CN109427981B - Qled器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，或所述空穴注入层中含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。

Description

QLED器件及其制备方法
技术领域
本发明属于QLED领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
背景技术
量子点由于光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，导致现有的空穴传输层与量子点发光层之间仍存在较大的空穴注入势垒，导致阳极到发光层的空穴注入较为困难，并且空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，引起QLED发光层中的载流子注入不平衡，从而严重限制了QLED器件的性能。
目前，过渡金属氧化钼被广泛用于电致发光器件的空穴注入层，但是其分散性还不够好，空穴注入能力和迁移率还不能完全满足要求，因此如何优化其性能，提高其在QLED器件中的空穴注入能力和迁移率，有效平衡发光层中的载流子，对于提高QLED器件的光学性能尤为关键，也是目前研究的一个重点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有过渡金属氧化钼作为空穴注入层时分散性差、影响QLED器件光学性能的问题。
本发明是这样实现的，一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
以及，一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；
在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极；或
提供阴极基板，在所述阴极上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，在所述空穴注入层上制备阳极，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料。
本发明提供的QLED器件，所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料。其中，PANI不仅单体易得，且具有结构多样化、环境稳定性好，是一种优异的导电聚合物，PANI的添加不会降低QLED器件的导电性能。在此基础上，进一步的，由于所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺(PANI)包覆的一维MoOx纳米材料，具有较好的分散性，同时，MoOx/PANI纳米复合材料中的PANI对MoOx具有限域作用，因此，可以防止MoOx发生团聚的同时，为空穴提供传输通道，从而实现空穴的快速迁移。此外，所述MoOx/PANI纳米复合材料中MoOx作为PANI的支撑，可以提高材料的结构稳定性。因此，所述MoOx/PANI复合材料既可以掺入其他空穴注入材料中制备空穴注入层，也可以单独作为空穴注入层，有利于提高电致发光器件的空穴注入能力和空穴迁移率，从而有效平衡发光层中的载流子，提高QLED器件的光学性能。
本发明提供的QLED器件的制备方法，在常规的QLED器件的制备方法基础上，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料，所述空穴注入层采用溶液加工法制备，方法简单易控，且具有较好的成膜均匀性。由此制备的QLED器件，具有较好的光学性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的QLED器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的QLED器件的优选结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图1、图2，本发明实施例提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、量子点发光层4和阴极6，且所述空穴注入层2含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料，如图1所示。
本发明实施例提供的QLED器件，所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料。其中，PANI不仅单体易得，且具有结构多样化、环境稳定性好，是一种优异的导电聚合物，PANI的添加不会降低QLED器件的导电性能。在此基础上，进一步的，由于所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺(PANI)包覆的一维MoOx纳米材料，具有较好的分散性，同时，MoOx/PANI纳米复合材料中的PANI对MoOx具有限域作用，因此，可以防止MoOx发生团聚的同时，为空穴提供传输通道，从而实现空穴的快速迁移。此外，所述MoOx/PANI纳米复合材料中MoOx作为PANI的支撑，可以提高材料的结构稳定性。因此，所述MoOx/PANI复合材料既可以掺入其他空穴注入材料中制备空穴注入层，也可以单独作为空穴注入层，有利于提高电致发光器件的空穴注入能力和空穴迁移率，从而有效平衡发光层中的载流子，提高QLED器件的光学性能。
具体的，作为一种实施情形，所述空穴注入层2由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成，即MoOx/PANI纳米复合材料掺杂在其他空穴注入材料中制备空穴注入层2。所述其他空穴注入材料，是指MoOx/PANI纳米复合材料以外的常见的空穴注入材料，包括但不限于PEDOT:PSS，且所述其他空穴注入材料的种类选择和数量没有严格的限制，可以选择一种其他空穴注入材料，也可以采用多种其他空穴注入材料。当空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成时，MoOx/PANI纳米复合材料的含量没有严格限制，原则上掺杂比例越高，空穴注入材料的分散性能越好，且空穴注入能力和空穴迁移率越高，越有利于提高QLED器件的光学性能。
作为另一种实施情形，所述空穴注入层2由MoOx/PANI纳米复合材料制成。此时，MoOx/PANI纳米复合材料作为空穴注入层2的唯一材料，充分发挥其性能，使其空穴注入能力和空穴迁移率发挥到极致，赋予QLED器件优异的光学性能。
上述实施情形中，所述空穴注入层2的厚度为10-100nm。若所述空穴注入层2的厚度过低，则其空穴注入性能较差，即便采用MoOx/PANI纳米复合材料作为空穴注入层的唯一材料，也难以有效提高空穴注入性能；若所述空穴注入层2的厚度过厚，则带来的电阻较大，也不利于均衡QLED器件的性能。
优选的，所述QLED器件还包括空穴传输层3、电子传输层5、电子注入层(图中未标出)中的至少一层，但不限于此。
作为一个具体优选实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
作为一个具体优选实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5和阴极6，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
本发明实施例中，阳极1可为ITO阳极，但不限于此。
空穴传输层3可以采用常规的空穴传输材料制成，包括但不限于PVK、Poly-TPD中的至少一种。空穴传输层3的厚度优选为1-100nm。
量子点发光层4采用常规的量子点材料制成，本发明实施例中对量子点材料的选择没有严格的限定。
电子传输层5可以具有电子传输能力的材料制成，包括低功函数的金属、无机化合物、电解质型电子传输层材料等。具体的，所述金属包括但不限于低功函数的Ca、Ba等金属，所述无机化合物包括但不限于CsF、LiF、CsCO3。优选的，电子传输层5采用具有高的电子传输性能的n型氧化锌，优选厚度为30-60nm。
阴极6可以采用常见的阴极材料，厚度优选为60-120nm。
上述两种具有优选实施例的QLED器件的结构如图2所示。
本发明实施例提供的QLED器件，可以通过下述方法制备获得。
以及，本发明实施例还提供了一种QLED器件的制备方法，所述QLED器件的制备方法分为两种情况。
具体的，作为一种实施情形，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：
S01.提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；
S02.在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极。
上述步骤S01中，提供阳极基板，优选的，将干净的阳极基板进行氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理，以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，且所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料。采用溶液加工法实现，从而提高膜层均匀性和可控性。
在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液包括两种情形，作为一种实施例情形，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料与其他空穴注入材料形成的复合溶液。
作为另一种实施情形，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料溶液。进一步优选的，所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度为0.1-10mg/ml。若所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度过低，则形成的空穴注入层膜层较薄，甚至不能完全覆盖基板，不能有效发挥空穴注入性能；若所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度过高，则粘度较大，形成的膜层过厚，会增加器件电阻。
上述步骤S02中，在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极，可以采用常规方法实现。如阴极的制备方法为：将待处理的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层阴极。
优选的，在沉积量子点发光层之前，还包括沉积空穴传输层。
和/或，优选的，在沉积阴极前，还包括在量子点发光层上沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层。
作为另一种实施情形，所述QLED器件的制备方法包括以下步骤：
Q01.提供阴极基板，在所述阴极上沉积量子点发光层；
Q02.在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，在所述空穴注入层上制备阳极，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料。
上述步骤Q01中，提供阴极基板，优选的，将干净的阴极基板进行氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理，以进一步除去表面附着的有机物。
在所述阴极上沉积量子点发光层，可以采用常规方法实现。优选的，在沉积量子点发光层前，还包括在阴极上沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层。
上述步骤Q02中，在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液，且所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料。采用溶液加工法实现，从而提高膜层均匀性和可控性。
在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液包括两种情形，作为一种实施例情形，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料与其他空穴注入材料形成的复合溶液。
作为另一种实施情形，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料溶液。进一步优选的，所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度为0.1-10mg/ml。若所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度过低，则形成的空穴注入层膜层较薄，甚至不能完全覆盖基板，不能有效发挥空穴注入性能；若所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度过高，则粘度较大，形成的膜层过厚，会增加器件电阻。
优选的，在沉积空穴注入层之前，还包括在所述量子点发光层上沉积空穴传输层。
进一步的，在所述空穴注入层上制备阳极，可以采用常规方法制备。
上述实施情形中，优选的，所述MoOx/PANI纳米复合材料的制备方法如下：
E01.提供钼酸盐、苯胺，在酸性条件下混合处理，制备Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体；
E02.将所述Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体分散去离子水中，加入引发剂，在酸性条件下搅拌处理，制备MoOx/PANI纳米复合材料。
具体的，上述步骤E01中，所述钼酸盐包括但不限于钼酸铵。将所述钼酸盐、苯胺在酸性条件下混合处理。优选的，将所述钼酸盐、苯胺溶于去离子水中，进行磁力搅拌，边搅拌变添加无机酸溶液，如盐酸。具体优选的，所述酸性条件的pH值为4-5(此时开始产生白色沉淀Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体)。然后快速搅拌，优选加热条件下(如50℃油浴)快速搅拌，得到大量白色沉淀。
进一步的，用去离子水和无水乙醇清洗过滤数次，至滤液为中性，真空干燥，获得Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体。
上述步骤E02中，将所述Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体分散去离子水中，超声分散至溶液变为乳白色，然后加入引发剂，在酸性条件下搅拌处理，引发聚合反应。此时，Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体起到了模板作用，聚合时PANI的分子链沿着纳米线的长度方向进行自组装，得具有一维纳米结构，且具有好的分散性，没有明显的团聚。优选的，所述酸性条件的pH值为4-5。优选的，所述引发剂为过硫酸盐，包括但不限于过硫酸钾。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种一维MoOx/PANI纳米复合材料的制备方法，具体步骤如下：
E01.制备Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体：分别称取2.575g钼酸铵(NH)4Mo7O24﹒4H2O和3.40g苯胺(C6H5NH2)溶于40mL去离子水中，置于控温磁力搅拌器上边缓慢搅拌边逐滴加入1mol/L的HCl溶液，调节pH至4～5(此时开始产生白色沉淀)，然后快速搅拌2h(50℃，油浴)，得到大量白色沉淀，用去离子水和无水乙醇清洗过滤数次，至滤液为中性，真空干燥(60℃,12h)，获得Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体。
E02.原位聚合制备MoOx/PANI：称取0.67g Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体溶于80ml去离子水中，超声分散至溶液变为乳白色，然后加入1.13g K2S2O8作为引发剂，用玻璃棒搅拌使过硫酸钾溶解。将上述溶液至于磁力搅拌器上缓慢搅拌，逐滴加入1mol/L的HCl溶液，调节混合液的pH值为4，于室温连续搅拌6h，得到墨绿色的沉淀，用去离子水和乙醇清洗过滤数次，至滤液为中性，真空干燥(60℃，12h)后得MoOx/PANI纳米复合材料。
实施例2
一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：
将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，超声均为15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO表面5分钟，以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
将MoOx/PANI纳米复合材料加入到1ml异丙醇中，并超声分散均匀，制备0.5mg/ml的MoOx/PANI纳米复合材料溶液；将MoOx/PANI纳米复合材料溶液沉积在处理过的ITO基板表面，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂。
将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，沉积一层空穴传输层材料TFB，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂。
待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，其厚度为20nm。沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
在所述量子点发光层上沉积电子传输层，其中，电子传输层选择具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其厚度为30nm。
将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，厚度为100nm。
实施例3
一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和PEDOT:PSS制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：
将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，超声均为15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO表面5分钟，以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
将0.5mg MoOx/PANI加入到1ml去离子水中，并超声分散均匀，然后和等体积的PEDOT:PSS溶液混合，并搅拌均匀得到混合溶液，将混合溶液沉积在处理过的ITO基板表面，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分。
将干燥后的涂有复合空穴注入层的基板置于氮气气氛中，沉积一层空穴传输层材料TFB，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂。
待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在空穴传输层表面，其厚度为20nm。沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
在所述量子点发光层上沉积电子传输层，其中电子传输层选择具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其厚度为30nm。
将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，厚度为100nm。
实施例4
一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和PEDOT:PSS制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：
将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，超声均为15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO表面5分钟，以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
将0.5mg MoOx/PANI加入到1ml去离子水中，并超声分散均匀，然后和等体积的氧化镍溶液混合，并搅拌均匀得到混合溶液，将混合溶液沉积在处理过的ITO基板表面，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分。
待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在空穴注入层表面，其厚度为20nm。沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
将沉积完量子点发光层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，厚度为100nm。
实施例5
一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料。
所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：
将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，超声均为15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO表面5分钟，以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
将MoOx/PANI纳米复合材料加入到1ml异丙醇中，并超声分散均匀，制备0.5mg/ml的MoOx/PANI纳米复合材料溶液；将MoOx/PANI纳米复合材料溶液沉积在处理过的ITO基板表面，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂。
待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在空穴注入层表面，其厚度为20nm。沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
将沉积完量子点发光层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，厚度为100nm。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层含有MoOx/PANI纳米复合材料，其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料；
其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料的制备方法如下：提供钼酸盐、苯胺，在酸性条件下混合处理，制备Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体；将所述Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体分散去离子水中，加入引发剂，在pH值为4-5的酸性条件下搅拌处理，制备MoOx/PANI纳米复合材料。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料和其他空穴注入材料制成。
3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成。
4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10-100nm。
5.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，还包括空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的至少一层。
6.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极基板，在所述阳极基板上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；
在所述空穴注入层上依次沉积量子点发光层和阴极；或
提供阴极基板，在所述阴极上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积空穴注入材料溶液，制备空穴注入层，在所述空穴注入层上制备阳极，其中，所述空穴注入材料溶液中含有MoOx/PANI纳米复合材料；
其中，所述MoOx/PANI纳米复合材料的制备方法如下：
提供钼酸盐、苯胺，在酸性条件下混合处理，制备Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体；
将所述Mo3O10(C6H5NH3)2·2H2O纳米线前驱体分散去离子水中，加入引发剂，在pH值为4-5的酸性条件下搅拌处理，制备MoOx/PANI纳米复合材料。
7.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料与其他空穴注入材料形成的复合溶液。
8.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入材料溶液为MoOx/PANI纳米复合材料溶液。
9.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述MoOx/PANI纳米复合材料溶液的浓度为0.1-10mg/ml。
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