CN109285972A - 一种发光材料的位置调整方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光材料的位置调整方法及装置，涉及显示技术领域。本发明通过获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，第二标记点是采用第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的，根据第一偏移位移和第二偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。通过第一掩膜板上的第一标记点和基板上的第二标记点的偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，基于发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，从而改善混色不良。

Description

一种发光材料的位置调整方法及装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光材料的位置调整方法及装置。
背景技术
目前，通常依靠FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩膜)上的开口区域，使得发光材料穿过FMM并粘附在带有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的基板上，以形成OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板。
随着OLED显示面板的PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的不断提高，对FMM的制作精度、张网精度和发光材料的蒸镀精度的要求也越来越高，当精度不够或工艺稳定性不好时，都会导致混色不良，如图1所示，R表示红色像素对应的PDL(Pixel Definition Layer，像素界定层)开口区，G表示绿色像素对应的PDL开口区，B表示蓝色像素对应的PDL开口区，由于蒸镀时的精度等问题，红色发光材料11覆盖绿色像素的PDL开口区，从而导致混色现象的发生。
发明内容
本发明提供一种发光材料的位置调整方法及装置，以解决现有的在采用FMM蒸镀发光材料时，容易导致混色不良的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种发光材料的位置调整方法，包括：
获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移；
获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的；
根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移；
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
可选的，所述获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移的步骤，包括：
获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标；
测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的；
将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
可选的，所述获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移的步骤，包括：
测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标；
将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
可选的，所述根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移的步骤，包括：
将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移；
针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值；
针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移；M为大于0的正整数。
可选的，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整；
当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
可选的，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同；
所述根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
可选的，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反；
所述根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种发光材料的位置调整装置，包括：
第一偏移位移获取模块，被配置为获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移；
第二偏移位移获取模块，被配置为获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的；
实际偏移位移确定模块，被配置为根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移；
形成位置调整模块，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
可选的，所述第一偏移位移获取模块，包括：
第一坐标获取子模块，被配置为获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标；
第二坐标测量子模块，被配置为测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的；
第一偏移位移计算子模块，被配置为将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
可选的，所述第二偏移位移获取模块，包括：
第三坐标测量子模块，被配置为测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标；
第二偏移位移计算子模块，被配置为将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
可选的，所述实际偏移位移确定模块，包括：
第一实际偏移位移计算子模块，被配置为将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移；
第一比值计算子模块，被配置为针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值；
第二实际偏移位移计算子模块，被配置为针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移；M为大于0的正整数。
可选的，所述形成位置调整模块，包括：
第一形成位置调整子模块，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整；
第二形成位置调整子模块，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
可选的，所述第一形成位置调整子模块，包括：
第一偏移位移确定单元，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同；
所述第二形成位置调整子模块，包括：
第二偏移位移确定单元，被配置为根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
可选的，所述第一形成位置调整子模块，包括：
第三偏移位移确定单元，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反；
所述第二形成位置调整子模块，包括：
第四偏移位移确定单元，被配置为根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
通过获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，第二标记点是采用第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的，根据第一偏移位移和第二偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。通过第一掩膜板上的第一标记点和基板上的第二标记点的偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，基于发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，从而改善混色不良。
附图说明
图1示出了现有的出现混色现象的结构示意图；
图2示出了本发明实施例的一种发光材料的位置调整方法的流程图；
图3示出了第一掩膜板的结构示意图；
图4示出了在调整发光材料的形成位置后无混色现象的结构示意图；
图5示出了本发明实施例的另一种发光材料的位置调整方法的流程图；
图6示出了像素界定层调整前和调整后的结构示意图；
图7示出了对发光材料的形成位置进行调整的调整流程图；
图8示出了本发明实施例的一种发光材料的位置调整装置的结构框图；
图9示出了本发明实施例的另一种发光材料的位置调整装置的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在本发明的一种示例性方法实施例中，参照图2，示出了本发明实施例的一种发光材料的位置调整方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤201，获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
参照图3，示出了第一掩膜板的结构示意图。
在制作第一掩膜板30时，首先根据设计好的图纸制作第二掩膜板31，第二掩膜板31包括多个金属条311，由于工艺条件，在任意两个金属条311之间留有一定的缝隙，在每个金属条311上形成有多个开口区域和多个第一标记点312，发光材料可穿过金属条311上的开口区域并蒸镀在基板上。其中，第二掩膜板31为FMM，在金属条311上制作多个开口区域时，每个开口区域的尺寸以及相邻两个开口区域之间的间距都会影响第二掩膜板31的精度，即FMM的制作精度。
然后，再将制作好的第二掩膜板31与掩膜板固定框架32固定在一起，形成第一掩膜板30，可采用焊接的方式将第二掩膜板31与掩膜板固定框架32进行固定。在将第二掩膜板31与掩膜板固定框架32固定时，由于固定的力度不均等因素的影响，会使得第一掩膜板30上的多个第一标记点312相对于第二掩膜板31上的多个第一标记点312发生偏移，当偏移越大时，表示张网精度越低，当偏移越小时，表示张网精度越高，其中，张网精度指的是在将第二掩膜板31与掩膜板固定框架32固定后，形成的第一掩膜板30与第二掩膜板31之间的偏差大小。
获取第一掩膜板30上多个第一标记点312的第一偏移位移；其中，第一偏移位移指的是第一掩膜板30上的多个第一标记点312，相对于设计第二掩膜板31时设计图纸上多个第一标记点312的偏移位移。
步骤202，获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的。
在本发明实施例中，采用第一掩膜板30在基板上蒸镀发光材料，当第一掩膜板30上的开口区域(即金属条311上的开口区域)，与基板上的PDL开口区未完全对准时，发光材料通过第一掩膜板30上的开口区域蒸镀在基板上时，会有部分发光材料蒸镀在PDL开口区外，导致混色现象的发生。其中，第一掩膜板30上的开口区域与基板上的PDL开口区未完全对准等因素会影响发光材料的蒸镀精度。
由于在金属条311形成多个第一标记点312，当采用第一掩膜板30在基板上蒸镀发光材料时，会相应在基板上形成对应的多个第二标记点，当发光材料的蒸镀精度不够时，基板上的多个第二标记点相对于第一掩膜板30上的多个第一标记点312发生偏移，获取基板上的多个第二标记点的第二偏移位移。
步骤203，根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移。
在本发明实施例中，根据第一掩膜板30上多个第一标记点312的第一偏移位移，以及基板上的多个第二标记点的第二偏移位移，计算发光材料的形成位置的实际偏移位移。
步骤204，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
在本发明实施例中，根据计算得到的发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。
其中，可以根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，调整像素界定层的位置，或者，调整第一掩膜板30上的开口区域的位置。
若调整像素界定层的位置，在另外的基板上根据调整后的像素界定层的位置重新制作像素界定层，再采用第一掩膜板30蒸镀发光材料；若调整第一掩膜板30上的开口区域的位置，则重新制作第一掩膜板，在另外的基板上重新制作像素界定层，重新制作的像素界定层的位置不变，采用重新制作好的第一掩膜板蒸镀发光材料。
通过发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，如图4所示，使得红色发光材料41覆盖红色像素对应的PDL开口区，绿色发光材料42覆盖绿色像素的PDL开口区，蓝色发光材料43覆盖蓝色像素的PDL开口区，改善混色不良。
在本发明实施例中，通过获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，第二标记点是采用第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的，根据第一偏移位移和第二偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。通过第一掩膜板上的第一标记点和基板上的第二标记点的偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，基于发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，从而改善混色不良。
在本发明的另一种示例性方法实施例中，参照图5，示出了本发明实施例的另一种发光材料的位置调整方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤501，获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标。
在本发明实施例中，在采用设计的图纸制作第二掩膜板31时，首先制作形成多个金属条311，且多个金属条311均匀分布，然后在金属条311上形成多个开口区域和多个第一标记点312。
其中，制作好的第二掩膜板31上的多个标记点312的第一坐标是在设计图纸时就可确定的，获取第二掩膜板31上多个第一标记点312的第一坐标，也就是获取设计第二掩膜板31时，图纸上设计好的多个第一标记点312的第一坐标。
例如，第二掩膜板31上的其中两个第一标记点分别为312A和312B，其第一坐标分别为(x10，y10)和(x11，y11)。
步骤502，测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的。
在本发明实施例中，将制作好的第二掩膜板31与掩膜板固定框架32固定在一起，形成第一掩膜板30，采用摄像头采集第一掩膜板30上多个第一标记点312的第二坐标。
例如，第一掩膜板30上的第一标记点312A和第一标记点312B的第二坐标分别为(x20，y20)和(x21，y21)。
步骤503，将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
在本发明实施例中，将第一掩膜板30上多个第一标记点312的第二坐标，减去第二掩膜板31上多个第一标记点312的第一坐标，得到第一掩膜板30上多个第一标记点312的第一偏移位移。
例如，第一标记点312A的第一偏移位移R10＝(x20-x10，y20-y10)，第一标记点312B的第一偏移位移R11＝(x21-x11，y21-y11)。
步骤504，测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标。
在本发明实施例中，采用第一掩膜板30在基板上蒸镀发光材料，由于在金属条311上形成多个第一标记点312，当采用第一掩膜板30在基板上蒸镀发光材料时，会相应在基板上形成对应的多个第二标记点，采用摄像头采集基板上对应的多个第二标记点的第三坐标。
例如，第一标记点312A在基板上形成的第二标记点为313A，第一标记点312B在基板上形成的第二标记点为313B，则第二标记点313A的第三坐标为(x30，y30)，第二标记点为313B的第三坐标为(x31，y31)。
步骤505，将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
在本发明实施例中，将基板上的多个第二标记点的第三坐标，减去第一掩膜板30上多个第一标记点312的第二坐标，得到基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
例如，将第二标记点313A的第三坐标(x30，y30)，减去第一标记点312A的第二坐标(x20，y20)，得到第二标记点313A的第二偏移位移R20＝(x30-x20，y30-y20)，将第二标记点313B的第三坐标(x31，y31)，减去第一标记点312B的第二坐标(x21，y21)，得到第二标记点313B的第二偏移位移R21＝(x31-x21，y31-y21)。
步骤506，将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移。
在本发明实施例中，将基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，加上第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，得到多个第二标记点的实际偏移位移。
其中，第一偏移位移是制作第二掩膜版31和将第二掩膜板31与掩膜板固定框架32固定时，第一掩膜板制作工艺产生的偏移位移，第二偏移位移是采用第一掩膜板30在基板上蒸镀发光材料时，蒸镀工艺产生的偏移位移，第一掩膜板制作工艺产生的偏移位移和蒸镀工艺产生的偏移位移，最终导致了发光材料的形成位置的实际偏移位移。
例如，第二标记点313A的实际偏移位移R30＝R10+R20，第二标记点313B的实际偏移位移R31＝R11+R21。
步骤507，针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值。
在本发明实施例中，针对多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将第二目标标记点的实际偏移位移减去第一目标标记点的实际偏移位移，得到第二目标标记点与第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值D。
由于制作的第二标记点数量有限，在第一目标标记点和第二目标标记点之间会存在多个发光材料的形成位置数量，当第一目标标记点和第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量为N时，N为大于0的正整数，将上述差值D除以N，得到第一比值P。
例如，第一目标标记点为第二标记点313A，第二目标标记点为第二标记点313B，第二目标标记点313B与第一目标标记点313A的实际偏移位移之间的差值D＝R31-R30，则第一比值P＝D/N＝(R31-R30)/N，由于差值D实际上指的是位移差，因此，计算得到的第一比值P实际上也是一个位移矢量。
步骤508，针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移。
在本发明实施例中，对于第一目标标记点和第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M乘以第一比值P，其乘积再加上第一目标标记点的实际偏移位移，就可计算得到第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移RM；其中，M为大于0的正整数。
例如，第一目标标记点和第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量为3，即N为3，对于第一目标标记点和第二目标标记点之间的第2个发光材料的形成位置，即M为2，则RM＝2×P+R30。
步骤509，当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
在本发明实施例中，当发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，直接根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。
具体可包括以下两种调整方式：
第一种：根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
由于发光材料是形成在像素界定层的开口区内，因此可通过调整像素界定层的位置，以对发光材料的形成位置进行调整，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移。为了保证调整像素界定层之后，发光材料可以准确形成在像素界定层的开口区内，因此，发光材料的形成位置的实际偏移位移与像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
如图1所示，红色发光材料的形成位置向右下偏移，其覆盖绿色像素的像素界定层的开口区，因此，如图6所示，将红色发光材料对应的像素界定层的开口区，以及绿色发光材料对应的像素界定层的开口区向右下偏移，虚线表示像素界定层调整之前的位置，实线表示像素界定层调整之后的位置，且实线与虚线之间的距离为发光材料的形成位置的实际偏移位移。
第二种：根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
由于是通过第一掩膜板上的开口区域在基板上的像素界定层蒸镀发光材料的，因此，可通过调整第一掩膜板上对应开口区域的位置，以对发光材料的形成位置进行调整，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移。为了保证在调整第一掩膜板上的开口区域的位置之后，通过调整后的第一掩膜板在基板上蒸镀发光材料时，发光材料可以准确形成在像素界定层的开口区内，因此，发光材料的形成位置的实际偏移位移与第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
例如，图1中红色发光材料的形成位置向右下偏移，可将第一掩膜板上的开口区域的位置向左上偏移，即在制作第一掩膜板时将开口区域的位置向左上调整。
步骤510，当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
在本发明实施例中，当发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据可补偿范围对应的最大补偿位移对发光材料的形成位置进行调整。
需要说明的是，虽然发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，但是与可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值不是很大时，即与最大补偿位移之间的差值小于阈值时，可考虑对发光材料的形成位置进行部分调整。
对应的，也可采用以下两种方式，第一种是通过调整像素界定层的位置，以对发光材料的形成位置进行部分调整，第二种是通过调整第一掩膜板上对应开口区域的位置，以对发光材料的形成位置进行部分调整。
第一种：根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
第二种：根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
但是，当发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值不满足阈值时，即与最大补偿位移之间的差值大于阈值时，发光材料的形成位置的实际偏移位移太大，部分调整后仍然还是会出现混色。因此，如果第一掩膜板制作工艺产生的第一偏移位移较大，在将第二掩膜板与掩膜板固定框架固定时，调整张网的力度，以形成第一掩膜板，采用新的第一掩膜板蒸镀发光材料，再次计算发光材料的形成位置的实际偏移位移，以对发光材料的形成位置进行调整；如果蒸镀工艺产生的第二偏移位移较大，则可将第一掩膜板与基板进行重新对位，或者调整发光材料的蒸镀角度等参数，在基板上重新蒸镀发光材料，蒸镀完成后重新计算发光材料的形成位置的实际偏移位移，以对发光材料的形成位置进行调整。
参照图7，示出了对发光材料的形成位置进行调整的调整流程图。
在实际应用中，在基板上的像素界定层的开口区蒸镀发光材料，通常分3次分别蒸镀红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料，且每次蒸镀不同发光材料所使用的第一掩膜板不同，分别对红色发光材料R的第一掩膜板上的多个第一坐标点的坐标进行测定，对绿色发光材料G的第一掩膜板上的多个第一坐标点的坐标进行测定，以及对蓝色发光材料B的第一掩膜板上的多个第一坐标点的坐标进行测定，其中，对多个第一坐标点的坐标进行测定指的是对第二坐标的测定。
采用各自的第一掩膜板在基板上蒸镀发光材料后，会在基板相应区域形成对应的多个第二标记点，分别对基板上蒸镀红色发光材料R后的多个第二坐标点的第三坐标进行测定，对基板上蒸镀绿色发光材料G后的多个第二坐标点的第三坐标进行测定，以及对基板上蒸镀蓝色发光材料B后的多个第二坐标点的第三坐标进行测定。
然后，根据第一掩膜板上的多个第一坐标点的坐标，以及基板上对应的多个第二标记点的第三坐标，分别计算得到红色发光材料R的形成位置的实际偏移位移，绿色发光材料G的形成位置的实际偏移位移和蓝色发光材料B的形成位置的实际偏移位移。
接着，通过调整像素界定层的位置，或者调整第一掩膜板上对应开口区域的位置，以对发光材料的形成位置进行调整，即通过重新蒸镀发光材料，以调整发光材料的形成位置，并通过检测发光材料的蒸镀结果对混色现象的改善结果进行确认，当红色发光材料覆盖红色像素的PDL开口区、绿色发光材料覆盖绿色像素的PDL开口区和蓝色发光材料覆盖蓝色像素的PDL开口区时，表示混色现象的改善结果良好，可直接导入量产，当还是存在大比例的混色现象时，表示混色现象的改善结果不好，因此，需要重新测定第一掩膜板上多个第一标记点的坐标，以及基板上对应的多个第二标记点的第三坐标，并重新对发光材料的形成位置进行调整。
需要说明的是，由于采用第一掩膜板在基板上的像素界定层的多个开口区一次制作同一种颜色的发光材料，因此，在对发光材料的形成位置进行调整时，并不是针对每一个发光材料分别进行调整，而是根据各个发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所有发光材料的形成位置做一个连续的、均匀的调整，即根据各个发光材料的形成位置的实际偏移位移，进行一次调整。
此外，通常情况下，为了降低混色现象的发生率，会增加两个PDL开口区之间的距离，但是这样会造成开口率的降低，本发明实施例可以有效改善混色不良，因此，在设计上可以减小两个PDL开口区之间的距离，从而提高开口率，提高发光器件的寿命。
在本发明实施例中，通过获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标，以及第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标，得到第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，通过测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标，将第三坐标减去第二坐标，得到基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，将第二偏移位移，得到多个第二标记点的实际偏移位移，进而得到发光材料的形成位置的实际偏移位移，当其位于可补偿范围内时进行完全调，当其位于可补偿范围外时进行部分调整。基于发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，从而改善混色不良；同时，可减小两个PDL开口区之间的距离，从而提高开口率，提高发光器件的寿命。
在本发明的一种示例性装置实施例中，参照图8，示出了本发明实施例的一种发光材料的位置调整装置的结构框图。
本发明实施例的发光材料的位置调整装置800，包括：
第一偏移位移获取模块801，被配置为获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
第二偏移位移获取模块802，被配置为获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的。
实际偏移位移确定模块803，被配置为根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移。
形成位置调整模块804，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
参照图9，示出了本发明实施例的另一种发光材料的位置调整装置的结构框图。
在图8的基础上，可选的，所述第一偏移位移获取模块801，包括：
第一坐标获取子模块8011，被配置为获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标；
第二坐标测量子模块8012，被配置为测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的；
第一偏移位移计算子模块8013，被配置为将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
可选的，所述第二偏移位移获取模块802，包括：
第三坐标测量子模块8021，被配置为测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标；
第二偏移位移计算子模块8022，被配置为将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
可选的，所述实际偏移位移确定模块803，包括：
第一实际偏移位移计算子模块8031，被配置为将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移；
第一比值计算子模块8032，被配置为针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值；
第二实际偏移位移计算子模块8033，被配置为针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移；M为大于0的正整数。
可选的，所述形成位置调整模块804，包括：
第一形成位置调整子模块8041，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整；
第二形成位置调整子模块8042，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
可选的，所述第一形成位置调整子模块8041，包括：
第一偏移位移确定单元80411，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同；
所述第二形成位置调整子模块8042，包括：
第二偏移位移确定单元80421，被配置为根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
可选的，所述第一形成位置调整子模块8041，包括：
第三偏移位移确定单元80412，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反；
所述第二形成位置调整子模块8042，包括：
第四偏移位移确定单元80422，被配置为根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
在本发明实施例中，通过获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移，获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移，第二标记点是采用第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的，根据第一偏移位移和第二偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，根据发光材料的形成位置的实际偏移位移，对发光材料的形成位置进行调整。通过第一掩膜板上的第一标记点和基板上的第二标记点的偏移位移，确定发光材料的形成位置的实际偏移位移，基于发光材料的形成位置的实际偏移位移，重新确定发光材料的蒸镀位置，以便下次蒸镀发光材料时，可以消除之前的偏移位移，从而改善混色不良。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种发光材料的位置调整方法及装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (14)

1.一种发光材料的位置调整方法，其特征在于，包括：
获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移；
获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的；
根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移；
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移的步骤，包括：
获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标；
测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的；
将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移的步骤，包括：
测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标；
将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移的步骤，包括：
将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移；
针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值；
针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移；M为大于0的正整数。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整；
当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同；
所述根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反；
所述根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整的步骤，包括：
根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
8.一种发光材料的位置调整装置，其特征在于，包括：
第一偏移位移获取模块，被配置为获取第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移；
第二偏移位移获取模块，被配置为获取基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移；所述第二标记点是采用所述第一掩膜板在基板上形成发光材料时形成的；
实际偏移位移确定模块，被配置为根据所述第一偏移位移和所述第二偏移位移，确定所述发光材料的形成位置的实际偏移位移；
形成位置调整模块，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一偏移位移获取模块，包括：
第一坐标获取子模块，被配置为获取第二掩膜板上多个第一标记点的第一坐标；
第二坐标测量子模块，被配置为测量所述第一掩膜板上多个第一标记点的第二坐标；所述第一掩膜板是将所述第二掩膜板与掩膜板固定框架固定后形成的；
第一偏移位移计算子模块，被配置为将所述第二坐标减去所述第一坐标，得到所述第一掩膜板上多个第一标记点的第一偏移位移。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二偏移位移获取模块，包括：
第三坐标测量子模块，被配置为测量基板上对应的多个第二标记点的第三坐标；
第二偏移位移计算子模块，被配置为将所述第三坐标减去所述第二坐标，得到所述基板上对应的多个第二标记点的第二偏移位移。
11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述实际偏移位移确定模块，包括：
第一实际偏移位移计算子模块，被配置为将所述第一偏移位移加上所述第二偏移位移，得到所述多个第二标记点的实际偏移位移；
第一比值计算子模块，被配置为针对所述多个第二标记点中的第一目标标记点和第二目标标记点，将所述第二目标标记点与所述第一目标标记点的实际偏移位移之间的差值，除以所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的发光材料的形成位置数量，得到第一比值；
第二实际偏移位移计算子模块，被配置为针对所述第一目标标记点和所述第二目标标记点之间的第M个发光材料的形成位置，将M与所述第一比值的乘积，再加上所述第一目标标记点的实际偏移位移，得到所述第M个发光材料的形成位置的实际偏移位移；M为大于0的正整数。
12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述形成位置调整模块，包括：
第一形成位置调整子模块，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围内时，根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，对所述发光材料的形成位置进行调整；
第二形成位置调整子模块，被配置为当所述发光材料的形成位置的实际偏移位移位于可补偿范围外，且与所述可补偿范围对应的最大补偿位移之间的差值满足阈值时，根据所述最大补偿位移，对所述发光材料的形成位置进行调整。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一形成位置调整子模块，包括：
第一偏移位移确定单元，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同；
所述第二形成位置调整子模块，包括：
第二偏移位移确定单元，被配置为根据所述最大补偿位移，确定像素界定层的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述像素界定层的偏移位移对应的距离相等，且方向相同。
14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一形成位置调整子模块，包括：
第三偏移位移确定单元，被配置为根据所述发光材料的形成位置的实际偏移位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述发光材料的形成位置的实际偏移位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反；
所述第二形成位置调整子模块，包括：
第四偏移位移确定单元，被配置为根据所述最大补偿位移，确定所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移；
其中，所述最大补偿位移与所述第一掩膜板上对应开口区域的偏移位移对应的距离相等，且方向相反。
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