基咔唑)或3-取代的咔唑(例如3-甲基咔唑,3-苯基咔唑,3-叔丁基咔唑)。
例如,卤素取代的咔唑,特别是3-溴咔唑可被用作D-H。
在随后的反应中,可以在通过D-H引入的一个或多个卤素取代基的位置处示例性地引入硼酸酯官能团或硼酸官能团,以产生相应的咔唑-3-基硼酸酯或咔唑-3-基硼酸,例如通过与双(频哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)(CAS号73183-34-3)的反应。随后,可以通过与相应的卤化反应物Ra-Hal,优选Ra-Cl和Ra-Br的偶联反应,引入一个或多个取代基Ra来代替硼酸酯基团或硼酸基团。
或者,经由与取代基Ra[Ra-B(OH)2]的硼酸或相应的硼酸酯的反应,将一个或多个取代基Ra在一个或多个卤素取代基的位置引入(其经由D-H引入)。
循环伏安法
从有机分子在二氯甲烷或合适的溶剂以及合适的支持电解质(例如0.1mol/l四丁基六氟磷酸铵)中浓度为10-3mol/l的溶液测量循环伏安曲线。利用三电极组件(工作电极和反电极:铂丝,参比电极:铂丝)在氮气氛下在室温进行测量,并使用FeCp2/FeCp2 +作为内部标准进行校准。相对于SCE使用二茂铁作为内部标准校正HOMO数据。
密度泛函理论计算
使用BP86泛函和同一性解析法(RI)来优化分子结构。使用采用时间相关DFT(TD-DFT)方法(BP86)优化的结构来计算激发能量。轨道和激发态能量用B3LYP泛函计算。使用Def2-SVP基本集合和用于数值积分的m4-网格。Turbomole程序包用于所有计算。
光物理测量
样品预处理:旋涂
仪器:Spin150,SPS euro。
样品浓度为10mg/ml,溶于合适的溶剂中。
程序:1)在400U/min下3s;以1000Upm/s在1000U/min下20s。3)以1000Upm/s在4000U/min下10s。涂布后,将膜在70℃干燥1分钟。
光致发光光谱和TCSPC(时间相关单光子计数)
稳态发射光谱由配备有150W氙弧灯、激发和发射单色器和Hamamatsu R928光电倍增器的Horiba Scientific,Modell FluoroMax-4和时间相关单光子计数选项进行测量。使用标准校正拟合校正发射和激发光谱。
使用具有FM-2013设备的FMSPC方法和Horiba Yvon TCSPC中心采用相同的***来确定激发态寿命。
激发源:
NanoLED 370(波长:371nm,脉冲持续时间:1.1ns)
NanoLED 290(波长:294nm,脉冲持续时间:<1ns)
SpectraLED 310(波长:314nm)
SpectraLED 355(波长:355nm)。
使用软件套件DataStation和DAS6分析软件完成数据分析(指数拟合)。该拟合使用卡方检验来指定。
光致发光量子产率测量
对于光致发光量子产率(PLQY)测量,使用绝对PL量子产率测量C9920-03G***(Hamamatsu Photonics)。使用软件U6039-05版本3.6.0来确定量子产率和CIE坐标。
发射最大值以nm表示,量子产率Φ以%表示,CIE坐标表示为x,y值。
使用以下协议来确定PLQY:
1)质量保证:乙醇中的蒽(已知浓度)用作参考;
2)激发波长:确定有机分子的吸收最大值并使用该波长激发分子;
3)测定。
在氮气氛下测量溶液或薄膜样品的量子产率。产率使用以下公式计算:
Figure BDA0001811959270000571
其中n光子表示光子计数和Int.表示强度。
光电子器件的生产和表征
包括根据本发明的有机分子的OLED器件可以通过真空沉积方法来生产。如果层含有多于一种的化合物,则一种或多种化合物的重量百分比以%表示。总重量百分比值达到100%,因此如果未给出值,则该化合物的分数等于给定值与100%之间的差值。
未完全优化的OLED使用标准方法以及测量电致发光光谱、依赖于强度的外部量子效率(以%计)进行表征,使用光电二极管检测到的光以及电流进行计算。从以恒定电流密度运行时亮度的变化提取OLED器件寿命。LT50值对应于测量的亮度降低到初始亮度的50%的时间,类似地,LT80对应于测量的亮度降低到初始亮度的80%的时间点,LT95对应于测量的亮度降低到初始亮度的95%的时间点,等等。
进行加速寿命测量(例如,施加提高的电流密度)。使用以下公式确定在500cd/m2下示例性LT80值:
Figure BDA0001811959270000572
其中L0表示在施加的电流密度下的初始亮度。
这些值对应于几个像素(通常为2到8个)的平均值,给出这些像素之间的标准偏差。
HPLC-MS:
通过具有MS-检测器(Thermo LTQ XL)的Agilent(1100系列)在HPLC上进行HPLC-MS色谱分析。在HPLC中使用来自Waters的4.6mm×150mm,粒径5.0μm的反相柱(不含前置柱)。在室温(rt)下用以下列浓度的溶剂乙腈、水和THF进行HPLC-MS测量:
溶剂A:H2O(90%)MeCN(10%)
溶剂B:H2O(10%)MeCN(90%)
溶剂C:THF(100%)
从浓度为0.5mg/ml的溶液中取15μL的进样体积用于测量。使用以下梯度:
Figure BDA0001811959270000581
探针的电离通过APCI(大气压化学电离)进行。
实施例1
Figure BDA0001811959270000582
根据AAV3和AAV5合成实施例1,其中合成AAV5具有14%的收率。
图1描绘了实施例1(在PMMA中以重量计10%)的发射光谱。发射最大值(λmax)在465nm。光致发光量子产率(PLQY)为77%,半峰全宽(FWHM)为0.39eV以及发射寿命为82μs。所得到的CIEx坐标确定为0.15,且CIEy坐标确定为0.18。
实施例2
Figure BDA0001811959270000591
根据AAV3和AAV5合成实施例2,其中合成AAV5具有28%的收率。
MS(HPLC-MS):
分子式 保留时间 计算的m/z 测量的m/z
C<sub>69</sub>H<sub>41</sub>F<sub>6</sub>N<sub>3</sub> 14.31min 1025.32 1025.35
图2描绘了实施例2(在PMMA中以重量计10%)的发射光谱。发射最大值(λmax)在464nm。光致发光量子产率(PLQY)为71%,半峰全宽(FWHM)为0.39eV以及发射寿命为99μs。所得到的CIEx坐标确定为0.15,且CIEy坐标确定为0.18。
实施例3
Figure BDA0001811959270000592
根据AAV3和AAV5合成实施例3,其中合成AAV5具有29%的收率。
MS(HPLC-MS):
分子式 保留时间 计算的m/z 测量的m/z
C<sub>57</sub>H<sub>33</sub>F<sub>6</sub>N<sub>3</sub> 12.05min 873.26 873.35
图3描绘了实施例3(在PMMA中以重量计10%)的发射光谱。发射最大值(λmax)在461nm。光致发光量子产率(PLQY)为69%,半峰全宽(FWHM)为0.40eV以及发射寿命为136μs。所得到的CIEx坐标确定为0.15且CIEy坐标确定为0.16。
本发明的有机分子的其他实例
Figure BDA0001811959270000601
Figure BDA0001811959270000611
Figure BDA0001811959270000621
Figure BDA0001811959270000631
Figure BDA0001811959270000641
Figure BDA0001811959270000651
Figure BDA0001811959270000661
Figure BDA0001811959270000671
Figure BDA0001811959270000681
Figure BDA0001811959270000691
Figure BDA0001811959270000701
Figure BDA0001811959270000711
Figure BDA0001811959270000721
Figure BDA0001811959270000731
Figure BDA0001811959270000741
Figure BDA0001811959270000751
Figure BDA0001811959270000761
Figure BDA0001811959270000771
Figure BDA0001811959270000781
Figure BDA0001811959270000791
Figure BDA0001811959270000801
Figure BDA0001811959270000811
Figure BDA0001811959270000821
Figure BDA0001811959270000831
Figure BDA0001811959270000841
Figure BDA0001811959270000851
Figure BDA0001811959270000861
Figure BDA0001811959270000871
Figure BDA0001811959270000881
Figure BDA0001811959270000891
Figure BDA0001811959270000901
Figure BDA0001811959270000911
Figure BDA0001811959270000921
Figure BDA0001811959270000931
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Figure BDA0001811959270000951
Figure BDA0001811959270000961
Figure BDA0001811959270000971
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Figure BDA0001811959270000991
Figure BDA0001811959270001001
Figure BDA0001811959270001011
Figure BDA0001811959270001021
Figure BDA0001811959270001031
Figure BDA0001811959270001041
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Figure BDA0001811959270001061
Figure BDA0001811959270001071
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Figure BDA0001811959270001101
Figure BDA0001811959270001111
Figure BDA0001811959270001121
Figure BDA0001811959270001131
Figure BDA0001811959270001141
Figure BDA0001811959270001151
Figure BDA0001811959270001161
Figure BDA0001811959270001171
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Figure BDA0001811959270001201
Figure BDA0001811959270001211
Figure BDA0001811959270001221
Figure BDA0001811959270001231
Figure BDA0001811959270001241
Figure BDA0001811959270001251
Figure BDA0001811959270001261
Figure BDA0001811959270001271
Figure BDA0001811959270001281
Figure BDA0001811959270001291
Figure BDA0001811959270001301
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Figure BDA0001811959270001371
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Figure BDA0001811959270001681
附图
图1实施例1在PMMA中(按重量计10%)的发射光谱。
图2实施例2在PMMA中(按重量计10%)的发射光谱。
图3实施例3在PMMA中(按重量计10%)的发射光谱。

Claims (12)

1.一种式IVa-2和IVb-2的有机分子,
Figure FDA0003197642180000011
其中:
Rc在每次出现时独立于另一个地选自由以下组成的组:
Me、iPr、tBu和Ph。
2.根据权利要求1所述的有机分子作为光电子器件中的发光发射体和/或主体材料和/或电子传输材料和/或空穴注入材料和/或空穴阻挡材料的用途。
3.根据权利要求2所述的用途,其中所述光电子器件选自由以下组成的组:
·发光电化学电池,
·有机发光二极管传感器,
·有机二极管,
·有机太阳能电池,
·有机晶体管,
·有机激光器,和
·下变频元件。
4.根据权利要求3所述的用途,其中:
所述有机二极管是有机发光二极管;
所述有机二极管传感器是非气密屏蔽的气体和蒸气传感器;以及
所述有机晶体管是有机场效应晶体管。
5.一种组合物,包含以下:
(a)至少一种根据权利要求1所述的有机分子,和
(b)一种或多种发射体和/或主体材料,其不同于根据权利要求1所述的有机分子,和
(c)任选地,一种或多种染料和/或一种或多种溶剂。
6.根据权利要求5所述的组合物,其中所述有机分子是以发射体和/或主体的形式。
7.一种光电子器件,其包括根据权利要求1所述的一种有机分子或根据权利要求5或6所述的组合物。
8.根据权利要求7所述的光电子器件,包括以下:
-基板
-阳极,和
-阴极,其中所述阳极或所述阴极被设置在所述基板上,和
-至少一个发光层,其被布置在阳极和阴极之间且包括根据权利要求1的有机分子或根据权利要求5或6所述的组合物。
9.根据权利要求7所述的光电子器件,其中所述光电子器件是以选自由以下组成的组的器件的形式:发光电化学电池、有机发光二极管传感器、有机二极管、有机太阳能电池、有机晶体管、有机激光器和下变频元件。
10.根据权利要求9所述的光电子器件,其中:
所述有机二极管是有机发光二极管;
所述有机二极管传感器是非气密屏蔽的气体和蒸气传感器;以及
所述有机晶体管是有机场效应晶体管。
11.一种用于制造光电子器件的方法,其中使用根据权利要求1所述的有机分子或根据权利要求5或6所述的组合物。
12.根据权利要求11所述的方法,所述方法包括通过真空蒸发方法或从溶液处理所述有机分子。
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