CN109490737A - 微波半导体器件频率扩展多参数自动测试通用方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种微波半导体器件频率扩展多参数自动测试通用方法及装置,包括一主控单元、若干测试仪器和一测试功能电路;所述主控单元被配置为通过测控总线与各测试仪器和测试功能电路相连;所述测试仪器包括信号发生器、信号/频谱分析仪和矢量网络分析仪,所述测试仪器被配置为接收主控单元命令,并发送相应测试信号至测试功能电路;所述测试功能电路被配置为根据主控单元命令对测试信号进行处理;和以波导形式单次连接被测微波半导体器件,与相应测试仪器协同完成被测微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试。
Description
技术领域
本公开属于微波测试技术领域,具体涉及一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试通用方法及装置。
背景技术
随着微波半导体技术、信息与通信技术的快速发展,微波半导体器件的集成功能与技术特性等也相应获得不断提升,对微波半导体器件在波导连接的频率扩展模式下多参数自动测试提出更高的要求,因此给测试技术或相关产品提出更新、更高的技术要求。
传统模式中,微波半导体器件在波导连接的频率扩展模式下参数测试主要由“通用测试仪器+频率扩展模块”的架构组成与实现,即参数测试中的信号激励功能由“通用信号发生器+信号发生频率扩展模块”组成与实现,且只能提供信号激励功能;参数测试中的信号/频谱分析功能由“通用信号/频谱分析仪+信号/频谱分析频率扩展模块”组成与实现,且只能提供信号/频谱分析功能;参数测试中的散射参数分析功能由“通用矢量网络分析仪+网络分析频率扩展模块”组成与实现,且只能提供散射参数分析功能等。如要进行微波半导体器件波导连接的频率扩展模式下多参数测试就需要多次分别拆卸组合装联并组建相应测试设备以实现相应测试功能。
可见,根据实际应用的需求分析,传统模式的微波半导体器件频率扩展多参数测试存在如下不足:
1、基于传统模式,要进行微波半导体器件波导连接的频率扩展模式下多参数测试需要多次分别拆卸组合装联并组建相应测试设备以实现相应测试功能。每次组建测试设备实现的测试功能与参数类别单一,多次组建测试设备以实现相应测试功能的方法较为复杂,总体测试效率较低,测试成本较高;
2、基于传统模式,微波半导体器件波导连接的频率扩展模式下多参数测试需要频率扩展模块和被测器件进行多次拆卸、装联等,难以将相应多参数测试功能整合融入自动测试的完整能力以实现多参数自动测试的高效集成测控,无法实现自动化一体测量,不能满足测试应用对测试工程领域的现实技术要求,如采用波导形式连接探针进行在片测试时,传统模式的反复多次拆卸、装联等所带来的影响和成本更高。
因此,为有效解决微波半导体器件波导连接的频率扩展多参数自动测试与评估问题,需要一种用于微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试的通用方法及装置,以最大限度地满足测试应用需求和更高的技术要求。
发明内容
为了解决现有技术的不足,本公开提供了一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试通用方法及装置,可以在高效集成测控的基础上实现单次连接、多次测试的多参数测试功能,有效解决基于传统模式的测试功能与参数类别单一、测试方法复杂、测试效率较低等问题,以通用化的方式最大限度地满足实际应用的测试需求和更高的技术要求。
为了实现上述目的,本公开的技术方案如下:
一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,包括一主控单元、若干测试仪器和一测试功能电路;
所述主控单元被配置为通过测控总线与各测试仪器和测试功能电路相连;
所述测试仪器包括信号发生器、信号/频谱分析仪和矢量网络分析仪,所述测试仪器被配置为接收主控单元命令,并发送相应测试信号至测试功能电路;
所述测试功能电路被配置为根据主控单元命令对测试信号进行处理;和
以波导形式单次连接被测微波半导体器件,与相应测试仪器协同完成被测微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试。
进一步的,所述测试功能电路包括控制及电源电路单元,所述控制及电源电路单元被配置为与主控单元进行信息交互与测控交互,以便控制所述测试功能电路中各功能单元工作在相应正常状态。
进一步的,所述主控单元还通过测控总线与程控直流电源相连,所述程控直流电源用于与控制及电源电路单元协同为测试功能电路提供所需直流偏置电源。
进一步的,所述测试功能电路还包括依次连接的通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ,所述通道路由单元Ⅰ还与各测试仪器相连,所述通道路由单元Ⅱ还通过波导形式有被测微波半导体器件相连,所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下对信号发生器发送的微波激励信号进行通道构建和信号倍频与调理,以提供被测微波半导体器件参数测试所需的激励信号。
进一步的,所述测试功能电路还包括混频调理单元Ⅳ和倍频调理单元Ⅴ,所述混频调理单元Ⅳ与通道路由单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅴ与通道路由单元Ⅰ和混频调理单元Ⅳ相连,所述通道路由单元Ⅱ和混频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件输出信号特性的响应信号,所述通道路由单元Ⅰ和倍频调理单元Ⅴ在控制及电源电路单元的控制下,对信号/频谱分析仪发送的微波本振信号进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理,所述响应信号和本振信号通过混频调理单元Ⅳ混频后得到中频信号并输出给信号/频谱分析仪,进行被测微波半导体器件测试参数的信号/频谱分析。
进一步的,所述测试功能电路还包括耦合单元Ⅰ、混频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅱ、混频调理单元Ⅱ、耦合单元Ⅲ、混频调理单元Ⅲ、功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ,所述耦合单元Ⅰ与倍频调理单元Ⅰ相连,所述混频调理单元Ⅰ与耦合单元Ⅰ相连,所述耦合单元Ⅱ与通道路由单元Ⅱ相连,所述混频调理单元Ⅱ与耦合单元Ⅱ相连,所述耦合单元Ⅲ通过波导方式与被测微波半导体器件相连,所述混频调理单元Ⅲ与耦合单元Ⅲ相连,所述功分单元与矢量网络分析仪、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ相连,所述倍频调理单元Ⅱ与混频调理单元Ⅰ相连,所述倍频调理单元Ⅲ与混频调理单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅳ与混频调理单元Ⅲ相连;
所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅰ和混频调理单元Ⅰ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波激励信号分别进行通道构建、倍频与调理以及信号耦合分离与提取操作,为被测微波半导体器件提供激励信号并得到参考信号;
所述通道路由单元Ⅱ、耦合单元Ⅱ和混频调理单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件反射信号特性响应信号,所述耦合单元Ⅲ和混频调理单元Ⅲ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件传输信号特性响应信号;
所述功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波本振信号分为三路,并分别进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理;
所述参考信号和响应信号分别与本振信号经过混频得到参考中频信号、反射中频信号和传输中频信号并输出给矢量网络分析仪,进行被测微波半导体器件的散射参数测试分析。
一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试方法,包括如上所述的测试装置,其方法具体为:
控制测试仪器发送相应的测试信号至测试功能电路;
对测试信号根据测试需求进行相应的通道构建、信号倍频与调理、信号耦合分离与提取或混频调理;
以波导形式单次连接被测微波半导体器件,与测试仪器协同完成被测微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试。
进一步的,所述方法包括对信号发生器所发送的微波激励信号进行通道构建和信号倍频与调理,以提供被测微波半导体器件参数测试所需的激励信号。
进一步的,所述方法包括对信号/频谱分析仪所发送的微波本振信号进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理,接收带有被测微波半导体器件输出信号特性响应信号,将响应信号与本振信号进行混频得到中频信号并输出给信号/频谱分析仪,进行被测微波半导体器件参数测试的信号/频谱分析。
进一步的,所述方法包括对电路对矢量网络分析仪所发送的微波激励信号进行通道构建、倍频与调理和信号耦合分离与提取,为被测微波半导体器件提供激励信号并得到参考信号;
接收带有被测微波半导体器件反射信号特性的响应信号和传输信号特性的响应信号;
将矢量网络分析仪所发送的微波本振信号分为三路,分别进行本振通道构建和信号倍频与调理;
将参考信号与本振信号混频得到参考中频信号,将带有反射信号特性的响应信号与本振信号混频得到反射中频信号,将带有传输信号特性的响应信号与本振信号混频得到传输中频信号,将参考中频信号、反射中频信号和传输中频信号输出给矢量网络分析仪,进行被测微波半导体器件的散射参数测试分析。
与现有技术相比,本公开的有益效果是:
1、本公开提出基于通道路由、功分调理、倍频调理、信号分离提取和混频调理等多功能单元综合集成的微波半导体器件频率扩展多参数测试通用方法及装置,将待测器件分立的单一参数测试功能协同整合为有机一体,不同参数的测试功能可以在以波导形式完成单次连接后自动切换与执行,彻底解决进行微波半导体器件波导连接的频率扩展传统模式下多参数测试时需要多次分别拆卸组合装联并组建相应测试设备以实现相应测试功能的技术难题,实现单次连接多参数自动测试的能力,提高测试资源适配的通用性和测试效率,降低测试成本和复杂度;
2、本公开提出基于微波半导体器件频率扩展多参数测试通用方法及装置的集成测控方法,根据实际应用需求及装置中多功能单元及通用测试仪器的技术特性,通过相应状态的设置与控制,完成装置、仪器工作状态及测试结果数据的自动识别与处理,能够实现通用化与适应性较强的解决方案,方便融入并形成完整的自动测试能力。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
图1为本公开测试装置的工作原理组成示意。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施例对本公开做进一步的说明。
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
在本公开中,术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,只是为了便于叙述本公开各部件或元件结构关系而确定的关系词,并非特指本公开中任一部件或元件,不能理解为对本公开的限制。
本公开中,术语如“固接”、“相连”、“连接”等应做广义理解,表示可以是固定连接,也可以是一体地连接或可拆卸连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的相关科研或技术人员,可以根据具体情况确定上述术语在本公开中的具体含义,不能理解为对本公开的限制。
如背景技术所述,现有技术中存在传统方法的测试功能与参数类别单一、测试方法复杂、测试效率较低等已不能适应新的测试需求,需要创新提出或形成与应用需求相适应的测试方法与技术的问题,为了解决如上的技术问题,本公开提供了一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试通用方法及装置,可以在高效集成测控的基础上实现单次连接、多次测试的多参数测试功能,有效解决基于传统模式的测试功能与参数类别单一、测试方法复杂、测试效率较低等问题,以通用化的方式最大限度地满足实际应用的测试需求和更高的技术要求。
图1所示为本公开测试装置的工作原理组成示意框图,虚线框内的测试功能电路部分和主控单元即是本公开用于微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试的通用装置;其中
所述主控单元通过测控总线与各测试仪器和测试功能电路相连;
所述测试仪器包括信号发生器、信号/频谱分析仪和矢量网络分析仪,
所述测试功能电路以波导形式单次连接被测微波半导体器件;
根据实际测试应用要求,主控单元控制测试仪器和测试功能电路,通过通道路由、功分调理、倍频调理、信号耦合分离、混频调理等综合处理,可以实现以波导形式单次连接被测微波半导体器件即可与相应通用测试仪器协同完成可覆盖1.1THz频段内的多参数自动测试。
本公开中,所述主控单元为装置的主控核心,内含测控软件,所述测控软件用于控制各测试的自动进行。
本公开中,所述信号发生器可选为40GHz频段内的通用信号发生器,所述信号/频谱分析仪可选为40GHz频段内的通用信号/频谱分析仪,所述矢量网络分析仪可选为40GHz频段内的通用矢量网络分析仪。
所述主控单元还通过测控总线与程控直流电源相连,所述程控直流电源用于为测试功能电路进行偏置供电。
所述程控直流电源可选为通用程控直流电源。
所述测试功能电路包括控制及电源电路单元,所述控制及电源电路单元被配置为与主控单元进行信息交互与测控交互,以便控制所述测试功能电路中各功能单元工作在相应正常状态;和
与程控直流电源协同为测试功能电路提供所需直流偏置电源。
所述测试功能电路还包括依次连接的通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ,所述通道路由单元Ⅰ还与各测试仪器相连,所述通道路由单元Ⅱ还通过波导形式有被测微波半导体器件相连,所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下对信号发生器发送的微波激励信号进行通道构建和信号倍频与调理,协同实现被测微波半导体器件所需可覆盖1.1THz频段的激励信号功能。
所述测试功能电路还包括混频调理单元Ⅳ和倍频调理单元Ⅴ,所述混频调理单元Ⅳ与通道路由单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅴ与通道路由单元Ⅰ和混频调理单元Ⅳ相连,所述通道路由单元Ⅱ和混频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件输出信号特性的覆盖1.1THz频段内的响应信号,所述通道路由单元Ⅰ和倍频调理单元Ⅴ在控制及电源电路单元的控制下,对信号/频谱分析仪发送的微波本振信号进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理,所述响应信号和本振信号通过混频调理单元Ⅳ混频后得到中频信号并输出给通用信号/频谱分析仪,协同实现被测微波半导体器件可覆盖1.1THz频段内的信号/频谱分析功能。
所述测试功能电路还包括耦合单元Ⅰ、混频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅱ、混频调理单元Ⅱ、耦合单元Ⅲ、混频调理单元Ⅲ、功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ,所述耦合单元Ⅰ与倍频调理单元Ⅰ相连,所述混频调理单元Ⅰ与耦合单元Ⅰ相连,所述耦合单元Ⅱ与通道路由单元Ⅱ相连,所述混频调理单元Ⅱ与耦合单元Ⅱ相连,所述耦合单元Ⅲ通过波导方式与被测微波半导体器件相连,所述混频调理单元Ⅲ与耦合单元Ⅲ相连,所述功分单元与矢量网络分析仪、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ相连,所述倍频调理单元Ⅱ与混频调理单元Ⅰ相连,所述倍频调理单元Ⅲ与混频调理单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅳ与混频调理单元Ⅲ相连;
所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅰ和混频调理单元Ⅰ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波激励信号分别进行通道构建、倍频与调理以及分离与提取操作,为被测微波半导体器件提供可覆盖1.1THz频段的激励信号并得到参考信号;
所述通道路由单元Ⅱ、耦合单元Ⅱ和混频调理单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件反射信号特性的覆盖1.1THz频段内的响应信号,所述耦合单元Ⅲ和混频调理单元Ⅲ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件传输信号特性的覆盖1.1THz频段内的响应信号;
所述功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波本振信号分为三路,并分别进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理;
所述参考信号与本振信号经过混频得到参考中频信号,所述反射信号特性响应信号与本振信号经过混频得到反射中频信号,所述传输信号特性响应信号与本振信号经过混频得到传输中频信号,所述参考中频信号、反射中频信号和传输中频信号输出给矢量网络分析仪,协同实现被测微波半导体器件可覆盖1.1THz频段内的散射参数测试分析功能。
采用本公开提供的装置及方法,在进行微波半导体器件波导连接的频率扩展模式下多参数测试时,只需以波导形式单次连接即可以协同相应通用测试仪器实现相应多参数测试功能,测试功能与参数类别丰富、测试方式简便、测试效率较高、测试成本更低,且适配不同类别通用测试仪器的通用性更强;
采用本公开提供的装置及方法,可以将微波半导体器件波导连接的频率扩展模式下多参数测试有效整合融入自动测试的完整能力中,实现多参数自动测试应用的高效集成测控,满足测试应用对测试工程领域的现实技术要求。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
上述虽然结合附图对本公开的具体实施方式进行了描述,但并非对本公开保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本公开的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本公开的保护范围以内。
Claims (10)
1.一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,包括一主控单元、若干测试仪器和一测试功能电路;
所述主控单元被配置为通过测控总线与各测试仪器和测试功能电路相连;
所述测试仪器包括信号发生器、信号/频谱分析仪和矢量网络分析仪,所述测试仪器被配置为接收主控单元命令,并发送相应测试信号至测试功能电路;
所述测试功能电路被配置为根据主控单元命令对测试信号进行处理;和
以波导形式单次连接被测微波半导体器件,与相应测试仪器协同完成被测微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试。
2.如权利要求1所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,所述测试功能电路包括控制及电源电路单元,所述控制及电源电路单元被配置为与主控单元进行信息交互与测控交互,以便控制所述测试功能电路中各功能单元工作在相应正常状态。
3.如权利要求2所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,所述主控单元还通过测控总线与程控直流电源相连,所述程控直流电源用于与控制及电源电路单元协同为测试功能电路提供所需直流偏置电源。
4.如权利要求2所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,所述测试功能电路还包括依次连接的通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ,所述通道路由单元Ⅰ还与各测试仪器相连,所述通道路由单元Ⅱ还通过波导形式有被测微波半导体器件相连,所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ和通道路由单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下对信号发生器发送的微波激励信号进行通道构建和信号倍频与调理,以提供被测微波半导体器件参数测试所需的激励信号。
5.如权利要求4所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,所述测试功能电路还包括混频调理单元Ⅳ和倍频调理单元Ⅴ,所述混频调理单元Ⅳ与通道路由单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅴ与通道路由单元Ⅰ和混频调理单元Ⅳ相连,所述通道路由单元Ⅱ和混频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件输出信号特性的响应信号,所述通道路由单元Ⅰ和倍频调理单元Ⅴ在控制及电源电路单元的控制下,对信号/频谱分析仪发送的微波本振信号进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理,所述响应信号和本振信号通过混频调理单元Ⅳ混频后得到中频信号并输出给信号/频谱分析仪,进行被测微波半导体器件测试参数的信号/频谱分析。
6.如权利要求5所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试装置,其特征在于,所述测试功能电路还包括耦合单元Ⅰ、混频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅱ、混频调理单元Ⅱ、耦合单元Ⅲ、混频调理单元Ⅲ、功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ,所述耦合单元Ⅰ与倍频调理单元Ⅰ相连,所述混频调理单元Ⅰ与耦合单元Ⅰ相连,所述耦合单元Ⅱ与通道路由单元Ⅱ相连,所述混频调理单元Ⅱ与耦合单元Ⅱ相连,所述耦合单元Ⅲ通过波导方式与被测微波半导体器件相连,所述混频调理单元Ⅲ与耦合单元Ⅲ相连,所述功分单元与矢量网络分析仪、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ相连,所述倍频调理单元Ⅱ与混频调理单元Ⅰ相连,所述倍频调理单元Ⅲ与混频调理单元Ⅱ相连,所述倍频调理单元Ⅳ与混频调理单元Ⅲ相连;
所述通道路由单元Ⅰ、倍频调理单元Ⅰ、耦合单元Ⅰ和混频调理单元Ⅰ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波激励信号分别进行通道构建、倍频与调理以及信号耦合分离与提取操作,为被测微波半导体器件提供激励信号并得到参考信号;
所述通道路由单元Ⅱ、耦合单元Ⅱ和混频调理单元Ⅱ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件反射信号特性响应信号,所述耦合单元Ⅲ和混频调理单元Ⅲ在控制及电源电路单元的控制下,接收带有被测微波半导体器件传输信号特性响应信号;
所述功分单元、倍频调理单元Ⅱ、倍频调理单元Ⅲ和倍频调理单元Ⅳ在控制及电源电路单元的控制下,将矢量网络分析仪发送的微波本振信号分为三路,并分别进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理;
所述参考信号和响应信号分别本与振信号经过混频得到参考中频信号、反射中频信号和传输中频信号并输出给矢量网络分析仪,进行被测微波半导体器件的散射参数测试分析。
7.一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试方法,包括如权利要求1-6任一所述的测试装置,其特征在于,具体方法为:
控制测试仪器发送相应的测试信号至测试功能电路;
对测试信号根据测试需求进行相应的通道构建、信号倍频与调理、信号耦合分离与提取或混频调理;
以波导形式单次连接被测微波半导体器件,与测试仪器协同完成被测微波半导体器件的频率扩展多参数自动测试。
8.如权利要求7所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试方法,其特征在于,所述方法包括对信号发生器所发送的微波激励信号进行通道构建和信号倍频与调理,以提供被测微波半导体器件参数测试所需的激励信号。
9.如权利要求7所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试方法,其特征在于,所述方法包括对信号/频谱分析仪所发送的微波本振信号进行相应的本振通道构建和信号倍频与调理,接收带有被测微波半导体器件输出信号特性响应信号,将响应信号与本振信号进行混频得到中频信号并输出给信号/频谱分析仪,进行被测微波半导体器件参数测试的信号/频谱分析。
10.如权利要求7所述的一种用于微波半导体器件频率扩展多参数自动测试方法,其特征在于,所述方法包括对电路对矢量网络分析仪所发送的微波激励信号进行通道构建、倍频与调理和信号耦合分离与提取,为被测微波半导体器件提供激励信号并得到参考信号;
接收带有被测微波半导体器件反射信号特性的响应信号和传输信号特性的响应信号;
将矢量网络分析仪所发送的微波本振信号分为三路,分别进行本振通道构建和信号倍频与调理;
将参考信号与本振信号混频得到参考中频信号,将带有反射信号特性的响应信号与本振信号混频得到反射中频信号,将带有传输信号特性的响应信号与本振信号混频得到传输中频信号,将参考中频信号、反射中频信号和传输中频信号输出给矢量网络分析仪,进行被测微波半导体器件的散射参数测试分析。
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Address after: 266555 No. 98 Xiangjiang Road, Huangdao District, Qingdao City, Shandong Province Applicant after: CLP kesiyi Technology Co.,Ltd. Applicant after: The 41st Institute of China Electronics Technology Group Corp. Address before: 266555 No. 98 Xiangjiang Road, Qingdao economic and Technological Development Zone, Shandong Applicant before: CHINA ELECTRONIC TECHNOLOGY INSTRUMENTS Co.,Ltd. Applicant before: The 41st Institute of China Electronics Technology Group Corp. |
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