CN109489533A - 非接触式磁传感器、汽车变速箱空挡开关 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种非接触式磁传感器、汽车变速箱空挡开关，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片；所述集磁片固定在凹型磁铁内部，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部；所述凹型磁铁通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域。本发明提出的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，采用凹型磁铁加集磁片的结构方式，实现磁传感器的小型化；并降低生产成本。本设计采用凹型磁铁加集磁片的方案，成功解决了产品小型化问题，并且通过调整集磁片的尺寸，无需另外投入生产调试校准设备，降低了生产成本。

Description

非接触式磁传感器、汽车变速箱空挡开关

技术领域

本发明属于磁传感技术领域，涉及一种磁传感器，尤其涉及一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器；同时，本发明还涉及一种汽车变速箱空挡开关。

背景技术

非接触式磁传感器通常用于汽车环境，确定凸轮轴的位置和速度。相较于接触式传感器，磁传感器具有诸多优点，比如无磨损，适用于油污环境，使用寿命长等。

现有的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器通常采用圆柱形磁铁方案，图1为现有技术的磁传感器结构；如图1所示，磁感应芯片放置于圆柱形磁铁中。通过生产调试设备调整磁感应芯片的位置，使其处于磁通密度为0Gs的区域。当目标块靠近时，磁感应芯片感应到磁通密度的变化，从而检测到目标块位移。该方案具有磁铁加工难度大，生产调试校准设备昂贵，产品无法小型化等缺点。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的非接触式磁传感器，以便克服现有非接触式磁传感器存在的上述缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，可实现磁传感器的小型化；并降低生产成本。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片；

所述集磁片固定在凹型磁铁内部，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部；

所述凹型磁铁通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域；

所述集磁片的形状为梯形或截锥形；

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块的线性测量和角位移检测；

检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域感应到的磁感应强度发生明显改变；当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化；

检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，所述非接触式磁传感器实现了一个未接触的线性位移的测量与输出。

一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片；

所述集磁片固定在凹型磁铁内部，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部；

所述凹型磁铁通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

作为本发明的一种优选方案，所述集磁片的形状为梯形或截锥形。

作为本发明的一种优选方案，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块的线性测量和角位移检测。

作为本发明的一种优选方案，检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块在水平和垂直两个方向发生位移；

当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域感应到的磁感应强度发生明显改变；

当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化。

作为本发明的一种优选方案，检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；

当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，实现了一个未接触的线性位移的测量与输出。

一种汽车变速箱空挡开关，包括控制电路、非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片；

所述集磁片固定在凹型磁铁内部，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部；

所述凹型磁铁通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域；

所述集磁片的形状为梯形或截锥形；

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块的线性测量和角位移检测；

检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域感应到的磁感应强度发生明显改变；当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化；

检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，所述非接触式磁传感器实现了一个未接触的线性位移的测量与输出；

所述控制电路包括第一芯片U1、霍尔元件、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。

电源电压VCC分别连接第一二极管D1的正极、第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端、第五电阻R5的第一端；第一二极管D1的负极连接第一电容C1的第一端、霍尔元件的第一端；第一电容C1的第二端、霍尔元件的第二端接地。

霍尔元件的第三端连接第一电阻R1的第二端、第一芯片U1的第三管脚、第一芯片U1的第五管脚；第一芯片U1的第四管脚接地，第一芯片U1的第八管脚连接电源电压VCC。第一芯片U1的第一管脚、第二管脚连接第二电阻R2的第一端，第一芯片U1的第六管脚、第七管脚连接第四电阻R4的第一端。

第一三极管Q1的基极连接第二电阻R2的第二端，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的第二端，第一三极管Q1的发射极接地。

第二三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的第二端、第一输出端N1，第二三极管Q2的发射极接地。

第三三极管Q3的基极连接第四电阻R4的第二端，第三三极管Q3的集电极连接电源电压VCC，第三三极管Q3的发射极接地，同时连接第二输出端N2。

一种汽车变速箱空挡开关，包括控制电路、非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片；

所述集磁片固定在凹型磁铁内部，所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部；

所述凹型磁铁通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

作为本发明的一种优选方案，所述控制电路包括第一芯片U1、霍尔元件、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。

电源电压VCC分别连接第一二极管D1的正极、第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端、第五电阻R5的第一端；第一二极管D1的负极连接第一电容C1的第一端、霍尔元件的第一端；第一电容C1的第二端、霍尔元件的第二端接地。

霍尔元件的第三端连接第一电阻R1的第二端、第一芯片U1的第三管脚、第一芯片U1的第五管脚；第一芯片U1的第四管脚接地，第一芯片U1的第八管脚连接电源电压VCC。第一芯片U1的第一管脚、第二管脚连接第二电阻R2的第一端，第一芯片U1的第六管脚、第七管脚连接第四电阻R4的第一端。

第一三极管Q1的基极连接第二电阻R2的第二端，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的第二端，第一三极管Q1的发射极接地。

第二三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的第二端、第一输出端N1，第二三极管Q2的发射极接地。

第三三极管Q3的基极连接第四电阻R4的第二端，第三三极管Q3的集电极连接电源电压VCC，第三三极管Q3的发射极接地，同时连接第二输出端N2。

本发明的有益效果在于：本发明提出的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，采用凹型磁铁加集磁片的结构方式，实现磁传感器的小型化；并降低生产成本。

本设计采用凹型磁铁加集磁片的方案，成功解决了产品小型化问题，并且通过调整集磁片的尺寸，无需另外投入生产调试校准设备，降低了生产成本。

附图说明

图1是现有磁传感器的结构示意图。

图2是本发明非接触式磁传感器的结构示意图。

图3是本发明非接触式磁传感器另一种结构示意图。

图4是本发明非接触式磁传感器检测目标块的位置图。

图4a是本发明非接触式磁传感器另一种检测目标块的位置图。

图5是本发明非接触式磁传感器的磁力线分布图。

图6是有目标块靠近时磁力线的分布图。

图7是本发明传感器检测到目标位置变化的磁通密度变化图。

图8是实际用在汽车变速箱空挡开关的一种传感器分解图。

图9是针对汽车变速箱空挡开关的一种电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

请参阅图2、图3，本发明揭示了一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁2、集磁片3、磁感应芯片1。所述集磁片3固定在凹型磁铁2内部，所述磁感应芯片1放置于集磁片3的顶部。所述集磁片的形状为梯形或截锥形4；其中，图3为截锥形集磁片方案。

所述凹型磁铁2通过集磁片3作用，引导凹型磁铁2的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域6的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块5的线性测量和角位移检测；

图4为本发明检测目标块的线性位移(开关类)，目标块可以在水平和垂直两个方向发生位移。当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域(6)感应到的磁感应强度发生明显改变。当磁感应强度的变化达到芯片(开关类)开启要求时，芯片输出改变。整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化。

图4a为本发明检测目标块的线性位移(位移类)，目标块可以在水平和垂直两个方向发生位移。通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域(6)的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关。当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化。这样，本机构就实现了一个未接触的线性位移的测量与输出。

图5为本发明结构的磁力线分布图，在集磁片的上方形成了一个磁通密度接近于0Gs的平行磁场。采用0GS的磁场在用做线性输出时，可以得到更好的对称特性。

图6为目标块靠近时，磁力线的变化。与图1结构相比，本结构在有目标(图6)与无目标(图5)两种情况下，区域(6)的磁感应变化强度更大，更容易被后段处理解析，最终精度更高。进而可以使用更广泛的场合。

图7为由磁感应单元根据被检测目标(见图4)的线性位置检测到的磁感应变化。在同一个曲线图中，展示了根据本发明S1的传感器信号和现有技术S0的结构信号。在目标(曲线的中心部分)的存在下感应水平很高，并且当目标不再在传感器的对面时，该感应水平减小到最小。对于一个全局等效尺寸，本发明能够达到一个感应调整(目标相对信号——无目标的信号)，这个感应调整显著高于现有技术的结构得到的。

图8是实际用在汽车变速箱空挡开关的一种传感器分解图；圈标出的部分为上述非接触式磁传感器10。

请参阅图9，图9是针对汽车变速箱空挡开关的一种电路原理图。

汽车变速箱空挡开关包括控制电路、非接触式磁传感器(控制电路、非接触式磁传感器构成空挡传感器)，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁、集磁片、磁感应芯片。非接触式磁传感器的结构可以参见上述描述。

所述控制电路包括第一芯片U1、霍尔元件、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5。

电源电压VCC分别连接第一二极管D1的正极、第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端、第五电阻R5的第一端；第一二极管D1的负极连接第一电容C1的第一端、霍尔元件的第一端；第一电容C1的第二端、霍尔元件的第二端接地。

霍尔元件的第三端连接第一电阻R1的第二端、第一芯片U1的第三管脚、第一芯片U1的第五管脚；第一芯片U1的第四管脚接地，第一芯片U1的第八管脚连接电源电压VCC。第一芯片U1的第一管脚、第二管脚连接第二电阻R2的第一端，第一芯片U1的第六管脚、第七管脚连接第四电阻R4的第一端。

第一三极管Q1的基极连接第二电阻R2的第二端，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的第二端，第一三极管Q1的发射极接地。

第二三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的第二端、第一输出端N1，第二三极管Q2的发射极接地。

第三三极管Q3的基极连接第四电阻R4的第二端，第三三极管Q3的集电极连接电源电压VCC，第三三极管Q3的发射极接地，同时连接第二输出端N2。

Vcc＝12V，HALL感应磁场的变化，输出高低电平。当HALL信号输出为1时，通过双运算放大器对hall的输出信号进行放大处理，N1路处理输出为0，N2路通过三极管反向电路，输出为1.当HALL信号输出为0时，N1输出为1，N2输出为0。

实施例二

一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁2、集磁片3、磁感应芯片1。

所述集磁片3固定在凹型磁铁2内部，所述磁感应芯片1放置于集磁片3的顶部；所述凹型磁铁2通过集磁片3作用，引导凹型磁铁2的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

该方案包括一个凹型磁铁，一个梯形集磁片和一个磁感应芯片。梯形集磁片固定在凹型磁铁内部，磁感应芯片放置于集磁片的顶部。凹型磁铁的充磁方式如图2所示，通过集磁片作用，引导凹型磁铁的磁力线，形成一个低磁通密度区域。集磁片的形状也可以是截锥形。磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域的平均磁通密度接近于0Gs。通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块的线性测量和角位移检测。

综上所述，本发明提出的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，采用凹型磁铁加集磁片的结构方式，实现磁传感器的小型化；并降低生产成本。

本设计采用凹型磁铁加集磁片的方案，成功解决了产品小型化问题，并且通过调整集磁片的尺寸，无需另外投入生产调试校准设备，降低了生产成本。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (9)

1.一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁(2)、集磁片(3)、磁感应芯片(1)；

所述集磁片(3)固定在凹型磁铁(2)内部，所述磁感应芯片(1)放置于集磁片(3)的顶部；

所述凹型磁铁(2)通过集磁片(3)作用，引导凹型磁铁(2)的磁力线，形成一个低磁通密度区域；

所述集磁片的形状为梯形或截锥形(4)；

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域(6)的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块(5)的线性测量和角位移检测；

检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域(6)感应到的磁感应强度发生明显改变；当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化；

检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域(6)的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，所述非接触式磁传感器实现了一个未接触的线性位移的测量与输出。

2.一种用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁(2)、集磁片(3)、磁感应芯片(1)；

所述集磁片(3)固定在凹型磁铁(2)内部，所述磁感应芯片(1)放置于集磁片(3)的顶部；

所述凹型磁铁(2)通过集磁片(3)作用，引导凹型磁铁(2)的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

3.根据权利要求2所述的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于：

所述集磁片的形状为梯形或截锥形(4)。

4.根据权利要求2所述的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于：

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域(6)的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块(5)的线性测量和角位移检测。

5.根据权利要求2所述的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于：

检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块在水平和垂直两个方向发生位移；

当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域(6)感应到的磁感应强度发生明显改变；

当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化。

6.根据权利要求2所述的用于线性测量和角位移检测的非接触式磁传感器，其特征在于：

检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域(6)的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；

当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，实现了一个未接触的线性位移的测量与输出。

7.一种汽车变速箱空挡开关，其特征在于，包括控制电路、非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁(2)、集磁片(3)、磁感应芯片(1)；

所述集磁片(3)固定在凹型磁铁(2)内部，所述磁感应芯片(1)放置于集磁片(3)的顶部；

所述凹型磁铁(2)通过集磁片(3)作用，引导凹型磁铁(2)的磁力线，形成一个低磁通密度区域；

所述集磁片的形状为梯形或截锥形(4)；

所述磁感应芯片放置于集磁片的顶部，该区域(6)的平均磁通密度接近于0Gs；通过选用合适开关型霍尔感应芯片或者可编程的开关型霍尔感应芯片，实现对目标块(5)的线性测量和角位移检测；

检测开关类目标块的线性位移，开关类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；当目标块靠近或远离时，磁感应芯片的感应区域(6)感应到的磁感应强度发生明显改变；当磁感应强度的变化达到开关类芯片开启要求时，芯片输出改变；整个机构实现了一个非接触开关的功能，即目标块靠近或原理，芯片输出发生相应的变化；

检测位移类目标块的线性位移，位移类目标块能在水平和垂直两个方向发生位移；通过调整合适的目标块造型与合适的目标块到结构的距离，使得当目标块靠近或原理机构时，芯片的感应区域(6)的磁感应强度的变化与目标块的运动位移线性相关；当采用线性磁性芯片来做感应芯片时，线性磁性芯片会将线性变化的磁感应强度输出为线性的电压或电流变化；这样，所述非接触式磁传感器实现了一个未接触的线性位移的测量与输出；

所述控制电路包括第一芯片U1、霍尔元件、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5；

电源电压VCC分别连接第一二极管D1的正极、第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端、第五电阻R5的第一端；第一二极管D1的负极连接第一电容C1的第一端、霍尔元件的第一端；第一电容C1的第二端、霍尔元件的第二端接地；

霍尔元件的第三端连接第一电阻R1的第二端、第一芯片U1的第三管脚、第一芯片U1的第五管脚；第一芯片U1的第四管脚接地，第一芯片U1的第八管脚连接电源电压VCC；第一芯片U1的第一管脚、第二管脚连接第二电阻R2的第一端，第一芯片U1的第六管脚、第七管脚连接第四电阻R4的第一端；

第一三极管Q1的基极连接第二电阻R2的第二端，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的第二端，第一三极管Q1的发射极接地；

第二三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的第二端、第一输出端N1，第二三极管Q2的发射极接地；

第三三极管Q3的基极连接第四电阻R4的第二端，第三三极管Q3的集电极连接电源电压VCC，第三三极管Q3的发射极接地，同时连接第二输出端N2。

8.一种汽车变速箱空挡开关，其特征在于，包括控制电路、非接触式磁传感器，所述非接触式磁传感器包括：凹型磁铁(2)、集磁片(3)、磁感应芯片(1)；

所述集磁片(3)固定在凹型磁铁(2)内部，所述磁感应芯片(1)放置于集磁片(3)的顶部；

所述凹型磁铁(2)通过集磁片(3)作用，引导凹型磁铁(2)的磁力线，形成一个低磁通密度区域。

9.根据权利要求8所述的汽车变速箱空挡开关，其特征在于：

所述控制电路包括第一芯片U1、霍尔元件、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5；

电源电压VCC分别连接第一二极管D1的正极、第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端、第五电阻R5的第一端；第一二极管D1的负极连接第一电容C1的第一端、霍尔元件的第一端；第一电容C1的第二端、霍尔元件的第二端接地；

霍尔元件的第三端连接第一电阻R1的第二端、第一芯片U1的第三管脚、第一芯片U1的第五管脚；第一芯片U1的第四管脚接地，第一芯片U1的第八管脚连接电源电压VCC；第一芯片U1的第一管脚、第二管脚连接第二电阻R2的第一端，第一芯片U1的第六管脚、第七管脚连接第四电阻R4的第一端；

第一三极管Q1的基极连接第二电阻R2的第二端，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的基极、第三电阻R3的第二端，第一三极管Q1的发射极接地；

第二三极管Q2的集电极连接第五电阻R5的第二端、第一输出端N1，第二三极管Q2的发射极接地；

第三三极管Q3的基极连接第四电阻R4的第二端，第三三极管Q3的集电极连接电源电压VCC，第三三极管Q3的发射极接地，同时连接第二输出端N2。