CN109427948A - 高压芯片出光单元 - Google Patents

高压芯片出光单元 Download PDF

Info

Publication number
CN109427948A
CN109427948A CN201710735268.3A CN201710735268A CN109427948A CN 109427948 A CN109427948 A CN 109427948A CN 201710735268 A CN201710735268 A CN 201710735268A CN 109427948 A CN109427948 A CN 109427948A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage chip
light
adjusting seat
emitting units
edge adjusting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710735268.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427948B (zh
Inventor
孙智江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIAXING MINDE AUTO PARTS Co.,Ltd.
Original Assignee
Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201710735268.3A priority Critical patent/CN109427948B/zh
Publication of CN109427948A publication Critical patent/CN109427948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427948B publication Critical patent/CN109427948B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高压芯片出光单元，包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围减少杂光，形成边缘清晰均匀分布的光斑。

Description

高压芯片出光单元
技术领域
本发明涉及一种LED单元。
背景技术
现有照明组件的各个单元之间存在匹配的问题，如果装配精度不够，则会出现阴影等不良现象。
发明内容
为了克服上述缺点，本发明的目的在于提供一种组合后照明均匀的高压芯片出光单元。
为了达到以上目的，本发明提供了一种高压芯片出光单元，包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。
作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。
作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。
作为本发明进一步的改进，每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。
作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。
作为本发明进一步的改进，所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。
作为本发明进一步的改进，所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。
作为本发明进一步的改进，所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。
作为本发明进一步的改进，所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。
作为本发明进一步的改进，所述的光学微调结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角、所述的棱镜结构的倾斜角。
由于采用了本发明的结构，在光斑的边缘位置周围减少杂光，形成边缘清晰均匀分布的光斑。
附图说明
附图1为根据本发明的组件示意图；
附图2和附图3为根据本发明的原理示意图。
具体实施方式
参见附图1至附图3，本发明的高压芯片出光单元包括一立方体的边缘调整座1，边缘调整座1的底面中心向上凹陷形成入光面2，凹陷内设置有高压芯片3，边缘调整座1的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面4，出光面4的交界线的投影与立方体的顶面的对角线相重合，边缘调整座1的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构5，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，边缘调整座1的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构6，每个光学微调结构6包括一朝外倾斜的斜面，光学微调结构6的整体高度略大于出光面4的高度。
从图中可以看出，每个棱镜结构5的横截面均呈向外倾斜的三角形，棱镜结构5的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小，每个棱镜结构5的间隔从内到外逐渐增加，棱镜结构5从内到外尺寸逐渐增加。
高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，另外，p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。
可以看到，边缘调整座1的侧面向内倾斜，其中，棱镜结构5的倾斜角小于边缘调整座1侧面的倾斜角，光学微调结构6的倾斜角小于所述的边缘调整座1侧面的倾斜角和棱镜结构5的倾斜角。
附图2是沿水平或者垂直方向的剖视图，附图3是沿对角线方向的剖视图。出光面4将高压芯片3的小角度出射光线以大体方形光斑的形状均匀投射，主要覆盖约80%的区域，如图中光线a所示；棱镜结构5将高压芯片3的较大角度的出射光线投射到方形光斑的边缘附近，如图中光线b、c所示，由于从内到外的出射光线角度越大，因此需要对棱镜结构采取渐变的结构以应对这种改变，主要覆盖约10%的区域；边缘调整座1的侧面将高压芯片3的最大角度的出射光线透射在方形光斑的边缘，如图中光线d，从而形成边缘清晰的方形，对整个光斑形成边缘约束作用；光学微调结构6将原本靠近光斑的边缘附近的、出光面4的底部附近的光线向下出射，如图中光线d，从而加强了方形光斑的边缘的清晰度，减少了边缘附近的杂光，可以防止组合使用时相邻单元之间叠加后产生亮斑。

Claims (10)

1.一种高压芯片出光单元，其特征在于：包括一立方体的边缘调整座，所述的边缘调整座的底面中心向上凹陷形成入光面，所述的凹陷内设置有高压芯片，所述的边缘调整座的顶面整体向上凸起形成四个对称分布的出光面，出光面的交界线的投影与所述的立方体的顶面的对角线相重合，所述的边缘调整座的顶面上具有环绕四个出光面的多圈棱镜结构，从而整体上构成一种花蕊花瓣结构，所述的边缘调整座的顶面上四个角落各自凸起形成光学微调结构，每个所述的光学微调结构包括一朝外倾斜的斜面。
2.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：每个所述的棱镜结构的横截面均呈向外倾斜的三角形。
3.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构的倾斜角从内到外尺寸逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：每个所述的棱镜结构的间隔从内到外逐渐增加。
5.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构从内到外尺寸逐渐增加。
6.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的高压芯片包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，所述的n-GaN层上形成有n型电极，所述的p-GaN层上形成有p型电极。
7.根据权利要求6所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的p-GaN层与p型电极之间设置有透明电极层。
8.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的边缘调整座的侧面向内倾斜。
9.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的棱镜结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角。
10.根据权利要求1所述的高压芯片出光单元，其特征在于：所述的光学微调结构的倾斜角小于所述的边缘调整座侧面的倾斜角、所述的棱镜结构的倾斜角。
CN201710735268.3A 2017-08-24 2017-08-24 高压芯片出光单元 Active CN109427948B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710735268.3A CN109427948B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 高压芯片出光单元

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710735268.3A CN109427948B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 高压芯片出光单元

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427948A true CN109427948A (zh) 2019-03-05
CN109427948B CN109427948B (zh) 2020-07-24

Family

ID=65501302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710735268.3A Active CN109427948B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 高压芯片出光单元

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109427948B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142822A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US20090146158A1 (en) * 2004-12-17 2009-06-11 Jun Seok Park Package for Light Emitting Device and Method for Packaging the Same
CN201748334U (zh) * 2009-06-05 2011-02-16 珠海市绿色照明科技有限公司 一种led灯上的透镜
CN102738357A (zh) * 2011-04-15 2012-10-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有微结构透镜的发光二极管
CN204141495U (zh) * 2014-09-22 2015-02-04 张志才 方形光斑背光源透镜
CN104676465A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 海洋王（东莞）照明科技有限公司 透镜及应用该透镜的led灯具
CN105659025A (zh) * 2013-09-03 2016-06-08 齐扎拉光***有限责任公司 具有带正方形散射函数的微结构的光学结构
CN205877802U (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 深圳市圣诺光电科技有限公司 一种led用光学透镜

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090146158A1 (en) * 2004-12-17 2009-06-11 Jun Seok Park Package for Light Emitting Device and Method for Packaging the Same
US20080142822A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package and method of manufacturing the same
CN201748334U (zh) * 2009-06-05 2011-02-16 珠海市绿色照明科技有限公司 一种led灯上的透镜
CN102738357A (zh) * 2011-04-15 2012-10-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有微结构透镜的发光二极管
CN105659025A (zh) * 2013-09-03 2016-06-08 齐扎拉光***有限责任公司 具有带正方形散射函数的微结构的光学结构
CN104676465A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 海洋王（东莞）照明科技有限公司 透镜及应用该透镜的led灯具
CN204141495U (zh) * 2014-09-22 2015-02-04 张志才 方形光斑背光源透镜
CN205877802U (zh) * 2016-08-09 2017-01-11 深圳市圣诺光电科技有限公司 一种led用光学透镜

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427948B (zh) 2020-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102054925B (zh) 发光二极管模组
US9784429B2 (en) Method and device for greatly increasing irradiation range of street lamp
US11629843B2 (en) Optics for chip-on-board road and area lighting
US10648644B2 (en) Optics for chip-on-board lighting having a protrusion
US20140084809A1 (en) Variable-beam light source and related methods
CN107013884B (zh) 投光灯透镜、具有该投光灯透镜的发光模块和投光灯
US11362074B2 (en) Light-emitting diode device
US9752751B2 (en) Optical lens
CN104373896A (zh) 光学透镜及采用该光学透镜的灯具
US20240044473A1 (en) Light source device
US8487326B2 (en) LED device having a tilted peak emission and an LED display including such devices
US9054019B2 (en) Low profile lighting module with side emitting LEDs
CN106062465B (zh) 光源装置以及照明装置
CN109427948A (zh) 高压芯片出光单元
KR101305925B1 (ko) 엘이디 패키지
JP3201378U (ja) チップ式ｌｅｄディスプレイフェースマスク
CN111649293A (zh) 一种新型水纹投影灯
CN109427949B (zh) 高压芯片出光组件
KR101189014B1 (ko) 반도체 발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 반도체 발광 소자 패키지
KR101087064B1 (ko) 엘이디 패키지용 렌즈 및 이를 이용한 엘이디 패키지
CN213146425U (zh) 一种新型水纹投影灯
WO2012135976A1 (en) Led device having tilted peak emission and led display including such devices
US20150340557A1 (en) Shaped led for enhanced light extraction efficiency
KR102435569B1 (ko) 광학 렌즈, 조명 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN105953175B (zh) 投光灯透镜、具有该投光灯透镜的发光模块和投光灯

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200630

Address after: No.786 Yazhong Road, Nanhu District, Jiaxing, Zhejiang Province

Applicant after: JIAXING MINDE AUTO PARTS Co.,Ltd.

Address before: 215000 Chaoyang Industrial Park, Caohu Industrial Park, Xiangcheng Economic Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: Dura Chip (Suzhou) Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant