CN109417673A - 模制成型的互连微机电***(mems)装置封装体 - Google Patents

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Abstract

一种用于包封微机电***装置的微机电***(MEMS)装置封装体包括模制成型的封装体间隔件，所述模制成型的封装体间隔件连接至导电盖和衬底。模制成型的封装体间隔件形成微机电***装置封装体的侧壁或分隔器，并且适于将电连接件从微机电***装置引导到衬底或经由衬底引导到第二微机电***装置封装体。

Description

模制成型的互连微机电***(MEMS)装置封装体
相关申请的交叉引用
本申请是2015年10月28日提交的美国实用新型专利申请No.14/924,789的部分接续案，其要求2014年10月29日提交的美国临时专利申请No.62/069,939的权益。这些相关申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及微机电***(MEMS)封装体，更特别地，涉及MEMS装置封装体。
发明内容
微机电***(MEMS：Microelectromechanical System)装置封装体包括衬底、导电盖和位于导电盖和衬底之间并连接导电盖和衬底的封装体间隔件。封装体间隔件由诸如塑料或陶瓷的模制材料形成，并且可以在封装体间隔件的底表面和/或顶表面上具有导电衬料。封装体间隔件提供用于与MEMS装置封装体的内部进行电子通信的通路。导电盖可以由金属板构成，其电连接到封装体间隔件。金属板提供了能够围出声腔的低成本材料。此外，金属板为装置封装体的内部部件提供保护，并有助于创建耐用、抗凹痕的MEMS装置封装体。
在一个实施例中，本公开提供了一种微机电***(MEMS)装置封装体，其包括MEMS裸片和电连接到MEMS裸片的专用集成电路(ASIC)。ASIC被配置为能够从MEMS裸片接收电信号。MEMS装置封装体还包括具有电连接焊盘的衬底、导电盖和封装体间隔件。封装体间隔件具有顶表面和底表面。顶表面连接到导电盖，底表面连接到衬底。封装体间隔件由模制材料形成。
在另一个实施例中，MEMS装置封装体包括具有腔和接合架的封装体间隔物、MEMS裸片和ASIC。接合架整体形成为封装体间隔件的内部的一部分。设置在腔内的MEMS和ASIC由导电盖和衬底包封。形成在接合架上的表面接触衬底的至少一部分。ASIC电连接到接合架的表面。封装体间隔件还包括第一表面和第二表面。位于形成在接合架上的表面上方的第一表面连接到衬底。与第一表面相反的第二表面连接到导电盖。
在又一实施例中，组合MEMS装置封装体组件包括第一MEMS装置封装体和第二MEMS装置封装体，第二MEMS装置封装体经由公共衬底以背对背配置耦接到第一MEMS装置封装体。至少一个端口形成在第一MEMS装置封装体上，并且所述端口经由形成在第二MEMS装置封装体上的第二端口直接或间接地流体耦接到外部环境。
通过考虑详细说明和附图，本公开的其它方面将变得显而易见。
附图说明
图1是根据一个实施例的MEMS麦克风封装体的透视图。
图2是图1的MEMS麦克风封装体的封装体间隔件的透视图。
图3是图2的封装体间隔件的相反侧透视图。
图4是图2的封装体间隔件的底视图。
图5是图2的封装体间隔件的顶视图。
图6是在将衬底附接到封装体间隔件之前的图1的MEMS麦克风封装体的透视图。
图7是图6的MEMS麦克风封装体的底视图。
图8是图1的MEMS麦克风封装体的衬底的外侧的底视图。
图9是图1的MEMS麦克风封装体的衬底的内侧的顶视图。
图10A和10A是MEMS装置封装体的另外的描述的实施例的剖视图。
图11A-11D是MEMS装置封装体的另外的描述的实施例的剖视图。
图12A-12C是MEMS装置封装体的另外的描述的实施例的剖视图。
图13A-13C是MEMS装置封装体的另外的描述的实施例的剖视图。
图14A和14B是MEMS装置封装体的另外的描述的实施例的剖视图。
图15是组合MEMS装置封装体组件的示例性实施例的剖视图。
图16是组合MEMS装置封装体组件的另一个描述的实施例的剖视图。
具体实施方式
在详细解释本公开的任何实施例之前，应理解，本公开不限于其应用于以下描述中阐述的或在以下附图中示出的构造的细节和部件的布置。本公开能够用于其它实施例并且能够以各种方式实践或执行。
图1中示出了根据一个实施例的MEMS麦克风封装体101的透视图。MEMS麦克风封装体101包括封装体间隔件103、衬底105和导电盖107。封装体间隔件103形成MEMS麦克风封装体101的侧壁并保持衬底105和导电盖107之间的间隔。在制造MEMS麦克风封装体101期间，衬底105和导电盖107固定至封装体间隔件103。在一个示例中，焊料或者环氧树脂可以用作粘合剂以将封装体间隔件103、衬底105和导电盖107保持在一起。以这种方式，封装体间隔件103、衬底105和导电盖107保护MEMS麦克风封装体101内的内部电子器件。为了增加强度，导电盖107可以由冲压金属形成。另外，导电盖107可以基本上是平面的并且与衬底105平行。导电盖107中包括声学输入端口109。声学输入端口109是允许声压进入MEMS麦克风封装体101的孔。声学输入端口109可以形成在导电盖107的任何位置上。在一个实施例中，声学输入端口109可以位于内部电子器件——即麦克风裸片、ASIC或任何电子部件上方。在另一个实施例中，声学输入端口109可以位于偏离内部部件一定距离处。在又一个实施例中，声学输入端口109可以位于导电体107的角部中的至少一个的附近或相邻处，而不妨碍声压进入MEMS麦克风封装体101。除了声学输入端口109之外，MEMS麦克风封装体101被密封以形成气密外壳。
导电通道111位于MEMS麦克风封装体101的侧面113上。导电通道111通过蚀刻、钻孔、冲压或模制成型形成到封装体间隔件103的一个侧面113中。导电材料(例如金属涂层)在导电通道111内沉积或以其它方式形成。或者，导电通道111可以使用金属填充。导电通道111从导电盖107延伸到衬底105。因此，导电盖107通过导电通道111电连接到衬底105的至少一部分。在所示实施例中，第二导电通道115位于MEMS麦克风封装体101的第二侧117上。第二导电通道115在大多数方面与导电通道111相同。根据应用，可以在MEMS麦克风封装体101上形成多于或少于两个的导电通道。导电通道的位置可以形成在与MEMS麦克风封装体101的侧面113、117相邻的侧面上。
在图2中，在附接衬底105和导电盖107之前示出了封装体间隔件103的透视图。在一些实施例中，封装体间隔件103通过模制成型工艺形成。例如，封装体间隔件103可以完全由塑料或聚合物材料形成。在其它实施例中，封装体间隔件103由陶瓷或其它非导电材料形成。因此，封装体间隔件103可以比主要由硅、例如由硅晶片形成的MEMS麦克风封装体101更坚固、成本更低和/或更容易制造。封装体间隔件103形成为包括外表面203、内表面205、顶表面207、底表面209和腔210。顶表面207和/或底表面209可以是部分或者完全涂有导电层，例如金属化膜。在另一个实施例中，金属化膜或种子金属化层可以形成在封装体间隔件103内。
在一些实施例中，封装体间隔件103包括接合架211。接合架211可以形成封装体间隔件103的内表面205的一部分。在所示实施例中，接合架211位于封装体间隔件103的角部213中。接合架211可以与封装体间隔件103形成为一体式部件。例如，可以在制造期间将接合架211与封装体间隔件103一起模制成型。相反，在模制成型工艺之后，可以单独形成接合架211并将其固定至封装体间隔件103。接合架211包括底表面217，底表面217可以与封装体间隔件103的底表面209齐平。当衬底105固定至封装体间隔件103时，底表面217和底表面209可以接触衬底105的至少一部分。或者，当衬底105固定至封装体间隔件103时，表面217、209中的一个可以与衬底105的至少一部分接触。接合架211还包括引线接合表面221。引线接合表面221为MEMS麦克风封装体101内的电连接件提供位置。接合架211可以形成从底表面217延伸到引线接合表面221的S形曲线。引线接合表面221可以平行于底表面217。根据应用，可以在封装体间隔件103中形成多于一个接合架。
接合架211还包括导电迹线223，导电迹线223从接合架211的底表面217延伸到引线接合表面221。导电迹线223可以通过沉积导电材料、例如金属膜到接合架211上而形成。导电迹线223在一端电连接到衬底105的一部分，并且在另一端终止于引线接合表面221处。因此，导电迹线223提供MEMS麦克风封装体101的内部与衬底105之间的电通路。例如，导电迹线223提供一条或两条以上地线、电源线和信号线，其允许从衬底105提供电源和接地电压并允许信号被传送到衬底105。因此，封装体间隔件103提供衬底105与MEMS麦克风封装体101的内部部件之间的电连接件。封装体间隔件103还可以包括密封环225，所述密封环225，围绕封装体间隔件103的顶表面207的周边延伸。
在图3所示的实施例中，封装体间隔件103包括顶表面207。顶表面207可以与接合架211的顶表面301齐平。顶表面207在导电盖107固定至封装体间隔件103时接触导电盖107，从而在导电盖107、导电通道111和导电通道115之间提供导电性。导电盖107还可以电连接到封装体间隔件103的内表面205或外表面203。因此，导电盖107、导电通道111和导电通道115形成用于MEMS麦克风封装体101中的内部部件的电磁屏蔽。
图4示出了封装体间隔件103的底视图(即，从衬底侧)。该视图示出了封装体间隔件103的底表面209围绕封装体间隔件103的周边延伸。密封环225可以形成为封装体间隔件103的底表面209的顶部上的金属化层(即，金属沉积物)。密封环225提供与衬底105的物理和电连接点。例如，密封环225可以用焊料附接至衬底105。或者，封装体间隔件103的底表面209可以用环氧树脂附接至封装体间隔件103。在又一个实施例中，封装体间隔件103的底表面209可以利用可选的凸块冶金焊盘(UBM)下的微凸块或焊料微凸块附接至封装体间隔件103。图5示出了图4的相反视图，其中示出了顶表面207。如前所述，顶表面207提供用于与导电盖107物理和电连接的表面。
图6示出了没有衬底105的MEMS麦克风封装体101，以示出声腔内的电子部件。这样，图6示出了MEMS麦克风封装体101的内部配置。MEMS麦克风封装体101包括MEMS麦克风裸片601和专用集成电路(ASIC)603。可选地，例如惯性传感器、化学传感器等的第二传感裸片可以安装在MEMS麦克风封装体101内。根据应用，ASIC 603可以不包括在MEMS麦克风封装体101中。MEMS麦克风裸片601和ASIC 603可以直接粘贴或安装至导电盖107。MEMS麦克风裸片601包括被配置成能够接收有线连接的接合焊盘605。类似地，ASIC 603包括被配置为从MEMS麦克风裸片601接收有线连接的第一组接合焊盘607和被配置为从引线接合表面221接收有线连接的第二组接合焊盘609。第一组引线611连接在MEMS麦克风裸片601的接合焊盘605和ASIC 603的第一组接合焊盘607之间。地线613将ASIC 603连接至导电盖107。第二组引线615连接在ASIC 603的第二组接合焊盘609和引线接合表面221上的导电迹线223之间。以这种方式，多条引线将MEMS麦克风封装体101内的内部电子元件和电迹线互连。
当声压通过声学输入端口109进入MEMS麦克风封装体101时，声压撞击MEMS麦克风裸片601的膜片(未示出)。MEMS麦克风裸片601经由膜片感测声压并根据声压产生电信号。ASIC 603经由第一组引线611接收电信号并产生表示由MEMS麦克风裸片601所接收的声压的另一电信号。ASIC 603经由第二组引线615和电迹线223发送电信号至衬底105，在那里进一步处理和放大电信号。
图7是图6中所示的MEMS麦克风封装体101的底视图(即，从衬底侧)。如图7所示，地线613连接至导电盖107上的任意点701。MEMS麦克风封装体101还可以包括环氧树脂密封件703，以保护引线接合表面221上的位于导电迹线223和第二组引线615的连接点处的焊接的电接合。
图8是衬底105的底视图。衬底105可以包括提供用于MEMS麦克风封装体101的内部电气部件的连接和支持的电迹线、电通道和电气部件。例如，衬底105可以包括外部连接焊盘801。外部连接焊盘801连接至形成穿过衬底105的导电通路的电通道(未示出)。如图9所示，电通道连接至衬底105的内表面903上的衬底连接点901。衬底连接点901连接至衬底迹线905，衬底迹线905连接至封装体间隔件连接焊盘907。封装体间隔件连接焊盘907在组装MEMS麦克风封装体101时连接至导电迹线223。应当注意，衬底105可包含用于MEMS麦克风封装体101的内部部件的各种类型和配置的电通路和连接件。
图10A和10B示出了根据本公开的另一个所述实施例的MEMS装置封装体1000的剖视图。封装体1000与图1的用于包封装麦克风的封装体101相同。与封装体101不同，封装体1000被配置为包封除麦克风之外的任何内部电子器件。内部电子器件可以是MEMS换能器、半导体器件、扬声器、接收器、麦克风、压力传感器、热传感器、光学传感器、成像传感器、化学传感器、陀螺仪、加速度计、气体传感器、环境传感器、运动传感器、导航传感器、集成电路、ASIC、处理器、控制器、能量存储装置和任何合适的部件。可以在封装体1000内设置多于一个内部电子器件。根据内部电子器件的类型，可以通过蚀刻、钻孔、冲孔或任何合适方法在封装体1000上形成任意数量的可选端口，以用于从封装体1000所暴露的环境接收属性。属性可以是声信号、压力信号、光信号、气体信号和任何合适的信号。与图1的封装体101类似，封装体1000包括接合架1221。接合架1221可以形成封装体1000的内表面1350的一部分。如图10A所示，接合架1221单独形成并固定至封装体间隔件103的内壁205的一部分。当衬底105和盖107都固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的第一表面1221a可以与封装体1000的衬底105接触，并且接合架1221的第二表面1221b可以与封装体1000的盖107接触。作为单独结构的多于一个接合架1221可形成封装体1000的内表面1350的一部分。在一些实施例中，第二或内部封装体间隔件103'固定至第一或外部封装体间隔件103的内壁205。如图10B所示，第二封装体间隔件103'的外部体103a'符合封装体间隔件103的形状。第二封装体间隔件103'包括在制造期间与第二封装体间隔件103'一起模制成型的接合架1221。当衬底105和盖107都固定至第一和第二封装体间隔件103、103'时，接合架1221的第一表面1221a可以与封装体1000的衬底105接触，并且接合架1221的第二表面1221b可以与封装体1000的盖107接触。
图11A-11D示出了根据本公开的另一个描述的实施例的MEMS装置封装体1050的剖视图。除了在制造期间接合架1221与衬底105(如图11A所示)和盖107(如图11C所示)中的至少一个一起模制成型之外，封装体1050与图10A的封装体1000相同。如图11A所示，衬底105包括第一和第二表面105a、105b，其中接合架1221沿着一个边缘垂直于衬底的表面105b延伸。当衬底105的表面105b的外边缘和盖107固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的表面1221b可以与封装体1050的盖107接触。作为单独结构的多于一个接合架1221可以形成封装体1050的内表面1350的一部分。在一些实施例中，第二封装体间隔件103'固定至第一封装体间隔件103的内壁205。如图11B所示，第二或内部封装体间隔件103'的外部体103a'符合第一或外部封装体间隔件103的形状。第二封装体间隔件103'包括在制造期间与第二封装体间隔件103'一起模制成型的接合架1221。当衬底105和盖107都固定至第一和第二封装体间隔件103、103'时，接合架1221的第一表面1221a可以与封装体1050的衬底105接触，并且接合架1221的第二表面1221b可以与封装体1050的盖107接触。除了接合架1221在制造期间与盖107一起模制成型，图11C的封装体1050在结构上类似于图11A的封装体1050。接合架1221沿着一个边缘垂直于盖107延伸。当衬底105和盖107的外边缘固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的表面1221a可以与封装体1050的衬底105接触。
现在参考图11D，第一接合架1221与衬底105一起模制成型，并且第二接合架1221'与盖107一起模制成型。具有第一接合架1221的衬底105沿着一个边缘垂直于衬底105延伸。类似于衬底105的构造，第二接合架1221'沿着一个边缘垂直于盖107延伸。当衬底105的外边缘和盖107的外边缘固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，第一接合架1221的表面1221b可以与盖107接触，并且第二接合架1221'的表面1221a'可以与衬底105接触。根据内部电子器件的类型，可以通过蚀刻、钻孔、冲孔或任何合适方法在图11A-11D所示的封装体1050上形成任意数量的可选端口，以用于从封装体1000所暴露的环境接收属性。
图12A-12C示出了根据本公开的另一个所述实施例的MEMS装置封装体1100的剖视图。除了接合架1221位于MEMS装置封装体1100内并将腔210分成第一腔210a和第二腔210b之外，封装体1100与图10A和10B的封装体1000相同。内部电子器件可以是MEMS换能器、半导体器件、扬声器、接收器、麦克风、压力传感器、热传感器、光学传感器、成像传感器、化学传感器、陀螺仪、加速度计、气体传感器、环境传感器、运动传感器、导航传感器、集成电路、ASIC、处理器、控制器、能量存储装置和可安装在腔210a、210b内的任何合适的部件。可以通过蚀刻、钻孔、冲孔或任何合适的方法经由衬底105和盖107中的一个在封装体1100上形成任何数量的端口109，以用于从封装体1100所暴露的环境接收属性。属性可以是声信号、压力信号、光信号、气体信号和任何合适的信号。内部电子器件位于端口109的上方、邻近处、下方、附近或偏移角度处。如图12A所示，设置在腔210b内的麦克风M位于端口109上方。内部部件C需要气密密封，部件C可以设置在由封装体103、接合架1221、衬底105和盖107包封的腔210a内。提供至少一个链路L以电耦接部件C、M并在封装体1100内的部件C、M与任何外部装置或部件之间提供电通路。当衬底105和盖107都固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的第一表面1221a可以与封装体1100的衬底105接触，并且接合架1221的第二表面1221b可以与封装体1100的盖107接触。
如图12B和12C所示，接合架1221在制造期间与衬底105或盖107一起模制成型以形成单个结构。参考图12B，衬底105具有沿一位置垂直于衬底延伸并与衬底中心相邻的接合架1221。当衬底105和盖107固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的表面1221b可以与封装体1100的盖107接触。现在参考图12C，沿一位置垂直于盖107延伸并与盖的中心相邻的接合架1221在制造期间与盖107一起模制成型。当衬底105和盖107固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，接合架1221的表面1221a可以与封装体1100的衬底105接触。
图13A-13C示出了根据本公开的另一个描述的实施例的MEMS装置封装体2100的剖视图。除了双接合架组件2221位于MEMS装置封装体2100内并将腔210分成第一腔210a和第二腔210b之外，封装体2100与图12A-12C的封装体1100相同。内部电子器件可以是MEMS换能器、半导体装置、扬声器、接收器、麦克风、压力传感器、热传感器、光学传感器、成像传感器、化学传感器、陀螺仪、加速度计、气体传感器、环境传感器、运动传感器、导航传感器、集成电路、ASIC、处理器、控制器、能量存储装置和可安装在腔210a、210b内的任何合适的部件。组件2221包括面向设置在腔210a内的部件的第一导电迹线2223a和面向设置在腔210b内的部件的第二导电迹线2223b。可以通过蚀刻、钻孔、冲孔或任何合适的方法经由衬底105或盖107中的一个在封装体2100上形成任何数量的端口109，以用于从封装体2100所暴露的环境接收属性。属性可以是声信号、压力信号、光信号、气体信号和任何合适的信号。内部电子器件位于端口109的上方、邻近处、下方、附近或偏移角度处。如图13A所示，设置在腔210b内的麦克风M位于端口109上方。内部部件C需要气密密封，部件C可以设置在由封装体103、接合架1221、衬底105和盖107包封的腔210a内。当衬底105和盖107都固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，双接合架组件2221的第一表面2221a可以与封装体2100的衬底105接触，并且双接合架组件2221的第二表面2221b可以与封装体2100的盖107接触。组件2221包括面向部件C的第一导电迹线2223a和面向麦克风M的第二导电迹线2223b。提供至少一个链路L以电耦接部件C、M并在封装体2100内的部件C、M与任何外部装置或部件之间提供电通路。
如图13B和13C所示，双接合架组件2221在制造期间与衬底105或盖107一起模制成型以形成单个结构。参考图13B，衬底105以双接合架组件2221沿一位置垂直于衬底延伸并与衬底中心相邻。当衬底105和盖107固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，双接合架组件2221的表面2221b可以与封装体2100的盖107接触。现在参考图13C，沿一位置垂直于盖107延伸并与盖107的中心相邻的双接合架组件2221在制造期间与盖107一起模制成型。当衬底105和盖107固定至封装体间隔件103的顶表面103a和底表面103b时，双接合架组件2221的表面2221a可以与封装体2100的衬底105接触。
图14A和14B示出了根据本公开的另一个描述的实施例的MEMS装置封装体3100的剖视图。与图12A-12C和13A-13C所示的封装体1100、2100不同，封装体3100包括模制成型的互连覆盖件3150，其通过任何已知技术耦接至衬底105。模制成型的互连覆盖件3150包括盖107、间隔件103和接合架组件221。在所示实施例中，盖107、间隔件103和接合架组件221在制造期间一起模制成型。沿一位置垂直于盖107延伸的接合架组件221将形成在封装体3100内的腔210分成第一腔210a和第二腔210b。可以在第一腔210a和第二腔210b内设置任何数量的内部部件。内部电子器件可以是MEMS换能器、半导体器件、扬声器、接收器、麦克风、压力传感器、热传感器、光学传感器、成像传感器、化学传感器、陀螺仪、加速度计、气体传感器、环境传感器、运动传感器、导航传感器、集成电路、ASIC、处理器、控制器、能量存储装置和任何合适的部件。如图14A所示，组件221包括至少一个导电迹线223a，所述导电迹线223a将封装体3100内的部件与封装体3100外的任何装置或部件电耦接。在一些实施例中，多于一个导电迹线、如图14B示出的两个迹线223a、223b形成在模制成型的互连覆盖件3150的接合架221上，以将封装体3100内的部件与位于封装体3100外的任何装置或部件电耦接。可以通过蚀刻、钻孔、冲孔或任何合适方法在模制成型的互连覆盖件3150上形成任何数量的端口109，以用于从封装体3100所暴露的环境接收属性。属性可以是声信号、压力信号、光信号、气体信号和任何合适的信号。内部电子器件可以位于端口109的上方、邻近处、下方、附近或偏移角度处。
图15示出了本公开的组合MEMS装置封装体组件4000的示例性实施例。组件4000包括以背靠背配置安装在一起的第一MEMS装置封装体4100和第二MEMS装置封装体4200。可以看出，封装体4100、4200共享具有第一和第二表面105a、105b的公共衬底105。安装至衬底105的表面105a、105b的任何数量的内部部件由封装体4100、4200包封。第一端口109a形成在衬底105上并且第二端口109b形成在第二MEMS装置封装体4200的盖4207上，以用于从组件4000所暴露的环境接收属性。属性可以是声信号、压力信号、光信号、气体信号和任何合适的信号。内部电子器件可以位于端口109a、109b的上方、邻近处、下方、附近或角度偏移处。在所示实施例中，设置在封装体4100内的部件C1位于端口109a的顶部上，并且设置在封装体4200内的部件C2位于端口109a、109b邻近处。第一封装体4100还包括盖4107和固定地附接至盖4107和公共衬底105的间隔件4103。间隔件4103包括接合架4211。接合架4211可以形成间隔件4103的内壁4205的一部分。在一些实施例中，接合架4211可在制造期间与间隔件4103一起模制成型。通过将诸如金属膜的导电材料沉积到接合架4211上来形成导电迹线4223。导电迹线4223提供设置在组件4100内的组件与位于组件4100外的装置或部件之间的电通路。
图16示出了本公开的组合MEMS装置封装体组件5000的示例性实施例。与如图15所示的组件4000不同，形成在第一MEMS装置封装体5100上的端口109a未被第二MEMS装置封装体5200覆盖，从而留下端口109a暴露于外部环境。设置在第二MEMS装置封装体5200内的内部部件与外部环境气密密封。
因此，本公开主要提供了一种微机电***(MEMS)装置封装体，其包括导电盖和适于将导电盖连接至衬底的模制成型的间隔件。本公开的各种特征和优点在以下权利要求中阐述。

Claims (17)

1.一种微机电***(MEMS)装置封装体，其包括：
间隔件，其具有顶表面、底表面和形成在顶表面与底表面之间的腔；
接合架组件，其具有位于腔中的接合架；
衬底，其连接至间隔件的底表面；和
盖，其连接至间隔件的顶表面；
其中，接合架与衬底和盖中的至少一个一起模制成型，以形成微机电***装置封装体的一体式部件。
2.根据权利要求1所述的微机电***装置封装体还包括安装在衬底和盖中的至少一个上的至少一个微机电***装置，所述微机电***装置电连接至接合架。
3.根据权利要求1所述的微机电***装置封装体，其中，所述接合架垂直于衬底和盖中的一个延伸。
4.根据权利要求2所述的微机电***装置封装体，其中，所述接合架将腔分成第一和第二腔。
5.根据权利要求4所述的微机电***装置封装体，其中，至少一个微机电***装置设置在第一腔内，并且第二微机电***装置设置在第二腔内。
6.根据权利要求5所述的微机电***装置封装体，所述微机电***装置封装体还包括形成在衬底和盖中的至少一个上的端口，所述端口与第一或第二腔中的一个流体连通。
7.根据权利要求6所述的微机电***装置封装体，其中，所述微机电***装置设置在第一腔中，端口经由第一腔与微机电***装置流体连通。
8.根据权利要求7所述的微机电***装置封装体，所述微机电***装置封装体还包括第二微机电***装置封装体，所述第二微机电***装置封装体耦接至衬底和盖中的一个。
9.根据权利要求8所述的微机电***装置封装体，其中，所述第二微机电***装置封装***于端口的上方、下方或邻近处。
10.一种微机电***(MEMS)装置封装体，其包括：
衬底；
盖；
外间隔件，其具有顶表面、底表面和形成在顶表面与底表面之间的腔；和
内间隔件，其具有位于腔中的接合架组件；
其中，接合架组件与内间隔件一起模制成型，以形成微机电***装置封装体的一体式部件。
11.根据权利要求10所述的微机电***装置封装体，其中，至少一个微机电***装置设置在腔内，所述微机电***装置经由接合架组件电连接至衬底和盖中的一个。
12.一种组合微机电***(MEMS)装置封装体组件，其包括：
第一微机电***装置封装体，其具有覆盖件；
第二微机电***装置封装体，其具有覆盖件；
公共衬底，其具有第一表面和第二表面；和
接合架组件，其具有导电表面；
其中，第一微机电***装置封装体的覆盖件电耦接至公共衬底的第一表面，并且第二微机电***装置封装体的覆盖件电耦接至公共衬底的第二表面，接合架组件形成为第一或第二微机电***装置封装体的覆盖件中的至少一个的一部分。
13.根据权利要求12所述的组合微机电***装置封装体组件，其中，端口形成在第一微机电***装置封装体上。
14.根据权利要求13所述的组合微机电***装置封装体组件，其中，第二微机电***装置封装***于第一微机电***装置封装体的端口的上方、下方或相邻处。
15.根据权利要求14所述的组合微机电***装置封装体组件，其中，端口形成在第二微机电***装置封装体上。
16.根据权利要求15所述的组合微机电***装置封装体组件，其中，第一微机电***装置封装体的端口经由形成在第二微机电***装置封装体上的端口与环境流体连通。
17.根据权利要求15所述的组合微机电***装置封装体组件，其中，第一微机电***装置封装体的端口与环境流体连通。
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