CN109411589B - 一种led灯丝 - Google Patents
一种led灯丝 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109411589B CN109411589B CN201811083072.1A CN201811083072A CN109411589B CN 109411589 B CN109411589 B CN 109411589B CN 201811083072 A CN201811083072 A CN 201811083072A CN 109411589 B CN109411589 B CN 109411589B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- filament
- led
- fluorescent
- glass film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 130
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 27
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 20
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 claims 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 30
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000000243 photosynthetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED灯丝,包括:LED灯丝基底,所述LED灯丝基底包括灯丝基底以及布置在所述灯丝基底上的若干LED芯片,其中,所述灯丝基底包括圆柱形基底,所述灯丝基底的外表面开设有若干凹槽;所述LED芯片设置在所述灯丝基底的凹槽中,且在所述灯丝基底外壁径向分布的所述LED芯片电性连接;柔性玻璃膜,所述柔性玻璃膜无缝包覆在所述凹槽的表面,其中,所述柔性玻璃膜为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯,且所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为(5‑6):1:(0.1‑0.5)。
Description
技术领域
本发明属于LED照明领域,尤其涉及一种LED灯丝。
背景技术
20世纪以来,LED凭借着节能环保,寿命长、体积小等优点迅速走红照明市场,LED成了未来主流的照明光源,广泛应用于商业照明、工业照明、户外照明等领域。2008年,日本牛尾光源推出以白炽灯原型配置LED的灯泡式灯具。“LED灯丝灯泡”开始涌现,自日本牛尾光源率先推出并量产,以LED灯丝为光源的蜡烛灯、球泡灯等产品在市场上逐渐受到愈来愈多消费者的青睐。
近年来对LED灯丝的研究越来越广泛,目前LED灯丝主要存在功率小、散热差、光效不够高、发光面不够均匀、灯丝保护性差等问题。中国专利201510633662.7公布了一种灯丝及其制备方法,主要采用透明玻璃管来封装LED灯条。透明玻璃管能够起保护到LED灯丝的作用,使LED灯丝不易折断。另外通过向玻璃管中注塑荧光粉胶层,有利于提升荧光层的抗老化性能。但这种方法仍不能够兼顾有效解决LED灯丝散热、光效提升、发光均匀性及保护灯丝问题,故而针对现有技术问题,非常有必要开发一种LED灯丝技术,能够兼顾有效解决LED灯丝现有技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高光效、散热性能好、灯丝保护性能好的LED灯丝,旨在解决现有的LED灯丝光效低、均匀性差、散热性能差、灯丝保护不好的问题。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明提供一种LED灯丝,包括:
LED灯丝基底,所述LED灯丝基底包括灯丝基底以及布置在所述灯丝基底上的若干LED芯片,其中,所述灯丝基底包括圆柱形基底,所述灯丝基底的外表面开设有若干凹槽;所述LED芯片设置在所述灯丝基底的凹槽中,且在所述灯丝基底外壁径向分布的所述LED芯片电性连接;
柔性玻璃膜,所述柔性玻璃膜无缝包覆在所述凹槽的表面,其中,所述柔性玻璃膜为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯,且所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为(5-6):1:(0.1-0.5)。
本发明提供的LED灯丝,在LED芯片的表面无缝包覆有柔性玻璃膜,所述柔性玻璃膜直接包覆在LED芯片表面,能够有效阻隔空气进入LED灯丝内部,LED灯丝器件的稳定性、耐硫化性能有较大提升,从而提高LED灯丝的光电稳定性和使用寿命。同时,柔性玻璃膜具有适当的力学强度,有利于保护灯丝器件,使LED灯丝特别是LED芯片免受损坏。更重要的是,所述柔性玻璃膜中含有荧光粉和石墨烯,一方面,通过将荧光粉均匀复合在柔性玻璃膜材料中,可以在不额外提供荧光粉胶层的条件下,提高LED灯丝特别是LED芯片的抗老化性能,同时赋予所述LED灯丝较好的出光均匀性和稳定性,有利于改善LED灯丝的发光效果。此外,由于减少了荧光粉胶层的的设置,LED灯丝的体积缩小,使其结构更小巧化。另一方面,在所述柔性玻璃膜中添加有石墨烯,从而可以有效提高LED灯丝的散热性能,进一步提高LED灯丝的光电性能和使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例提供的设置两组LED芯片串的LED灯丝的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
结合图1,本发明实施例提供了一种LED灯丝,包括:
LED灯丝基底1,LED灯丝基底1包括灯丝基底11以及布置在灯丝基底11上的若干LED芯片12,其中,灯丝基底11包括圆柱形基底,灯丝基底11的外表面开设有若干凹槽111;LED芯片12设置在灯丝基底11的凹槽111中,且在灯丝基底11外壁径向分布的LED芯片12电性连接;
柔性玻璃膜2,柔性玻璃膜2无缝包覆在凹槽111的表面,其中,柔性玻璃膜2为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯,且所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为(5-6):1:(0.1-0.5)。
本发明实施例提供的LED灯丝,在LED芯片12的表面无缝包覆有柔性玻璃膜2,柔性玻璃膜2直接包覆在LED芯片12表面,能够有效阻隔空气进入LED灯丝内部,LED灯丝器件的稳定性、耐硫化性能有较大提升,从而提高LED灯丝的光电稳定性和使用寿命。同时,柔性玻璃膜2具有适当的力学强度,有利于保护灯丝器件,使LED灯丝特别是LED芯片12免受损坏。更重要的是,柔性玻璃膜2中含有荧光粉和石墨烯,一方面,通过将荧光粉均匀复合在柔性玻璃膜2材料中,可以在不额外提供荧光粉胶层的条件下,提高LED灯丝特别是LED芯片12的抗老化性能,同时赋予所述LED灯丝较好的出光均匀性和稳定性,有利于改善LED灯丝的发光效果。此外,由于减少了荧光粉胶层的的设置,LED灯丝的体积缩小,使其结构更小巧化。另一方面,在柔性玻璃膜2中添加有石墨烯,从而可以有效提高LED灯丝的散热性能,进一步提高LED灯丝的光电性能和使用寿命。
本发明实施例中,LED灯丝基底1本身作为一个功能结构,可以实现LED灯丝的光电功能。具体的,LED灯丝基底1包括灯丝基底11,灯丝基底11作为一个支架结构,不仅用于承载LED芯片12,同时,灯丝基底11中还布设有用于实现LED灯丝电性连接的电路***。
在一些实施例中,灯丝基底11为圆柱形基底,LED芯片12设置在所述圆柱形基底外壁,从而提高LED灯丝的发光均匀性。
在一些实施例中,灯丝基底11为圆柱形透明基底,圆柱形透明基底有助于LED芯片12所散发出来的光线透过基底背部,进一步地能够提高出光均匀率和出光角度。
灯丝基底11的材质可以选择常规的灯丝基底用材质。本发明实施例中,优选的,灯丝基底11为金属/石墨烯复合基底(将金属和石墨烯材料复合制成的基板)或陶瓷/石墨烯复合基底(将陶瓷和石墨烯材料复合制成的基板),更优选为陶瓷/石墨烯复合基板。所述石墨烯与常规的灯丝基底材料金属、陶瓷等材料具有较好的材料相容性,得到的复合材料能够满足灯丝基底的使用要求。更重要的是,通过在灯丝基底材料中添加石墨烯,不仅有助于提升灯丝基底11的导热率,进一步提升LED灯丝的发光效率;而且可以有效提高灯丝基底11的散热效果,解决现有灯丝基底散热效果差的技术难题,提升灯丝使用寿命。
在一些具体实施例中,灯丝基底11为SiC/石墨烯复合基底。一方面,SiC和石墨烯在导热系数和热膨胀系数方面性能较为匹配,使得灯丝复合基底能够保持其结构稳定性,同时还能降低热阻,增强基底的导热性能;另一方面,SiC与石墨烯复合制备的基底散热效果非常好,能够有效提升LED灯丝的使用寿命。
进一步的,所述SiC/石墨烯复合基底中,所述石墨烯的重量占整个SiC/石墨烯复合基底重量的10%-20%。如果所述石墨烯复合含量过低,材料的导热性能和散热效果提升不明显;如果石墨烯复合含量超过20%,会导致灯丝基底11结构稳定性、机械强度、介电常数等性能下降。
本发明实施例中,灯丝基底11的外表面开设有用于放置LED芯片12的若干凹槽111。凹槽111的分布根据LED芯片12的分布情况而定。优选的,凹槽111在沿灯丝基底11径向(竖直方向)上均匀排列,即LED芯片12在沿灯丝基底11径向(竖直方向)上均匀排列,相邻的LED芯片12通过引线完成电性连接。在一些实施例中,凹槽111的深度为0.2-0.5毫米,以更好地与LED芯片12的厚度相配合。此外,由于灯丝基底11特别是凹槽111的表面与柔性玻璃膜2焊接在一起,若凹槽111深度太深的话,会造成焊接过程中工艺难度加大,且正面出光有所损失;若凹槽111深度太浅,LED芯片12本身发出的光和其他芯片发出的光照射到其侧面会被大量吸收,这样也会造成出光损失,因此凹槽111的深度应控制在一定的范围。
凹槽111底部设置固晶部,LED芯片12通过所述固晶部固定在凹槽111中。在一些实施例中,LED芯片12包括若干组沿灯丝基底11外壁径向分布的芯片串(芯片串相互平行),且同组所述芯片串中的LED芯片12串联结合,不同组所述芯片串之间并联结合,由此改善整体LED灯丝大面积死灯现象。
进一步的,LED芯片12包括2-12组芯片串,且任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等,有利于提升灯丝的光通量,进而提高LED灯丝的发光均匀性和发光强度。更优选的,LED芯片12包括2-6组芯片串,且任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等。
作为一种具体实施方式,LED芯片12包括2组芯片串,两组芯片串分别设置在灯丝基底11相对的两个方向,即在横截面方向上,第一组芯片串上的LED芯片12与横截面圆心的连线、第二组芯片串上的LED芯片12与横截面圆心的连线呈180°角度。
作为另一种具体实施方式,LED芯片12包括4组芯片串,四组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等。即在横截面方向上,来自四组芯片串的LED芯片12,分处于所述横截面圆的内接正方形的四个顶点处,相邻的两个LED芯片12与横截面圆心的连线之间形成90°夹角。由此,在圆柱形灯丝基板的四个角度均有芯片均匀发光,能明显提高灯丝的发光强度。
作为再一种具体实施方式,LED芯片12包括6组芯片串,六组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等。即在横截面方向上,来自六组芯片串的LED芯片12,分处于所述横截面圆的内接六边形的六个顶点处,相邻的两个LED芯片12与横截面圆心的连线之间形成60°夹角。由此,在圆柱形灯丝基板的六个角度均有芯片均匀发光,能明显提高灯丝的发光强度。
本发明实施例通过灯丝基底11、LED芯片12形成LED灯丝的光电功能部件,值得注意的是,LED灯丝基底1还包括第一电极引脚13和第二电极引脚13,第一电极引脚和第二电极引脚分别位于灯丝基板的两端。
为了有效保护灯丝内部芯片以及引线结构,避免因为结构破坏或压线等原因导致死灯现象,凹槽111的表面设置有柔性玻璃膜2。进一步优选的,为了简化制备工艺,并获得保护性能更全的LED灯丝,柔性玻璃膜2为一体膜,且柔性玻璃膜2包覆在LED灯丝基底1的外壁面。荧光玻璃膜无缝包覆在凹槽111的表面或灯丝基板表面,可以在不设置荧光胶的前提下,阻隔空气进入器件内部,提高LED灯丝器件的稳定性、耐硫化性能。而无缝包覆可采用共晶无缝焊接技术实现。
柔性玻璃膜2为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯。采用玻璃粉、荧光粉和石墨烯所制备的柔性荧光玻璃膜,一方面,透光率较高,所封装的LED芯片12的光效较高;另一方面,柔性荧光玻璃膜具有适当的力学强度,有利于保护灯丝器件。此外,荧光玻璃膜中荧光粉均匀分布于玻璃粉中,在出光的均匀性和稳定性方面具有很大的优势;而玻璃粉中添加有少量的石墨烯,能够有效提升器件的散热性能。
所述柔性荧光玻璃膜中荧光粉的含量直接决定着柔性荧光玻璃膜的透光率和均匀性。若荧光粉含量过高,会导致柔性荧光玻璃膜的透光性和分布均匀性下降;若荧光粉含量过低,会引起荧光粉发射强度不够,进而导致LED灯丝整体光效不够。鉴于此,在一些实施例中,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为(5-6):1:(0.1-0.5),由此不仅能够赋予所述LED灯丝优异的稳定性、耐硫化性能、散热性和较好的光效,而且,通过控制合适的玻璃粉、荧光粉和石墨烯,得到的性荧光玻璃膜的透光率能够达到93%以上。进一步优选的,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5.5:1:0.4。此时,得到的性荧光玻璃膜的透光率能够达到95%以上。
在一些实施例中,所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.05-1毫米。进一步优选的,所述柔性荧光玻璃厚度为0.1-0.3mm。若所述柔性荧光玻璃膜的厚度太薄,LED灯丝器件的稳定性不够好;若所述柔性荧光玻璃膜的厚度太厚,LED灯丝的发光强度会大大降低。作为最佳实施例,所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1毫米。
在一些实施例中,所述荧光粉包括铝酸盐绿粉、氮氧化物绿粉中的至少一种,以及氮化物红粉、氟化物红粉中的至少一种,从而LED灯丝可以发射白光。
在一些实施例中,所述LED灯丝所述荧光粉包括氮化物红粉,且所述氮化物红粉选自(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、(Sr,Ca)2Si5N8中的一种,以及SrLiAl3N4:Eu2+(即:所述氮化物红粉为(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、(Sr,Ca)2Si5N8、SrLiAl3N4:Eu2+的两种组合,且必含SrLiAl3N4:Eu2+)。所述荧光粉只中氮化物红粉必含SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉时,有助于提升灯丝的发光效率。在一些实施例中,所述氮化物红粉为(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉的组合。
在上述实施例的基础上,所述荧光粉的粒径为1-5微米。
在一些实施例中,所述玻璃粉采用无铅低熔点玻璃粉,玻璃粉的粒径(D50)为0.5-1微米。
作为一种具体实施方式,所述柔性荧光玻璃膜可以采用溶液加工技术制备,具体包括:按比例提供玻璃粉、荧光粉和石墨烯粉体的有机浆料;提供高透光率(透光率大于等于93%)的玻璃基板,采用溶液加工法将所述有机浆料沉积在所述玻璃基板上;对液态膜层依次进行干燥(优选150℃)和烧结处理(优选600℃),得到柔性荧光玻璃膜。其中,所述溶液加工法包括但不限于丝网印刷(采用丝网加入浆料,将刮刀给定一定压力,以恒定的速度移动,形成均匀的薄膜)。
本发明实施例提供的LED灯丝具有出光均匀性好、发光效率高、散热性能好、可靠性高等优点。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种LED灯丝,包括:
LED灯丝基底,所述LED灯丝基底包括灯丝基底以及布置在所述灯丝基底上的若干LED芯片,其中,所述灯丝基底包括圆柱形基底,所述灯丝基底的外表面开设有若干凹槽;LED芯片设置在所述灯丝基底的凹槽中,且在所述灯丝基底外壁径向分布的LED芯片电性连接;
柔性玻璃膜,柔性玻璃膜无缝包覆在所述凹槽的表面,其中,柔性玻璃膜为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯,且所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5:1:0.3。
其中,灯丝基板为铜/石墨烯复合基板,其中石墨烯占比重约10%;LED芯片包括4组芯片串,四组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.2mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+和氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+的混合物。
实施例2
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中石墨烯占比重约10%。
实施例3
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为AlN/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约10%;柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为4:1:0.3。
实施例4
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%。
实施例5
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约20%。
实施例6
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约25%。
实施例7
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重5%。
实施例8
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中石墨烯占比重约15%;荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重10%。
实施例9
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例10
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例11
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;性荧光玻璃厚度为0.05mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例12
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;,柔性荧光玻璃膜的厚度为0.3mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例13
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;柔性荧光玻璃膜的厚度为0.5mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例14
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;LED芯片包括6组芯片串,六组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等;柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例15
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;竖LED芯片包括12组芯片串,十二组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等;柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,荧光粉采用中的采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例16
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;LED芯片包括2组芯片串,两组芯片串分别设置在灯丝基底相对的两个方向;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,荧光粉采用中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3 +、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例17
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为6:1:0.1,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例18
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为6:1:0.5,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例19
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5:1:0.1,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例20
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5:1:0.5,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例21
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5:1:0.4,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
实施例22
与实施例1的不同之处在于,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,其中,石墨烯占比重约15%;所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.1mm,所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5.5:1:0.4,荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
对比例1
LED灯丝的结构包括:
玻璃套管;
套设于所述玻璃套管中的LED灯丝基底,所述LED灯丝基底包括灯丝基底以及布置在所述灯丝基底上的若干LED芯片,其中,所述灯丝基底包括圆柱形基底,所述灯丝基底的外表面开设有若干凹槽;LED芯片设置在所述灯丝基底的凹槽中,且在所述灯丝基底外壁径向分布的LED芯片电性连接;
填充(灌注)于所述玻璃套管和所述LED灯丝基底之间的荧光胶,
其中,灯丝基板为SiC/石墨烯复合基板,石墨烯占比重约15%;LED芯片包括4组芯片串,四组芯片串中任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等;玻璃套管的透光率>95%;荧光胶中的荧光粉采用铝酸盐绿粉Y3(Al,Ga)5O12:Ce3+、氮化物红粉(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+和SrLiAl3N4:Eu2+的混合物,其中,SrLiAl3N4:Eu2+荧光粉占比重15%。
将实施例1-22以及对比例1提供的LED灯丝进行发光检测,其发光特征如下表1所示。
表1
实施例 | 室温相对发光强度(%) | 85℃相对发光强度(%) |
实施例1 | 100 | 90 |
实施例2 | 103 | 95 |
实施例3 | 101 | 92 |
实施例4 | 103 | 97 |
实施例5 | 102 | 96 |
实施例6 | 96 | 89 |
实施例7 | 108 | 101 |
实施例8 | 110 | 103 |
实施例9 | 106 | 99 |
实施例10 | 115 | 107 |
实施例11 | 109 | 102 |
实施例12 | 105 | 99 |
实施例13 | 99 | 94 |
实施例14 | 114 | 106 |
实施例15 | 110 | 104 |
实施例16 | 95 | 87 |
实施例17 | 118 | 111 |
实施例18 | 119 | 113 |
实施例19 | 109 | 101 |
实施例20 | 112 | 104 |
实施例21 | 113 | 106 |
实施例22 | 120 | 115 |
对比,例1 | 80 | 70 |
由表1可见,相较于对比例1,本发明实施例提供的LED灯丝,没有设置荧光粉胶层,而且将含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯的柔性荧光玻璃膜无缝包覆在凹槽的表面,从而可以有效提高LED灯丝的发光强度。
将实施例22以及对比例1提供的LED灯丝进行光色性能检测,结果如下表2所示。
表2
实施例 | 坐标偏差(%) | 发光效率(%) | 良率(%) |
实施例22 | 0.5% | 100 | 98 |
对比实施例1 | 10% | 90 | 80 |
由表2可知,采用柔性荧光玻璃膜相对于玻璃套管灌胶方式获得的LED灯丝,光色性能更稳定,良率更高,且发光效率有明显的提升。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种LED灯丝,其特征在于,包括:
LED灯丝基底,所述LED灯丝基底包括灯丝基底以及布置在所述灯丝基底上的若干LED芯片,其中,所述灯丝基底包括圆柱形基底,所述灯丝基底的外表面开设有若干凹槽;所述LED芯片设置在所述灯丝基底的凹槽中,且在所述灯丝基底外壁径向分布的所述LED芯片电性连接;
柔性玻璃膜,所述柔性玻璃膜无缝包覆在所述LED芯片的表面以及所述LED芯片以外的凹槽的表面,其中,所述柔性玻璃膜为柔性荧光玻璃膜,所述柔性荧光玻璃膜中含有玻璃粉、荧光粉和石墨烯,且所述柔性荧光玻璃膜中,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为(5-6):1:(0.1-0.5)。
2.如权利要求1所述的LED灯丝,其特征在于,所述柔性玻璃膜为一体膜,且所述柔性玻璃膜包覆在所述LED灯丝基底的外壁面。
3.如权利要求1所述的LED灯丝,其特征在于,所述玻璃粉、荧光粉和石墨烯的重量比为5.5:1:0.4。
4.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述LED芯片包括若干组沿所述灯丝基底外壁径向分布的芯片串,且同组所述芯片串中的LED芯片串联结合,不同组所述芯片串之间并联结合。
5.如权利要求4所述的LED灯丝,其特征在于,所述LED芯片包括2-12组芯片串,且任意两组相邻的所述芯片串之间的距离相等。
6.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述柔性荧光玻璃膜的厚度为0.05-1毫米。
7.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述凹槽的深度为0.2-0.5毫米。
8.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述荧光粉包括铝酸盐绿粉、氮氧化物绿粉中的至少一种,以及氮化物红粉、氟化物红粉中的至少一种。
9.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述荧光粉包括氮化物红粉,且所述氮化物红粉选自(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、(Sr,Ca)2Si5N8中的一种,以及SrLiAl3N4:Eu2+。
10.如权利要求1-3任一项所述的LED灯丝,其特征在于,所述荧光粉的粒径为1-5微米。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811083072.1A CN109411589B (zh) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 一种led灯丝 |
PCT/CN2019/084584 WO2020015420A1 (zh) | 2018-09-17 | 2019-04-26 | 一种led灯丝 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811083072.1A CN109411589B (zh) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 一种led灯丝 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109411589A CN109411589A (zh) | 2019-03-01 |
CN109411589B true CN109411589B (zh) | 2019-08-27 |
Family
ID=65464921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811083072.1A Active CN109411589B (zh) | 2018-09-17 | 2018-09-17 | 一种led灯丝 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109411589B (zh) |
WO (1) | WO2020015420A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109411589B (zh) * | 2018-09-17 | 2019-08-27 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 一种led灯丝 |
WO2020190914A1 (en) | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Intematix Corporation | Packaged white light emitting device comprising photoluminescence layered structure |
CN113841238A (zh) | 2019-03-18 | 2021-12-24 | 英特曼帝克司公司 | Led灯丝 |
US11781714B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-10-10 | Bridgelux, Inc. | LED-filaments and LED-filament lamps |
US11342311B2 (en) | 2019-03-18 | 2022-05-24 | Intematix Corporation | LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material |
CN113471180B (zh) * | 2021-06-28 | 2023-08-29 | 宝德照明集团有限公司 | 一种气凝胶智慧光能路灯 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013112915A1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | General Hydroponics, Inc. | Compositions, devices and methods for optimizing photosynthetically active radiation |
TWI460265B (zh) * | 2012-11-12 | 2014-11-11 | Ritedia Corp | 導熱複合材料及其衍生之發光二極體 |
CN104810356A (zh) * | 2014-01-28 | 2015-07-29 | 江西合晶科技有限公司 | 一种led灯丝 |
CN105098003A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-25 | 林立宸 | 一种具有干燥特性经加工并可快速融合于基板之发光粉制造方法 |
CN205065389U (zh) * | 2015-09-29 | 2016-03-02 | 慈溪锐恩电子科技有限公司 | 一种新型led灯丝 |
CN105336832B (zh) * | 2015-09-29 | 2017-09-22 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 一种led灯丝 |
TW201721053A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-16 | 羅冠傑 | 燈殼整合型發光二極體及其製作方法 |
CN206918680U (zh) * | 2015-12-19 | 2018-01-23 | 嘉兴山蒲照明电器有限公司 | Led球泡灯 |
CN108386738B (zh) * | 2018-02-09 | 2019-11-22 | 安徽省富鑫雅光电科技有限公司 | 一种高显指柔性灯丝灯 |
CN109411589B (zh) * | 2018-09-17 | 2019-08-27 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | 一种led灯丝 |
-
2018
- 2018-09-17 CN CN201811083072.1A patent/CN109411589B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-26 WO PCT/CN2019/084584 patent/WO2020015420A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109411589A (zh) | 2019-03-01 |
WO2020015420A1 (zh) | 2020-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109411589B (zh) | 一种led灯丝 | |
CN206918711U (zh) | Led灯丝及应用所述灯丝的led球泡灯 | |
CN206669380U (zh) | Led球泡灯 | |
CN107540368B (zh) | 复相半透明荧光陶瓷的制备方法和led模组 | |
CN102792089B (zh) | 发光装置、灯泡形灯及照明装置 | |
CN105814699B (zh) | 具有高显色性的白光发光装置 | |
WO2018010233A1 (zh) | 一种led芯片发光灯条基板材料及led球泡灯 | |
CN201539737U (zh) | 一种led灯具 | |
CN101787273A (zh) | Led荧光胶 | |
CN101493216A (zh) | 发光二极管光源模组 | |
CN105927950A (zh) | 带热辐射材料的led灯丝及led灯丝球泡 | |
CN103050615A (zh) | 一种高显色性白光led器件 | |
CN106986626B (zh) | 一种羟基磷灰石基荧光陶瓷材料及其制备方法 | |
CN202100964U (zh) | 一种宽光谱led节能灯管 | |
US9752764B2 (en) | Wide-angle emitting LED driven by built-in power and assembly method thereof | |
CN109841719B (zh) | 半导体发光二极管装置和灯具 | |
CN109873070A (zh) | 一种用于led照明的发光陶瓷及其制备方法和应用 | |
CN208750435U (zh) | 一种具有4π发光板的电源内置型LED灯 | |
US10236425B2 (en) | White light emitting device having high color rendering | |
CN201221690Y (zh) | Led平面发光装置 | |
CN202955515U (zh) | Led灯泡 | |
CN203415624U (zh) | 一种高显色性白光led器件 | |
CN208595441U (zh) | 一种led灯板 | |
CN103557454A (zh) | 一种360°发光的白光led三维光源模组 | |
CN105299505B (zh) | 发光二极管灯丝组件及其制成的照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |