CN109362022B - 一种发声装置及其加工方法以及耳机 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发声装置及其加工方法以及耳机。该发声装置包括：磁路***，所述磁路***包括磁轭，所述磁轭具有底壁和从所述底壁上延伸出的环形的侧壁,所述侧壁的顶端形成有向所述侧壁的***延伸的若干个凸缘；承载框架，所述承载框架采用金属材料制成，所述承载框架呈环形结构，所述承载框架的中心形成有镂空；所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方，并与所述承载框架的下端面固定连接。本发明的一个技术效果在于：能够降低承载框架占用的空间。

Description

一种发声装置及其加工方法以及耳机

技术领域

本发明涉及电声技术领域，更具体地，本发明涉及一种发声装置以及发声装置的加工方法。

背景技术

近年来，消费类电子产品得到了快速的发展，智能手机、平板电脑、VR设备等电子产品得到消费者的普遍认可，并且得到了较为广泛的应用。本领域技术人员对相关的配套产品例如耳机等也相应进行了改进，以满足电子产品的性能要求，满足消费者对电子产品性能的需要。

发声装置是消费类电子产品中重要的电声换能部件，其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进，有关发声装置的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能，需要进一步提高发声装置的后腔的容积。

目前，随着发声装置尺寸的限制，在发声装置内预留给后腔的空间是十分有限的。现有的发声装置的后腔容积已经无法满足其声学性能的更高要求。

由此可见，很有必要对发声装置进行改进，增大发声装置的后腔容积或者改善后腔的声学性能，从而提升发声装置的低音效果。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种发声装置的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种发声装置，包括：

磁路***，所述磁路***包括磁轭，所述磁轭具有底壁和从所述底壁上延伸出的环形的侧壁,所述侧壁的顶端形成有向所述侧壁的***延伸的若干个凸缘；

承载框架，所述承载框架采用金属材料制成，所述承载框架呈环形结构，所述承载框架的中心形成有镂空；

所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方，并与所述承载框架的下端面固定连接。

可选地，所述承载框架的下端面上形成有与各个所述凸缘一一对应的定位凹槽，所述定位凹槽延伸至所述镂空处，各个所述凸缘分别嵌入对应的所述定位凹槽中。

可选地，所述承载框架的镂空处形成有内沿，所述内沿的形状与所述侧壁的形状相仿形，所述定位凹槽形成在所述内沿的下端面上，所述内沿上沿着所述镂空的环形方向分布有缺口，所述缺口与所述定位凹槽相互错开。

可选地，所述定位凹槽为对所述内沿由下端面向上端面方向冲压形成，在所述内沿的上端面，所述定位凹槽处的内沿部分形成凸出的台阶结构。

可选地，所述侧壁的上端面与所述内沿的上端面相齐平。

可选地，所述镂空呈圆孔状，所述磁轭呈圆柱筒形。

可选地，所述凸缘的顶面与所述侧壁的顶面齐平。

可选地，所述承载框架采用导磁材料制成。

可选地，所述承载框架和磁轭被配置为由一个部件经冲裁成型分割而成。

可选地，所述磁路***还包括中心磁部，所述中心磁部设置在所述磁轭中，所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板，所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间形成有磁间隙；

所述发声装置还包括振动组件，所述振动组件包括振膜和音圈，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上，所述音圈伸入所述磁间隙中。

可选地，还包括导电柱，所述磁路***的中心形成有通孔，所述导电柱从所述磁轭的底部***所述通孔并穿过所述磁路***，所述导电柱的顶端形成有两个第一电连接点，所述导电柱的底端形成两个第二电连接点，两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接；

所述音圈环绕与所述导电柱周围，所述音圈内侧引出有引线，所述引线连接在所述第一电连接点上。

可选地，所述导电柱包括侧面呈倒T型的塑料本体部，所述塑料本体部包括芯柱和连接于芯柱底部的支撑部，所述芯柱穿过所述磁路***的通孔，所述支撑部覆于所述磁路***的底面上；

所述导电柱还包括注塑于所述塑料本体部中的两个金属件，所述金属件包括平行的第一端部和第二端部，以及连接第一端部和第二端部的中间部，所述第一端部露出所述芯柱的顶面形成第一电连接点，所述第二端部露出所述支撑部的底面形成第二电连接点。

可选地，所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面，所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1，所述磁路***的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2，所述第一距离L1大于或等于0，所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2；

所述磁路***的外周的直径为第一直径D1，所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2，所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。

本发明还提供了一种发声装置的加工方法，其特征在于，包括：

S1、提供导磁材料部件，对所述导磁材料部件进行冲压成型，使所述导磁材料部件上形成基材底壁、与基材底壁的边缘连接的向上延伸的第一基材侧壁、与第一基材侧壁的顶端连接的基材水平壁、以及与基材水平壁的边缘连接的向上延伸的第二基材侧壁；

S2、冲裁，在所述基材水平壁上进行冲裁将所述导磁材料部件分割为承载框架和位于承载框架中心的磁轭，所述基材水平壁的第一部分形成磁轭的凸缘，所述基材水平壁的第二部分形成承载框架的内沿，并且内沿上与所述凸缘对应的位置形成缺口；

S3、将所述承载框架与所述磁轭相对旋转，使所述凸缘与所述缺口位置交错，然后将所述凸缘固定在所述承载框架的边沿的下端面上。

可选地，在S3步骤之前，在内沿上由下端面向上端面方向冲压形成定位凹槽，S3步骤中，将所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。

可选地，在所述内沿的上端面，所述定位凹槽处的内沿部分形成凸出的台阶结构。

根据本发明的第三方面，还提供了一种耳机，所述耳机中设置有上述的发声装置。

根据本公开的一个实施例，通过磁轭与承载框架的设计，可以使磁轭的周围无需塑胶外壳包裹，可以有效的节省空间。其中，承载框架采用金属材料制成，具有强度好以及不易变形的特点。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明实施例提供的发声装置的结构分解图。

图2是本发明实施例提供的磁轭的结构示意图。

图3是本发明实施例提供的承载框架的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的承载框架与磁轭结合在在一起的结构示意图。

图5是本发明实施例提供的承载框架与磁轭结合在在一起的剖视图。

附图标记说明：

1-振膜，2-金属环，3-球顶部，4-音圈，5-承载框架，6-导磁板，7-磁铁，8-磁轭，9-导电柱，10-网布，51-定位凹槽，52-缺口，53-镂空，54-内沿，81-底壁，82-侧壁，83-凸缘，100-磁间隙，200-中心磁部。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本发明实施例提供了一种发声装置，如图1所示，所述发声装置至少包括磁路***和承载框架5。其中，所述磁路***用于为发声装置的振动提供电磁驱动作用力。所述承载框架5则用于为磁路***以及发声装置的其它部件提供支撑、定位的作用，使各个部件可以固定连接成一个整体的装置。

如图1以及图2所示，所述磁路***包括磁轭8，所述磁轭8具有底壁81和从所述底壁81上延伸出的环形的侧壁82。磁轭8围合形成了一个能够承载其它部件的容纳空间。在所述侧壁82的顶端形成有向所述侧壁82的***延伸的若干个凸缘83。其中，所述凸缘83用于与所述承载框架5形成固定连接。可选地，所述磁轭8与所述凸缘83为一体冲压成型的部件。一体冲压成型的结构可靠性高，而且更便于进行装配。当然，磁轭8与凸缘83之间还可采用本领域熟知的其它方式固定连接在一起，本发明对此不做限制。

如图1以及图3所示，所述承载框架5可以采用金属材料制成。与现有的采用塑胶注塑成型的支撑框架相比：本发明中采用金属材料制作承载框架，可以有效的降低制作成本，还可以将承载框架的厚度制作的更薄一些，也能在一定程度上节省空间，并且金属材料的强度好、不易变形，具有较长的使用寿命。所述承载框架5从外形上看呈环形结构，在所述承载框架5的中心形成有镂空53。所述承载框架5中心镂空53的区域可用于放置发声装置的其它部件。

并且，如图3以及图4所示，在所述承载框架5的下端面上形成有若干个定位凹槽51。所述磁轭8从所述承载框架5的下端面一侧定位设置于所述镂空53处。所述凸缘83在水平方向上延伸至所述承载框架5的下方与所述定位凹槽51的位置对应，并与所述承载框架5的下端面形成固定连接，以使所述磁路***与承载框架5之间形成固定连接。其中，凸缘83可以设置断续的若干个，可以与承载框架5底面的定位凹槽51，形成XY平面上的定位，避免磁轭8相对于承载框架5产生转动，并且通过对两者之间进行粘接、焊接、热熔固定等方式实现Z方向的定位，避免磁轭8相对于承载框架5产生轴向位移，最终实现磁轭8与承载框架5之间的牢固装配。

本发明中将承载框架5设计成环状结构，取消了其用于包围磁路***的侧壁和底壁。可见，所述磁轭8的侧壁和底壁可以直接暴露在外。通过这种设计，承载框架省略的结构使其减少了占据的空间。节省的空间可以供所述磁轭以及整个磁路***占用，从而可以配置体积更大、磁场更强的磁路***。

在承载框架5与磁轭8的连接部分，本发明采用凸缘83与定位凹槽51连接的方式。本发明将所述凸缘83设计在所述磁轭8的侧壁82的顶部，并且将所述定位凹槽51设置在所述承载框架5的下端面上。通过这种设计方式，可以使所述磁轭8只有靠近顶部的区域与所述承载框架5的底部之间配合连接，从而可以大幅降低两者重合、相互包围的部分，从而降低因两者重叠而占用的空间，提高了发声装置的空间利用率，更便于给发声装置配置体积更大的磁路***。

优选地，如图3所示，所述定位凹槽51从所述承载框架5的下端面向上凹陷一段距离。并且，所述定位凹槽51沿着所述下端面的表面延伸，一直延伸至所述镂空53处。即，如图3所示，延伸到镂空53的边缘。

如图4所示，当所述磁轭8与所述承载框架5相互装配后，各个所述凸缘83分别嵌入对应的所述定位凹槽51中。通过配置所述定位凹槽51，能够提高所述承载框架5与磁轭8之间的定位准确性。

进一步地，在所述承载框架5的下端面上形成有定位凹槽51的实施方式中，由于所述凸缘83会向定位凹槽51中嵌入相当于定位凹槽51深度的距离，所以，所述磁轭8的侧壁82的端部会更靠近与所述镂空53处。如果所述凸缘83自身平齐于所述磁轭8的侧壁82的顶部，或者略微低于所述磁轭8的侧壁82的顶部，则所述磁轭8的侧壁82的顶部会嵌于所述镂空53处，如图4所示。在这种实施方式中，磁轭8与承载框架5之间的定位准确性和密封性都能够得到提高。而且，由于本发明中采用凸缘83与承载框架5的下端面配合的技术特点，并且取消了承载框架上包封磁轭的塑胶外壳结构，因此，即使所述磁轭的侧壁的顶部向所述镂空处嵌入一小段距离，也不会造成承载框架与磁轭之间有过多的重叠部分、占用过多空间的情况。在本发明的设计中，仍然有足够的空间用于增大磁路***的体积。可选地，所述凸缘自身平齐于所述磁轭的侧壁的顶部，所述磁轭嵌入到所述镂空处的深度相当于所述定位凹槽的深度。

可选地，所述承载框架的厚度可以为。由于承载框架本身采用金属材料制成，刚性较高，在其上设置定位凹槽时，所述定位凹槽的深度可以根据实际需要灵活选择，只要不会造成所述承载框架的结构强度受损即可。本发明并不对此进行严格限制，在实际应用中，还可以根据承载框架的实际结构强度以及凸缘的实际厚度对所述定位凹槽的深度进行设计。

优选地，所述凸缘83的厚度小于或等于所述定位凹槽51的深度。所述凸缘83的厚度与所述定位凹槽51的深度之间的配合关系会影响到承载框架5与磁轭8之间的连接强度。在这种优选的实施方式中，凸缘的下表面能够向定位凹槽内沉入，或者齐平于承载框架的下端面，这种设计方式可以使凸缘被埋入所述定位凹槽内，提高连接可靠性。本发明并不限制所述凸缘的厚度必须小于或等于所述定位凹槽的深度。

可选地，如图4所示，所述承载框架5的镂空53处形成有内沿54，所述内沿54的形状与所述侧壁82的形状相仿形，所述内沿54上沿着所述镂空的环形方向分布有缺口52，所述缺口52与所述凸缘83相互错开。采用缺口52的设计的目的在于：当磁轭8与承载框架5二者装配在一起后，相当于在缺口52的位置形成一个孔洞，该孔洞可以用于进行泄声，从而形成了空气流通通道。进一步地，可以在该缺口52内填充吸音材料，吸音材料例如可以采用吸音颗粒。缺口52内填充的吸音颗粒与发声装置的后腔连通，吸音颗粒可以增加孔造结构，能够吸收掉部分声能，空气压缩和释放能力更强，虚拟空间增大，等效扩大了发声装置的后腔容积，有助于提升发声装置的低频特性，从而达到提升发声装置声学性能的效果。

可选地，如图4所示，所述承载框架5的镂空53处形成有内沿54，所述内沿54的形状与所述侧壁82的形状相仿形，所述定位凹槽51形成在所述内沿54的下端面上，所述内沿上沿着所述镂空63的环形方向分布有缺口52，所述缺口52与所述定位凹槽51相互错开，所述侧壁82的上端面与所述内沿54的上端面相齐平。其中，本发明中设计磁轭8的侧壁82的上端面与承载框架5的内沿上端面相齐平，其优势在于：一方面，在装配时，可以使凸缘与定位凹槽定位更加准确，以及凸缘与定位凹槽结合后一体性更强；另一方面，若将缺口作为泄声孔或者在其内部填充吸音颗粒时，通常需要在其上贴阻尼网布，若此处位置是齐平的在贴阻尼网布时更加的方便，就相当于在一个平面上贴阻尼网布。

优选地，所述承载框架5采用冲压成型的方式形成，所述内沿54的冲压方向从内沿的下端面一侧向上端面一侧，使得所述定位凹槽51从内沿的下端面向上端面凹陷。如图3所示，在所述内沿54的上端面处形成有台阶结构，所述定位凹槽51位于所述台阶结构的下侧。实际上，通过冲压成型工艺，使所述内沿54发生向上弯折的变形，从而形成所述定位凹槽51和台阶结构。这种设计方式的优点在于，所述内沿通过弯折避让的形式形成定位凹槽，结构不易损坏并且成型工艺简单。

可选地，所述磁轭8上至少形成有两个所述凸缘83，各个凸缘83相对于所述磁轭8的中心以旋转对称或中心对称的形式分布在磁轭8的侧壁82的顶端上。相应地，所述承载框架5上对应每一个所述凸缘83形成有一个所述定位凹槽51，以便于与凸缘83之间形成固定连接。这种设计方式能够提高磁轭连接在承载框架上的平衡性和连接可靠性，该方式实施起来也比较简单。

在如图2-图4所示的实施方式中，在所述磁轭8上形成有四个所述凸缘83，在所述承载框架5上也相应的形成有四个定位凹槽51。四个所述凸缘83相对于磁轭8的中心呈间距45度旋转对称的形式。四个凸缘83均匀分布在所述磁轭8的四周，能够有效提高固定连接的稳定性。在其它实施方式中，对于所述凸缘83和定位凹槽51，也可以采用三个分别相距120度等其它分布方式和数量，以满足性能要求，本发明不对此进行限制。

可选地，如图3所示，所述镂空53呈圆孔状，所述磁轭8相应的呈圆柱筒形结构。所述磁轭8包括圆形的底壁81和呈圆环形的侧壁82。两者的外形相互匹配，以提高磁轭8与承载框架5之间的结构匹配程度。例如，所述镂空和磁轭还可以呈椭圆形结构，本发明不对此进行限制。优选地，所述凸缘83的顶面与所述磁轭8的侧壁82的顶面齐平，如图4所示。这种设计能够减小承载框架在磁轭的高度方向上对磁轭的包围范围，而且磁轭的结构设计简单，定位更便捷。

可选地，所述承载框架5采用导磁材料制成。导磁材料例如可以使硅钢材料，或者本领域熟知的其它导磁材料，只要具有导磁性即可，本发明对此不做限制。本发明中，承载框架5设计用导磁材料制作，可以赋予承载框架5优异的导磁性能。

本发明中，所述承载框架5和磁轭8被配置为由一个部件经冲裁成型分割而成。实际上，承载框架和磁轭可以由一个部件冲裁形成两个结构，由于是两个独立的结构，此时无需进行分割处理，可以将冲裁成的两个结构以本领域熟知的结合方式结合在一起。当然，承载框架和磁轭也可以由一个部件冲裁成型为一个结构，也就是说：该方式下可以直接冲裁出缺口、凸缘等，这样无需后续的连接工艺，但是，这样可能使冲裁出的成品在力学上无法满足，应力上释放不出来。

可选地，如图1以及图5所示，所述磁路***还可以包括中心磁部200。所述中心磁部200设置在由所述磁轭8围合形成的空间中。所述中心磁部200包括堆叠设置的磁铁7和导磁板6。所述中心磁部与所述磁轭8的侧壁82之间留有一定间隙，该间隙为能够产生磁场的磁间隙100，用于驱动发声装置的振动组件振动。

本发明的发声装置还包括了上述振动组件。如图1所示，所述振动组件至少包括振膜1和音圈4两个部件。所述音圈4连接在所述振膜1的一侧表面上，所述音圈4用于接收声音信号产生振动，所述振膜1则在音圈4的带动下振动进而发声。所述振膜1的边缘可以通过金属环2固定连接在所述承载框架5的上端面上，所述音圈4则通过所述振膜1悬于所述磁间隙内。

可选地，上述的振膜1包括振膜本体，以及固定设置在该振膜本体上的球顶部3。其中，采用在振膜本体上加设球顶部的设计，可以提高振膜振动时的刚性。当然，也可以不在振膜本体上设置球顶部，对此本发明不做限制。

优选地，如图1所示，所述发声装置还可以包括导电柱9，所述导电柱9中形成有用于导通声音信号的电路。所述磁路***的中心形成有通孔，所述导电柱9从所述磁轭8的底部***所述通孔，并从所述磁路***中穿过，伸至所述磁路***的上方。所述音圈4环绕在所述导电柱9周围，音圈4上引出有用于导通信号的两支音圈引线。相应的，所述导电柱9的顶端形成有两个第一电连接点，两支所述音圈引线从所述音圈4上向中间的导电柱9延伸，并分别连接在两个所述第一电连接点上。所述音圈引线通过导电柱9接收外界输入的声音信号。通过这种设计方式，一方面能够减小音圈及音圈引线占用的空间，而且能够从音圈内侧提高音圈的振动稳定性，降低音圈发生偏振的可能性。另一方面，在所述磁路***中间设置导电柱，既不会影响磁路***的性能，又可以充分利用磁路***所占据的较大空间。

可选地，所述导电柱9可以包括侧面呈倒T型的塑料本体部。塑料本体部可以包括芯柱和连接于芯柱底部的支撑部，如图1所示。所述芯柱穿过磁路***的通孔，用于实现上述电连接的功能。所述支撑部则位于所述磁路***的底面上，对所述磁路***提供支撑作用。

导电柱还包括两个金属件，两个所述金属件注塑固定在所述塑料本体部内。所述金属件上具有第一端部、第二端部和中间部。同一个金属件上的第一端部与第二端部呈相对平行的姿态，所述中间部连接在所述第一端部与第二端部之间。所述第一端部用于构成上述第一电连接点，所述第二端部则用于构成所述第二电连接点。所述第一端部可以从所述塑料本体部的顶面上露出，所述第二端部则从所述塑料本体部的底面上露出。这种配置方式便于引线以及外部设备通过所述金属件实现信号导通。而且，金属件的中间部注塑在塑料本体部内部，不易与发声装置内的其它导电、导磁部件发生相互干扰。

导电柱的上端面与音圈的上端面之间的距离为第一距离L1，磁路***的中心磁部的上端面与音圈的上端面的距离为第二距离L2。所述第一距离L1指沿着导电柱的轴向，导电柱的上端面距离音圈的上端面的竖直距离。所述第二距离L2指沿着音圈的轴向，所述磁路***的中心磁部距离音圈的上端面的竖直距离。可选地，所述导电柱的上端面齐平于或者低于所述音圈的上端面，如图3所示，即所述第一距离L1大于或等于0。导电柱的上端面较低，能够有效避免振膜与导电柱之间发生碰撞，防止振膜振动时因与导电柱发生碰撞而引起杂音。优选地，第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。如果导电柱的上端面低于音圈的上端面的距离过大，则会造成音圈的引线容易与磁路***的中心磁部发生碰撞，产生碰撞声音。一方面，产生的杂音会降低发声装置的音质，另一方面，也会存在造成音圈引线断线的风险。优选地，所述第一距离L1大于或等于0，所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。

所述磁路***的外周的直径为第一直径D1，导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2。优选地，所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。所述磁路***的靠近磁间隙的部分是对产生电磁作用力贡献最大的部分，所述通孔的位置远离所述磁间隙。因此，在磁路***的远离磁间隙的中心部位开设通孔并放置导电柱，能够有效避免磁路***的结构损失对产生电磁场造成的影响。优选地，导电柱在工艺可控范围尽可能缩小第二直径D2。在D2≤0.32*D1的范围内能够避免对产生电磁场的强度造成实质性的负面影响,灵敏度损失在0.2dB以下。

发声装置的外周的直径为第三直径D3。在本发明的优选实施方式中，所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。在现有技术中，位于磁路******的框架、壳体上注塑有用于电连接的焊盘的电路器件，占据了磁路******的较大空间。在发声装置整体的空间有限的情况下，导致留给磁路***自身的可用空间较小。本发明利用设置于磁路***中心的导电柱将音圈与外部电连接，磁路***的***无需再设置其它电连接，从而在磁路***的***节省了空间。相对于现有技术，可以将磁路***的尺寸设计的更大，提高磁路***的性能。优选地，所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。可选地，所述第一直径D1与第三直径的比值为0.75。

优选地，如图1所示，所述发声装置还可以包括网布10，该网布10可以采用防水网布，可以对上述的导电柱9起到良好的保护作用。可以使整个发声装置具有较好的防水效果。

本发明实施例提供的发声装置，可应用于耳机、智能手机、平板电脑、VR设备等诸多消费类电子产品中，本发明对此不做限制。在耳机产品内有限的空间中，采用本发明设计的发声装置能够更有效的利用空间，配置体积更大的磁路***，以增强发声装置的声学性能，进而满足耳机的性能要求。

另一方面，本发明实施例还提供了上述发声装置的加工方法，至少包括以下步骤：

S1、提供导磁材料部件；主要用于制作承载框架，可以使承载框架具有良好的导磁性，导磁材料例如可以选择采用硅钢材料等，本领域熟知的导磁材料，本发明对此不做限制。

对所述导磁材料部件进行冲压成型，使所述导磁材料部件上形成基材底壁、与基材底壁的边缘连接的向上延伸的第一基材侧壁、与第一基材侧壁的顶端连接的基材水平壁、以及与基材水平壁的边缘连接的向上延伸的第二基材侧壁。

S2、对导磁材料部件进行冲裁处理，将导磁材料部件冲裁成环状的承载框架和位于承载框架中心的磁轭。上述基材底壁用于构成磁轭的底板，第一基材侧壁则构成磁轭的竖直、环形侧壁。冲裁加工工艺的裁切位置位于上述基材水平壁上。基材水平壁的第一部分被裁切至磁轭一侧，用于形成磁轭的凸缘。基材水平比的第二部分被裁切至承载框架的一侧，用于形成承载框架的内沿，并且内沿上与所述凸缘对应的位置形成缺口。所述承载框架中间形成有镂空，镂空的位置对应为被裁切下来的所述磁轭。

S3、将所述磁轭与承载框架绕所述底板的中心旋转预定角度，使所述凸缘与所述缺口的位置相互交错、错开。之后，将所述凸缘固定连接在所述承载框架的下表面上，使所述磁轭固定设置在所述承载框架的镂空处。

可选地，在S3步骤之前，可以在所述承载框架下表面上冲压形成内沿和定位凹槽。在所述内沿上，由下端面向上端面的方向冲压形成定位凹槽。所述定位凹槽延伸至所述镂空处，在S3步骤中，将所述凸缘嵌于所述定位凹槽中优选地，所述磁轭的侧壁的顶端与所述内沿的上端面齐平。此外，所述缺口可以形成在所述内沿上。

可选地，通过上述冲压成型工艺，可以在所述内沿的上端面上形成向上凸出的台阶结构。所述台阶结构与所述定位凹槽位置对应，即定位凹槽正好处于台阶结构下方。通过冲压成型使内沿变形，能够直接形成上述台阶机构以及定位凹槽。成型工艺简单且不易使导磁材料部件损坏。

本发明还提供了一种耳机产品，该耳机中配置有上述发声装置。在耳机产品内有限的空间中，采用本发明设计的发声装置能够更有效的利用空间，配置体积更大的磁路***和/或音圈，以增强发声装置的声学性能，进而满足耳机的性能要求。该耳机可以为入耳式耳机或半入耳式耳机。

本发明的发声装置的加工方法较为简单、在工艺上容易实现，制作成本也比较低。而且，利用该加工方式制造出的发声装置，将其应用于电子设备内时，能够更有效的利用空间，配置体积更大的磁路***，以增强发声装置的声学性能。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (11)

1.一种发声装置，其特征在于，包括：

磁路***，所述磁路***包括磁轭，所述磁轭呈圆柱筒形，所述磁轭具有底壁和从所述底壁上延伸出的环形的侧壁,所述侧壁的顶端形成有向所述侧壁的***延伸的若干个凸缘；

承载框架，所述承载框架采用金属材料制成，所述承载框架呈环形结构，所述承载框架的中心形成有镂空，所述镂空呈圆孔状；

所述承载框架采用导磁材料制成，所述承载框架和磁轭被配置为由一个部件经冲裁成型分割而成，所述承载框架的镂空处形成有内沿，所述内沿的形状与所述侧壁的形状相仿形，所述内沿上与所述凸缘对应的位置形成缺口；

所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方，并与所述承载框架的下端面固定连接，所述承载框架的下端面上形成有与各个所述凸缘一一对应的定位凹槽，所述定位凹槽延伸至所述镂空处，各个所述凸缘分别嵌入对应的所述定位凹槽中；

所述定位凹槽形成在所述内沿的下端面上，所述内沿上沿着所述镂空的环形方向分布有缺口，所述缺口与所述定位凹槽相互错开；

所述磁轭的侧壁和底壁暴露在所述承载框架外；所述凸缘的顶面与所述磁轭的侧壁的顶面齐平。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述定位凹槽为对所述内沿由下端面向上端面方向冲压形成，在所述内沿的上端面，所述定位凹槽处的内沿部分形成凸出的台阶结构。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述侧壁的上端面与所述内沿的上端面相齐平。

4.根据权利要求1或2任意之一所述的发声装置，其特征在于，所述磁路***还包括中心磁部，所述中心磁部设置在所述磁轭中，所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板，所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间形成有磁间隙；

所述发声装置还包括振动组件，所述振动组件包括振膜和音圈，所述音圈连接在所述振膜的一侧，所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上，所述音圈伸入所述磁间隙中。

5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，还包括导电柱，所述磁路***的中心形成有通孔，所述导电柱从所述磁轭的底部***所述通孔并穿过所述磁路***，所述导电柱的顶端形成有两个第一电连接点，所述导电柱的底端形成两个第二电连接点，两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接；

所述音圈环绕与所述导电柱周围，所述音圈内侧引出有引线，所述引线连接在所述第一电连接点上。

6.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述导电柱包括侧面呈倒T型的塑料本体部，所述塑料本体部包括芯柱和连接于芯柱底部的支撑部，所述芯柱穿过所述磁路***的通孔，所述支撑部覆于所述磁路***的底面上；

所述导电柱还包括注塑于所述塑料本体部中的两个金属件，所述金属件包括平行的第一端部和第二端部，以及连接第一端部和第二端部的中间部，所述第一端部露出所述芯柱的顶面形成第一电连接点，所述第二端部露出所述支撑部的底面形成第二电连接点。

7.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面，所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1，所述磁路***的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2，所述第一距离L1大于或等于0，所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2；

所述磁路***的外周的直径为第一直径D1，所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2，所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。

8.一种如权利要求1-7任意之一所述的发声装置的加工方法，其特征在于，包括：

S1、提供导磁材料部件，对所述导磁材料部件进行冲压成型，使所述导磁材料部件上形成基材底壁、与基材底壁的边缘连接的向上延伸的第一基材侧壁、与第一基材侧壁的顶端连接的基材水平壁、以及与基材水平壁的边缘连接的向上延伸的第二基材侧壁；

S2、冲裁，在所述基材水平壁上进行冲裁将所述导磁材料部件分割为承载框架和位于承载框架中心的磁轭，所述基材水平壁的第一部分形成磁轭的凸缘，所述基材水平壁的第二部分形成承载框架的内沿，并且内沿上与所述凸缘对应的位置形成缺口；

S3、将所述承载框架与所述磁轭相对旋转，使所述凸缘与所述缺口位置交错，然后将所述凸缘固定在所述承载框架的边沿的下端面上。

9.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，在S3步骤之前，在内沿上由下端面向上端面方向冲压形成定位凹槽，S3步骤中，将所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。

10.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，在所述内沿的上端面，所述定位凹槽处的内沿部分形成凸出的台阶结构。

11.一种耳机，其特征在于，所述耳机中设置有权利要求1-7任意之一所述的发声装置。

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