CN109470376B - Cmos温度传感器及温度检测方法 - Google Patents
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Address after: 201203 Zhangjiang Building 20A, 289 Chunxiao Road, China (Shanghai) Free Trade Pilot Area, Pudong New Area, Shanghai Applicant after: Xinyuan Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. Address before: 201203 Zhangjiang Building 20A, 560 Songtao Road, Zhangjiang High-tech Park, Pudong New Area, Shanghai Applicant before: VeriSilicon Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. |
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Application publication date: 20190315 Assignee: Xinyuan Microelectronics (Hainan) Co.,Ltd. Assignor: VERISILICON MICROELECTRONICS (SHANGHAI) Co.,Ltd. Contract record no.: X2022980003424 Denomination of invention: CMOS temperature sensor and temperature detection method Granted publication date: 20211109 License type: Common License Record date: 20220401 |
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