CN109509768B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括驱动电路层；以及位于所述驱动电路层和所述衬底基板之间的图案化的金属层，所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分。该金属层可以减小电源电压信号的传输电阻，从而减小电源电压信号在传输时产生的压降，使得显示面板各个位置的显示亮度更加准确。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示面板具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，因此成为一种重要的显示技术。
目前，有机发光显示面板正往大屏化发展，但是有机发光显示面板的显示均匀性往往会随其尺寸的变大而受到影响。显示面板的尺寸越大，显示面板各像素单元的电源电压等信号传递的路径越长，信号传递受到的阻力越大，因此在显示面板不同位置的信号差异越大，进而导致显示面板的显示均匀性变差。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括驱动电路层；位于所述驱动电路层和所述衬底基板之间的图案化的金属层，所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线，所述第一部分与所述电源线彼此电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述电源线包括源漏导电层部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述驱动电路层包括电容和薄膜晶体管；其中，所述电容包括第一极和第二极，所述金属层还包括与所述电容的第一极至少部分正对的第二部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二极与所述金属层的第二部分电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示面板包括显示区和周边区域，所述金属层的第一部分位于所述显示区内，且所述金属层还包括位于所述周边区域中的第四部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述衬底基板上及所述驱动电路层之下的阻挡层及缓冲层；其中，所述金属层设置于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
本公开至少一实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：在衬底基板上形成图案化的金属层；在所述金属层上形成像素单元，所述像素单元包括驱动电路层；其中，所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线，所述第一部分形成为与所述电源线彼此电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述电源线包括源漏导电层部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，在所述驱动电路层中形成电容和薄膜晶体管；其中，所述电容包括第一极和第二极，所述金属层还包括与所述电容相邻的第一极至少部分正对的第二部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述第二极形成为与所述金属层的第二部分电连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述显示面板包括显示区和周边区域，所述金属层的第一部分形成于所述显示区内，且所述金属层还包括形成于所述周边区域中的第四部分。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法，还包括在衬底基板上及所述驱动电路层之下形成阻挡层及缓冲层；其中，所述金属层形成于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，在所述第一部分上的至少所述驱动电路层中形成第一过孔使得所述第一部分能够通过第一过孔与所述电源线连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，在所述第四部分上的至少所述驱动电路层中形成第二过孔使得所述第四部分能够通过第二过孔与至少所述电源线连接。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述第一过孔和所述第二过孔通过一次构图工艺形成。
例如，本公开至少一实施例提供的显示面板的制造方法中，所述第一部分，所述第二部分，所述第三部分和所述第四部分通过一次构图工艺形成。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一所述的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种2T1C像素电路的示意图，图1B为另一种2T1C像素电路的示意图；
图2为本公开一实施例提供的显示面板的示意图一；
图3A-3C为本公开一实施例提供的显示面板的示意图二；
图4为本公开一实施例提供的显示面板的制造工艺流程图；
图5A-图5C，图6-图11为本公开一实施例提供的显示面板在制造过程中的截面图。
附图标记：
10-第一区域；20-第二区域；30-第三区域；101-衬底基板；102-驱动电路层；103A-第一部分；103B-第二部分；1031-第一过孔；1032-第三过孔；203-第三部分；2031-第四过孔；2032-第五过孔；303-第四部分；3031-第二过孔；3032-第六过孔；3033-第七过孔；1011-阻挡层；1021-缓冲层；1022-有源层；1023-第一栅绝缘层；1024(1024A/1024B/1024C)-第一栅导电层；1025-第二栅绝缘层；1026(1026A/1026B)-第二栅导电层；1027-绝缘层；1028(1028A/1028B/1028C)-源漏导电层；104-平坦化层；105-像素电极层；106-像素界定层；107-发光层；108-隔垫物；公共电极109。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
OLED显示面板中的像素电路一般采用矩阵驱动方式，根据每个像素单元中是否引入开关元器件分为有源矩阵驱动和无源矩阵驱动。通常有源矩阵OLED(AMOLED)在每一个像素单元的像素电路中都集成了一组薄膜晶体管和存储电容，通过对薄膜晶体管和存储电容的驱动控制，实现对流过OLED的电流的控制，从而使OLED根据需要发光。
AMOLED显示面板中使用的基础像素电路通常为2T1C像素电路，即利用两个薄膜晶体管(TFT)和一个存储电容Cs来实现驱动OLED发光的基本功能。图1A和图1B分别为示出了两种2T1C像素电路的示意图。
如图1A所示，一种2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs。例如，该开关晶体管T0的栅极连接扫描线以接收扫描信号Scan1，例如源极连接到数据线以接收数据信号Vdata，漏极连接到驱动晶体管N0的栅极；驱动晶体管N0的源极连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，漏极连接到OLED的正极端；存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及电源线，从而连接到第一电压端Vdd；OLED的负极端连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。该2T1C像素电路的驱动方式是将像素的明暗(灰阶)经由两个TFT和存储电容Cs来控制。当通过扫描线施加扫描信号Scan1以开启开关晶体管T0时，数据驱动电路通过数据线送入的数据信号Vdata将经由开关晶体管T0对存储电容Cs充电，由此将数据信号Vdata存储在存储电容Cs中，且此存储的数据信号Vdata控制驱动晶体管N0的导通程度，由此控制流过驱动晶体管以驱动OLED发光的电流大小，即此电流决定该像素发光的灰阶。在图1A所示的2T1C像素电路中，开关晶体管T0为N型晶体管而驱动晶体管N0为P型晶体管。
如图1B所示，另一种2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs，但是其连接方式略有改变，且驱动晶体管N0为N型晶体管。图1B的像素电路相对于图1A的变化之处包括：OLED的正极端连接到电源线从而连接到第一电压端Vdd，以接收第一电压Vdd(高电压)，而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极，驱动晶体管N0的源极连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电压端。该2T1C像素电路的工作方式基本上与图1A所示的像素电路基本相同，这里不再赘述。
此外，对于图1A和图1B所示的像素电路，开关晶体管T0不限于N型晶体管，也可以为P型晶体管，由此控制其导通或截止的扫描控制端Scan1提供的扫描信号的极性进行相应地改变即可。此外，业界还在上述2T1C的基本像素电路的基础上提供了其他具有补偿功能的像素电路，补偿功能可以通过电压补偿、电流补偿或混合补偿来实现，或者补偿功能可以通过内部补偿、外部补偿等来实现，具有补偿功能的像素电路例如可以为4T1C、4T2C、7T1C等，这里不再详述。
为了减小显示面板中电源电压信号的传输电阻，显示面板例如可以设置双层源漏导电层(即包括薄膜晶体管的源漏电极的导电层)以用于形成电源线，因此相对于具有一层源漏导电层的电源线的显示面板来说具有更小的电源电压信号传输电阻，从而减小电源电压信号的电阻压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，使显示面板具有更好的显示均匀性。然而，为了在显示面板中多增加一层源漏导电层，还需要相应地增加一层绝缘层，因此在该显示面板的制造过程中，至少要增加两次光刻工艺形成该增加该额外的源漏导电层，这使得显示面板的制造工艺更复杂、成本更高。
本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括：衬底基板；设置在衬底基板上的像素单元，该像素单元包括驱动电路层；位于驱动电路层和衬底基板之间的图案化的金属层，该金属层包括至少用于连接显示面板电源电压信号的第一部分。
本公开至少一实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：在衬底基板上形成图案化的金属层；在金属层上形成像素单元，该像素单元包括驱动电路层；其中，金属层包括至少用于连接显示面板电源电压信号的第一部分。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，包括显示面板，该显示面板包括：衬底基板；设置在衬底基板上的像素单元，该像素单元包括驱动电路层；位于驱动电路层和衬底基板之间的图案化的金属层，该金属层包括至少用于连接显示面板电源电压信号的第一部分。
下面通过几个具体的实施例对本公开的显示面板及其制造方法进行说明。
实施例一
本实施例提供一种显示面板，该显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括发光二极管以及相应的像素电路，该像素电路例如可以采用或基于上述任一的像素电路。以下例如以像素电路中的存储电容的一极通过电源线与电源电压端Vdd连接为例进行描述，但是本实施例对此不作限制。
如图2所示，该显示面板包括：衬底基板101；设置在衬底基板上的像素单元，该像素单元包括驱动电路层102；该显示面板还包括位于驱动电路层102和衬底基板101之间的图案化的金属层，该金属层包括至少用于连接显示面板电源电压信号的第一部分103A。
本实施例中，如图3A-图3C所示，显示面板例如可以包括显示区和周边区域，显示区包括像素单元以用于显示，周边区域包括各种信号线等，其中显示区例如包括第一区域10和第二区域20，周边区域例如包括第三区域30。
本实施例中，驱动电路层102中例如可以形成有用于驱动显示面板的多个薄膜晶体管、电容、栅线、数据线、电源线等结构；该多个薄膜晶体管可以包括驱动晶体管、开关晶体管等，栅线、数据线、电源线等从显示区域延伸到周边区域之中，并由此与栅驱动电路、数据驱动电路、电源电压端等电连接。本实施例中，电源线例如可以包括源漏导电层部分(稍后详述)；例如电源线可以包括位于不同层上且彼此电连接的栅导电层部分以及源漏导电层部分，该电源线可以直接或间接连接到电源电压端。
例如，如图3A-3C所示，本实施例中，驱动电路层102可以包括有源层1022、第一栅绝缘层1023、第一栅导电层1024、第二栅绝缘层1025、第二栅导电层1026、绝缘层1027和源漏导电层1028等功能层，这些结构层或功能层共同构成位于第一区域10中的电容、位于第二区域20中的薄膜晶体管和位于第三区域30中的周边信号线等结构。该薄膜晶体管例如为驱动晶体管。
在本实施例的一个示例中，显示面板例如还可以包括在衬底基板10上及驱动电路层102之下的阻挡层1011及缓冲层1021，并且图案化的金属层例如可以位于阻挡层1011及缓冲层1021之间。该衬底基板10例如为玻璃基板、塑料基板等，阻挡层1011形成来防止衬底基板中的杂质或有害离子扩散到驱动电路层而导致例如薄膜晶体管的特性劣化。缓冲层1021覆盖在金属层上。
例如，本实施例中，位于第一区域10中的第一栅导电层1024、第二栅绝缘层1025和第二栅导电层1026彼此层叠，由此可以构成第一电容；此时，第一栅导电层1024作为第一电容的第一极，第二栅绝缘层1025作为第一电容的介质，第二栅导电层1026作为第一电容的第二极。另外，该金属层还可以包括与第一电容的第一极(即第一栅导电层1024)至少部分正对的第二部分103B。
如图3A所示，第二部分103B与第一部分103A例如可以为独立的两个部分；如图3B所示，第二部分103B例如可以与第一部分103A电连接；如图3C所示，第二部分103B与第一部分103A也可以为连续的同一部分，即第二部分103B与第一部分103A为同一金属层结构。
本实施例的一个示例中，金属层所包括的第二部分103B、缓冲层1021、第一栅绝缘层1023和第一栅导电层1024可以构成第二电容；缓冲层1021和第一栅绝缘层1023作为第二电容的介质，第二部分103B和第一栅导电层1024分别作为第二电容的第一极和第二极。此时，第一电容的第二极例如可以与第二部分103B电连接，由此第一电容和第二电容彼此并联。因此，金属层所包括的第二部分103B还可以增加该像素单元的电容的总电容量。电容量的增加可以使显示面板各个像素单元的供电量更充足，从而避免像素单元在显示时出现闪烁等不良现象，因此可以提高显示面板的显示品质；另外，第一电容和第二电容并联的结构可以提高电容的单位面积电容量，从而在所需电容一定时可以减小电容所占空间，进而有利于显示面板的高分辨率设计。
本实施例中，位于第一区域10的金属层的第一部分103A和第二部分103B可以为独立的两部分，也可以为一体形成的同一金属层结构；当第一部分103A和第二部分103B为同一金属层结构时，该结构既可以连接电源电压信号也可以与其他功能层一起构成电容。
本实施例中，位于第一区域10的源漏导电层1028例如可以连接电源电压信号，即作为为像素单元提供电源电压信号的电源线，而金属层所包括的第一部分103A例如可以与该电源线彼此电连接，例如可以通过至少一个第一过孔1031与该电源线，即源漏导电层1028进行电连接，由此将第一部分103A与源漏导电层1028例如并联以共同为像素单元提供电源电压信号。因此，本实施例中，第一部分103A的加入可以减小电源电压信号的传输电阻，从而减小电源电压信号在传输时产生的压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。
本实施例中，位于第二区域20中的有源层1022、第一栅绝缘层1023、第一栅导电层1024(作为薄膜晶体管的栅极)、第二栅绝缘层1025、绝缘层1027、源漏导电层1028(包括薄膜晶体管的源极和漏极)构成薄膜晶体管，该薄膜晶体管的源极和漏极例如可以分别连接电源线和像素电极，以用于驱动有机发光二极管发光。本实施例中，金属层例如还可以包括位于第二区域20中至少与薄膜晶体管的沟道区(有源层中对应栅极的部分为沟道区)在衬底基板101上的正投影正对的第三部分203，例如第三部分203可以正对于有源层1022在衬底基板101上的正投影而设置。金属层的第三部分203可以遮挡外界光线，以避免外界光线对该薄膜晶体管的沟道区产生不良影响，例如避免光线的射入而增大薄膜晶体管的漏电流等。
本实施例中，位于第三区域30中的第一栅导电层1024、第二栅导电层1026和源漏导电层1028例如可以用于形成周边信号线，例如栅线、数据线以及电源线等。金属层例如还可以包括位于周边区域中的第四部分，例如包括位于第三区域30中的第四部分303。第四部分303例如可以通过至少一个第二过孔3031与位于第三区域30中的源漏导电层1028、第一栅导电层1024分和第二栅导电层1026电连接，这样所得到的结构可用于形成电源线，由于所得到的电源线由分布在三个不同层上的部分构成，而且彼此可以用至少一个过孔电连接(例如并联)，由此可以降低电源线的电阻。因此当位于第三区域30中的源漏导电层1028连接电源电压信号时，第四部分的加入也可以降低电源电压信号的传输电阻，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。本实施例的其他示例中，金属层所包括的第四部分303例如还可以连接其他信号，例如，第四部分303还可以连接时钟信号(CLK)、重置信号(INI)、栅极高电压(VGH)、栅极低电压(VGL)等。因此，金属层的第四部分303可以充分利用周边区域的空间，进而有利于显示面板的窄边框设计。
本实施例中，金属层的材料例如可以为钛、钛合金、铝、铝合金、钼、钼合金、铜和铜合金等合适的材料，也可以为这些材料的组合。例如金属层的材料可以为钛/铝/钛三层结构、钛/铝双层结构等，本实施例对此不做限定。
本实施例中，显示面板例如还可以包括平坦化层104、像素电极层105、像素界定层106、发光层107、公共电极109、隔垫物108等其他功能结构，本实施例不再赘述。发光层107夹置在像素电极层105与公共电极109之间，由此构成有机发光二极管。
本实施例提供的显示面板所包括的位于驱动电路层和衬底基板之间的图案化的金属层可以包括多个部分，其中至少第一部分可以用于连接显示面板电源电压信号，因此该部分可以减小电源电压信号的传输电阻，从而减小电源电压信号在传输时产生的压降，从而该金属层可以减小显示面板各处电源电压信号的差异，使得显示面板各个位置的显示亮度更加准确，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。例如，在显示面板在具有较大尺寸的情况下，该金属层可以有效提高显示面板的显示均匀性。本实施例中，金属层的第二部分可以与显示面板的第一电容相结合并构成第二电容以提高像素单元的电容的总电容量。电容量的增加可以使显示面板各个像素单元的供电量更充足，从而避免像素单元在显示时出现闪烁等不良现象，因此可以提高显示面板的显示品质；另外，第一电容和第二电容可以形成并联结构，该并联结构可以提高电容的单位面积电容量，从而在所需电容一定时可以减小电容所占空间，进而有利于显示面板的高分辨率设计。金属层的第三部分对应于薄膜晶体管设置，该部分可以对薄膜晶体管的沟道区进行有效保护，避免外界光线射入沟道区而产生不利影响。金属层的第四部分位于周边区域，该部分可以用于连接显示面板电源电压信号以提高显示面板显示均匀性，也可以连接其他信号，从而充分利用周边区域的空间，进而有利于显示面板的窄边框设计。另外，本实施例中，金属层所包括的各个部分位于同一层中，因此这些部分可以在同一工艺步骤中形成，从而可以简化显示面板的制造工艺、降低成本。
实施例二
本实施例提供一种显示面板的制造方法，该显示面板例如为如上所述的显示面板，如图4所示，该方法包括步骤S101-步骤S102。
步骤S101：在衬底基板上形成图案化的金属层。
本实施例中，显示面板例如可以分为显示区和周边区域，其中，显示区例如可以包括第一区域10和第二区域20，周边区域例如可以包括第三区域30。
本实施例中，如图5A所示，首先在衬底基板101上形成图案化的金属层。金属层例如可以包括至少用于连接显示面板电源电压信号的第一部分103A，第一部分103A例如可以形成在第一区域10中，并且第一部分103A例如可以与之后形成的显示面板的电源线相连，用于降低电源电压信号的传输电阻，减小电源电压信号在传输时产生的压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。例如，金属层还可以包括形成在第一区域10中的第二部分103B，第二部分103B例如可以形成在对应于之后将要形成电容的位置，从而与之后形成的电容相结合，提高其电容量。
本实施例中，如图5A所示，第一部分103A和第二部分103B例如可以为互不相连的两个独立的部分；或者，如图5B所示，第一部分103A和第二部分103B例如可以电连接；又或者，如图5C所示，第一部分103A和第二部分103B例如还可以为同一金属层结构；当第一部分103A和第二部分103B为同一金属层结构时，该结构即可以连接电源电压信号也可以与其他功能层一起构成电容。
本实施例中，金属层例如还可以包括形成在第二区域20中的第三部分203，第三部分203例如可以对应形成于之后将要形成的用于驱动显示面板发光的薄膜晶体管的位置，例如形成于薄膜晶体管的沟道区在衬底基板101上的正投影正对的位置，从而第三部分203可以遮挡外界光线，以避免外界光线对薄膜晶体管的沟道区产生不良影响，例如避免光线的射入而增大薄膜晶体管的漏电流等。
本实施例中，金属层例如还可以包括形成于第三区域30中的第四部分303。第四部分303例如也可以连接电源电压信号，从而降低电源电压信号的传输电阻，减小显示面板各处电源电压信号的差异，提高显示面板显示均匀性。本实施例的其他示例中，金属层所包括的第四部分303例如还可以连接其他信号，例如，第四部分303还可以连接时钟信号(CLK)、重置信号(INI)、栅极高电压(VGH)、栅极低电压(VGL)等，从而第四部分303可以充分利用周边区域的空间，进而有利于显示面板的窄边框设计。
本实施例中，金属层的第一部分103A、第二部分103B、第三部分203和第四部分303例如可以通过对同一金属薄膜层进行一次构图工艺形成，从而可以简化显示面板的制造工艺。
本实施例中，金属层的材料例如可以为钛、钛合金、铝、铝合金、钼、钼合金、铜和铜合金等合适的材料，也可以为这些材料的组合。例如金属层的材料可以为钛/铝/钛三层结构、钛/铝双层结构等，本实施例对此不做限定。
本实施例中，在衬底基板101上形成图案化的金属层之前，例如可以先形成一层阻挡层1011，之后在层阻挡层1011上形成金属层，阻挡层1011可以对金属层等结构形成保护。阻挡层1011的材料例如可以为氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等合适的材料，本实施例对此不做限定。
步骤S102：在金属层上形成像素单元。
本实施例中，在金属层形成之后，可以在金属层上形成像素单元，该像素单元例如可以包括驱动电路层以及有机发光二极管等。
本实施例中，形成驱动电路层例如可以包括形成用于驱动显示面板的多个薄膜晶体管、电容、栅线、数据线、电源线等结构；该多个薄膜晶体管可以包括驱动晶体管、开关晶体管等，栅线、数据线、电源线等例如可以从显示区域延伸到周边区域之中，并由此与栅驱动电路、数据驱动电路、电源电压端等电连接。本实施例中，例如可以将电容形成在第一区域10中，将薄膜晶体管形成在第二区域20中，将栅线、数据线、电源线等作为周边电路的部分形成在第三区域30中。本实施例中，电源线例如可以包括源漏导电层(稍后详述)，例如电源线包括形成于不同层上且彼此电连接的栅导电层部分以及源漏导电层，该电源线可以直接或间接连接到电源电压端。
如图6所示，在形成驱动电路层前，例如可以在金属层上形成一层缓冲层1021，从而金属层位于阻挡层1011及缓冲层1021之间。
本实施例中，例如可以在缓冲层1021上形成一层有源层材料，然后例如采用光刻工艺等对有源层材料进行构图，最终在第二区域中形成用于构成薄膜晶体管的有源层1022，然后对有源层1022的除沟道区之外的其他部分进行相应的导体化处理。本实施例中，缓冲层1021例如可以采用氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等合适的材料；有源层1022例如可以采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体(例如IGZO)等半导体材料，本实施例对此不做限定。
如图7所示，有源层1022形成后，在整个基板表面形成第一栅绝缘层1023，之后在第一栅绝缘层1023上形成第一栅极材料层，然后采用例如光刻工艺等对第一栅极材料层进行构图以形成第一栅导电层。第一栅导电层例如可以包括位于第一区域10的部分1024A、位于第二区域20的部分1024B和位于第三区域30的部分1024C。如下所述部分1024A用于形成电容，部分1024B用于形成薄膜晶体管的栅极，部分1024C用于形成信号线等。本实施例中，第一栅绝缘层1023例如可以采用氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等合适的材料；第一栅导电层例如可以采用金属等导电材料，例如采用钼、铝、钛等合适的材料，本实施例对此不做限定。在本实施例的一些示例中，例如在有源层为多晶硅时，还可以采用栅导电层1024B为掩模，对于有源层1022进行掺杂。
如图8所示，第一栅导电层形成后，例如可以在整个基板上形成第二栅绝缘层1025，之后在第二栅绝缘层1025上形成第二栅极材料层，然后采用例如光刻工艺等对第二栅极材料层进行构图以形成第二栅导电层。第二栅导电层例如可以包括位于第一区域10的部分1026A和位于第三区域30的部分1026B。第二栅导电层位于第一区域10的部分1026A、第二栅绝缘层1025和第一栅导电层的部分1024A可以构成第一电容，第一栅导电层的部分1024A作为第一电容的第一极，第二栅绝缘层1025作为第一电容的介质，第二栅导电层的部分1026A作为第一电容的第二极。本实施例中，第一栅导电层的部分1024A、缓冲层1021、第一栅绝缘层1023、金属层的第二部分103B还可以形成第二电容，并且第一电容的第二极形成为与金属层的第二部分103B电连接，由此第一电容和第二电容彼此并联。因此金属层的第二部分103B可以增大像素单元的电容的总电容量。本实施例中，第二栅绝缘层1025例如可以采用氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等合适的材料；第二栅导电层例如可以采用金属等导电材料，例如可以采用钼、铝、钛等合适的材料，本实施例对此不做限定。
如图9所示，第二栅导电层形成后，在整个基板表面形成一层绝缘层1027，之后可以采用构图工艺，例如光刻工艺在多个功能层中分别形成暴露出金属层、第一栅导电层和第二栅导电层的多个过孔。这些过孔例如可以包括位于第一区域10的暴露出金属层的第一部分103A的第一过孔1031，位于第三区域30的暴露出金属层的第四部分303的第二过孔3031，位于第一区域10的暴露出第二栅极的部分1026A的第三过孔1032，位于第二区域20的暴露出有源层1022的第四过孔2031和第五过孔2032，位于第三区域30的暴露出第一栅极的部分1024C的第六过孔3032以及位于第三区域30的暴露出第二栅极的部分1024B的第七过孔3033；并且，为了使得位于不同层上的导电部分更好地并联，还可以在不同位置形成更多的过孔。本实施例中，这些过孔例如可以通过一次构图工艺形成。本实施例中，绝缘层207例如可以采用氮化硅、氧化硅等合适的材料，本实施例对此不做限定。
如图10所示，在多个过孔形成后，在基板表面形成一层源漏极金属层，然后例如采用光刻工艺等对其进行构图以形成图案化的源漏导电层1028，图案化的源漏导电层1028通过上述过孔与被暴露出的金属层、第一栅导电层或第二栅导电层电连接。本实施例中，图案化的源漏导电层1028包括形成于第一区域10的部分1028A，形成于第二区域20的部分1028B和形成于第三区域30的部分1028C。本实施例中，源漏导电层1028在第一区域10的部分1028A例如可以与金属层的第一部分103和第二栅导电层的部分1026A电连接，并作为为像素单元提供电源电压信号的电源线的一部分。因此，金属层的第一部分103可以与电源线彼此电连接从而与其形成并联，该并联结构可以降低电源电压信号的传输电阻，减小电源电压信号在传输时产生的压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。源漏导电层1028在第二区域20的部分1028B分为两部分并分别与有源层1022电连接，形成薄膜晶体管的源极和漏极，该薄膜晶体管可以用于驱动之后形成的发光元件(有机发光二极管)。源漏导电层1028在第三区域30的部分1028C与金属层的第四部分303、第一栅导电层的部分1024C和第二栅导电层的部分1026B电连接，这样所得到的结构可用于形成电源线，由于所得到的电源线由分布在三个不同层上的部分构成，而且彼此可以用个至少一个过孔电连接(例如并联)，由此可以降低电源线的电阻。源漏导电层1028位于第三区域30的部分1028C例如可以作为为像素单元提供电源电压信号的电源线的一部分，从而金属层的第四部分303与电源线彼此电连接从而形成并联，该并联结构可以降低电源电压信号的传输电阻，减小电源电压信号在传输时产生的压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。本实施例中，源漏导电层1028例如可以金属等导电材料，例如可以采用钛、钛合金、铝、铝合金、钼、钼合金、铜和铜合金等合适的材料，本实施例对此不做限定。
如图11所示，本实施例中，显示面板的制造方法例如还可以包括在源漏导电层1028上形成平坦化层104、像素电极层105、像素界定层106、发光层107、隔垫物108等功能结构的步骤，还可以进一步形成用于形成发光元件的公共电极109以及封装结构(图中未示出)等，公共电极109与像素电极层105将发光层107夹置在其之间从而形成有机发光二极管，本实施例不再赘述。公共电极109例如电连接到另一个电源电压端。
利用本实施例提供的方法制造的显示面板包括位于驱动电路层和衬底基板之间的图案化的金属层，该金属层可以包括多个部分，其中至少第一部分可以用于连接显示面板电源电压信号，因此该部分可以减小电源电压信号的传输电阻，从而减小电源电压信号在传输时产生的压降，进而减小显示面板各处电源电压信号的差异，使得显示面板各个位置的显示亮度更加准确，最终达到提高显示面板显示均匀性的技术效果。例如，在显示面板在具有较大尺寸的情况下，该金属层可以有效提高显示面板的显示均匀性。金属层的第二部分可以与显示面板的第一电容相结合并构成第二电容以提高像素单元的电容的总电容量。电容量的增加可以使显示面板各个像素单元的供电量更充足，从而避免像素单元在显示时出现闪烁等不良现象，因此可以提高显示面板的显示品质；另外，第一电容和第二电容可以形成并联结构，该并联结构可以提高电容的单位面积电容量，从而在所需电容一定时可以减小电容所占空间，进而有利于显示面板的高分辨率设计。金属层的第三部分对应于薄膜晶体管设置，可以对薄膜晶体管的沟道区进行有效保护，避免外界光线射入沟道区而产生不利影响。金属层的第四部分位于周边区域，可以用于连接显示面板电源电压信号以提高显示面板显示均匀性，也可以连接其他信号，从而充分利用周边区域的空间，进而有利于显示面板的窄边框设计。另外，本实施例中，金属层所包括的各个部分形成在显示面板的同一层中，因此这些部分可以在同一工艺步骤中形成；同时，本实施例的金属层在形成时无需再引入其他绝缘层，因而仅增加一步工艺步骤即可制备得到该金属层，因此本实施例提供的方法还可以简化显示面板的制造工艺，进而节约成本。
还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种显示面板，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括驱动电路层；
位于所述驱动电路层和所述衬底基板之间的图案化的金属层，所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分；
所述显示面板包括显示区和周边区域，所述金属层的第一部分位于所述显示区内，且所述金属层还包括位于所述周边区域中的第四部分，所述第四部分与位于所述周边区域的由第一栅导电层、第二栅导电层和源漏导电层中的至少一个形成的周边信号线连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线，所述第一部分与所述电源线彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述电源线包括源漏导电层部分。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述驱动电路层包括电容和薄膜晶体管；其中，所述电容包括第一极和第二极，所述金属层还包括与所述电容的第一极相邻且至少部分正对的第二部分。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第二极与所述金属层的第二部分电连接。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
7.根据权利要求1-6任一所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述衬底基板上及所述驱动电路层之下的阻挡层及缓冲层；所述金属层设置于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
8.一种显示面板的制造方法，包括：
在衬底基板上形成图案化的金属层；
在所述金属层上形成像素单元，所述像素单元包括驱动电路层；
其中，所述金属层包括至少用于连接所述显示面板电源电压信号的第一部分；
所述显示面板包括显示区和周边区域，所述金属层的第一部分形成于所述显示区内，且所述金属层还包括形成于所述周边区域中的第四部分，所述第四部分与位于所述周边区域的由第一栅导电层、第二栅导电层和源漏导电层中的至少一个形成的周边信号线连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其中，所述驱动电路层包括为所述像素单元提供电源电压信号的电源线，所述第一部分形成为与所述电源线彼此电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法，其中，在所述驱动电路层中形成电容和薄膜晶体管；
所述电容包括第一极和第二极，所述金属层还包括与所述电容的第一极相邻且至少部分正对的第二部分。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述第二极形成为与所述金属层的第二部分电连接。
12.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中，所述金属层还包括至少与所述薄膜晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影正对的第三部分。
13.根据权利要求8-12任一所述的显示面板的制造方法，还包括在衬底基板上及所述驱动电路层之下形成阻挡层及缓冲层；其中，所述金属层形成于所述阻挡层及所述缓冲层之间。
14.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法，其中，在所述第一部分上的至少所述驱动电路层中形成第一过孔使得所述第一部分能够通过第一过孔与所述电源线连接。
15.根据权利要求14所述的显示面板的制造方法，其中，在所述第四部分上的至少所述驱动电路层中形成第二过孔使得所述第四部分能够通过第二过孔与至少所述电源线连接。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制造方法，其中，所述第一过孔和所述第二过孔通过一次构图工艺形成。
17.根据权利要求12所述的显示面板的制造方法，其中，所述第一部分，所述第二部分，所述第三部分和所述第四部分通过一次构图工艺形成。
18.一种显示装置，包括根据权利要求1-7任一所述的显示面板。
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