CN109300831B - 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 - Google Patents
一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109300831B CN109300831B CN201811450009.7A CN201811450009A CN109300831B CN 109300831 B CN109300831 B CN 109300831B CN 201811450009 A CN201811450009 A CN 201811450009A CN 109300831 B CN109300831 B CN 109300831B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- connector
- magnetron sputtering
- coating machine
- protection device
- substrate transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 10
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，包括立杆和连接头，所述立杆的下方固定有通气管，且通气管的下方安装有防护罩，所述防护罩的内表面安装有出气盘，所述滑座的上方安装有支撑杆，所述连接头的下方与支撑杆的上端相互连接，且连接头的外侧通过承重架与承托盘相互连接，所述立杆的上端从下往上依次从连接头、承托盘和调控盒的表面贯穿，所述立杆的下端通过通气管与出气盘为贯通连接。该磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，在拾取基片时，拉杆带动活塞进行上下移动，起到了对基片进行散热的作用，并且当活塞向上移动时，防护罩内部的一瞬间的气体小于外界的气压，从而便于将基片吸出。
Description
技术领域
本发明涉及物电技术领域，具体为一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置。
背景技术
在高校的物电课堂中，半导体是非常重要的一门学科，在做半导体实验中吗，常常需要在实验室利用磁控溅射镀膜机对基片进行镀膜，在完成镀膜之后，还没有专门针对基片转移的装置，目前将基片从机器的内部转移出来的工作目前只能利用人手操作，带来了很多弊端，如：
1.在镀膜之后，基片温度很高，打开机器之后，需要静置冷却之后，再将基片取出，学生等待时间较长，影响实验进度；
2.放置在机器的内部，机体的桶身较高，学生需要俯趴在桶身上将手伸入机器内部取出基片，危险系数高，并且将基片小心翼翼取出时，由于身体重心不稳，手部颤动，容易造成指纹残留在基片的上表面，从而造成基片报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，对基片进行夹取时起到降温作用，并且不会对基片的表面造成污染，方便学生进行使用，提高了实验安全性，解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，包括立杆和连接头，所述立杆的下方固定有通气管，且通气管的下方安装有防护罩，所述防护罩的内表面安装有出气盘，且出气盘的下表面开设有出气口，所述防护罩的上表面开设有导向滑轨，且导向滑轨的内部安装有滑座，所述滑座的上方安装有支撑杆，所述连接头的下方与支撑杆的上端相互连接，且连接头的外侧通过承重架与承托盘相互连接，所述立杆的上端从下往上依次从连接头、承托盘和调控盒的表面贯穿，且连接头与立杆的外壁为垂直滑动连接，所述承托盘的上方安装有调控盒，且调控盒上表面的右端被第一把手贯穿，所述立杆的上端被拉杆贯穿安装，且拉杆的下端固定有活塞，所述立杆外侧上端安装有第二把手，且第二把手位于第一把手的左侧，所述立杆设置为中空的结构，且其的内壁与活塞构成滑动摩擦结构，所述立杆的下端通过通气管与出气盘为贯通连接。
优选的，所述立杆的外侧开设有螺纹，且螺纹与固定轮的内表面为咬合连接。
优选的，所述滑座与导向滑轨构成滑动结构，且该滑动结构在防护罩的表面等角度设置有3个。
优选的，所述滑座的下方安装有夹板，且夹板的内表面固定有导热硅胶垫。
优选的，所述夹板的内侧表面设置为倾斜的结构，且其的下端宽度小于上方的宽度。
优选的，所述支撑杆的上端设置为倾斜的结构，且其的上端与承托盘构成转动结构，并且支撑杆的下端与滑座构成转动结构。
优选的，所述连接头和承托盘的中心处均被立杆贯穿安装，且连接头和承托盘中心孔径大于螺纹的外径。
优选的，所述调控盒的内部安装有固定轮和转动齿轮，且固定轮的下端与承托盘的上表面为转动连接，所述固定轮的右侧连接有转动齿轮，且转动齿轮上表面的中心处安装有第一把手。
优选的，所述转动齿轮的外侧等角度设置有固定齿，且固定齿在转动齿轮的外侧分布有二分之一圈，并且固定齿在转动齿轮啮合连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，
1.设置有防护罩，在拾取基片时，首先将防护罩落在基片的上方，将基片包裹起来，并且当抽取拉杆时，拉杆带动活塞进行上下移动，对防护罩内部的空气进行流通，起到了对基片进行散热的作用，避免基片取出之后依旧很烫手，并且当活塞向上移动时，防护罩内部的一瞬间的气体小于外界的气压，从而便于将基片吸出，便于基片进入防护罩的内部；
2.夹板的侧面设置为倾斜的结构，从而夹板内腔的内径从下到下逐渐增大，从而当夹板向内部移动时，夹板对基片的侧面进行包裹夹持，避免对基片的上表面造成污染，并且设置有导热硅胶垫，在与基片接触时，起到了保护的作用；
3.固定齿在转动齿轮外侧排列的周长小于转动齿轮周长的二分之一，并且转动齿轮的半径小于固定轮的半径，从而当第一把手进行转动时，固定轮起到了减速的作用，使得固定轮转动的速度小于转动齿轮的速度，
4.固定轮的内表面与在立杆外侧为螺纹咬合连接，当固定轮转动时，其在立杆的外侧进行向上移动，从而支撑杆上端向上移动，使得支撑杆的下端带动滑座在滑轨中向内移动，使得夹板闭合，并且由于固定轮转速慢，即上升速度慢，夹板闭合的速度慢，避免闭合过快导致基片破裂。
附图说明
图1为发明整体结构示意图；
图2为发明防护罩内部结构示意图；
图3为发明滑座与导向滑轨安装结构示意图；
图4为发明防护罩内部结构示意图；
图5为发明调控盒内部结构示意图；
图6为发明调控盒俯视结构示意图；
图7为发明立杆与拉杆安装结构示意图；
图8为发明支撑杆闭合结构示意图。
图中：1、立杆；2、通气管；3、防护罩；4、出气盘；5、出气口；6、夹板；7、导热硅胶垫；8、滑座；9、导向滑轨；10、支撑杆；11、连接头； 12、承重架；13、承托盘；14、调控盒；15、固定轮；16、转动齿轮；17、第一把手；18、拉杆；19、活塞；20、固定齿；21、第二把手；22、螺纹。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于发明保护的范围。
请参阅图1-8，本发明提供一种技术方案：一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，包括立杆1、通气管2、防护罩3、出气盘4、出气口5、夹板6、导热硅胶垫7、滑座8、导向滑轨9、支撑杆10、连接头11、承重架12、承托盘13、调控盒14、固定轮15、转动齿轮16、第一把手17、拉杆18、活塞 19、固定齿20、第二把手21和螺纹22，立杆1的下方固定有通气管2，且通气管2的下方安装有防护罩3，防护罩3的内表面安装有出气盘4，且出气盘 4的下表面开设有出气口5，防护罩3的上表面开设有导向滑轨9，且导向滑轨9的内部安装有滑座8，滑座8的上方安装有支撑杆10，连接头11的下方与支撑杆10的上端相互连接，且连接头11的外侧通过承重架12与承托盘13 相互连接，立杆1的上端从下往上依次从连接头11、承托盘13和调控盒14 的表面贯穿，且连接头11与立杆1的外壁为垂直滑动连接，承托盘13的上方安装有调控盒14，且调控盒14上表面的右端被第一把手17贯穿，立杆1 的上端被拉杆18贯穿安装，且拉杆18的下端固定有活塞19，立杆1外侧上端安装有第二把手21，且第二把手21位于第一把手17的左侧，立杆1设置为中空的结构，且其的内壁与活塞19构成滑动摩擦结构，立杆1的下端通过通气管2与出气盘4为贯通连接。
立杆1的外侧开设有螺纹22，且螺纹22与固定轮15的内表面为咬合连接，固定轮15转动时，带动立杆1外侧的螺纹22进行转动，即固定轮15顺着立杆1的外表面向上移动，起到了改变支撑杆10角度的作用。
滑座8与导向滑轨9构成滑动结构，且该滑动结构在防护罩3的表面等角度设置有3个，从而3个滑座8的上方安装有支撑杆10，3个支撑杆10在立杆1的外侧进行转动，提高了稳定性。
滑座8的下方安装有夹板6，且夹板6的内表面固定有导热硅胶垫7，3 个滑座8的下方均安装有夹板6，从而3个夹板6同时在防护罩3的内部进行移动，便于收拢，从而对基片夹紧。
夹板6的内侧表面设置为倾斜的结构，且其的下端宽度小于上方的宽度，从而基片卡在夹板6的内侧表面。
支撑杆10的上端设置为倾斜的结构，且其的上端与承托盘13构成转动结构，并且支撑杆10的下端与滑座8构成转动结构，支撑杆10的上端随着连接头11的上升而转动，便于改变支撑杆10的角度，提高支撑杆10的稳定性。
连接头11和承托盘13的中心处均被立杆1贯穿安装，且连接头11和承托盘13中心孔径大于螺纹22的外径，固定轮15的中心顺着螺纹22而向上移动，由于连接头11的内径大于螺纹22，从而连接头11可自由的向上移动，不会被螺纹22卡住。
调控盒14的内部安装有固定轮15和转动齿轮16，且固定轮15的下端与承托盘13的上表面为转动连接，固定轮15的右侧连接有转动齿轮16，且转动齿轮16上表面的中心处安装有第一把手17，当固定轮15转动时，固定轮 15在调控盒14内部为转动结构，当固定轮15转动时，调控盒14始终为垂直向上移动。
转动齿轮16的外侧等角度设置有固定齿20，且固定齿20在转动齿轮16 的外侧分布有二分之一圈，并且固定齿20在转动齿轮16啮合连接，转动齿轮16转动一圈时，固定轮15转动的周长较小，从而固定轮15上移的高度较小，避免支撑杆10收缩较大导致的基片破裂。
工作原理：打开磁控溅射镀膜机之后，将该装置放入到磁控溅射镀膜机的内部，手持第二把手21，将防护罩3放在基片的上方，随后向上抽拉拉杆 18，拉杆18带动下方的活塞19向上移动，立杆1将防护罩3下方的空气通过出气口5抽至出气盘4的内部，最终空气进入立杆1的内部，并且外置的空气通过导向滑轨9进入防护罩3的内部，随后重新向下压拉杆18，活塞19 将立杆1内部的空气重新排出，加速空气的流通，起到了散热的作用，降低基片的温度；
当需要将基片从机器的内部转移出来，首先调整夹板6的内径，即手持第一把手17进行转动，第一把手17带动转动齿轮16进行转动，从而转动齿轮16带动表面的固定齿20进行转动，当固定齿20与固定轮15外侧的固定齿20卡合时，即转动齿轮16带动固定轮15进行转动，从而固定轮15转动的弧长等于固定轮15表面被固定齿20覆盖的弧长，当固定轮15在立杆1的外侧转动时，固定轮15内表面顺着螺纹22向上移动，由于连接头11与立杆 1为滑动连接，从而使得固定轮15在承托盘13的上方转动，并且承托盘13 在立杆1的外侧为垂直滑行，当连接头11向上移动时，带动支撑杆10向上移动，从而支撑杆10的下端带动滑座8在导向滑轨9上向内移动，同时滑座 8带动夹板6向内移动，从而夹板6的内径逐渐减小，直至夹板6的最大内径大于基片的半径，并且夹板6上端的内径小于基片的内径，此时松开第一把手17；
将防护罩3扣在基片的外侧，并且防护罩3的下方与机器的内壁接触，之后将拉杆18向上抽，防护罩3内部的气压减小，从而基片向上移动，基片的侧面卡在导热硅胶垫7的表面，之后继续转动第一把手17，使得承托盘13 微转动，从而导热硅胶垫7对基片进一步的夹紧，并且导热硅胶垫7将基片的热量进行传导，降低基片的热量，之后将立杆1向上抬起，使得立杆1下端与机器内壁失去接触，再次拉动拉杆18数次，对基片进行散热；
随后将该装置从机器中取出，反向转动第一把手17，最终夹板6张开，基片从夹板6内部掉落，增加了整体的实用性。
本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，包括立杆(1)和连接头(11)，其特征在于：所述立杆(1)的下方固定有通气管(2)，且通气管(2)的下方安装有防护罩(3)，所述防护罩(3)的内表面安装有出气盘(4)，且出气盘(4)的下表面开设有出气口(5)，所述防护罩(3)的上表面开设有导向滑轨(9)，且导向滑轨(9)的内部安装有滑座(8)，所述滑座(8)的上方安装有支撑杆(10)，所述连接头(11)的下方与支撑杆(10)的上端相互连接，且连接头(11)的外侧通过承重架(12)与承托盘(13)相互连接，所述立杆(1)的上端从下往上依次从连接头(11)、承托盘(13)和调控盒(14)的表面贯穿，且连接头(11)与立杆(1)的外壁为垂直滑动连接，所述承托盘(13)的上方安装有调控盒(14)，且调控盒(14)上表面的右端被第一把手(17)贯穿，所述立杆(1)的上端被拉杆(18)贯穿安装，且拉杆(18)的下端固定有活塞(19)，所述立杆(1)外侧上端安装有第二把手(21)，且第二把手(21)位于第一把手(17)的左侧，所述立杆(1)设置为中空的结构，且其的内壁与活塞(19)构成滑动摩擦结构，所述立杆(1)的下端通过通气管(2)与出气盘(4)为贯通连接。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述立杆(1)的外侧开设有螺纹(22)，且螺纹(22)与固定轮(15)的内表面为咬合连接。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述滑座(8)与导向滑轨(9)构成滑动结构，且该滑动结构在防护罩(3)的表面等角度设置有3个。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述滑座(8)的下方安装有夹板(6)，且夹板(6)的内表面固定有导热硅胶垫(7)。
5.根据权利要求4所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述夹板(6)的内侧表面设置为倾斜的结构，且其的下端宽度小于上方的宽度。
6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述支撑杆(10)的上端设置为倾斜的结构，且其的上端与承托盘(13)构成转动结构，并且支撑杆(10)的下端与滑座(8)构成转动结构。
7.根据权利要求2所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述连接头(11)和承托盘(13)的中心处均被立杆(1)贯穿安装，且连接头(11)和承托盘(13)中心孔径大于螺纹(22)的外径。
8.根据权利要求1所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述调控盒(14)的内部安装有固定轮(15)和转动齿轮(16)，且固定轮(15)的下端与承托盘(13)的上表面为转动连接，所述固定轮(15)的右侧连接有转动齿轮(16)，且转动齿轮(16)上表面的中心处安装有第一把手(17)。
9.根据权利要求8所述的一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置，其特征在于：所述转动齿轮(16)的外侧等角度设置有固定齿(20)，且固定齿(20)在转动齿轮(16)的外侧分布有二分之一圈，并且固定齿(20)在转动齿轮(16)啮合连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811450009.7A CN109300831B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811450009.7A CN109300831B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109300831A CN109300831A (zh) | 2019-02-01 |
| CN109300831B true CN109300831B (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=65142013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811450009.7A Active CN109300831B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109300831B (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05186291A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | Murata Mfg Co Ltd | 液相エピタキシャル成長装置 |
| JPH1071587A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Nec Kyushu Ltd | 吸着パッド |
| KR100928674B1 (ko) * | 2009-04-07 | 2009-11-27 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 비접촉 석션 그립핑 장치 및 이를 갖는 비접촉 석션 그립핑 프레임 |
| DE102015213818A1 (de) * | 2015-07-22 | 2017-01-26 | Asys Automatisierungssysteme Gmbh | Vorrichtung zur Handhabung von flachen Substraten |
| CN206725957U (zh) * | 2017-05-10 | 2017-12-08 | 刘鹏 | 放射科用胶片抓取器 |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811450009.7A patent/CN109300831B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109300831A (zh) | 2019-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN210866132U (zh) | 一种热处理退火炉的密封结构 | |
| CN109300831B (zh) | 一种磁控溅射镀膜机用基片转移保护装置 | |
| CN109987556A (zh) | 一种电力设备维修的水泥电线杆爬升运输装置 | |
| WO2022160546A1 (zh) | 一种立式氧化炉摆动炉门装置及立式氧化炉 | |
| CN210282205U (zh) | 一种齿轮箱装配用夹持紧固装置 | |
| CN214643467U (zh) | 一种可快速夹持电子元器件的安装操作台 | |
| CN214126838U (zh) | 一种用于茶叶烘干设备 | |
| CN212277011U (zh) | 一种新型的电磁离合器线圈绕制装置 | |
| CN208342723U (zh) | 一种软管固定销装配工装 | |
| CN212690425U (zh) | 一种办公用吹风装置支架 | |
| CN220994173U (zh) | 一种光学主体加工专用夹具 | |
| CN219845875U (zh) | 一种具有补光灯调节机构的动漫展示装置 | |
| CN221134050U (zh) | 一种提高挡渣率的挡渣锥装置 | |
| CN221134976U (zh) | 一种门窗制造的框架夹紧工装 | |
| CN219117500U (zh) | 一种封头加工淬火冷却装置 | |
| CN218018186U (zh) | 一种用于安装隔热板的辅助定位装置 | |
| CN221061516U (zh) | 一种可调节高度的放置架 | |
| CN219367535U (zh) | 一种稳定性强的led照明灯 | |
| CN220068178U (zh) | 一种smt贴片定位装置 | |
| CN220991521U (zh) | 一种铝合金材料镀膜装置 | |
| CN220980532U (zh) | 一种力平衡式弹簧支吊架 | |
| CN207525273U (zh) | 一种摩托车配件退火设备 | |
| CN220238981U (zh) | 一种铝合金喷涂装置 | |
| CN217052318U (zh) | 一种真空热处理炉的加热机构 | |
| CN216204670U (zh) | 一种用于面包冷却的冷却塔 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240131 Address after: 230000 floor 1, building 2, phase I, e-commerce Park, Jinggang Road, Shushan Economic Development Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee after: Dragon totem Technology (Hefei) Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 415000 3150 Dongting Road, Wuling District, Changde, Hunan Patentee before: HUNAN University OF ARTS AND SCIENCE Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240709 Address after: Room 1502, Commercial Office Building 3 #, Plot B8, Laimeng Duhui Community Commercial Center, No. 666 Huizhan Road, Honggutan District, Nanchang City, Jiangxi Province, China 330000 Patentee after: Nanchang Sansheng Semiconductor Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 230000 floor 1, building 2, phase I, e-commerce Park, Jinggang Road, Shushan Economic Development Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee before: Dragon totem Technology (Hefei) Co.,Ltd. Country or region before: China |