CN109450045B - 多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护*** - Google Patents
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Abstract
一种多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护***，所述多节电池管理保护芯片，包括：接地引脚、充电驱动输出使能端、充电驱动输出引脚、放电驱动输出引脚和寄存器；还包括：适配器识别单元，所述适配器识别单元包括控制输入端、检测端和状态输出端；所述控制输入端连接所述充电驱动输出使能端；所述检测端连接所述充电驱动输出引脚；所述状态输出端连接所述寄存器。所述多节电池管理保护芯片能够提供检测和保护。
Description
技术领域
本发明涉及电学领域，尤其涉及一种多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护***。
背景技术
在一些电动设备中，如电动(自行)车、扫地机器人和平衡车等，通常需要使用多节电池。
早期在对多节电池进行保护时，是在每节电池上使用一颗单节电池保护芯片。这种保护技术不仅成本高，而且不利于多节锂电池之间的联动保护。
在多节锂电池保护***中，当***检测到发生电池过压或者充电过流时，需要将充电路径断开，适配器移除之后充电路径可以重新打开；当***检测到电池发生电池欠压时，需要将放电路径断开，适配器接入之后放电路径可以重新打开。
已发展出来的一种多节电池管理保护芯片10，它与充电适配器和多节电池构成的保护***，如图1所示。
图1中省略了多节电池管理保护芯片10的内部电路结构和多数引脚。其中，显示了多节电池管理保护芯片10包括接地引脚VSS、充电驱动输出引脚CHG、放电驱动输出引脚DSG和寄存器(未示出)。
所述保护***还包括NMOS管Q1、NMOS管Q2、PMOS管Q3和电阻R1。NMOS管Q1的漏极连接NMOS管Q2的漏极。电阻R1一端连接NMOS管Q2的栅极，另一端连接NMOS管Q2的源极。接地引脚VSS连接NMOS管Q1的源极。放电驱动输出引脚DSG连接NMOS管Q1的栅极。充电驱动输出引脚CHG连接至NMOS管Q2的栅极(请先认为PMOS管Q3不存在，充电驱动输出引脚CHG直接连接NMOS管Q2的栅极)。
NMOS管Q2的源极作为充电负极接入端。电池组BT(图1中所示多节电池)的负极连接接地引脚VSS，接地引脚VSS再经过NMOS管Q1和NMOS管Q2后连接充电适配器的负极，其中NMOS管Q2的源极连接充电负极端P-，即NMOS管Q2的源极连接充电适配器的负极。电池组BT的正极连接充电正极端P+，即用于连接充电适配器的正极。
在上述保护***中，当***发生电池组BT过压或者充电过流时，需要切断充电路径来保证电池和***的安全性。
然而，如图1所示，现有保护***中，当充电路径断开时，充电正极端P+和多节电池BT正端相连接，连接充电适配器的负端P-的电压，相对于电池组负端的电压是一个负电压，充电适配器的负端P-到多节电池管理保护芯片10的接地引脚VSS通过电阻R1和充电控制引脚CHG形成回路，导致NMOS管Q2的栅源之间有压差(VGS)，从而不能完全关断充电路径。
需要说明的是，图1中各MOS管中的二极管为相应的寄生二极管，而正是由于NMOS管Q1的寄生二极管的存在以及此寄生二极管的正负极方向，决定了通常无法通过关断NMOS管Q1来关断充电路径，而需要通过NMOS管Q2关断充电路径。
为了保证充电路径被完全关断，图1中加入一个栅极接地VSS的PMOS管Q3，即事实上，充电驱动输出引脚CHG并不是直接连接NMOS管Q2的栅极，而是，充电驱动输出引脚CHG连接PMOS管Q3的源极，PMOS管Q3的栅极接地(即连接相应的接地引脚VSS)，PMOS管Q3的漏极连接NMOS管Q2的栅极。也就是说，通过PMOS管Q3，使充电驱动输出引脚CHG连接至NMOS管Q2的栅极。
PMOS管Q3的漏极相对于接地引脚VSS是一个负电压，PMOS管Q3处于关断状态时，从P-到接地引脚VSS之间没有电流回路，充电控制NMOS管Q2的栅源电压等于零，从而使充电路径能够被完全关断。
而当***处于正常状态，充电路径需要打开时，多节电池管理保护芯片10控制CHG引脚输出为高电平，PMOS管Q3会处于导通状态，重新开启NMOS管Q2，充电路径重新开启。
然而，图1所示的保护***中，由于PMOS管Q3的存在，充电适配器负端P-的负电压完全被隔离于多节电池管理保护芯片10之外，使得多节电池管理保护芯片10无法识别适配器的状态。这种情况下，通常需要微处理器通过其他检测电路，来判断适配器的状态。也就是说，图1这种***中，充电控制驱动和适配器检测还需要分开实现，并且需要额外增加***器件。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护***，以节省芯片外部的***检测电路，提高了相应多节电池管理保护***的可靠性。
为解决上述问题，本发明提供一种多节电池管理保护芯片，包括：接地引脚、充电驱动输出使能端、充电驱动输出引脚、放电驱动输出引脚和寄存器；还包括：适配器识别单元，所述适配器识别单元包括控制输入端、检测端和状态输出端；所述控制输入端连接所述充电驱动输出使能端；所述检测端连接所述充电驱动输出引脚；所述状态输出端连接所述寄存器。
可选的，所述适配器识别单元还包括高压电源输入端、低压电源输入端和偏置电压输入端。
可选的，所述适配器识别单元还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一恒流电源和滞回比较单元；所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管均为增强型MOS管；所述第一PMOS管的栅极作为所述控制输入端；所述第一PMOS管的源极连接所述高压电源输入端；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极；所述第一NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的源极；所述第一NMOS管的漏极连接所述第二PMSO管的源极；所述第二PMSO管的漏极作为所述检测端；所述第一恒流电源的正极端连接所述低压电源输入端；所述第一恒流电源的负极端连接所述第二NMOS管的源极；所述第二NMOS管的栅极连接所述低压电源输入端；所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMSO管的源极；所述滞回比较单元的输入端连接所述第一恒流电源的负极端；所述滞回比较单元的输出端作为所述状态输出端。
可选的，所述第二PMSO管的栅极和源极之间连接电压钳位单元。
可选的，所述电压钳位单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第二恒流电源；所述第三PMOS管、第四PMOS管和第三NMOS管均为增强型；所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极；所述第三PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第二PMOS管的栅极；所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；所述第二恒流电源的负极端接地。
可选的，所述电压钳位单元包括第一二极管、第二二极管、第三NMOS管和第二恒流电源；所述第三NMOS管为增强型；所述第一二极管的正极连接所述第二PMOS管的源极；所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极；所述第二二极管的负极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；所述第二恒流电源的负极端接地。
可选的，所述滞回比较单元为施密特触发器。
为解决上述问题，本发明提供了一种多节电池管理保护***，包括如前所述的多节电池管理保护芯片，还包括第四NMOS管、第五NMOS管、电阻和电池组，所述电池组包括多节串联在一起的电池；所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极；所述电阻一端连接所述第五NMOS管的栅极，另一端连接所述第五NMOS管的源极；所述多节电池管理保护芯片的所述接地引脚连接所述第四NMOS管的源极，并连接所述电池组的负极；所述多节电池管理保护芯片的所述放电驱动输出引脚连接所述第四NMOS管的栅极；所述多节电池管理保护芯片的所述充电驱动输出引脚连接所述第五NMOS管的栅极；所述第五NMOS管的源极连接充电负极端；所述电池组的正极连接充电正极端。
可选的，所述多节电池管理保护芯片如前所述，所述第一恒流电源和所述电阻的乘积小于所述第一NMOS管的开启电压，所述第一恒流电源和所述电阻的乘积小于所述第二NMOS管的开启电压。
可选的，所述电池为锂电池或者锂聚合物电池。
本发明技术方案的其中一个方面中，通过在所述芯片内部集成适配器识别单元，从而使得在具有此芯片的相应多节电池管理保护***中，即使发生异常，发出错误指令要将充电路径打开，由于多节电池管理保护芯片会检测到适配器未移除，也不会将充电路径打开，从而提高了多节电池管理保护***的可靠性。同时，由于不需要在***电路中设置另外的PMOS管器件，多节电池管理保护芯片能够节省芯片外部的***检测电路，提高了相应多节电池管理保护***的可靠性。
附图说明
图1是现有多节电池管理保护***的电路图；
图2是本发明实施例中多节电池管理保护***的电路图。
具体实施方式
当充电保护***检测到电池过压时，如果继续给相应电池组充电，会让***发生可靠性风险。因此，必须将充电路径断开，只有当适配器移除后，才能够将充电路径重新打开。
采用传统的充电保护***，需要增加***器件和检测电路。使用***器件时，又需要注意***器件的耐压值等因素，如果***器件的耐压不够，将会导致充电路径无法完全关闭，影响***的安全性。
为此，本发明提供一种新的多节电池管理保护芯片和多节电池管理保护***，以解决现有技术存在的不足。
为更加清楚的表示，下面结合附图对本发明做详细的说明。
请参考图2，本发明实施例提供一种多节电池管理保护芯片20，并同时提供带有这种多节电池管理保护芯片20的多节电池管理保护***。
所述多节电池管理保护芯片20，包括：接地引脚VSS、充电驱动输出使能端EN、充电驱动输出引脚CHG、放电驱动输出引脚DSG和寄存器。
所述多节电池管理保护芯片20还包括：适配器识别单元21，适配器识别单元21包括控制输入端(未标注)、检测端(未标注)和状态输出端(未标注)。其中，所述控制输入端连接充电驱动输出使能端EN。所述检测端连接充电驱动输出引脚CHG。所述状态输出端连接寄存器。
状态输出端连接所述寄存器，而后续，相应的微处理器则通过读取(主动读取)多节电池管理保护芯片中所述寄存器的数值，来判断适配器状态。例如，在一种情况下，当状态输出端向相应寄存器存入“0”时，表示(指示)适配器移除；当状态输出端向相应寄存器存入“1”时，则表示(指示)适配器接入。本实施例中，适配器识别单元21还包括高压电源输入端HV、低压电源输入端LV和偏置电压输入端bias。高压电源输入端HV的电压，可以采用通常的芯片逻辑高电压，例如12V。相应的，低压电源输入端LV的电压，可以采用通常的芯片逻辑低电压，例如5V。
需要说明的是，高压电源输入端HV和低压电源输入端LV的电压可以由芯片内部的线性稳压器(low dropout regulator)提供。
适配器识别单元21还包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第一恒流电源I1和滞回比较单元212。
第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2均为增强型MOS管。第一PMOS管PM1的栅极作为控制输入端。第一PMOS管PM1的源极连接高压电源输入端HV。第一PMOS管PM1的漏极连接第一NMOS管NM1的源极。第一NMOS管NM1的栅极连接第一PMOS管PM1的源极。第一NMOS管NM1的漏极连接第二PMOS管PM2的源极。第二PMOS管PM2的漏极作为检测端。第一恒流电源I1的正极端连接低压电源输入端LV。第一恒流电源I1的负极端连接第二NMOS管NM2的源极。第二NMOS管NM2的栅极连接低压电源输入端LV。第二NMOS管NM2的漏极连接第二PMOS管PM2的源极。滞回比较单元212的输入端连接第一恒流电源I1的负极端。滞回比较单元212的输出端作为状态输出端。
第一恒流电源I1的电流通常是微安级别，因此，第一恒流电源I1并不会影响低压电源输入端LV。
根据上述电路结构可知，本实施例利用第一NMOS管和第二PMOS管使高压电源输入端与后续提到的保护***中，相应的外部电压隔离，其中，第二PMOS管用来隔离负电压，第一NMOS管用来隔离高电压。
本实施例利用第一NMOS管和第二PMOS管使低压电源输入端与后续提到的保护***中，相应的外部电压隔离，即上述第二PMOS管用来隔离负电压，第一NMOS管用来隔离高电压。但是，本发明其它实施例中，第一NMOS管和第二PMOS管可以分别被其它电路结构(结构上通常会更加复杂)所替代，因此，本发明不受上述具体电路结构限制。
本实施例中，第二PMOS管PM2的栅极和源极之间连接电压钳位单元211。电压钳位单元211用于保证第二PMOS管PM2的源栅电压(VSG)不会超过器件的耐压值。
在图2所示的具体电路结构中，电压钳位单元211包括第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第三NMOS管NM3和第二恒流电源I2。第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4和第三NMOS管NM3均为增强型。第三PMOS管PM3的源极连接第二PMOS管PM2的源极。第三PMOS管PM3的漏极连接栅极，并连接第四PMOS管PM4的源极。第四PMOS管PM4的漏极连接栅极，并连接第二PMOS管PM2的栅极。第三NMOS管NM3的漏极连接第二PMOS管PM2的栅极。第三NMOS管NM3的栅极连接偏置电压输入端bias。第二恒流电源I2的正极端连接第三NMOS管NM3的源极。第二恒流电源I2的负极端接地。
第二恒流电源I2的作用是保证第二PMOS管PM2的钳位，恒流源通常为低压器件构成，采用第三NMOS管来隔离第二PMOS管栅极上的高电压。第二恒流电源I2的大小可以为1μA～10μA。电压钳位单元211中的钳位电路可以根据工艺要求进行调整。
偏置电压输入端bias的作用是保证第三NMOS管NM3的导通，本实施例中，偏置电压输入端bias采用单独的电压输入。其它实施例中，偏置电压输入端bias也可以通过与低压电源输入端LV连接，而使两者具有同样的电压。
本实施例中，滞回比较单元212为施密特触发器S1。其它实施例中，滞回比较单元212可以是带迟滞的比较器。
需要说明的是，本发明的其它实施例中，电压钳位单元还可以是包括第一二极管、第二二极管、第三NMOS管和第二恒流电源。第三NMOS管为增强型。第一二极管的正极连接第二PMOS管的源极。第一二极管的负极连接第二二极管的正极。第二二极管的负极连接第二PMOS管的栅极。第三NMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极。第三NMOS管的栅极连接偏置电压输入端。第二恒流电源的正极端连接第三NMOS管的源极。第二恒流电源的负极端接地。
另外，其它实施例中，二极管的个数也可以是三至五个，如上述结构所述相似，直接串联。通常二极管的设置，要考虑防止第二PMOS管超过相应的耐压值。
本实施例提供的多节电池管理保护芯片20可以用于实现电池的监控、保护和管理等功能。它可以用奇力科技公司型号为VAS5118的电池管理芯片，再改进设计相应的适配器识别单元21，并以上述方式与芯片中其它结构结合而形成。另外，本实施例提供的多节电池管理保护芯片20，也可以是对美国德州仪器公司型号为bq769x0系列(bq76920、bq76930和bq76940等)的电池管理芯片进行改进设计而得到，也可以是对凹凸电子公司(O2Micro)型号为OZ890的电池管理芯片改进设计而得到。也就是说，通常将具有上述各引脚结构和端部的多数现有电池管理芯片，通过增加适配器识别单元21，并且与相应的结构与方式结合，可以得到本实施例的多节电池管理保护芯片20。
本实施例所提供的所述多节电池管理保护***中，还包括第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、电阻R1和电池组BT，电池组BT包括多节串联在一起的电池(未标注)。
第四NMOS管NM4的漏极连接第五NMOS管NM5的漏极。电阻R1一端连接第五NMOS管NM5的栅极，另一端连接第五NMOS管NM5的源极。多节电池管理保护芯片20的接地引脚VSS连接第四NMOS管NM4的源极，并连接电池组BT的负极。多节电池管理保护芯片20的放电驱动输出引脚DSG连接第四NMOS管NM4的栅极。多节电池管理保护芯片20的充电驱动输出引脚CHG连接第五NMOS管NM5的栅极。第五NMOS管NM5的源极连接充电负极端。电池组BT的正极连接充电正极端。
本实施例中，如图2所示，第一恒流电源I1和第二恒流电源I2位于芯片内部，电阻R1位于芯片外部的***电路，但三者会共同影响相应的电压是否开启第五NMOS管NM5，进而影响充电路径是否能完全关闭。
为了保证充电路径完全关闭，本实施例设置第一恒流电源I1和第二恒流源I2的电流差值，此电流差值与电阻R1的乘积小于第五NMOS管NM5的开启电压。例如，假如电阻R1的阻值为时1MΩ，相应的，设置所述电流差值(即I1-I2)小于1μA(或者0.7μA)。
本实施例中，电池可以为锂电池(如锂离子和磷酸盐电池)或者锂聚合物电池。
在本实施例提供的多节电池管理保护***中，当充电控制使能时，多节电池管理保护芯片20的充电驱动输出使能端EN为逻辑低电平，第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2导通，充电驱动输出引脚CHG的输出电压等于芯片内部中高压电源输入端HV的电压，从而使外部电路中的第五NMOS管NM5导通，进而使充电负极端的电压等于接地引脚VSS的接地电压。
在本实施例提供的多节电池管理保护***中，当充电控制关闭时，充电驱动输出使能端EN为逻辑高电平，第一PMOS管PM1关断，此时，相应检测端的电压，即充电驱动输出引脚CHG的电压，由外部条件的不同，分为三种情况：外部悬空、外部接负载和外部接适配器。
第一种，当外部悬空时，内部低压电源输入端LV通过一个小电流把充电驱动输出引脚CHG的电压拉到内部低压电源输入端LV的电压，内部滞回比较单元212产生状态信号，此时输出为逻辑低电平，即如前所述，将“0”存入相应寄存器，表示此时没有适配器接入。
第二种，当外部接负载时，由于充电控制关闭的同时，会将放电驱动输出引脚DSG也关闭，放电回路也断开，因此，充电负极端的电压会被拉到电池组BT的正端电压，第二PMOS管PM2导通，但第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2会将内部电路和电池组BT正端进行电压隔离，内部滞回比较单元212产生状态信号，输出为逻辑低电平，即如前所述，将“0”存入相应寄存器，表示此时没有适配器接入。
第三种，当外部接适配器时，第二PMOS管PM2导通，充电驱动输出引脚CHG的电压等于充电负极端的电压加上恒流电源(I1-I2)和电阻R1的乘积，(如前所述，所述电流差值和电阻R1的乘积小于相应NMOS导通的开启电压)，由于第二PMOS管PM2的栅极最低只能达到接地引脚VSS的电压(第二PMOS管PM2位于芯片内部，接地引脚VSS的电压是芯片中最低电压)，因此第二PMOS管PM2的源级被拉到PMOS导通电压，内部滞回比较单元212产生状态信号，输出为逻辑高电平，即如前所述，将“1”存入相应寄存器，表示此时有适配器接入。
由上述多节电池管理保护芯片20的驱动方法可知，通过控制和检测输出驱动，所述芯片将内部电路和外部高电压和负电压均进行隔离。本说明书中，高电压是指多节电池的最高电压，负电压是指低于芯片接地引脚VSS的接地电压。
并且，多节电池管理保护芯片20能够识别适配器的移除和接入，节省了***器件和检测电路，提高了电池保护***的可靠性。
可知，本发明的多节电池管理保护芯片20，不仅能够用于适配器是否接入的状态识别，还能够保证相应的电压隔离作用，防止芯片因为负载和适配器的状态而受高电压和负电压的影响。
也就是说，通过上述电路设计，多节电池管理保护芯片20在相应的多节电池管理保护***中，能够将不同的状态输出，所述不同状态包括充电路径关断后是否还有适配器接入的状态。
通过在所述芯片内部集成适配器识别单元21，多节电池管理保护***中，即使发生异常，发出错误指令要将充电路径打开，由于多节电池管理保护芯片20会检测到适配器未移除，也不会将充电路径打开，从而提高了多节电池管理保护***的可靠性。同时，由于不需要在***电路中设置另外的PMOS管器件(如不需要图1中的PMOS管Q3)，可知，多节电池管理保护芯片20能够节省芯片外部的***检测电路，提高了相应多节电池管理保护***的可靠性。
需要说明的是，本实施例提供的多节电池管理保护芯片20不限于使用在图2所示的保护***中。多节电池管理保护芯片20可以运用于各种保护***的电路中，例如充电路径和放电路径可以共用，也可以分开控制的电路。内部检测电流根据应用需要进行调整，只要是需要隔离高电压和负电压，并且需要检测负电压的电路方式，均可视为与本发明的运用范围。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (7)
1.一种多节电池管理保护芯片，包括：
接地引脚、充电驱动输出使能端、充电驱动输出引脚、放电驱动输出引脚和寄存器；
其特征在于，还包括：
适配器识别单元，所述适配器识别单元包括控制输入端、检测端和状态输出端；
所述控制输入端连接所述充电驱动输出使能端；所述检测端连接所述充电驱动输出引脚；所述状态输出端连接所述寄存器；
其中，所述适配器识别单元还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一恒流电源和滞回比较单元；
所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管均为增强型MOS管；
所述第一PMOS管的栅极作为所述控制输入端；
所述第一PMOS管的源极连接高压电源输入端；
所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极；
所述第一NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的源极；
所述第一NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第二PMOS管的漏极作为所述检测端；
所述第一恒流电源的正极端连接低压电源输入端；
所述第一恒流电源的负极端连接所述第二NMOS管的源极；
所述第二NMOS管的栅极连接低压电源输入端；
所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第二NMOS管的漏极还连接所述第一NMOS管的漏极；
所述滞回比较单元的输入端连接所述第一恒流电源的负极端；
所述滞回比较单元的输出端作为所述状态输出端；
所述滞回比较单元的供电端连接低压电源输入端，另一端接地；
所述第二PMOS管的栅极和源极之间连接电压钳位单元；
所述滞回比较单元为施密特触发器。
2.如权利要求1所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述适配器识别单元还包括高压电源输入端、低压电源输入端和偏置电压输入端。
3.如权利要求2所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述电压钳位单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第二恒流电源；
所述第三PMOS管、第四PMOS管和第三NMOS管均为增强型；
所述第三PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第三PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第四PMOS管的源极；
所述第四PMOS管的漏极连接栅极，并连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；
所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；
所述第二恒流电源的负极端接地。
4.如权利要求2所述的多节电池管理保护芯片，其特征在于，所述电压钳位单元包括第一二极管、第二二极管、第三NMOS管和第二恒流电源；
所述第三NMOS管为增强型；
所述第一二极管的正极连接所述第二PMOS管的源极；
所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极；
所述第二二极管的负极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；
所述第三NMOS管的栅极连接所述偏置电压输入端；
所述第二恒流电源的正极端连接所述第三NMOS管的源极；
所述第二恒流电源的负极端接地。
5.一种多节电池管理保护***，其特征在于，包括如权利要求1至4任一项所述的多节电池管理保护芯片，还包括第四NMOS管、第五NMOS管、电阻和电池组，所述电池组包括多节串联在一起的电池；
所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极；
所述电阻一端连接所述第五NMOS管的栅极，另一端连接所述第五NMOS管的源极；
所述多节电池管理保护芯片的所述接地引脚连接所述第四NMOS管的源极，并连接所述电池组的负极；
所述多节电池管理保护芯片的所述放电驱动输出引脚连接所述第四NMOS管的栅极；
所述多节电池管理保护芯片的所述充电驱动输出引脚连接所述第五NMOS管的栅极；
所述第五NMOS管的源极连接充电负极端；
所述电池组的正极连接充电正极端。
6.如权利要求5所述的多节电池管理保护***，其特征在于，第一恒流电源和第二恒流源的电流差值与电阻R1的乘积小于第五NMOS管的开启电压。
7.如权利要求5所述的多节电池管理保护***，其特征在于，所述电池为锂电池或者锂聚合物电池。
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