CN109321242A - 一种荧光材料的制备方法 - Google Patents

一种荧光材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109321242A
CN109321242A CN201811123530.XA CN201811123530A CN109321242A CN 109321242 A CN109321242 A CN 109321242A CN 201811123530 A CN201811123530 A CN 201811123530A CN 109321242 A CN109321242 A CN 109321242A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pmma
preparation
film
quartz
quartz ampoule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811123530.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109321242B (zh
Inventor
吕燕飞
黄锋
翁嘉鑫
赵士超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Dianzi University
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN201811123530.XA priority Critical patent/CN109321242B/zh
Publication of CN109321242A publication Critical patent/CN109321242A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109321242B publication Critical patent/CN109321242B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
    • C09K11/68—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing chromium, molybdenum or tungsten
    • C09K11/681—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。

Description

一种荧光材料的制备方法
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体涉及一种红色荧光材料的制备方法。
背景技术
二硫化钨(WS2)单分子层厚度的薄膜是直接带隙半导体材料，它的荧光量子产率在二维过渡金属硫族化合物中是较高的，因此在外场激发下它的红光发射较强。通过适当的方法，可以进一步提高二硫化钨单分子层薄膜材料的发光性能，使其更具有实际应用价值。荧光增强后的二硫化钨单分子层薄膜有利于制备高性能的低维度、纳米光学器件。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提出了一种荧光材料的制备方法。
本发明以二硫化钨单分子层薄膜为基底，在其表面沉积介电薄膜材料，然后通过在介电薄膜中注入电荷，获得高荧光量子产率的荧光材料，荧光为红色荧光，荧光发射波长位于620纳米附近。
本发明一种荧光材料的制备方法的具体步骤是：
一、WS2二维薄膜的制备。
步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管(直径1英寸)内。石英舟放置在石英管的中间位置。
步骤(2).将基底(尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm)，用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气(5％H2)，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min。温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜。
上述步骤(1)所述WS2源为WS2固体粉末或氧化钨与硫的混合物或者为金属钨和硫磺的混合物。
上述步骤(2)所述基底为表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)、石英玻璃、氮化镓或蓝宝石。
二、介电薄膜涂层的制备。
生长于基底表面的硫化钨单分子层薄膜表面通过适当方法在其表面沉积一层介电薄膜，获得介电薄膜/硫化钨单分子层复合薄膜材料。本发明在上述生长的硫化钨单分子层薄膜表面旋涂溶解有有机高分子材料的有机溶液，有机溶液在空气中干燥5～30分钟形成有机薄膜附着于硫化钨表面，获得有机高分子层/硫化钨二维复合薄膜材料。
本发明中的介电薄膜可以是无机薄膜如二氧化硅，也可以是有机高分子介电薄膜如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，及其它驻极体材料，如聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等。
以PMMA为例，具体步骤如下：
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5～30分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料。
三、电荷注入
将上述介电薄膜/硫化钨单分子层复合薄膜通过电晕放电极化法在介电薄膜中注入电荷。电晕放电装置中，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压为3千伏-30千伏。注入时间3min-15min。介电层经过电荷注入后获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
具体步骤如下：
步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有PMMA薄膜的面面相上电极。两电极间电压调至3千伏-30千伏。电压保持时间为3min-15min。
步骤(7)所述的电晕放电极化法也可为热极化、界面夹层极化、软X光极化、介质***极化或辐射极化。
本发明的有益效果：本发明通过化学气相沉积法在基底表面首先生长硫化钨单分子层厚薄膜，以备后续材料的制备与处理。与机械剥离法等其他方法相比，化学气相沉积法制备的硫化钨与基底之间直接结合更紧密，这有利于荧光材料的制备与处理。硫化钨单分子层厚薄膜是荧光材料发射荧光的核心部分，荧光是从硫化钨单分子层厚薄膜中发射出来。但是硫化钼分子层薄膜在使用过程中，会受到周围环境的影响，其发光性能和化学稳定性都会降低。在为了进一步提升硫化钨荧光发射性能，通过下述方法进一步处理。本发明通过旋涂法在硫化钨表面制备高分子层薄膜，高分子层薄膜具有在可见光范围内透光性高的特点，同时高分子层薄膜具有隔离水气、空气的性能。本发明采用电晕放电极化法在介电层中注入电荷。这种电荷注入法方法简单，易于操作。注入的电荷影响到硫化钨中带电激子的形成与发射，是提高硫化钨单分子层薄膜材料荧光发射强度的机制。
具体实施方式
实施例一：一种荧光材料的制备方法，该方法具体步骤是：
步骤(1).取WS2固体粉末3g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内。石英舟放置在石英管的中间位置。
步骤(2).将蓝宝石用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至700℃，升温速率为20℃/min。温度升至700℃后保温，保温时间为2min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜。
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料。
步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有PMMA薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至3千伏。电压保持时间为3min；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例二：一种荧光材料的制备方法，该方法具体步骤是：
步骤(1).取氧化钨与硫的混合物0.1g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内。石英舟放置在石英管的中间位置。
步骤(2).将氮化镓用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟25cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至1200℃，升温速率为25℃/min。温度升至1200℃后保温，保温时间为30min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为30℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜。
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂聚四氟乙烯溶液，聚四氟乙烯溶液在空气中干燥10分钟形成聚四氟乙烯薄膜涂覆在硫化钨表面，获得聚四氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜材料。
步骤(7)：将聚四氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将聚四氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有聚四氟乙烯薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至10千伏。电压保持时间为10min；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例三：
一种荧光材料的制备方法，该方法具体步骤是：
步骤(1).取金属钨和硫磺的混合物2g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内。石英舟放置在石英管的中间位置。
步骤(2).将石英玻璃用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟23cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气3min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至1000℃，升温速率为30℃/min。温度升至1000℃后保温，保温时间为180min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为50℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜。
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂聚偏氟乙烯溶液，聚偏氟乙烯溶液在空气中干燥30分钟形成聚偏氟乙烯薄膜涂覆在硫化钨表面，获得聚偏氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜材料。
步骤(7)：将聚偏氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将聚偏氟乙烯/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有聚偏氟乙烯薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至30千伏。电压保持时间为15min；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例四
一种荧光材料的制备方法，该方法具体步骤是：
步骤(1).取WS2固体粉末5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内。石英舟放置在石英管的中间位置。
步骤(2).将表面生长有氧化层的硅片用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟5cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气2min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至800℃，升温速率为25℃/min。温度升至800℃后保温，保温时间为100min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜。
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥18分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料。
步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有PMMA薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至16千伏。电压保持时间为9min；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例四：步骤(1)～步骤(6)与实施一完全相同，步骤(7)采用热极化；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例五：步骤(1)～步骤(6)与实施一完全相同，步骤(7)采用界面夹层极化；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例六：步骤(1)～步骤(6)与实施一完全相同，步骤(7)采用软X光极化；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例七：步骤(1)～步骤(6)与实施一完全相同，步骤(7)采用介质***极化；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。
实施例八：步骤(1)～步骤(6)与实施一完全相同，步骤(7)采用辐射极化；获得荧光增强的荧光复合薄膜材料。

Claims (6)

1.一种荧光材料的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤是：
步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位置；
步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；
步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；
步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；
步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜；
步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5～30分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料；
步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有PMMA薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至3千伏-30千伏；电压保持时间为3min-15min。
2.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法，其特征在于：上述步骤(1)所述WS2源为WS2固体粉末、氧化钨与硫的混合物或金属钨和硫磺的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法，其特征在于：上述步骤(2)所述基底为表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)、石英玻璃、氮化镓或蓝宝石；硅片的材料为SiO2或Si。
4.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法，其特征在于：上述步骤(6)所述的PMMA替换为驻极体性能的有机高分子薄膜材料或具有驻极体性能的无机材料。
5.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法，其特征在于：上述步骤(7)所述的电晕放电极化法替换为热极化、界面夹层极化、软X光极化、介质***极化辐射极化。
6.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法，其特征在于：所述的基底尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm。
CN201811123530.XA 2018-09-26 2018-09-26 一种荧光材料的制备方法 Active CN109321242B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811123530.XA CN109321242B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 一种荧光材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811123530.XA CN109321242B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 一种荧光材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109321242A true CN109321242A (zh) 2019-02-12
CN109321242B CN109321242B (zh) 2021-09-07

Family

ID=65265360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811123530.XA Active CN109321242B (zh) 2018-09-26 2018-09-26 一种荧光材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109321242B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110133770A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 中国科学院微电子研究所 纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法
CN110373718A (zh) * 2019-05-30 2019-10-25 杭州电子科技大学 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法
CN110862824A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 杭州电子科技大学 一种负载型钯锌量子点的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362252A (zh) * 2014-10-16 2015-02-18 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于二硫化钼薄膜的pvdf基铁电场效应管的制备方法
CN106449974A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 华南师范大学 基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
CN107557754A (zh) * 2017-07-21 2018-01-09 杭州电子科技大学 一种二硫化钨薄膜的制备方法
CN107768254A (zh) * 2017-10-17 2018-03-06 江苏大学 一种还原石墨烯电极MoS2场效应晶体管的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362252A (zh) * 2014-10-16 2015-02-18 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于二硫化钼薄膜的pvdf基铁电场效应管的制备方法
CN106449974A (zh) * 2016-10-14 2017-02-22 华南师范大学 基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
CN107557754A (zh) * 2017-07-21 2018-01-09 杭州电子科技大学 一种二硫化钨薄膜的制备方法
CN107768254A (zh) * 2017-10-17 2018-03-06 江苏大学 一种还原石墨烯电极MoS2场效应晶体管的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANA LAURA ELI´AS等: "Controlled Synthesis and Transfer of Large-Area WS2 Sheets: From Single Layer to Few Layers", 《ACS NANO》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110133770A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 中国科学院微电子研究所 纳米线栅结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法
CN110373718A (zh) * 2019-05-30 2019-10-25 杭州电子科技大学 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法
CN110862824A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 杭州电子科技大学 一种负载型钯锌量子点的制备方法
CN110862824B (zh) * 2019-10-30 2022-08-05 杭州电子科技大学 一种负载型钯锌量子点的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109321242B (zh) 2021-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bian et al. Nitrogen-doped graphene quantum dots for 80% photoluminescence quantum yield for inorganic γ-CsPbI 3 perovskite solar cells with efficiency beyond 16%
CN109321242A (zh) 一种荧光材料的制备方法
CN105826362B (zh) 一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法
Yang et al. Free‐standing 2D hexagonal aluminum nitride dielectric crystals for high‐performance organic field‐effect transistors
Ma et al. Thermal evaporation deposition of few-layer MoS 2 films
CN108075020B (zh) 一种基于铯铅卤钙钛矿薄膜材料的发光二极管及其制备方法
CN111312593B (zh) 一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法
CN104746137B (zh) 一种层状的二硫化钼薄膜的制备方法
Feng et al. Efficient all-inorganic perovskite light-emitting diodes enabled by manipulating the crystal orientation
Zhou et al. Low-temperature aqueous solution processed ZnO as an electron transporting layer for efficient perovskite solar cells
CN110158048A (zh) 在二维层状材料上生长超薄高质量氧化物薄膜的方法及其应用
CN108732791B (zh) 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法
Lepadatu et al. Study of Ge nanoparticles embedded in an amorphous SiO2 matrix with photoconductive properties
CN108258155A (zh) 一种调控和平衡全无机qled的载流子输运的方法
US20150345010A1 (en) Methods of magnetically enhanced physical vapor deposition
CN111129240A (zh) 一种提高氮化物led电流扩展能力的外延生长方法
JP2012512327A (ja) 低いエネルギーを有している粒子によって絶縁層を形成する方法
CN101299513A (zh) 电场诱导光抽运硅基氧化锌薄膜随机激光器及其制备方法
CN100366789C (zh) 纤锌矿结构Zn1－xMgxO半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法
CN108374200A (zh) 一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法
CN106920623A (zh) 一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法
Han et al. Photophysical and electrical properties of organic waveguide nanorods of perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride
Li et al. Fabrication of ZnO thin film and nanostructures for optoelectronic device applications
CN204644499U (zh) 一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长装置
Yang et al. Controlled fabrication of CsPbI2Br/transition metal dichalcogenide van der Waals heterostructure with fast carrier transfer process and interlayer exciton formation

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Lv Yanfei

Inventor after: Huang Feng

Inventor after: Li Jingzhou

Inventor after: Weng Jiaxin

Inventor after: Zhao Shichao

Inventor before: Lv Yanfei

Inventor before: Huang Feng

Inventor before: Weng Jiaxin

Inventor before: Zhao Shichao

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant