CN109326859B - 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 - Google Patents
基于siw的tm双模平衡带通滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109326859B CN109326859B CN201811266493.8A CN201811266493A CN109326859B CN 109326859 B CN109326859 B CN 109326859B CN 201811266493 A CN201811266493 A CN 201811266493A CN 109326859 B CN109326859 B CN 109326859B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- dielectric substrate
- siw
- metal plate
- microstrip line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000003094 perturbing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/212—Frequency-selective devices, e.g. filters suppressing or attenuating harmonic frequencies
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，包括从上至下依次同轴设置的介质基板一、金属板一、介质基板二、金属板二和介质基板三。介质基板一和介质基板三上均设有微带线，金属板一上开设沿逆时针旋转38℃的矩形缝隙一；介质基板二上设有金属通孔阵列和两个微扰金属孔；金属板二上开设沿顺时针旋转38℃的矩形缝隙二。本发明不仅在通带内产生两个极点，且在通带两侧各产生一个传输零点，具有高选择性。此外，通过对耦合缝隙的位置及尺寸的设计，TM120和TM210模式附近的六个模式被有效抑制，实现良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下，由于微带线中间形成了磁壁，磁流无法通过耦合缝隙进入谐振腔，从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。
Description
技术领域
本发明涉及一种滤波器，特别是一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器。
背景技术
在现代无线通信***中，平衡器件受到了越来越多的关注，因为平衡器件可以有效抑制环境噪声和***内部的噪声。而滤波器是通信***设备必不可少的器件。平衡带通滤波器可以有效抑制环境和***内部产生的噪声，因而广泛应用于现代无线通信电路。高选择性、小型化、高共模抑制的新型平衡带通滤波器是市场的迫切需求，也是平衡带通滤波器发展的必然趋势。
基片集成波导(SIW)技术因其小型化、易集成、高Ｑ值的优点，受到越来越多的关注。使用双模或多模理念设计滤波器时，可以实现在不增加谐振器数目的同时提高单个腔体的选择性，从而可以有效减小滤波器的尺寸。利用TM模式可以使N阶滤波器产生N个传输零点，提高滤波器的选择性。但是由于使用TM双模或多模设计滤波器时不可避免的会有高次模的产生，从而在通带不远处出现一个或多个寄生通带，如何减小寄生通带或让寄生通带远离中心频率是一个重要的问题。本设计通过对耦合缝隙的位置以及尺寸进行合理设计，TM120和TM210模附近的六个模式被有效抑制，实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下，由于微带线中间形成了磁壁，磁流无法通过耦合缝隙进入SIW谐振腔，从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，该基于SIW的TM双模平衡带通滤波器能在差模激励下，通过矩形缝隙激励起谐振腔内的TM120和TM210模(谐振模式)以及TE10和TE01模(非谐振模式)，不仅在通带内产生了两个极点，而且在通带两侧分别产生了一个传输零点，有效地提高了滤波器的选择性。此外，通过对矩形缝隙的位置以及尺寸进行合理设计，TM120和TM210模式附近的六个模式被有效抑制，实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下，由于微带线中间的凸起部位形成了磁壁，磁流无法通过矩形缝隙进入SIW谐振腔，从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，包括从上至下依次同轴设置的介质基板一、金属板一、介质基板二、金属板二和介质基板三。
假设以每块介质基板或金属板的中心为原点，以过原点且平行于带通滤波器边长的方向为x轴，以过原点且垂直于x轴的方向为y轴，建立坐标系。
介质基板一上设置微带线一，该微带线一位于y轴上且关于x轴对称。
金属板一上开设有矩形缝隙一，该矩形缝隙一的中心与金属板一的中心重合，且矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角为θ。
介质基板二上设置有金属通孔阵列和两个微扰金属孔；金属通孔阵列关于x轴和y轴对称；两个微扰金属孔设置在金属通孔阵列内部的x轴上且关于y轴对称。
金属板二上开设有矩形缝隙二，该矩形缝隙二的中心与金属板二的中心重合，且矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角为- θ。
介质基板三上设置微带线二，该微带线二位于x轴上且关于y轴对称。
微带线一和微带线二的中部均设置有凸起。
金属通孔阵列的长度为34.1mm，宽度为33.8mm；金属通孔阵列中每个金属通孔的直径均为1mm，相邻两个金属通孔之间的间距为1.5mm。
每个微扰金属孔的直径均为0.6mm。
微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距为0.8mm。
矩形缝隙一和矩形缝隙二的长度均为10mm，宽度均为0.3mm。
θ=38°。
微带线一和微带线二的宽度为1.58mm。
本发明具有如下有益效果：
1.具有高选择性(良好的矩形系数和带外抑制)。在差模激励下，通过耦合缝隙激励起谐振腔内的TM120和TM210模(谐振模式)以及TE10和TE01模(非谐振模式)，不仅在通带内产生了两个极点，而且在通带两侧分别产生了一个传输零点，有效地提高了滤波器的选择性。
2.具有高共模抑制能力。通过对耦合缝隙（也即矩形缝隙）的位置以及尺寸进行合理设计，TM120和TM210模式附近的六个模式被有效抑制，实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下，由于微带线中间的凸起部位形成了磁壁，磁流无法通过耦合缝隙进入SIW谐振腔，从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。
3. 首次提出采用TM双模腔来设计平衡滤波器。利用单个谐振腔可以产生两个极点和两个传输零点；通过合理地设计耦合缝隙的位置和尺寸，有效地抑制了通带附近的六个模式，实现了宽阻带性能。引入了微带—槽线转换结构对SIW腔进行馈电，实现了在较宽频带范围内的高共模抑制。由于使用了双模腔和多层结构，平衡滤波器的尺寸更加紧凑。
附图说明
图1显示了本发明基于SIW的TM双模平衡带通滤波器的结构示意图。
图2显示了介质基板的一个优选实施例。
图3显示了本发明基于SIW的TM双模平衡带通滤波器在差模激励下的拓扑结构示意图。
图4显示了本发明基于SIW的TM双模平衡带通滤波器的散射参数仿真和测试结果。
其中有：
10.介质基板一；11.微带线一；12.凸起；
20．金属板一；21.矩形缝隙一；
30.介质基板二；31.金属通孔阵列；32.金属通孔；33.微扰金属孔；
40.金属板二；41.矩形缝隙二；
50.介质基板三；51.微带线二。
另外：
w1：微带线宽度；w2：凸起宽度；port1、port1’：第一平衡端口；
w s：矩形缝隙宽度；l s：矩形缝隙长度；θ：耦合缝隙旋转角度；
w：金属通孔阵列宽度；l：金属通孔阵列长度；p：相邻金属通孔之间的间距；d：金属通孔直径；g：微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距；
port2、port2’：第二平衡端口；
S：源；L：负载；MS1：源与TM120之间的耦合系数；MS2：源与TM210之间的耦合系数；MSL：源与负载之间的耦合系数。
具体实施方式
下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明的平衡带通滤波器以工作在中心频率为5.2GHz的WLAN***为例说明，其3dB相对带宽为4％。
如图1所示，一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，包括从上至下依次同轴设置的介质基板一10、金属板一20、介质基板二30、金属板二40和介质基板三50。
假设以每块介质基板或金属板的中心为原点，以过原点且平行于带通滤波器边长的方向为x轴，以过原点且垂直于x轴的方向为y轴，建立坐标系，此时为二维坐标系。也即每块介质基板或金属板均具有一个二维坐标系，另外，以过原点且沿带通滤波器的厚度方向为z轴，建立三维坐标。
介质基板一上设置微带线一11，该微带线一位于y轴上且关于x轴对称，其开路端连接第一平衡端口Port1、Port1’。
介质基板三上设置微带线二51，该微带线二位于x轴上且关于y轴对称，其开路端连接第二平衡端口Port2、Port2’。
微带线一和微带线二的中部均设置有凸起12。
微带线一和微带线二的宽度，也即微带线宽度w1优选为1.58mm。
介质基板一和介质基板三的材料优选为：
1.相对介电常数为2.2，厚度为0.508mm的RT / Duroid 5880。
2.采用微波板作为基板的材料，如图2所示，包括基板S1以及包覆在其上、下表面的上金属层S2和下金属层S3。
金属板一上开设有矩形缝隙一21（也称耦合缝隙一）；该矩形缝隙一的中心与金属板一的中心重合，且矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角为θ，θ优选为38℃。矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角也可表述为：绕z轴逆时针旋转38°。
金属板一既充当微带线一的地，也作为谐振腔的金属壁。
金属板二上开设有矩形缝隙二41（也称耦合缝隙二），该矩形缝隙二的中心与金属板二的中心重合，且矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角为- θ，也即- 38℃。矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角也可可表述为：绕z轴顺时针旋转38°。
矩形缝隙一和矩形缝隙二的长度l s均优选为10mm，宽度w s均优选为0.3mm。
金属板二既充当微带线二的地，也作为谐振腔的金属壁。
介质基板二上设置有金属通孔阵列31和两个微扰金属孔33。
金属通孔阵列关于x轴和y轴对称，金属通孔阵列的长度l优选为34.1mm，宽度w优选为33.8mm；金属通孔阵列中每个金属通孔的直径d均优选为1mm，相邻两个金属通孔之间的间距p优选为1.5mm。
两个微扰金属孔设置在金属通孔阵列内部的x轴上且关于y轴对称。每个微扰金属孔的直径均优选为0.6mm。微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距g优选为0.8mm。
金属通孔阵列构成谐振腔，介质基板二的规格优选为：相对介电常数为3.38，厚度为0.813mm的Rogers RO4003C。
由金属通孔阵列围成的谐振腔的尺寸(l, w)决定了滤波器的谐振频率。SIW谐振腔的初始尺寸由中心频率f 0决定；在微波毫米波波段内，通过调整SIW腔的尺寸、耦合缝隙的旋转角度和尺寸以及微带线中间部分的宽度，该平衡带通滤波器可以工作在不同的中心频率。
本发明所述平衡带通滤波器的4个端口均采用SMA头焊接，以便接入测试或者与电路相连。本发明可用于WLAN以及毫米波***。
如图3中的拓扑结构示意图所示，在差模信号激励下，通过耦合缝隙激励起谐振腔内的TM120和TM210模(谐振模式)以及TE10和TE01模(非谐振模式)，不仅在通带内产生了两个极点，而且在通带两侧分别产生了一个传输零点，有效地提高了滤波器的选择性。
耦合缝隙的特性是只能进行磁耦合。由于所提出SIW腔的前八个谐振模式中只有TM120和TM210的磁场分布位于腔体的中心位置，而其它模式在中心点附近的磁场强度较弱，所以将耦合缝隙放置于SIW腔的中心处。此时，模式TM120和TM210被成功激励，形成所需要的通带；同时激励起非谐振模式(TE10和TE01)，引入了源与负载耦合，从而在通带两侧分别产生了一个传输零点，提高了通带的矩形系数。
另外，由于两个耦合缝隙位置的特殊性，根据SIW腔中前8个TM模的磁场分布图确定耦合缝隙的位置，TM210和TM120模被成功激励的同时，对其它的6个模式产生一定的抑制效果。耦合缝隙的旋转角度θ对通带性能有显著影响，通过确定合适的θ，滤波器的通带能够形成。耦合缝隙长度l S的改变会影响零点的位置，选择合适的l s进一步提高了宽阻带性能；通过调节微扰金属通孔在x轴上的位置g改变耦合系数，进而控制滤波器的带宽；通过改变耦合缝隙的宽度w s和微带线中间部分（也即凸起）的宽度w 2来获得理想的外部品质因数。
上述金属板一、介质基板二和金属板二是作为谐振器的SIW腔，介质基板一和介质基板二是作为馈电的微带—SIW换结构。
引入了微带—槽线转换结构，在共模信号激励下，微带线中间形成了磁壁，磁流无法通过耦合缝隙进入SIW谐振腔，从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。
电磁能量的流动路径为：第一(二)平衡端口—微带线—耦合缝隙—SIW腔—耦合缝隙—微带线—第二(一)平衡端口。
如图4所示，本发明平衡带通滤波器的散射参数仿真与实测结果。其中Sdd11表示差模信号激励下的仿真和测试的反射系数，Sdd21为差模信号激励下的仿真和测量的传输系数。Scc21为共模信号激励下的仿真和测量的传输系数。所述平衡带通滤波器在差模激励下的通频带中心频率为5.2GHz，其3dB相对带宽为4%，***损耗为1.2dB。在0-4.6 GHz内的抑制电平大于40dB，在5.4-8.2 GHz内的抑制电平大于25dB，在8.2-9.4 GHz内的抑制电平大于12dB。该滤波器具有高选择性和低***损耗。在共模激励下，在0-9.3GHz内共模信号抑制电平大于-50dB，具有很高的共模抑制效果。从图中可以看到仿真和实测结果吻合良好。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：包括从上至下依次同轴设置的介质基板一、金属板一、介质基板二、金属板二和介质基板三；
假设以每块介质基板或金属板的中心为原点，以过原点且平行于带通滤波器边长的方向为x轴，以过原点且垂直于x轴的方向为y轴，建立坐标系；
介质基板一上设置微带线一，该微带线一位于y轴上且关于x轴对称，微带线一的两端位于介质基板一的两边沿处；
金属板一上开设有矩形缝隙一，该矩形缝隙一的中心与金属板一的中心重合，且矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角为θ；
介质基板二上设置有金属通孔阵列和两个微扰金属孔；金属通孔阵列关于x轴和y轴对称；两个微扰金属孔设置在金属通孔阵列内部的x轴上且关于y轴对称；
金属板二上开设有矩形缝隙二，该矩形缝隙二的中心与金属板二的中心重合，且矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角为- θ；矩形缝隙二与矩形缝隙一的几何尺寸相同；
介质基板三上设置微带线二，该微带线二位于x轴上且关于y轴对称，微带线二的两端位于介质基板二的两边沿处；
微带线一和微带线二的中部均设置有凸起；谐振腔的尺寸决定了滤波器的谐振频率；SIW谐振腔的初始尺寸由中心频率f 0决定；在微波毫米波波段内，通过调整SIW腔的尺寸、耦合缝隙的旋转角度和尺寸以及微带线中间凸起的宽度，使平衡带通滤波器工作在不同的中心频率；通过确定耦合缝隙的旋转角度θ，形成滤波器的通带；耦合缝隙长度l S的改变会影响零点的位置，通过选择合适的l s，提高宽阻带性能；通过调节微扰金属通孔在x轴上的位置g改变耦合系数，进而控制滤波器的带宽；通过改变耦合缝隙的宽度w s和微带线中间凸起的宽度w 2来获得理想的外部品质因数；金属板一、介质基板二和金属板二是作为谐振器的SIW腔，介质基板一和介质基板二是作为馈电的微带—SIW换结构；通过引入微带—槽线转换结构，在共模信号激励下，微带线中间形成磁壁，磁流无法通过耦合缝隙进入SIW谐振腔，从而在0-9.3GHz内实现高共模抑制。
2.根据权利要求1所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：金属通孔阵列的长度为34.1mm，宽度为33.8mm；金属通孔阵列中每个金属通孔的直径均为1mm，相邻两个金属通孔之间的间距为1.5mm。
3.根据权利要求2所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：每个微扰金属孔的直径均为0.6mm。
4.根据权利要求3所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距为0.8mm。
5.根据权利要求1或2或3所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：矩形缝隙一和矩形缝隙二的长度均为10mm，宽度均为0.3mm。
6.根据权利要求1或2或3所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：θ=38°。
7.根据权利要求1或2或3所述的基于SIW的TM双模平衡带通滤波器，其特征在于：微带线一和微带线二的宽度为1.58mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811266493.8A CN109326859B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811266493.8A CN109326859B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109326859A CN109326859A (zh) | 2019-02-12 |
| CN109326859B true CN109326859B (zh) | 2020-07-24 |
Family
ID=65259694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811266493.8A Active CN109326859B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109326859B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110661067B (zh) * | 2019-09-12 | 2021-02-26 | 天津大学 | 一种基于5g双频的介质集成悬置线的带通滤波器 |
| CN110739512B (zh) * | 2019-09-29 | 2021-04-13 | 南京航空航天大学 | 一种高共模抑制的平衡滤波交叉结 |
| CN112072236B (zh) * | 2020-08-26 | 2022-01-11 | 南京航空航天大学 | 一种微带-缝隙结构馈电的双模siw平衡带通滤波器 |
| CN114388998A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-22 | 广东盛路通信科技股份有限公司 | 平衡滤波跨接器 |
| CN114914650B (zh) * | 2022-06-29 | 2023-03-14 | 电子科技大学 | 一种x波段siw鳍线耦合滤波器及其设计方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335111A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 共振器の製造方法 |
| CN104218279A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-17 | 电子科技大学 | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 |
| CN106410336A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-02-15 | 上海航天测控通信研究所 | 一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106602190A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-04-26 | 成都九洲迪飞科技有限责任公司 | 高带外抑制的多层基片集成波导滤波器 |
-
2018
- 2018-10-29 CN CN201811266493.8A patent/CN109326859B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002335111A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 共振器の製造方法 |
| CN104218279A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-17 | 电子科技大学 | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 |
| CN106410336A (zh) * | 2016-09-29 | 2017-02-15 | 上海航天测控通信研究所 | 一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| A Novel Multilayer TM Dual-Mode Substrate Integrated Cavity Filter;Zhigang Zhang 等;《MTT-S International Microwave Workshop Series on Advanced Meterials and Processes for RF and THz Applications》;20160722;第2页左栏第2-4段、第3页第3段、图1、表1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109326859A (zh) | 2019-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109326859B (zh) | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 | |
| Zhu et al. | A novel compact wide-stopband filter with hybrid structure by combining SIW and microstrip technologies | |
| JP4388778B2 (ja) | 誘電体モノブロックトリプルモードマイクロ波遅延フィルタ | |
| CN110739512B (zh) | 一种高共模抑制的平衡滤波交叉结 | |
| CN110611145B (zh) | 一种hmsiw平衡定向耦合器 | |
| CN104466308B (zh) | 一种平衡式介质滤波器及其制作方法 | |
| CN109742493B (zh) | 一种基于四模介质谐振器的差分双通带滤波器 | |
| CN112072236B (zh) | 一种微带-缝隙结构馈电的双模siw平衡带通滤波器 | |
| CN112018474A (zh) | 一种具有固有共模抑制的siw双频双模平衡带通滤波器 | |
| CN110400995A (zh) | 小型化宽阻带的hmsiw单腔三模带通滤波器 | |
| WO2019064510A1 (ja) | 高周波フィルタ | |
| US7167065B2 (en) | Filter circuit | |
| Xu et al. | Unbalanced-/balanced-to-unbalanced diplexer based on dual-mode dielectric resonator | |
| CN108155447A (zh) | 高选择性、高共模抑制且结构紧凑的二阶平衡带通滤波器 | |
| KR100831076B1 (ko) | 이중모드 링 공진기를 이용한 발룬-대역 통과 필터 | |
| CN104241743A (zh) | 一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器 | |
| US6184758B1 (en) | Dielectric resonator formed by polygonal openings in a dielectric substrate, and a filter, duplexer, and communication apparatus using same | |
| CN105720340A (zh) | 一种含有低频传输零点的紧凑型带通滤波器 | |
| CN110350279B (zh) | 一种具有滤波功能的基片集成波导功分器 | |
| CN112366432B (zh) | 具有共模抑制且结构紧凑的三模hmsiw平衡带通滤波器 | |
| Nwajana | Analysis and design of a substrate integrated waveguide multi-coupled resonator diplexer | |
| CN113708030A (zh) | 基于多模缝隙线谐振器的平衡超宽带带通滤波器 | |
| An et al. | An SIW quasi-elliptic filter with a controllable bandwidth based on cross coupling and dual-mode resonance cavity | |
| Gao et al. | New Dual-Passband SIW Filter with Loaded T-Slot | |
| CN111463525A (zh) | 基于共面波导的小型化的三阶sd-hmsiw带通滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |