CN109491547B - 一种自容In-cell显示屏触控结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示屏触控领域，特别涉及一种新型自容In‑cell显示屏触控结构，包括假像素区域和正常像素区域，所述正常像素区域对应In‑cell显示屏触控区域设置，所述假像素区域设置在所述正常像素区域的***且位于正常像素区域与外设的信号干扰源之间，所述假像素区域被配置为屏蔽所述信号干扰源对正常像素区域的信号干扰。在沿用现有In‑cell制程的基础下，通过优化假像素区域，使设置在***的假像素区域能够屏蔽外设的信号干扰源对正常像素区域的信号干扰，降低***驱动电路和信号线对四边触控传感器电容值的影响，从而提升面板内触控传感器电容值的均一性。
Description
技术领域
本发明涉及显示屏触控领域，特别涉及一种自容In-cell显示屏触控结构。
背景技术
在现有的LCD显示技术上，集成触控功能已被广泛应用于中小尺寸面板。纯In-cell触控显示面板采用复用公共电极层做公共电极或触控传感器的自容显示技术，该架构下的触控传感器电极因距离IC芯片间距以及面板排布位置差异，会受到信号线、周边传感器以及触控走线寄生电容或阻值等因素的影响。在此架构下，无触控动作下各传感器电容值存在差异，如果差异过大，驱动IC芯片将无法补偿其面内差异，从而影响触控性能。因此，特别有必要提供一种自容In-cell显示屏触控结构，能够减少***驱动电路和信号线对触控传感器电容值的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种自容In-cell显示屏触控结构。减少***驱动电路和信号线对触控传感器电容值的影响，从而获得更加均一的面板内电容初始值。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种自容In-cell显示屏触控结构，包括假像素区域和正常像素区域，所述正常像素区域对应In-cell显示屏触控区域设置，所述假像素区域设置在所述正常像素区域的***且位于正常像素区域与外设的信号干扰源之间，所述假像素区域被配置为屏蔽所述信号干扰源对正常像素区域的信号干扰。
本发明的有益效果在于：在沿用现有In-cell制程的基础下，通过优化假像素区域，使设置在***的假像素区域能够屏蔽外设的信号干扰源对正常像素区域的信号干扰，降低***驱动电路和信号线对四边触控传感器电容值的影响，从而提升面板内触控传感器电容值的均一性。
附图说明
图1为根据本发明的一种自容In-cell显示屏触控结构的显示屏触控区域示意图；
图2为根据本发明的一种自容In-cell显示屏触控结构的实施例二的显示屏触控区域示意图；
图3为根据本发明的一种自容In-cell显示屏触控结构的实施例三的显示屏触控区域示意图；
标号说明：
1、假像素区域；2、正常像素区域；3、公共电极走线。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：将显示区域最***的假像素区域设置成能够屏蔽***信号干扰源的屏蔽圈，降低***驱动电路或信号线对四边触控传感器的影响。
请参照图1-3，本发明提供的技术方案：
一种自容In-cell显示屏触控结构，包括假像素区域和正常像素区域，所述正常像素区域对应In-cell显示屏触控区域设置，所述假像素区域设置在所述正常像素区域的***且位于正常像素区域与外设的信号干扰源之间，所述假像素区域被配置为屏蔽所述信号干扰源对正常像素区域的信号干扰。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：在沿用现有In-cell制程的基础下，通过优化假像素区域，使设置在***的假像素区域能够屏蔽外设的信号干扰源对正常像素区域的信号干扰，降低***驱动电路和信号线对四边触控传感器电容值的影响，从而提升面板内触控传感器电容值的均一性。
进一步的，所述正常像素区域包括多个第一触控单元，多个所述第一触控单元呈阵列排布，所述第一触控单元包括第一栅极走线、第一TFT器件、第一触控走线和第一源极走线，所述第一TFT器件的源极与所述第一源极走线连接，所述第一TFT器件的栅极与所述第一栅极走线连接，两两所述第一栅极走线相互平行设置，两两所述第一触控走线相互平行设置，两两所述第一源极走线相互平行设置，所述第一触控走线与所述第一源极走线相互平行设置，所述第一栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置；
所述假像素区域包括多个第二触控单元，多个所述第二触控单元呈阵列排布，所述第二触控单元包括第二栅极走线、第二TFT器件、第二触控走线和第二源极走线，所述第二TFT器件的源极与所述第二源极走线连接，所述第二TFT器件的栅极与所述第二栅极走线连接，两两所述第二栅极走线相互平行设置，两两所述第二触控走线相互平行设置，两两所述第二源极走线相互平行设置，所述第二触控走线与所述第二源极走线相互平行设置，所述第二栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置，所述第二栅极走线与所述第一栅极走线共线。
进一步的，所述正常像素区域被平均划分为两个以上区域。
由上述描述可知，将正常像素区域均匀划分为两个以上区域，能有效提高显示屏的像素显示效果。
进一步的，所述假像素区域还包括公共电极走线，所述公共电极走线与所述第二栅极走线相互平行设置，所述公共电极走线与所述第二源极走线相互垂直设置。
由上述描述可知，在假像素区域设置公共电极走线，能有效提升假像素区域的触控电极的阻抗均一性。
进一步的，所述公共电极走线的数量为1根。
由上述描述可知，在假像素区域设置1根公共电极走线，其走线方式较简单，且能使假像素区域的触控电极达到最佳的阻抗值。
进一步的，所述假像素区域被划分为两个以上区域。
由上述描述可知，将假像素区域划分为两个以上区域能有效屏蔽信号干扰源对正常像素区域的信号干扰且提升面板内触控传感器电容值的均一性。
进一步的，所述假像素区域划分的区域数量范围为1-3个。
由上述描述可知，将假像素区域划分为1-3个区域，能有效屏蔽信号干扰源对正常像素区域的信号干扰且提升面板内触控传感器电容值的均一性。
进一步的，所述假像素区域划分的区域数量为3个。
由上述描述可知，将假像素区域划分为3个区域，能够达到最佳的屏蔽效果。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种自容In-cell显示屏触控结构，包括假像素区域1和正常像素区域2，所述正常像素区域1对应In-cell显示屏触控区域设置，所述假像素区域1设置在所述正常像素区域2的***且位于正常像素区域2与外设的信号干扰源之间，所述假像素区域1被配置为屏蔽所述信号干扰源对正常像素区域的信号干扰。
所述正常像素区域2被平均划分为两个以上区域，所述正常像素区域2包括多个第一触控单元，多个所述第一触控单元呈阵列排布，所述第一触控单元包括第一栅极走线、第一TFT器件、第一触控走线和第一源极走线，所述第一TFT器件的源极与所述第一源极走线连接，所述第一TFT器件的栅极与所述第一栅极走线连接，两两所述第一栅极走线相互平行设置，两两所述第一触控走线相互平行设置，两两所述第一源极走线相互平行设置，所述第一触控走线与所述第一源极走线相互平行设置，所述第一栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置；
所述假像素区域1包括多个第二触控单元，多个所述第二触控单元呈阵列排布，所述第二触控单元包括第二栅极走线、第二TFT器件、第二触控走线和第二源极走线，所述第二TFT器件的源极与所述第二源极走线连接，所述第二TFT器件的栅极与所述第二栅极走线连接，两两所述第二栅极走线相互平行设置，两两所述第二触控走线相互平行设置，两两所述第二源极走线相互平行设置，所述第二触控走线与所述第二源极走线相互平行设置，所述第二栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置，所述第二栅极走线与所述第一栅极走线共线。
所述假像素区域设置有公共电极，所述公共电极对应液晶显示器(LCD)制程工艺步骤的公共电极层，所述LCD制程工艺步骤如下：
提供一玻璃层，在玻璃层表面上覆盖有栅极绝缘层；
形成一半导体层，且所述半导体层覆盖于栅极绝缘层表面；
形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖于半导体层表面；
形成一第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于第二绝缘层表面；
形成一平坦化层，所述平坦化层覆盖于第三绝缘层表面；
形成一第四绝缘层，所述第四绝缘层覆盖于平坦化层表面；
形成一第三金属层，所述第三金属层覆盖于第四绝缘层表面；
形成一公共电极层，所述公共电极层覆盖于第三金属层表面；
形成一第六绝缘层，所述第六绝缘层覆盖于公共电极层表面；
形成一显示电极层，所述显示电极层覆盖于第六绝缘层表面。
在制程工艺制作过程中，都是通过镀膜、清洗、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻和光刻胶剥离等工艺步骤施作相应的结构层。
请参照图2，本发明的实施例二为：
实施例二与实施例一的差别在于实施例二的所述假像素区域1还包括一条公共电极走线3，所述公共电极走线3与所述第二栅极走线相互平行设置，所述公共电极走线3与所述第二源极走线相互垂直设置。
请参照图3，本发明的实施例三为：
实施例三与实施例二的差别在于实施例三的所述假像素区域1被划分为两个以上区域，所述假像素区域1划分的区域数量范围为1-3个，所述假像素区域1划分区域的优选数量为3个。
综上所述，本发明提供的一种自容In-cell显示屏触控结构，在沿用现有In-cell制程的基础下，通过优化假像素区域，使设置在***的假像素区域能够屏蔽外设的信号干扰源对正常像素区域的信号干扰，降低***驱动电路和信号线对四边触控传感器电容值的影响，从而提升面板内触控传感器电容值的均一性。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种自容In-cell显示屏触控结构，其特征在于，包括假像素区域和正常像素区域，所述正常像素区域对应In-cell显示屏触控区域设置，所述假像素区域设置在所述正常像素区域的***且位于正常像素区域与外设的信号干扰源之间，所述假像素区域被配置为屏蔽所述信号干扰源对正常像素区域的信号干扰；
所述正常像素区域包括多个第一触控单元，多个所述第一触控单元呈阵列排布，所述第一触控单元包括第一栅极走线、第一TFT器件、第一触控走线和第一源极走线，所述第一TFT器件的源极与所述第一源极走线连接，所述第一TFT器件的栅极与所述第一栅极走线连接，两两所述第一栅极走线相互平行设置，两两所述第一触控走线相互平行设置，两两所述第一源极走线相互平行设置，所述第一触控走线与所述第一源极走线相互平行设置，所述第一栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置；
所述假像素区域包括多个第二触控单元，多个所述第二触控单元呈阵列排布，所述第二触控单元包括第二栅极走线、第二TFT器件、第二触控走线和第二源极走线，所述第二TFT器件的源极与所述第二源极走线连接，所述第二TFT器件的栅极与所述第二栅极走线连接，两两所述第二栅极走线相互平行设置，两两所述第二触控走线相互平行设置，两两所述第二源极走线相互平行设置，所述第二触控走线与所述第二源极走线相互平行设置，所述第二栅极走线与所述第一触控走线相互垂直设置，所述第二栅极走线与所述第一栅极走线共线；
所述正常像素区域被平均划分为两个以上区域；
所述假像素区域还包括公共电极走线，所述公共电极走线与所述第二栅极走线相互平行设置，所述公共电极走线与所述第二源极走线相互垂直设置。
2.根据权利要求1所述的自容In-cell显示屏触控结构，其特征在于，所述公共电极走线的数量为1根。
3.根据权利要求1所述的自容In-cell显示屏触控结构，其特征在于，所述假像素区域被划分为两个以上区域。
4.根据权利要求3所述的自容In-cell显示屏触控结构，其特征在于，所述假像素区域划分的区域数量范围为1-3个。
5.根据权利要求4所述的自容In-cell显示屏触控结构，其特征在于，所述假像素区域划分的区域数量为3个。
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