CN109377924A - 一种检测电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测电路及显示装置，所述检测电路包括有成盒测试电路控制信号线，成盒测试电路数据信号线，沿所述成盒测试控制信号线依次排列的两个及以上个阵列测试驱动单元组和两个及以上个场效应管；其中，所述成盒测试电路控制信号线与所述场效应管的栅极相连，所述成盒测试电路数据信号线与所述场效应管的漏极相连，所述公共信号还与所述场效应管的源极相连。通过所述检测电路，能够实现窄边框面板的设计并且节约生产成本。

Description

一种检测电路及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测电路及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-material Organic Light Emitting Diode，AMOLED)面板，它具有自发光的特性。在结构上采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。因此，AMOLED面板是自发光，不像TFT LCD需要背光。AMOLED具有视角广，色彩饱和度高，尤其其驱动电压低且功耗低，加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为最具前途的产品之一。
目前，产品的良率仍然是AMOLED技术的关键问题，在监控面板生产过程的各段良率中，一般会在面板中设计几种检测的电路，用于各段制程中筛选能正常工作的面板，减少不良品流入后段制程中。常见的检测电路有阵列基板测试(Array Test)电路和成盒测试(Cell Test)电路，其中Array Test电路是在Array段检测薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的特性，从而筛选出Array段的不良品；而Cell Test电路一般在Cell点亮时进行测试，在模组段前对Cell进行检测。在现有的检测技术中，多数都是分开检测，工作效率较低，同时，这种检测手段中的电路在像素电路中所占的空间很大，面板利用率不高，不利于如今市面上窄屏以及超窄屏的应用，也不利于生产成本的控制。筛选出不良品，减少后段集成电路、可弯曲印刷电路等其他材料的浪费，并且在市面上的显示屏追求越来越窄的变宽，如何减小每个测试电路在面板中占用的空间，也是当前设计着重考虑的问题。
综上所述，现有的检测电路和面板设计占据的空间太大，不利窄边框面板的设计，并且成本较高等问题，需要提出进一步完善和改进方案。
发明内容
本发明提供一种检测电路及显示装置，以解决现有技术水平中检测电路在面板设计中所占据的空间太大，不利窄边框面板的设计，并且成本较高等问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供了一种检测电路，所述检测电路包括：
成盒测试电路控制信号线，
成盒测试电路数据信号线，
沿所述成盒测试控制信号线依次排列的两个及以上个阵列测试驱动单元组和两个及以上个场效应管，
其中，所述成盒测试电路控制信号线与所述场效应管的栅极相连；
所述成盒测试电路数据信号线与所述场效应管的漏极相连；
每个所述阵列测试驱动单元组包括第一开关、第一数据线、第一MOS管，第二开关、第二MOS管、第二数据线，以及公共信号线；
所述第一数据线与所述第一MOS管的漏极相连，所述第一开关与所述第一MOS管的栅极相连；
所述第二数据线与所述第二MOS管的漏极相连，所述第二开关与所述第二MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极相连并与所述公共信号线相连；
所述公共信号还与所述场效应管的源极相连。
根据本发明的一优选实施例，所述场效应管为NMOS薄膜晶体管或三极管。
根据本发明的一优选实施例，所述场效应管为PMOS薄膜晶体管。
根据本发明的一优选实施例，所述阵列测试驱动单元组内有两个及以上个开关、数据线及MOS管。
根据本发明的一优选实施例，所述第一开关及第二开关分别控制着每一列所述第一数据线及第二数据线的信号输入。
根据本发明的一优选实施例，所述成盒测试电路数据信号线控制像素画面的点亮。
根据本发明的一优选实施例，所述第一开关、所述第二开关的开关端均为MOS管的栅极。
根据本发明的一优选实施例，所述阵列测试驱动单元组导通时，所述场效应管的栅极为高电压。
根据本发明的一优选实施例，所述成盒测试电路工作时，所述场效应管的栅极为低电压。
根据本发明的第二方面，还提供了一种显示装置，包括如权利要求1-9任意一项所述的检测电路。
综上所述，本发明的有益效果为：
通过对现有的检测电路进行改进，通过增加一个Cell Test电路控制TFT、增加一个Cell Test电路开关控制信号线以及增加一个Cell Test电路数据信号线，来有效的实现Array Test电路与Cell Test电路的共用，这样的设计能够减小各部分在单独测试时对面板的占有率，有利于实现窄边框面板的设计并节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为Array Test阵列测试驱动单元电路图；
图2为另一Array Test阵列测试驱动单元电路图；
图3为本发明的检测电路图；
图4为Array Test电路工作时的时序图；
图5为Cell Test成盒测试电路工作灰阶画面的时序图；
图6为Cell Test测试电路工作时第二种时序图；
图7为像素电路图；
图8为像素电路时序图；
图9为Cell Test测试电路工作时的第三中时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本实施例中，如图1所示，图1为单个Array Test阵列驱动单元电路图。为信号1到信号2的Array Test电路。在每个阵列驱动单元上包括有信号线DATA、控制开关SW、每个控制开关所对应的TFT以及信号线AT_Data。在图1中，第一开关SW1和第二开关SW2分别为他们所连接的MOS管的开关控制信号线的控制开关，所述DATA1与所述第一MOS管的漏极相连，所述第一开关SW1与所述第一NMOS管的栅极相连；所述DATA2与所述第二MOS管的漏极相连，所述第二开关SW2与所述第二MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极相连并与所述公共信号线相连AT_Data。通过SW1和SW2的打开或者关闭来控制信号的输入状态。在此实施例中的MOS管以PMOS管为例，亦可根据实际应用时的需要更改采用其他类型的MOS管。
如图2所示，图2为电路信号1、信号2、信号3的一组单个阵列驱动单元电路图。信号控制开关为别为：第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3。
根据图1及图2提供的两种阵列驱动单元电路，每个MOS管所对应的控制开关SW打开时，从上述TFT所对应的信号线DATA上的信号就能够输入到电路下端的AT_Data上，如果所述MOS管对应的控制开关SW没有打开，则该路所对应的信号Data就无法输入到AT_Data线上，因此这样就能够实现Array Test电路的功能。
如图3所示，图3为本发明的检测电路。如图中的三个区域1、2、3，复数个阵列驱动单元1、复数个场效应管2、成盒测试电路控制信号线及成盒测试电路数据信号线3。阵列驱动单元1中的结构及功能与上述图1或图2的电路相同，若干个阵列驱动单元1设置在本发明的检测电路中；在复数个场效应管2中，所述场效应管的源极与阵列驱动单元1中的公共信号线AT_Data相连接，所述场效应管为NMOS薄膜晶体管或者PMOS薄膜晶体或是为三极管；区域3中为成盒测试电路控制信号线、成盒测试电路数据信号线。
本发明中，区域2及区域3为增加的电路，通过增加的Cell Test电路控制开关，来达到Array Test测试电路Cell Test测试电路之间的转换，整个检测电路能够实现ArrayTest电路与Cell Test电路之间的共用。当Array Test电路工作时候，Cell Test电路控制的区域2中的场效应管的栅极连接高电压，区域3中的Cell Test电路上的成盒测试电路信号线CT_Data上也连接高电压，这样区域2中的场效应管就处于关闭状态，信号就无法同公共信号线AT_Data连通，此时就为Array Test电路；当Cell电路工作时，Cell Test电路控制的区域2中的场效应管的栅极与低电压连接，在区域3中Cell Test电路上的成盒测试电路信号线CT_Data上与公共信号线AT_Data连通，同时Array Test上的输入信号处于随机Floating状态而不会受到影响，使得Cell Test电路也能正常工作。通过上述的两种信号变换，结合本发明的电路，将Array Test电路与Cell Test电路集成在一起，能很好的应用在窄边框的面板中。
如图4所示，图4为Array Test电路工作时的时序图。结合图1中的阵列测试驱动单元电路，当Array Test电路工作时，区域3中的CT_SW/CT_Data为高电压，区域2中的CellTest的控制开关处于关闭状态，Array Test电路通过区域1中的AT_Data信号线与其中的SW开关相互配合来为各个像素提供信号，从而实现Array Test电路阵列测试。
进一步的，图5为Cell Test成盒测试电路工作灰阶画面的时序图。区域1中的AT_Data为随机不受影响状态，此时，区域3中的CT_SW、区域1中的SW1与SW2低电平，区域3中的CT_Data的信号可以输出到区域1中的Data数据线上，通过控制CT_Data信号电压达到控制像素点点亮的状况，从而实现白色、黑色、灰阶画面的点亮。
进一步的，如图6所示为Cell Test测试电路工作时第二种时序图；图7为像素电路图，图8为像素电路的时序图。结合图6、图7、图8，Cell Test测试电路工作时，通过搭配像素电路实现列的点亮，其中，其中AT_Data为随机不受影响的状态，区域3中的CT_SW、区域1中的SW1为低电平，区域1中的SW2为高电平，DATA1信号为CT_Data信号，DATA2为随机不受影响状态，在图7中所示的现有技术像素电路，由于DATA2为随机不受影响状态，像素电路中存在Reset动作，当T1期间，Sn-1打开，复位原始电压写入到像素电路g点，T2期间，Sn打开，DATA电压写入到a点，所以区域1中的DATA1对应的像素电路会写入区域3中的CT_Data电压上，由于DATA2为随机不受影响状态，所以DATA2上电压会接近原始电压，原始电压为低电压，所以DATA2对应的像素会发光，同时控制区域3中的CT_Data电压为高电压时就可以实现列点亮。同理，区域1中的控制SW1为高电平时，区域1中的SW2为低电平时可以以控制不同的列点亮。
进一步的，图9为Cell Test测试电路工作时的第三中时序图。通过搭配GOA电路可以实现行点亮：其中AT_Data为随机不受控制状态，区域3中的成盒测试控制信号线CT_SW、区域1中的SW1、SW2为低电平，此时区域3中的成盒测试数据信号线CT_Data的信号可以输出到DATA线上，通过控制CT_Data信号电压，并结合整个电路，如在第一条扫描线SCAN1上时CT_Data输出高电平信号，在第二条扫描线SCAN2上时输出低电平信号，以此重复，可以控制不同行像素点亮，从而实现行点亮。
本发明还提供一种显示装置，所述的显示装置内部包括上述的检测电路结构，其中Array Test测试电路与Cell Test测试电路共用。
从上述实施例可以看出，本设计发明的一种检测电路及显示装置，通过增加一个Cell Test电路、增加一个Cell Test电路开关控制信号线以及增加一个Cell Test电路数据信号线，来有效的实现Array Test电路与Cell Test电路的共用，这样的设计能够减小各部分在单独测试时对面板的占有率，有利于实现窄边框面板的设计并节约成本。
以上对本发明实施例所提供的一种检测电路及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种检测电路，其特征在于，所述检测电路包括：
成盒测试电路控制信号线，
成盒测试电路数据信号线，
沿所述成盒测试控制信号线依次排列的两个及以上个阵列测试驱动单元组和两个及以上个场效应管，
其中，所述成盒测试电路控制信号线与所述场效应管的栅极相连；
所述成盒测试电路数据信号线与所述场效应管的漏极相连；
每个所述阵列测试驱动单元组包括第一开关、第一数据线、第一MOS管，第二开关、第二MOS管、第二数据线，以及公共信号线；
所述第一数据线与所述第一MOS管的漏极相连，所述第一开关与所述第一MOS管的栅极相连；
所述第二数据线与所述第二MOS管的漏极相连，所述第二开关与所述第二MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的源极相连并与所述公共信号线相连；
所述公共信号还与所述场效应管的源极相连。
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述场效应管为NMOS薄膜晶体管或三极管。
3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述场效应管为PMOS薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述阵列测试驱动单元组内有两个及以上个开关、数据线及MOS管。
5.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一开关及第二开关分别控制着每一列所述第一数据线及第二数据线的信号输入。
6.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述成盒测试电路数据信号线控制像素画面的点亮。
7.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关的开关端均为MOS管的栅极。
8.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述阵列测试驱动单元组导通时，所述场效应管的栅极为高电压。
9.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述成盒测试电路工作时，所述场效应管的栅极为低电压。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的检测电路。
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