CN109300848B - 制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板，该方法的步骤是：在层间介质层上涂布光刻胶材料，并采用半色调光罩对光刻胶材料进行图案化处理，获得高度不同的第一平坦层，且使得第一平坦层对应于显示区的部分薄化；本发明通过半色调光罩对光刻胶材料进行图像化处理，使得第二平坦子层实现偏薄化，降低了第二平坦子层的厚度，缩小了第二源漏金属层与中性面的距离，当进行弯折时，有利于第二源漏金属层的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，特别涉及一种制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板。
背景技术
为了实现小尺寸手机的窄边框设计，使得手机具有更大的屏占比，业界尝试将边框区减小，针对减小边框宽度，最有效的办法是基板弯折技术，将屏幕的一部分走线区及驱动IC及FPC一起弯折到屏幕的背面,可有效减小下边框区域的宽度，若试图将边框区继续减小，就需要克服更多的问题，比如边框区减小，伴随着VSS，VDD走线区域变窄，IR drop(IR压降)会随之增加，面板均匀性变差。
为了克服此现象，主流方向是采用双层网状的SD(source drain)结构，此种设计可有效降低IR drop，改善面板均匀性。
如图1所示，柔性阵列基板包括柔性衬底111＇、设置在柔性衬底111＇上的阻挡层112＇、设置在阻挡层112＇上的缓冲层113＇、设置在缓冲层113＇的有源层12＇、设置在有源层12＇上第一绝缘层13＇、设置在第一绝缘层13＇上的栅极金属层14＇、设置在栅极金属层14＇上的第二绝缘层15＇、设置在所述第二绝缘层15＇的第一源漏金属层16＇、设置在第一源漏金属层16＇上的层间介质层17＇、设置在层间介质层17＇上的第一平坦层18＇和设置在第一平坦层上18＇的第二源漏金属层19＇；柔性衬底111＇包括显示区1a＇和弯折区1b＇。
其中，第一源漏金属层16＇和第二源漏金属层19＇形成双层网状结构，同时又能满足和栅极金属层14＇形成存储电容。
但是，由于第一平坦层18＇厚度较大，因此位于弯折区第二源漏金属层19＇以下的有机层较厚，导致第二源漏金属层19＇远离阵列基板的中性面，不利于弯折区弯折的稳定性。其中，中性面为弯折区进行弯曲时，受到的挤压力和拉伸力相等的平面。
发明内容
本发明实施例提供一种制作柔性阵列基板的方法和柔性阵列基板；以解决了现有的柔性阵列基板中第一源漏金属层和第二源漏金属层之间的第一平坦层厚度较大，不利于弯折区弯折的稳定性的技术问题。
本发明实施例提供一种制作柔性阵列基板的方法，所述柔性阵列基板包括衬底结构层，所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区，所述制作柔性阵列基板的方法步骤包括：
S1：在玻璃基板上形成所述衬底结构层；
S2：在所述衬底结构层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和第一源漏金属层；
S3：在所述第一源漏金属层上形成层间介质层，并在所述弯折区形成第一接触孔；
S4：在所述层间介质层上涂布光刻胶材料；
S5：采用半色调光罩对所述光刻胶材料进行图案化处理，获得高度不同的第一平坦层，所述第一平坦层填充所述第一接触孔，且使得所述第一平坦层对应于所述第一接触孔所在区域的部分薄化。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述第一平坦层包括对应于所述显示区的第一平坦子层和对应于所述第一接触孔的第二平坦子层；
所述第一平坦子层的高度大于所述第二平坦子层的高度。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述层间介质层的厚度介于
之间。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述步骤S3包括：
S31：在所述第一源漏金属层上沉积层间介质层；
S32：对所述层间介质层进行图像化处理，形成位于所述显示区的用于电性连接所述有源层的第一开孔和位于所述弯折区的第二开孔；
S33：在所述显示区中，对所述第一绝缘层、所述第二绝缘层对应于所述第一开孔的部分进行干刻蚀处理，使所述第一开孔连通至所述有源层，
在所述弯折区中，对所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述衬底结构层对应于所述第二开孔的部分进行干蚀刻处理，以形成第一接触孔。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述半色调光罩包括对应于所述第一接触孔所在区域的第一透光部、对应于所述显示区的第一开孔所在区域的第二透光部和对应于所述显示区其他区域的不透光部，所述第一透光部的透光率小于第二透光部的透光率，所述不透光部的透光率为0；
所述光刻胶材料为正性光刻胶材料，所述步骤S5包括：
S51：通过将所述第一透光部对应于所述弯折区所述第一接触孔的所在区域、将所述第二透光部对应于所述显示区所述第一开孔的所在区域和将所述不透光部对应于所述显示区的其他区域，并对所述光刻胶材料进行紫外光照处理；
S52：对所述光刻胶材料进行显影处理，获得第一平坦层对应于所述第一接触孔的第二平坦子层、对应于所述显示区的第一平坦子层、以及包含第一开孔的用于连接所述有源层和第二源漏金属层的第二接触孔。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述制作柔性阵列基板的方法步骤还包括：
S6：在所述第一平坦层上依次沉积第二源漏金属层、第二平坦层、阳极和像素定义层。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述栅极金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层的材料相同，且均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，所述步骤S1包括：
S11：在玻璃基板上形成柔性衬底；
S12：在所述柔性基板上形成阻挡层；
S13：在所述阻挡层上形成缓冲层。
所述柔性衬底的材料为PI或PET，所述缓冲层由SiNx或SiO2中的一种或两种的堆栈组合；
所述阻挡层的厚度为
所述缓冲层的厚度为
所述第一绝缘层的厚度为
所述第二绝缘层的厚度为
所述栅极金属层的厚度为
所述第一源漏金属层和第二源漏金属层的厚度均为
本发明还涉及一种柔性阵列基板，包括衬底结构层、设置在所述衬底结构层上的有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层、设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层上的第一源漏金属层，所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区，所述柔性阵列基板还包括：
层间介质层，设置在所述第一源漏金属层上；
第一接触孔，位于所述弯折区，贯穿所述层间介质层、第二绝缘层、第一绝缘层并延伸入所述衬底结构层内；
第一平坦层，设置在所述层间介质层上，且填充所述第一接触孔；
其中，所述第一平坦层包括对应于所述显示区的第一平坦子层和对应于所述第一接触孔所在区域的第二平坦子层，所述第一平坦子层的高度大于所述第二平坦子层的高度。
在本发明的柔性阵列基板，所述层间介质层的厚度介于
之间。
在本发明的柔性阵列基板，所述柔性阵列基板还包括设置在所述第一平坦层上的第二源漏金属层，
所述第二源漏金属层、第一源漏金属层和栅极金属层的材料结构相同，均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。
在本发明的柔性阵列基板中，所述衬底结构层包括柔性衬底、设置在所述柔性衬底上的阻挡层和设置在所述阻挡层上的缓冲层；
所述柔性衬底的材料为PI或PET，所述缓冲层由SiNx或SiO2中的一种或两种的堆栈组合；
所述阻挡层的厚度为
所述缓冲层的厚度为
所述第一绝缘层的厚度为
所述第二绝缘层的厚度为
所述栅极金属层的厚度为
所述第一源漏金属层和第二源漏金属层的厚度均为
在本发明的柔性阵列基板中，所述第一接触孔贯穿所述缓冲层和所述阻挡层。
在本发明的柔性阵列基板中，所述柔性阵列基板还包括一用于连通所述有源层和第二源漏金属层的第二接触孔，所述第二源漏金属层通过所述第二接触孔电性连接于所述有源层。
所述柔性阵列基板还包括设置在所述第二源漏金属层上的第二平坦层、设置在所述第二平坦层上的阳极和设置在所述阳极上的像素定义层。
相较于现有技术的柔性阵列基板，本发明的制作柔性阵列基板的方法和相应的柔性阵列基板通过半色调光罩对光刻胶材料进行图像化处理，使得第一平坦层在对应于弯折区的部分(第二平坦子层)实现偏薄化，降低了第二平坦子层的厚度，缩小了第二源漏金属层与中性面的距离，当进行弯折时，有利于第二源漏金属层的稳定性；
另外，由于层间介质层较薄，无法使得第一源漏金属层平坦化，因此第一平坦层还达到平坦化第一源漏金属层的效果；
解决了现有的柔性阵列基板中第一源漏金属层和第二源漏金属层之间的第一平坦层厚度较大，不利于弯折区弯折的稳定性的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本发明的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为现有技术的柔性阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的步骤流程图；
图3为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的步骤S3的步骤流程图；
图4为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的步骤S5的步骤流程图；
图5为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的完成步骤S2后的结构示意图；
图6为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的完成步骤S3后的结构示意图；
图7为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的完成步骤S5后的结构示意图；
图8为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的完成步骤S6后的结构示意图；
图9为本发明的柔性阵列基板的实施例的结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
请参照图2和图7，图2为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的步骤流程图；图7为本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例的完成步骤S5后的结构示意图。
本发明的实施例的一种制作柔性阵列基板的方法，其中柔性阵列基板包括衬底结构层11，衬底结构层11包括用于显示图像的显示区1a和位于显示区1a一侧的用于弯折的弯折区1b，制作柔性阵列基板的方法步骤包括：
S1：在玻璃基板上形成衬底结构层11；
S2：在衬底结构层11上依次形成有源层12、第一绝缘层13、栅极金属层14、第二绝缘层15和第一源漏金属层16；
S3：在第一源漏金属层16上形成层间介质层17，并在弯折区1b形成第一接触孔1c；
S4：在层间介质层17上涂布光刻胶材料；
S5：采用半色调光罩对所述光刻胶材料进行图案化处理，获得高度不同的第一平坦层18，且第一平坦层18填充第一接触孔1c且使得第一平坦层18对应于第一接触孔1c所在区域的部分薄化。
S6：在第一平坦层18上依次沉积第二源漏金属层19、第二平坦层101、阳极102和像素定义层103。
本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例中通过半色调光罩对第一平坦层18进行图像化处理，使得第一平坦层18在对应于弯折区的部分(第二平坦子层182)实现偏薄化，降低了第二平坦子层182的厚度，缩小了第二源漏金属层19与中性面的距离，当进行弯折时，有利于第二源漏金属层19的稳定性；
另外，由于层间介质层17较薄，无法使得第一源漏金属层16平坦化，因此第一平坦层18还达到平坦化第一源漏金属层16的效果。其中层间介质层17的厚度介于
之间，比如层间介质层17可以为
和
具体的，第一绝缘层13的厚度为
第二绝缘层15的厚度为
栅极金属层14的厚度为
第一源漏金属层16和第二源漏金属层19的厚度均为
栅极金属层14、第一源漏金属层16和第二源漏金属层19的材料相同，且均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。这样的设置，满***替走线材料阻值的差异最小化，更有利于信号的传输。当然栅极金属层14、第一源漏金属层16和第二源漏金属层19的材料也可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组成。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例中，第一平坦层18包括对应于显示区1a的第一平坦子层181和对应于第一接触孔1c的第二平坦子层182；
第一平坦子层181的高度大于第二平坦子层182的高度。
通过半色调光罩对第一平坦层18进行图像化处理，使得第二平坦子层182的高度小于第一平坦子层181，缩小了第二源漏金属层19于中性面的距离，进而提高了弯折区进行弯折时第二源漏金属层19的稳定性。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例中，请参照图3和图6，步骤S3包括：
S31：在第一源漏金属层16上沉积层间介质层17；
S32：对层间介质层17进行图像化处理，形成位于显示区1a的用于电性连接有源层12的第一开孔1d和位于弯折区1b的第二开孔；
S33：在显示区1a中，对第一绝缘层13、第二绝缘层15对应于第一开孔1d的部分进行干刻蚀处理，使第一开孔1d连通至有源层12，
在弯折区1b中，对第一绝缘层13、第二绝缘层15和衬底结构层11对应于第二开孔的部分进行干蚀刻处理，以形成第一接触孔1c。
其中，层间介质层17的材料为SiNx，主要起到二次补氢的作用，且层间介质层17的厚度较薄(介于
之间)，有利于电性的改善；也因为层间介质层17的厚度较薄，导致层间介质层17未能完成平坦化第一源漏金属层16，因此需要第一平坦层18将未能被层间介质层17完成平坦化的第一源漏金属层16继续平坦化，更有利于第二源漏金属层19的沉积。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中，请参照图4和图7，半色调光罩包括对应于第一接触孔1c所在区域的第一透光部、对应于显示区1a的第一开孔1d所在区域的第二透光部和对应于显示区1a其他区域的不透光部，第一透光部的透光率小于第二透光部的透光率，不透光部的透光率为0；
光刻胶材料为正性光刻胶材料，步骤S5包括：
S51：通过将第一透光部对应于弯折区1d第一接触孔1c的所在区域、将第二透光部对应于显示区1a第一开孔1d的所在区域和将不透光部对应于显示区1a的其他区域，并对光刻胶材料进行紫外光照处理；
S52：对光刻胶材料进行显影处理，获得第一平坦层18中对应于第一接触孔1c的第二平坦子层182、对应于显示区1a的第一平坦子层181、以及包含第一开孔1d的用于连接有源层12和第二源漏金属层19的第二接触孔。
其中，第一透光部的透光率小于第二透光部的透光率，第一透光部的透光率大于0，第一透光部和第二透光部由于受到光照的程度不同，导致光刻胶发生不同深浅程度的光解反应，第二透光部对应的光刻胶材料上的部分(第一开孔1d所在的区域)受到的光照量大，因而发生光解反应的深度也要高于第一透光部对应的弯折区1b的第一接触孔1c的部分(第一平坦子层182所在的区域)；不透光部对应光刻胶材料上的区域(第一平坦子层181所在的区域)由于未受到光照，而为发生分解反应。
因此，再经过显影过程时，发生光解反应的区域易被显影液侵蚀，从而形成不同高度的第一平坦层18，最后经过烘烤制程，光刻胶材料完全固化形成稳定的状态。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法的实施例中，步骤S1包括：
S11：在玻璃基板上形成柔性衬底111；
S12：在柔性基板上形成阻挡层112；
S13：在阻挡层112上形成缓冲层113。
其中，柔性衬底111的材料为PI或PET，缓冲层113由SiNx或SiO2中的一种或两种的堆栈组合；阻挡层112的厚度为
缓冲层113的厚度为
本发明还涉及一种柔性阵列基板，包括衬底结构层11、设置在衬底结构层11上的有源层12、设置在有源层12上的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的栅极金属层14、设置在栅极金属层14上的第二绝缘层15和设置在第二绝缘层15上的第一源漏金属层16，衬底结构层11包括用于显示图像的显示区1a和位于显示区1a一侧的用于弯折的弯折区1b，柔性阵列基板还包括：
层间介质层17，设置在第一源漏金属层16上；
第一接触孔1c，位于弯折区1b，贯穿层间介质层17、第二绝缘层15、第一绝缘层13并延伸入衬底结构层11内；
第一平坦层18，设置在层间介质层17上，且填充第一接触孔1c；
其中，第一平坦层18包括对应于显示区1a的第一平坦子层181和对应于第一接触孔1c所在区域的第二平坦子层182，第一平坦子层181的高度大于第二平坦子层182的高度。
其中，本实施例的柔性阵列基板由上述实施例的方法制成。
本实施例中通过半色调光罩对第一平坦层18进行图像化处理，使得第一平坦层18在对应于弯折区的第一接触孔所在区域的部分(第二平坦子层182)实现偏薄化，降低了第二平坦子层182的厚度，缩小了第二源漏金属层与中性面的距离，当进行弯折时，有利于第二源漏金属层的稳定性；
通过半色调光罩对第一平坦层18进行图像化处理，使得第二平坦子层182的高度小于第一平坦子层181，缩小了第二源漏金属层19于中性面的距离，进而提高了弯折区进行弯折时第二源漏金属层19的稳定性。
另外，由于层间介质层17较薄，无法使得第一源漏金属层16平坦化，因此第一平坦层18还达到平坦化第一源漏金属层16的效果。其中层间介质层17的厚度介于
之间，比如层间介质层17可以为
和
在本发明的柔性阵列基板的实施例中，柔性阵列基板还包括设置在第一平坦层18上的第二源漏金属层19，
第二源漏金属层19、第一源漏金属层16和栅极金属层14的材料结构相同，均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。这样的设置，满***替走线材料阻值的差异最小化，更有利于信号的传输。当然栅极金属层14、第一源漏金属层16和第二源漏金属层19的材料也可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组成。
在本发明的柔性阵列基板的实施例中，衬底结构层11包括柔性衬底111、设置在柔性衬底111上的阻挡层112和设置在阻挡层112上的缓冲层113；
柔性衬底111的材料为PI或PET，缓冲层113由SiNx或SiO2中的一种或两种的堆栈组合；
阻挡层112的厚度为
缓冲层113的厚度为
第一绝缘层13的厚度为
第二绝缘层15的厚度为
栅极金属层14的厚度为
第一源漏金属层16和第二源漏金属层19的厚度均为
在本发明的柔性阵列基板的实施利中，第一接触孔1c贯穿缓冲层113和阻挡层112。
在本发明的柔性阵列基板中，柔性阵列基板还包括一用于连通有源层12和第二源漏金属层19的第二接触孔，第二源漏金属层19通过第二接触孔电性连接于有源层12。
柔性阵列基板还包括设置在第二源漏金属层19上的第二平坦层101、设置在第二平坦层101上的阳极102和设置在阳极102上的像素定义层103。
相较于现有技术的柔性阵列基板，本发明的制作柔性阵列基板的方法和相应的柔性阵列基板通过半色调光罩对光刻胶材料进行图像化处理，使得第一平坦层在对应于弯折区的部分(第二平坦子层)实现偏薄化，降低了第二平坦子层的厚度，缩小了第二源漏金属层与中性面的距离，当进行弯折时，有利于第二源漏金属层的稳定性；
另外，由于层间介质层较薄，无法使得第一源漏金属层平坦化，因此第一平坦层还达到平坦化第一源漏金属层的效果；
解决了现有的柔性阵列基板中第一源漏金属层和第二源漏金属层之间的第一平坦层厚度较大，不利于弯折区弯折的稳定性的技术问题。
本发明尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本公开，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本公开包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。此外，尽管本公开的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，实施例前的序号，如“第一”、“第二”等仅为描述方便而使用，对本发明各实施例的顺序不造成限制。并且，上述实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种制作柔性阵列基板的方法，所述柔性阵列基板包括衬底结构层，所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区，其特征在于，所述制作柔性阵列基板的方法步骤包括：
S1：在玻璃基板上形成所述衬底结构层；
S2：在所述衬底结构层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和第一源漏金属层；
S3：在所述第一源漏金属层上形成层间介质层，并在所述弯折区形成第一接触孔；
S4：在所述层间介质层上涂布光刻胶材料；
S5：采用半色调光罩对所述光刻胶材料进行图案化处理，获得高度不同的第一平坦层，所述第一平坦层填充所述第一接触孔，且使得所述第一平坦层对应于所述第一接触孔所在区域的部分薄化；其中，
所述第一平坦层包括对应于所述显示区的第一平坦子层和对应于所述第一接触孔的第二平坦子层，所述第一平坦子层的高度大于所述第二平坦子层的高度。
2.根据权利要求1所述的制作柔性阵列基板的方法，其特征在于，所述层间介质层的厚度介于
之间。
3.根据权利要求1所述的制作柔性阵列基板的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
S31：在所述第一源漏金属层上沉积层间介质层；
S32：对所述层间介质层进行图像化处理，形成位于所述显示区的用于电性连接所述有源层的第一开孔和位于所述弯折区的第二开孔；
S33：在所述显示区中，对所述第一绝缘层、所述第二绝缘层对应于所述第一开孔的部分进行干刻蚀处理，使所述第一开孔连通至所述有源层，
在所述弯折区中，对所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述衬底结构层对应于所述第二开孔的部分进行干蚀刻处理，以形成第一接触孔。
4.根据权利要求1所述的制作柔性阵列基板的方法，其特征在于，所述半色调光罩包括对应于所述第一接触孔所在区域的第一透光部、对应于所述显示区的第一开孔所在区域的第二透光部和对应于所述显示区其他区域的不透光部，所述第一透光部的透光率小于第二透光部的透光率，所述不透光部的透光率为0；
所述光刻胶材料为正性光刻胶材料，所述步骤S5包括：
S51：通过将所述第一透光部对应于所述弯折区所述第一接触孔的所在区域、将所述第二透光部对应于所述显示区所述第一开孔的所在区域和将所述不透光部对应于所述显示区的其他区域，并对所述光刻胶材料进行紫外光照处理；
S52：对所述光刻胶材料进行显影处理，获得第一平坦层对应于所述第一接触孔的第二平坦子层、对应于所述显示区的第一平坦子层、以及包含第一开孔的用于连接所述有源层和第二源漏金属层的第二接触孔。
5.根据权利要求1所述的制作柔性阵列基板的方法，其特征在于，所述制作柔性阵列基板的方法步骤还包括：
S6：在所述第一平坦层上依次沉积第二源漏金属层、第二平坦层、阳极和像素定义层。
6.根据权利要求5所述的制作柔性阵列基板的方法，其特征在于，所述栅极金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层的材料相同，且均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。
7.一种柔性阵列基板，包括衬底结构层、设置在所述衬底结构层上的有源层、设置在所述有源层上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的栅极金属层、设置在所述栅极金属层上的第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层上的第一源漏金属层，所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区，其特征在于，所述柔性阵列基板包括：
层间介质层，设置在所述第一源漏金属层上；
第一接触孔，位于所述弯折区，贯穿所述层间介质层、第二绝缘层、第一绝缘层并延伸入所述衬底结构层内；
第一平坦层，设置在所述层间介质层上，且所述第一平坦层经图案化处理，以获得高度不同的第一平坦层，且所述第一平坦层填充所述第一接触孔，使得所述第一平坦层对应于所述第一接触孔所在区域的部分薄化；
其中，所述第一平坦层包括对应于所述显示区的第一平坦子层和对应于所述第一接触孔所在区域的第二平坦子层，所述第一平坦子层的高度大于所述第二平坦子层的高度。
8.根据权利要求7所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述层间介质层的厚度介于
之间。
9.根据权利要求7所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述柔性阵列基板还包括设置在所述第一平坦层上的第二源漏金属层，所述第二源漏金属层、第一源漏金属层和栅极金属层的材料结构相同，均为Ti、Al、Ti的堆栈组合结构。
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