CN109300499B - 数据存储电路及数据读写方法、阵列基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种数据存储电路，包括至少一个阻变单元；在经过不同电流的置位过程后，所述阻变单元能够形成不同的电阻值以作为数据进行存储。本发明还公开了一种阵列基板、显示装置和数据写入方法、数据读取方法。本发明提供的数据存储电路及其数据读写方法、阵列基板、显示装置，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

Description

数据存储电路及数据读写方法、阵列基板、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种数据存储电路及其数据读写方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

目前液晶显示器在显示面板工厂的生产过程中，通常会通过激光标识金属膜层(二维码)等方式记录面板ID信息；但在显示面板减薄后，由于凹点/脏污等外观原因，导致在显示模组工厂无法正常读取面板ID信息。

但是，前述的二维码因为读取方式的原因，必须暴露出来，而不能隐藏在显示面板中，使得需要在显示面板上额外留出设置二维码的位置。而现在的显示器产品在设计时，越来越追求窄边框化，部分产品由于边框过窄，导致前述的二维码无法在窄边框上进行放置，或者虽能放置但是二维码读取较为困难等问题。

同时，在模组生产过程中，模组工厂也需要通过生成模组ID信息的形式记录模组生产数据；如果没有实时记录生产信息(如不良(NG)、良品(OK)、NG位置、NG原因、传感器(Sensor)数据等)的功能，客户端发生的不良品则很难追溯生产源头。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的之一在于，提出一种数据存储电路及其数据读写方法、阵列基板、显示装置，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种数据存储电路，包括至少一个阻变单元；在经过不同电流的置位过程后，所述阻变单元能够形成不同的电阻值以作为数据进行存储。

可选的，所述数据存储电路，包括至少一个存储单元；所述存储单元包括至少一个薄膜晶体管和至少一个所述阻变单元；所述阻变单元在所述薄膜晶体管的开关控制下完成数据写入和/或读取。

可选的，所述存储单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一阻变单元和第二阻变单元；所述第一薄膜晶体管的控制极和第二薄膜晶体管的第一极均连接第一信号线，所述第二薄膜晶体管的控制极和第一薄膜晶体管的第一极均连接第二信号线，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述第一阻变单元的第一端，所述第二薄膜晶体管的第二极连接所述第二阻变单元的第一端，所述第一阻变单元的第二端和所述第二阻变单元的第二端均连接第三信号线。

可选的，所述数据存储电路包括N行M列的存储单元阵列；其中，同一列存储单元的第一薄膜晶体管的控制极和第二薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一行存储单元的第二薄膜晶体管的控制极和第一薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一列的第一阻变单元的第二端均连接同一条信号线，同一行的第二阻变单元的第二端均连接同一条信号线。

可选的，所述薄膜晶体管包括栅绝缘层和源漏极，所述阻变单元包括金属基底、绝缘层和金属电极；所述栅绝缘层与所述阻变单元的绝缘层为同一层，所述源漏极所在的膜层与所述金属电极为同一层或与所述金属基底为同一层。

可选的，所述阻变单元包括金属基底、绝缘层和金属电极；所述金属基底的制作材料为Al、Cu、Ti或Mo，所述绝缘层的制作材料为氧化硅，所述金属电极的制作材料为Al、Cu、Ti或Mo。

本发明实施例的第二个方面，提供了一种阵列基板，包括如前任一项所述的数据存储电路，所述数据存储电路用于存储所述阵列基板的生产信息。

可选的，所述阵列基板用于与彩膜基板对盒形成液晶盒，所述彩膜基板包括第一遮光层和色阻，所述第一遮光层用于遮挡除通过所述色阻之外的其他光线；在所述阵列基板与彩膜基板对盒后，所述数据存储电路位于所述第一遮光层的正投影中。

可选的，所述阵列基板包括第二遮光层和薄膜晶体管阵列，所述第二遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述薄膜晶体管阵列中的有源层；所述阻变单元包括金属基底；所述金属基底与所述第二遮光层为同一层。

本发明实施例的第三个方面，提供了一种显示装置，其特征在于，包括如前任一项所述的阵列基板。

本发明实施例的第四个方面，提供了一种如前任一项所述的数据存储电路的数据写入方法，包括：

获取待存储数据；

分析所述待存储数据，并将其转换为相应阻变单元的电阻值；

根据所述电阻值确定对应阻变单元的置位电流，并对该阻变单元输入该置位电流完成置位。

本发明实施例的第五个方面，提供了一种如前任一项所述的数据存储电路的数据读取方法，包括：

读取阻变单元的电阻值；

根据电阻值与存储数据的对应关系，将所述电阻值转换为存储数据。

从上面所述可以看出，本发明实施例提供的数据存储电路及其数据读写方法、阵列基板、显示装置，通过设置阻变单元并利用其在不同电流置位后能够形成不同的电阻值的特性，将所述阻变单元作为存储数据的器件，使得用于存储数据的数据存储电路，可以在后续通过读取电路中阻变单元的阻值而转换得到其所存储的数据，而无需通过物理识别(如激光扫描)的方式去获取存储数据。这样，通过特别设计的数据存储电路存储/读取信息，可以不再使用现有技术中所采用光学二维码，避免在生产中导致的二维码不良，同时也无需额外为二维码留出暴露空间，进而可以实现显示装置的窄边框化。

附图说明

图1为本发明实施例中阻变单元的结构示意图；

图2为本发明实施例中存储单元的一个实施例的结构示意图；

图3为本发明实施例中存储单元的另一个实施例的结构示意图；

图4为本发明实施例中数据存储电路的结构示意图；

图5a为本发明实施例中数据存储电路的数据写入波形示意图；

图5b为本发明实施例中数据存储电路的又一数据写入波形示意图；

图5c为本发明实施例中数据存储电路的复位波形示意图；

图5d为本发明实施例中数据存储电路的又一复位波形示意图；

图6为本发明实施例中阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例中数据写入方法的流程示意图；

图8为本发明实施例中数据读取方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。

本发明实施例的第一个方面，提供了一种数据存储电路，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

所述数据存储电路，包括至少一个阻变单元；在经过不同电流的置位过程后，所述阻变单元能够形成不同的电阻值以作为数据进行存储。

本发明前述实施例，通过设置阻变单元并利用其在不同电流置位后能够形成不同的电阻值的特性，将所述阻变单元作为存储数据的器件，使得用于存储数据的数据存储电路，可以在后续通过读取电路中阻变单元的阻值而转换得到其所存储的数据，而无需通过物理识别(如激光扫描)的方式去获取存储数据。这样，通过特别设计的数据存储电路存储/读取信息，可以不再使用现有技术中所采用光学二维码，避免在生产中导致的二维码不良，同时也无需额外为二维码留出暴露空间，进而可以实现显示装置的窄边框化。

可选的，如图1a所示，所述阻变单元包括金属基底21、绝缘层22和金属电极23，所述金属基底21、绝缘层22和金属电极23形成三明治结构。在所述阻变单元激活时(置位电压4.4V)，其可写入4种阻态(如表1所示)：当限制电流为1mA时，第一阻态的电阻约为250Ω；当限制电流为10μA时，第二阻态的电阻约为19kΩ；当限制电流为1μA时，第三阻态的电阻约为1.7MΩ；对应的，所有阻态复位(复位电压-0.7V)后的阻态为第四阻态，其电阻约为100MΩ。具体数据如图1b所示。这样，当在置位电压(或复位电压)和不同限制电流的控制下，所述阻变单元的电阻可以相应地进行变化，并且，各阻态的阻值呈指数变化，能够得到明显区分，从而可利用不同阻态指代不同信息，进而达到存储不同数据的目的。

表1阻变单元的阻态

阻态	电阻值	电压	电流
				第一阻态	250Ω	4.4V	1mA
第二阻态	19kΩ	4.4V	10μA
				第三阻态	1.7MΩ	4.4V	1μA
第四阻态	100MΩ	-0.7V	——

可选的，所述阻变单元可参考阻变存储器(resitive switching random accessmemory，RRAM)的原理进行设计。其中，所述金属基底21的制作材料可为Al、Cu、Ti或Mo，厚度可约为

所述绝缘层22的制作材料可为氧化硅，厚度可约为

所述金属电极23的制作材料可为Al、Cu、Ti或Mo，厚度可约为

且所述金属电极23为圆柱形时，其直径可约为

当然，可以知道，根据实际产品需求可对最佳膜层厚度/材质进行试验，从而得到更为适宜的厚度、材质等，而无需将其规格限于本发明实施例中所列举的参数。

作为本发明的一个实施例，所述数据存储电路，包括至少一个存储单元；所述存储单元包括至少一个薄膜晶体管T(N型、P型均可)和至少一个所述阻变单元R，如图2所示，所述薄膜晶体管T的漏极(Drain)串联所述阻变单元R，使得所述阻变单元R在所述薄膜晶体管T的开关控制下完成数据写入和/或读取。

作为本发明的一个实施例，所述薄膜晶体管T包括栅绝缘层(GI)和源漏极(SD)，所述阻变单元R包括金属基底、绝缘层和金属电极；所述栅绝缘层与所述阻变单元的绝缘层为同一层，所述源漏极所在的膜层与所述金属电极为同一层或与所述金属基底为同一层。这样，使得所述薄膜晶体管T的部分层级结构能够与所述阻变单元R的部分层级结构同时制作，从而能够节省制造工艺，提升效率；同时，也使本发明实施例所做的改进不对显示装置的整体制作工艺产生较大的影响。

可选的，前述的同层制作工艺，可以针对某些型号的显示装置的掩膜版(Mask)透光区进行调整，从而通过一次构图工艺实现同层制作；其中，金属材质Mo、Al、Ti等可以是现有显示装置制作工艺中已有的靶材，如果需要可以增加替换金属靶材，包括不限于Cu、Ag、Pt等。

作为本发明的一个实施例，如图3所示，所述存储单元10包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第一阻变单元R1和第二阻变单元R2；所述第一薄膜晶体管T1的控制极和第二薄膜晶体管T2的第一极均连接第一信号线D1，所述第二薄膜晶体管T2的控制极和第一薄膜晶体管T1的第一极均连接第二信号线G2，所述第一薄膜晶体管T1的第二极连接所述第一阻变单元R1的第一端，所述第二薄膜晶体管T2的第二极连接所述第二阻变单元R2的第一端，所述第一阻变单元R1的第二端和所述第二阻变单元R2的第二端连接第三信号线GND。

可以看出，本实施例中的存储单元中的第一薄膜晶体管T1和第一阻变单元R1为一组，第二薄膜晶体管T2与第二阻变单元R2为一组；当第一信号线D1输入开启信号时，第一薄膜晶体管T1打开，而同时第二信号线G1输入的置位信号或复位信号经第一薄膜晶体管T1输入到第一阻变单元R1，从而改变其电阻值；当第二信号线G1输入开启信号时，第二薄膜晶体管T2打开，而同时第一信号线D1输入的置位信号或复位信号经第二薄膜晶体管T2输入到第二阻变单元R2，从而改变其电阻值。

由于每个阻变单元存在4个阻态，两个阻变单元的4个阻态通过排列组合能够得到不同顺序的组合共16种，从而一个存储单元可以记录16进制的字符(如表2所示)。这样做的好处在于，通常在记录生产信息时，是采用10进制，这样能够实现16进制的存储单元，能够满足记录10进制数据的需要。同时，采用这种结构，使得第一信号线D1和第二信号线G1能够被两个阻变单元所复用，从而节省了引脚。

表2存储单元对应存储的字符

作为本发明的一个实施例，所述数据存储电路，包括N行M列的存储单元11的阵列；其中，同一列存储单元的第一薄膜晶体管的控制极和第二薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一行存储单元的第二薄膜晶体管的控制极和第一薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一列的第一阻变单元的第二端均连接同一条信号线，同一行的第二阻变单元的第二端均连接同一条信号线。通过这样的电路设计，采用分时驱动方式，即可实现整个数据存储电路的数据写入/读取，还能同时节省引脚数量。其中，所述阻变单元的第二端均接地，在实际应用时，也可以接同一条GND信号线。

例如，如图4所示的数据存储电路，包括4行4列共4×4个存储单元，每个D信号线与G信号线的交汇处设置一个存储单元，GND信号线穿插其中接阻变单元的接地端。这样，由于一个存储单元11能够实现16进制的字符编码，4×4棋盘式数据存储电路则可以组成16位的十六进制字符串，能够满足基础的数据存储需求。当然，根据实际需要，还可以增加D/G信号线的数量以提高存储的字符数量，例如行列关系为5×5、5×6、6×6等等。

图5a所示为G信号线为开启信号，D信号线为输入信号的数据写入驱动波形图(以N型晶体管为例)；图5b所示为D信号线为开启信号，G信号线为输入信号的数据写入驱动波形图(以N型晶体管为例)。采用分时驱动方式，则可实现数据存储电路中每个阻变单元的置位。需要注意的是，由于阻变单元的电阻与其中输入的限制电流的大小相关，因此，根据对应的阻变单元所需存储的电阻值(对应存储数据字符)，其在置位时的电流不同。对于电流的输入值，可以依赖于外部的信号输入设备进行设定，在输入置位电压时输入能够保证形成相应电阻值所需的限制电流。需要注意的是，图5a和图5b是以每个阻变单元均需置位而提供的波形图，而如若有的阻变单元需要被设定为第四阻态时，则需要利用复位电压(-0.7V)对其进行处理。

图5c所示为G信号线为开启信号，D信号线为复位信号的复位波形图(以N型晶体管为例)；图5d所示为D信号线为开启信号，G信号线为复位信号的复位波形图(以N型晶体管为例)。这里，复位的作用在于，可以将已经写入的数据进行擦除，从而写入新的信号，使得所述数据存储电路能够被重复利用。

本发明实施例的第二个方面，提供了一种阵列基板，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

所述阵列基板，包括如前所述数据存储电路的任意实施例，所述数据存储电路用于存储与阵列基板相关的生产信息。

本发明实施例所提供的阵列基板，通过设置阻变单元并利用其在不同电流置位后能够形成不同的电阻值的特性，将所述阻变单元作为存储数据的器件，使得用于存储数据的数据存储电路，可以在后续通过读取电路中阻变单元的阻值而转换得到其所存储的数据，而无需通过物理识别(如激光扫描)的方式去获取存储数据。这样，通过特别设计的数据存储电路存储/读取信息，可以不再使用现有技术中所采用光学二维码，避免在生产中导致的二维码不良，同时也无需额外为二维码留出暴露空间，进而可以实现显示装置的窄边框化。特别地，还可以配合覆晶薄膜(Chip On Film，COF)技术实现无边框。

作为本发明的一个实施例，所述数据存储电路可以设置在所述阵列基板的任意空闲位置。相较于现有技术中的二维码需要暴露在外的特性，本发明实施例中的数据存储电路可以设置在所述阵列基板的任意空闲位置(只要足以放下所述数据存储电路并便于其设置相应走线即可)，从而不会增加阵列基板的尺寸，还能使阵列基板实现窄边框。

通常液晶显示装置在制作时，需要阵列基板和彩膜基板对盒后形成液晶盒，而所述彩膜基板包括第一遮光层和色阻(包括RGB三色)，所述第一遮光层(通常为黑矩阵层BM)用于遮挡除通过所述色阻之外的其他光线，以防止漏光和相邻色阻之间产生混光。因此，较佳的，在所述阵列基板与彩膜基板对盒后，所述数据存储电路位于所述第一遮光层的正投影中，从而在最终形成的液晶显示装置中，无需为了美观而利用额外的材料对所述数据存储电路进行遮挡，所述第一遮光层即可完成对所述数据存储电路进行遮挡的作用。同时，由于无需额外遮挡，在设置所述数据存储电路时，也不会对液晶显示装置的开口率产生影响。

可选的，如图6所示，所述数据存储电路设置在所述阵列基板的靠近扇出区一侧的任一角落处(图6中阵列基板的左上角或右上角均可)，同时，如图6所示，所述数据存储电路10的引线可以通过阵列基板的扇出区30连接至显示装置的驱动芯片(IC)或柔性电路板(Flexible Printed Circuit Board，FPC)的绑定引脚(Bonding Pin)，从而利用显示装置的外部电路结构实现相应的数据写入/读取。

作为本发明的一个实施例，所述阵列基板包括用于对背光源进行遮挡的第二遮光层和薄膜晶体管阵列，所述第二遮光层(通常为LS)用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线(通常为液晶显示装置的背光源入射的光线)，以防止其照射所述薄膜晶体管阵列中的有源层(因为有源层被光线照射后会产生光生载流子，其会影响薄膜晶体管本身的工作性能)，所述阻变单元包括金属基底；所述金属基底与所述第二遮光层为同一层。可选的，所述第二遮光层为阵列基板的基底(substrate)上设置的第一层膜层，主要用于对背光源进行遮挡，以起到防止有源层被光线照射的作用，其通常采用Mo制作，此时，通过在基底上直接形成一层Mo金属层，并后续将阻变单元的绝缘层和金属电极依次制作在第二遮光层上即可在形成第二遮光层的同时形成阻变单元的金属基底，又进一步节省了工艺。

本发明实施例的第三个方面，提供了一种显示装置，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

所述显示装置，包括如前所述阵列基板的任意实施例。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例所提供的显示装置，通过设置阻变单元并利用其在不同电流置位后能够形成不同的电阻值的特性，将所述阻变单元作为存储数据的器件，使得用于存储数据的数据存储电路，可以在后续通过读取电路中阻变单元的阻值而转换得到其所存储的数据，而无需通过物理识别(如激光扫描)的方式去获取存储数据。这样，通过特别设计的数据存储电路存储/读取信息，可以不再使用现有技术中所采用光学二维码，避免在生产中导致的二维码不良，同时也无需额外为二维码留出暴露空间，进而可以实现显示装置的窄边框化。

本发明实施例的第四个方面，提供了一种数据存储电路的数据写入方法，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

如图7所示，前述数据存储电路的任意实施例的数据写入方法，包括：

步骤41：获取待存储数据；可选的，所述待存储数据可以是包括多个字符的字符串；

步骤42：分析所述待存储数据，并将其转换为相应阻变单元的电阻值；

可选的，所述步骤42可具体包括：根据所述待存储数据中每个字符与阻变单元的电阻值对应关系，将所述字符转换为相应阻变单元的电阻值；

步骤43：根据所述电阻值确定对应阻变单元的置位电流，并对该阻变单元输入该置位电流完成置位，从而完成待存储数据的存储。

可选的，以写入信息【1 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 F】为例，则需要依次在相应的存储单元中写入相应的字符，而字符与存储单元中两个阻变单元的阻态存在对应关系(可参考表2)，在置位(电压为4.4V)时，向对应阻态的阻变单元输入相应的限制电流，即可将相应的阻变单元的电阻值进行设置，从而完成所需信息的写入。

例如，需要写入1时，参考表1和表2，将阻变单元1的限制电流控制在1mA时，此时阻变单元1被置为第一阻态(250Ω)，然后将阻变单元2的限制电流控制在10μA，此时阻变单元2被置为第二阻态(19kΩ)，从而该存储单元即存储为字符1。同理，参考表1和表2，将阻变单元1的限制电流控制在1mA时，此时阻变单元1被置为第一阻态(250Ω)，然后将阻变单元2的限制电流控制在1μA，此时阻变单元2被置为第三阻态(1.7MΩ)，从而该存储单元即存储为字符2。同理，参考表1和表2，将阻变单元1的置位电压改为-0.7V的复位电压时，此时阻变单元1被复位为第四阻态(100MΩ)，然后将阻变单元2的置位电压改为-0.7V的复位电压，此时阻变单元2也被复位为第四阻态(100MΩ)，从而该存储单元即存储为字符F。其他需要写入字符1的存储单元，参照前述的写入字符1的方法即可实现，在此不再赘述。

对于显示面板(Cell)的信息写入，可以在阵列基板的制作工艺结束后进行；原始设备制造(Original Equipment Manufacturer，OEM)工厂可以在切割工艺(Cutting)后进行前一工序的生产信息的读取或当前工序的生产信息的写入，处于柔性电路板绑定到玻璃基板(FPC On Glass，FOG，相当于模组制程的中间工序)～最终检查(Final inspection，FI，相当于模组制程的结束工序)状态的产品根据数据存储电路设计的位置(FPC/ICBonding引脚)设计对应的读取编码。

可选的，所述数据存储电路的存储信息的写入，可以通过产线内的电学参数性能(Electrical Parameter Monitor，EPM)检测设备来实现，在D信号线输入开启信号时，G信号线就能写入相应的数据，而在G信号线输入开启信号时，D信号线就能写入相应的数据。

所述阻变单元的电阻值在写入后，可以永久保持，也可重复擦写。

本发明实施例的第五个方面，提供了一种数据存储电路的数据读取方法，能够解决现有的生产信息设置困难或读取困难的问题。

如图8所示，所述数据存储电路的数据读取方法，包括：

步骤51：读取阻变单元的电阻值；

步骤52：根据电阻值与存储数据的对应关系，将所述电阻值转换为存储数据；

可选的，所述步骤52可具体包括：根据电阻值与字符的对应关系，将所述电阻值转换为字符，将各字符按顺序组成存储数据。

读取信息时，读取存储单元中的阻变单元1的电阻值为250Ω，阻变单元2的电阻值为19kΩ，则转换为字符1；读取存储单元中的阻变单元1的电阻值为250Ω，阻变单元2的电阻值为1.7MΩ，则转换为字符2；同理，读取存储单元中的阻变单元1的电阻值为100MΩ，阻变单元2的电阻值为100MΩ，则转换为字符F。由此方式，即可得到每个存储单元所存储的信息，进而得到数据存储电路所存储的生产信息。

可选的，所述数据存储电路的存储信息的读取，可以通过产线内的电学参数性能(Electrical Parameter Monitor，EPM)检测设备来实现，在D信号线输入开启信号时，G信号线就能读取相应的数据，而在G信号线输入开启信号时，D信号线也能读取相应的数据。可选的，当生产的产品形成显示模组状态后，可以通过IC配合读取电路中的电阻值。

本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型晶体管或P型晶体管。在本发明实施例提供的驱动电路中，所有晶体管均是以N型晶体管为例进行说明，可以想到的是在采用P型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有作出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明的实施例保护范围内的。

在本发明实施例中，对于N型晶体管，第一极为源极，第二极为漏极，对于P型晶体管，第一极为漏极，第二极为源极。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种数据存储电路，其特征在于，所述数据存储电路用于存储阵列基板的生产信息；所述数据存储电路包括至少一个存储单元；所述存储单元包括至少一个薄膜晶体管和至少一个阻变单元；在经过不同电流的置位过程后，所述阻变单元能够形成不同的电阻值以作为数据进行存储；所述阻变单元在所述薄膜晶体管的开关控制下完成数据写入和/或读取；

其中，所述存储单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一阻变单元和第二阻变单元；所述第一薄膜晶体管的控制极和第二薄膜晶体管的第一极均连接第一信号线，所述第二薄膜晶体管的控制极和第一薄膜晶体管的第一极均连接第二信号线，所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述第一阻变单元的第一端，所述第二薄膜晶体管的第二极连接所述第二阻变单元的第一端，所述第一阻变单元的第二端和所述第二阻变单元的第二端均连接第三信号线；

第一薄膜晶体管和第一阻变单元为一组，第二薄膜晶体管与第二阻变单元为一组；当第一信号线输入开启信号时，第一薄膜晶体管打开，而同时第二信号线输入的置位信号或复位信号经第一薄膜晶体管输入到第一阻变单元，从而改变其电阻值；当第二信号线输入开启信号时，第二薄膜晶体管打开，而同时第一信号线输入的置位信号或复位信号经第二薄膜晶体管输入到第二阻变单元，从而改变其电阻值。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，包括N行M列的存储单元阵列；其中，同一列存储单元的第一薄膜晶体管的控制极和第二薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一行存储单元的第二薄膜晶体管的控制极和第一薄膜晶体管的第一极均连接同一条信号线，同一列的第一阻变单元的第二端均连接同一条信号线，同一行的第二阻变单元的第二端均连接同一条信号线。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅绝缘层和源漏极，所述阻变单元包括金属基底、绝缘层和金属电极；所述栅绝缘层与所述阻变单元的绝缘层为同一层，所述源漏极所在的膜层与所述金属电极为同一层或与所述金属基底为同一层。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阻变单元包括金属基底、绝缘层和金属电极；所述金属基底的制作材料为Al、Cu、Ti或Mo，所述绝缘层的制作材料为氧化硅，所述金属电极的制作材料为Al、Cu、Ti或Mo。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的数据存储电路。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板用于与彩膜基板对盒形成液晶盒，所述彩膜基板包括第一遮光层和色阻，所述第一遮光层用于遮挡除通过所述色阻之外的其他光线；在所述阵列基板与彩膜基板对盒后，所述数据存储电路位于所述第一遮光层的正投影中。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二遮光层和薄膜晶体管阵列，所述第二遮光层用于遮挡从所述阵列基板背面入射的光线，以防止其照射所述薄膜晶体管阵列中的有源层；所述阻变单元包括金属基底；所述金属基底与所述第二遮光层为同一层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5-7任一项所述的阵列基板。

9.一种如权利要求1-4任一项所述的数据存储电路的数据写入方法，其特征在于，包括：

获取待存储数据；所述待存储数据为阵列基板的生产信息；

分析所述待存储数据，并将其转换为相应阻变单元的电阻值；

根据所述电阻值确定对应阻变单元的置位电流，并对该阻变单元输入该置位电流完成置位。

10.一种如权利要求1-4任一项所述的数据存储电路的数据读取方法，其特征在于，包括：

读取阻变单元的电阻值；

根据电阻值与存储数据的对应关系，将所述电阻值转换为存储数据；所述存储数据为阵列基板的生产信息。

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