CN109461844B - 柔性基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种柔性基板的制造方法,包括多层板制备步骤及电解步骤。其中，多层板制备步骤包括：在一基底上形成薄膜金属层。接着，在薄膜金属层上形成透明保护层。然后,在透明保护层上形成柔性衬底以形成一多层板。电解步骤包括：提供一电解槽；将制得的包括基底、薄膜金属层、透明保护层、及柔性衬底的多层板放入电解槽中。对薄膜金属层进行电解使薄膜金属层溶解并至消失，使得基底从多层板上脱落。最后，得到留有透明保护层及柔性衬底的结构以形成柔性基板。

Description

柔性基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性基板的制造方法。
背景技术
随着技术的快速发展，采用柔性基板制成的可弯曲柔性器件，如：显示器、芯片、电路、电源、传感器等柔性器件，有望成为下一代光电子器件的主流设备，可以实现传统光电子器件所不能实现的功能，同时在成本和用户体验方面具有较多优势。以柔性显示器为例，它是一种在柔性材料构成的基板表面制备器件的技术，如柔性有机发光二极管(FlexibleOrganic Light-Emitting Diode)显示器或柔性液晶显示器(Flexible LCD)，需要在刚性基板表面先制备或吸附柔性基板，继而进行器件制备，最后再将柔性基板从刚性基板上剥离。因此，如何将柔性基板与刚性基板有效剥离是生产柔性器件的关键技术之一。
目前柔性基板的剥离主要有以下几种方式：(1)机械式、(2)化学蚀刻式、(3)激光式。虽然这些方式可以有效地实现柔性基板和刚性基板的剥离，并实现量产，但是常常会对柔性基板造成较大的损坏，导致良率和成本都得不到保障，且柔性显示器的寿命亦大打折扣。为了提高产品的良率和降低成本，开发出温和易操作且成本低廉的方法迫在眉睫。
因此，有必要提供一种柔性基板的制造方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性基板的制造方法,其制程简单、有效保护器件，可提高柔性基板的生产良率,降低制造成本。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性基板的制造方法,其特征在于包括：
一多层板制备步骤,包括：在一基底上形成薄膜金属层；在所述薄膜金属层上形成透明保护层；以及在所述透明保护层上形成柔性衬底以形成所述多层板；
一电解步骤,包括：提供一电解槽；将制得的包括所述基底、薄膜金属层、透明保护层、及柔性衬底的所述多层板放入所述电解槽中；以及对所述薄膜金属层进行电解使所述薄膜金属层溶解并至消失，使得所述基底从所述多层板上脱落，得到留有所述透明保护层及所述柔性衬底的结构以形成所述柔性基板。
在一些实施方式中，所述在基底上形成薄膜金属层之步骤采用蒸镀方法形成所述薄膜金属层。
在一些实施方式中，所述在薄膜金属层上形成透明保护层之步骤采用涂覆方法形成所述透明保护层。
在一些实施方式中，在所述电解步骤之前还包括：在所述多层板的柔性衬底上制作器件层；通过所述多层板制备步骤以制备另一多层板；以及将所述另一多层板的柔性衬底面向所述多层板上的器件层，对所述另一多层板和所述多层板进行接合以形成一组合件。
在一些实施方式中，还包括：对所述组合件的所述多层板进行所述电解步骤，使得所述多层板的基底从所述多层板上脱落；提供一翻转装置；所述翻转装置翻转所述基底脱落后的所述组合件的剩余部分，使得所述另一多层板在所述器件层的下方；以及对所述另一多层板进行所述电解步骤，使得所述另一多层板的基底从所述另一多层板上脱落。
在一些实施方式中，还包括：提供一吸附装置；在对所述组合件的所述多层板进行所述电解步骤之前，所述吸附装置将所述组合件吸附且放入所述电解槽中，使所述多层板的薄膜金属层接触一阳极，且所述多层板的柔性衬底位于所述电解槽中的电解液液面的上方；以及在对所述另一多层板进行所述电解步骤之前，所述吸附装置将翻转后的所述组合件的剩余部分吸附且放入所述电解槽中，使所述另一多层板的薄膜金属层接触所述阳极，且所述另一多层板的柔性衬底位于所述电解槽中的电解液液面的上方。
在一些实施方式中，所述器件层包括发光器件。
在一些实施方式中，所述基底为玻璃基板。
在一些实施方式中，所述薄膜金属层的材料为铜、或铝。
在一些实施方式中，所述透明保护层的材料为氮化矽化合物(SiNx)、或氧化矽化合物(SiOx)。
在一些实施方式中，所述柔性衬底的材料为有机聚合物。
在一些实施方式中，所述有机聚合物为聚酰亚胺。
在一些实施方式中，所述电解槽包括阳极及阴极，所述电解槽内容纳有电解液,所述阳极及阴极设于所述电解槽内的电解液中。
在一些实施方式中，所述电解液为硫酸铜溶液。
为让本发明的特征以及技术内容能更明显易懂，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为根据本发明实施例的柔性基板之制造方法的流程图。
图2–5为实施图1的多层板制备步骤S01的剖面示意图。
图6–7为对多层板1实施图1的电解步骤S02的剖面示意图。
图8–11为对多层板1a实施图1的电解步骤S02的剖面示意图。
图12为根据本发明之制造方法所制得的柔性基板的剖面示意图。
具体实施方式
本发明提供一种柔性基板的制造方法，为使本发明的目的、技术手段及其效果更加清楚明确，以下对本发明进一步阐述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为根据本发明实施例的柔性基板之制造方法的流程图，其包括多层板制备步骤S01及电解步骤S02：
图2–5为实施图1的多层板制备步骤S01的剖面示意图。首先，在基底10上形成薄膜金属层20(如图2)。具体地，采用蒸镀方法形成所述薄膜金属层20。基底10为玻璃基板。薄膜金属层20的材料为铜、或铝。
如图3所示，在薄膜金属层20上形成透明保护层30。具体地，采用涂覆方法形成所述透明保护层30。透明保护层30的材料为氮化矽化合物(SiNx)、或氧化矽化合物(SiOx)。
如图4所示，在透明保护层30上形成柔性衬底40以形成一多层板1。具体地，所述柔性衬底40的材料为有机聚合物，如聚酰亚胺(PI)。
进一步的，本发明之制造方法在电解步骤S02之前还包括：在多层板1的柔性衬底40上制作器件层50(如图4)；通过所述多层板制备步骤S01以制备另一多层板1a(如图5)；以及将所述另一多层板1a的柔性衬底40a面向多层板1上的器件层50，对所述另一多层板1a和多层板1进行接合以形成一组合件8(如图5)。具体地，所述器件层50包括常规OLED或LCD结构中的薄膜晶体管结构(未图示)及发光器件60(如图4)。在本实施例中,器件层50的內部结构属于现有技术范畴，此处不再赘述。另外，所述另一多层板1a的基底10a、薄膜金属层20a、透明保护层30a、及柔性衬底40a的制程及材料具体地可与基底10、薄膜金属层20、透明保护层30、及柔性衬底40相同，但不限于此。
图6–7为对多层板1实施图1的电解步骤S02的剖面示意图。首先，提供一电解槽2。具体地，所述电解槽2包括阳极3及阴极4，所述电解槽2内容纳有电解液5,所述阳极3及阴极4设于电解槽2内的电解液5中。所述电解液5为硫酸铜溶液。
如图6所示，对所述组合件8的多层板1进行所述电解步骤S02，包括：将制得的包括基底10、薄膜金属层20、透明保护层30、及柔性衬底40的所述多层板1放入电解槽2中；以及对所述薄膜金属层20进行电解使薄膜金属层20溶解并至消失，使得基底10从多层板1上脱落，得到留有透明保护层30及柔性衬底40的结构以形成柔性基板7(如图7)。具体地，阳极3与阴极4之间会接入电源(未图示)，对所述薄膜金属层20进行电解使薄膜金属层20溶解并至消失。
图6进一步显示，本发明之制造方法还包括：提供一吸附装置6；在对所述组合件8的多层板1进行所述电解步骤S02之前，所述吸附装置6将组合件8吸附且放入电解槽2中，使多层板1的薄膜金属层20接触所述阳极3，且多层板1的柔性衬底40位于电解槽2中的电解液5液面的上方。具体地，吸附装置6以真空吸附或物理黏附等方式吸附组合件8，透过吸附多层板1a的基底10a，来让多层板1浸入电解液5中。
图8–11为对多层板1a实施图1的电解步骤S02的剖面示意图。进一步的，本发明之制造方法还包括提供一翻转装置9，所述翻转装置9翻转基底10脱落后的所述组合件8的剩余部分，使得所述另一多层板1a在所述器件层50的下方(如图8)。具体地，翻转装置9亦具有吸附功能，当吸附装置6释放组合件8的剩余部分，接着由翻转装置9吸附组合件8的剩余部分且进行翻转，最后得到图8所呈现的态样。
如图9,10所示，在对所述另一多层板1a进行所述电解步骤S02之前，吸附装置6将翻转后的所述组合件8的剩余部分吸附且放入电解槽2中，使另一多层板1a的薄膜金属层20a接触所述阳极3，且另一多层板1a的柔性衬底40a位于电解槽2中的电解液5液面的上方。具体地，翻转装置9会释放所述组合件8的剩余部分，接着由吸附装置6吸附。吸附装置6以真空吸附或物理黏附等方式，透过吸附柔性基板7的透明保护层30，来让多层板1a浸入电解液5中。
如图10所示，对所述另一多层板1a进行所述电解步骤S02，包括：将制得的包括基底10a、薄膜金属层20a、透明保护层30a、及柔性衬底40a的所述另一多层板1a放入电解槽2中；以及对所述薄膜金属层20a进行电解使薄膜金属层20a溶解并至消失，使得基底10a从另一多层板1a上脱落，得到留有透明保护层30a及柔性衬底40a的结构以形成柔性基板7a(如图11)。具体地，阳极3与阴极4之间会接入电源(未图示)，对所述薄膜金属层20a进行电解使薄膜金属层20a溶解并至消失。
图12为根据本发明之制造方法所制得的柔性基板的剖面示意图。图中所示为一种具有双层柔性基板7,7a的显示器结构，如柔性OLED，可具体地实现弯折或捲曲等态样。而且，本发明所提供的柔性基板的制造方法,其制程简单、有效保护器件，可提高柔性基板的生产良率,降低制造成本。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种柔性基板的制造方法,其特征在于包括：
一多层板制备步骤,包括：在一基底上形成薄膜金属层；在所述薄膜金属层上形成透明保护层；以及在所述透明保护层上形成柔性衬底以形成所述多层板；
在所述多层板的柔性衬底上制作器件层；
通过所述多层板制备步骤以制备另一多层板；
将所述另一多层板的柔性衬底面向所述多层板上的器件层，对所述另一多层板和所述多层板进行接合以形成一组合件；
对所述组合件的所述多层板进行一电解步骤,包括：提供一电解槽；将制得的包括所述基底、薄膜金属层、透明保护层、及柔性衬底的所述多层板放入所述电解槽中；以及对所述薄膜金属层进行电解使所述薄膜金属层溶解并至消失，使得所述基底从所述多层板上脱落，得到留有所述透明保护层及所述柔性衬底的结构以形成所述柔性基板；
提供一翻转装置；
所述翻转装置翻转所述基底脱落后的所述组合件的剩余部分，使得所述另一多层板在所述器件层的下方；以及
对所述另一多层板进行所述电解步骤，使得所述另一多层板的基底从所述另一多层板上脱落。
2.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述在一基底上形成薄膜金属层之步骤采用蒸镀方法形成所述薄膜金属层。
3.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述在薄膜金属层上形成透明保护层之步骤采用涂覆方法形成所述透明保护层。
4.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于,还包括：
提供一吸附装置；
在对所述组合件的所述多层板进行所述电解步骤之前，所述吸附装置将所述组合件吸附且放入所述电解槽中，使所述多层板的薄膜金属层接触一阳极，且所述多层板的柔性衬底位于所述电解槽中的电解液液面的上方；以及
在对所述另一多层板进行所述电解步骤之前，所述吸附装置将翻转后的所述组合件的剩余部分吸附且放入所述电解槽中，使所述另一多层板的薄膜金属层接触所述阳极，且所述另一多层板的柔性衬底位于所述电解槽中的电解液液面的上方。
5.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述器件层包括发光器件。
6.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述基底为玻璃基板。
7.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述薄膜金属层的材料为铜、或铝。
8.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述透明保护层的材料为氮化矽化合物(SiNx)、或氧化矽化合物(SiOx)。
9.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述柔性衬底的材料为有机聚合物。
10.如权利要求9所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述有机聚合物为聚酰亚胺。
11.如权利要求1所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述电解槽包括阳极及阴极，所述电解槽内容纳有电解液,所述阳极及阴极设于所述电解槽内的电解液中。
12.如权利要求11所述的柔性基板的制造方法，其特征在于：所述电解液为硫酸铜溶液。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109461844B (zh) 2018-10-09 2020-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 柔性基板的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769109A (zh) * 2012-07-05 2012-11-07 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
CN103280541A (zh) * 2013-05-23 2013-09-04 北京工业大学 一种在cvd石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法
CN105702625A (zh) * 2016-04-12 2016-06-22 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板的剥离方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009516388A (ja) * 2005-11-18 2009-04-16 レプリソールス テクノロジーズ アーベー 多層構造の形成方法
JPWO2010110087A1 (ja) * 2009-03-24 2012-09-27 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法
KR20120062193A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
JPWO2015163134A1 (ja) * 2014-04-25 2017-04-13 旭硝子株式会社 ガラス積層体および電子デバイスの製造方法
CN107170758B (zh) * 2017-05-25 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制作方法、显示装置
CN109461844B (zh) * 2018-10-09 2020-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 柔性基板的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102769109A (zh) * 2012-07-05 2012-11-07 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
CN103280541A (zh) * 2013-05-23 2013-09-04 北京工业大学 一种在cvd石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法
CN105702625A (zh) * 2016-04-12 2016-06-22 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板的剥离方法

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Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.

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