CN109283726B - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及显示面板，其中，在阵列基板中，包括显示区和包围显示区的非显示区；阵列基板的至少一个边缘具有至少一个缺口；显示区包括第一显示区和位于缺口两侧的第二显示区；第二显示区中具有多条第一栅极线，同一第二显示区的第一栅极线负载均相同或相邻两个第二显示区中位于同一行的第一栅极线的负载相同；非显示区包括补偿单元，补偿单元与第一栅极线一一对应，补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，以实现针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的，达到了减小或消除第二显示区与第一显示区的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区和第一显示区的分屏现象的目的。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，用户对于显示面板的显示效果的要求也越来越高，为了满足用户的这一需求，采用窄边框或无边框设计的“全面屏”显示面板应运而生。
如图1所示，图1为显示面板的俯视结构示意图，现今主流的全面屏显示面板通常在上边框区中设置一个面积相对两侧边框较大的缺口N1(notch)区域，以在该缺口N1区域中设置前置摄像头、感光元件和指纹传感器等器件。这就使得显示面板的显示区分为了第一显示区D1和位于缺口N1区域两侧的第二显示区D2，在实际的使用过程中发现，由于第二显示区D2在短边方向(平行于X轴方向)上的长度相较于第一显示区D1在短边方向上的长度较小，使得第二显示区D2的栅极线连接的显示像素的数量相较于第一显示区D1中的栅极线连接的显示像素的数量较小，这就导致了第二显示区D2中的栅极线的负载较小，从而导致在显示过程中，第二显示区D2的显示亮度相较于第一显示区D1的亮度较高，造成如图2所示的“分屏现象”，给显示面板的显示效果带来了不良影响。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种阵列基板及显示面板，以实现减小或消除位于缺口两侧的第二显示区与第二显示区下方的第一显示区的显示亮度差异的目的，避免了第一显示区和第二显示区的亮度差异较大的分屏现象。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种阵列基板，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有至少一个缺口；
所述显示区包括第一显示区和位于所述缺口两侧的第二显示区；
所述第二显示区中具有多条第一栅极线，同一所述第二显示区的第一栅极线负载均相同或相邻两个所述第二显示区中位于同一行的第一栅极线的负载相同；
所述非显示区包括补偿单元，所述补偿单元与所述第一栅极线一一对应，所述补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，以减小或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异。
一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为上述一项所述的阵列基板。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，其中，在所述阵列基板中，由于所述非显示区中的补偿单元与所述第一栅极线一一对应，且补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，那么不同的补偿单元可以提供不同程度的补偿，从而实现针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的，实现了减少或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区和第一显示区的分屏现象的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为显示面板的俯视结构示意图；
图2为现有技术中的显示面板的显示效果示意图；
图3为现有技术中的阵列基板的俯视结构示意图；
图4为现有技术中对第二显示区进行补偿后的显示效果示意图；
图5为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图6为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的分区示意图；
图7为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图8为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图9为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图10为本申请的一个可选实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图11为对图4所示的现有技术中的阵列基板进行扫描信号的仿真结果示意图；
图12为对图9或图10所示的阵列基板进行扫描信号的仿真结构示意图；
图13为本申请的另一个可选实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图14为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的分区示意图；
图15为本申请的又一个可选实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图16为本申请的再一个可选实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图17为本申请的一个具体实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
图18为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的分区示意图；
图19为本申请的一个实施例提供的一种多层电容的构成示意图；
图20为本申请的另一个实施例提供的一种多层电容的构成示意图；
图21为本申请的一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中如图1所示的具有缺口的全面屏显示面板由于阵列基板中第一显示区和第二显示区的栅极线的负载不同，会导致如图2所示的分屏现象。图1和图2中的X方向平行于显示面板的短边方向，Y方向平行于显示面板的长边方向。
发明人提出了一种初步的在第一显示区和第二显示区进行不同的补偿的方案，以期解决这一分屏现象，如图3所示，图3为现有技术中的阵列基板的俯视结构示意图，在图3所示的阵列基板中，栅极驱动方式为单边驱动，请结合图1-图3，第一显示区D1的左侧设置有第一栅极电路G1，用于为第一显示区D1中的第一栅极线G11提供扫描信号；第二显示区D2的左侧设置有第二栅极电路G2，用于为第二显示区D2中的第二栅极线G21提供扫描信号；此外，在图3所示的阵列基板中，还通过为第二显示区D2提供第二负载补偿G22的方式来降低第一显示区D1和第二显示区D2的显示亮度差异。但发明人通过实际研究发现，在这种阵列基板构成的显示面板中，如图4所示，图4为显示面板的显示效果示意图，结合图3和图4，由于第一栅极电路G1提供的扫描信号的衰减，在第一显示区D1中，显示亮度实际上是从左向右(X轴正向方向)依次递减的，也就是说在图4中，位置1、位置2、位置3和位置4的显示亮度是依次衰减的。而由于为第二显示区D2提供的第二负载补偿的值是相同的，这就导致在图4中，位置①和位置②的显示亮度依次衰减，位置③和位置④的显示亮度依次衰减，但位置①和位置③的显示亮度基本一致，位置④和位置②的显示亮度基本一致；这样一来，仍然参考图4，如果通过设置第二负载补偿的值，使得位置③和位置④的显示亮度与位置3和位置4的显示亮度分别相同，则位置①和位置②的显示亮度会明显低于位置1和2的显示亮度；而如果通过设置第二负载补偿的值，使得位置①和位置②的显示亮度与位置1和位置2的显示亮度分别相同，则位置③和位置④的显示亮度会明显高于位置3和位置4的显示亮度。因此，这种补偿方式仍然会导致部分第二显示区D2与第一显示区D1的分屏现象。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有至少一个缺口；
所述显示区包括第一显示区和位于所述缺口两侧的第二显示区；
所述第二显示区中具有多条第一栅极线，同一所述第二显示区的第一栅极线负载均相同或相邻两个所述第二显示区中位于同一行的第一栅极线的负载相同；
所述非显示区包括补偿单元，所述补偿单元与所述第一栅极线一一对应，所述补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，以减小或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异。
在本申请实施例提供的阵列基板中，由于所述非显示区中的补偿单元与所述第一栅极线一一对应，且补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，那么不同的补偿单元可以提供不同程度的补偿，从而实现针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的，实现了减少或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区和第一显示区的分屏现象的目的。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
一种阵列基板，如图5所示，图5为所述阵列基板的俯视结构示意图，所述阵列基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有至少一个缺口20；
所述显示区包括第一显示区11和位于所述缺口20两侧的第二显示区12；
所述第二显示区12中具有多条第一栅极线30，同一所述第二显示区12的第一栅极线30负载均相同或相邻两个所述第二显示区12中位于同一行的第一栅极线30的负载相同；
所述非显示区包括补偿单元40，所述补偿单元40与所述第一栅极线30一一对应，所述补偿单元40为至少两条负载相同的第一栅极线30提供信号强度补偿或负载补偿，以减小或消除所述第二显示区12与所述第一显示区11的显示亮度差异。
由于所述非显示区中的补偿单元40与所述第一栅极线30一一对应，且补偿单元40为至少两条负载相同的第一栅极线30提供信号强度补偿或负载补偿，那么不同的补偿单元40可以提供不同程度的补偿，从而实现了针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的。
在图5中，XY坐标系是以阵列基板的短边方向为X轴方向，长边方向为Y轴方向建立的，且X轴正向由阵列基板的左侧指向右侧。
针对不同的栅极驱动方式，所述非显示区中设置补偿单元40的方式以及补偿单元40提供的补偿强度的值会有不同，参考图6和图7，图6为本申请实施例提供的阵列基板的分区示意图，图7为本申请的一个实施例提供的单边驱动的栅极驱动方式的阵列基板的俯视结构示意图，结合图6和图7，所述第二显示区12中具有多条沿第一方向延伸的第一栅极线30，相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30的负载相同；
所述非显示区包括位于所述第二显示区12第一方向一侧的第一边框区B1，和位于所述第二显示区12第二方向一侧的第二边框区B2，所述第一方向和第二方向相对，且相互平行；
所述非显示区还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路与所述第一栅极线30连接，所述栅极驱动电路包括设置于所述第一边框区B1中的第一栅极电路41，所述第一栅极电路41用于为所述第一栅极线30提供扫描信号。
在图5和图7中，还示出了第一显示区11中的第三栅极线111以及连接这些第三栅极线111的第三栅极电路112。
在图7中，第一方向为X轴负向的指向方向，第二方向为X轴正向的指向方向。相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30是指在平行于X轴方向上，相邻所述第二显示区12中处于同一条直线上的栅极线。由于显示区中的显示像素的分布密度基本相同，因此第一栅极线30的负载通常由第一栅极线30的长度决定，因此，在本实施例中，相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30的长度相同，使得相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30的负载相同。
仍然参考图7，所述补偿单元40包括第一缓存单元411，所述第一栅极电路41包括所述第一缓存单元411，所述第一缓存单元411用于为所述第一栅极电路41提供信号强度补偿，沿所述第二方向排布的第一栅极电路41中的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值依次减少。
在图7所示的单边驱动的栅极驱动方式的阵列基板中，第一栅极电路41的驱动方向为X轴正向，图7中标号1、2、3、4表示与1、2、3、4在Y轴方向上处于同一条线上的第三栅极电路112连接的栅极线112连接的显示像素的位置(即附图7中栅极线112上的黑点所在位置)；图7中标号①、②、③和④表示与①、②、③和④在Y轴方向上处于同一条线上的第一栅极线30连接的显示像素的位置(即附图7中第一栅极线30上的黑点所在位置)。
仍然参考图6和图7，第一显示区11的第三栅极电路112的驱动方向也为X轴正向，此时，第一显示区11中，由于扫描信号的衰减，处于同一行、被同一条栅极线驱动的显示像素的显示亮度会逐渐降低，即在图7中，位置1、位置2、位置3、位置4处的显示像素的显示亮度会逐渐降低；但位于缺口20第一方向一侧的第二显示区12和位于缺口20第二方向一侧第二显示区12中的第一栅极线30的负载相较于第一显示区11中的栅极线的负载均较小，因此，位于缺口20第一方向一侧的第一栅极电路41提供的扫描信号在第一栅极线30的末端的衰减程度是小于位于第一显示区11中的栅极线末端的扫描信号的衰减程度的(即位置②处的第一栅极线30中的扫描信号的衰减程度小于位置4处的栅极线中的扫描信号的衰减程度)；位于缺口20第二方向一侧的第一栅极电路41提供的扫描信号在第一栅极线30的各处的衰减程度均是小于与第一显示区11中的栅极线对应位置处的衰减程度的(即位置③处的第一栅极线30中的扫描信号的衰减程度小于位置3处的栅极线中的扫描信号的衰减程度，位置8处的第一栅极线30中的扫描信号的衰减程度小于位置4处的栅极线中的扫描信号的衰减程度)。因此，为了使位置③和④处的显示亮度与位置3和4处的显示亮度分别一致，为位置③和④处提供信号强度补偿的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值需要小于为位置①和②处提供信号强度补偿的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，以使位置①、②、③和④处的显示亮度沿X轴正向依次衰减，并通过调整信号强度补偿值，使得位置①、②、③和④的显示亮度的衰减程度与位置1、2、3和4处的显示亮度的衰减程度相同或相似，从而减小或消除使得位置①、②、③和④处的显示亮度与位置1、2、3和4处的显示亮度的差异。
需要说明的是，缓存单元可以由多个反相器构成，缓存单元提供的信号强度补偿的值与反相器的个数和/或尺寸成正比，即可以通过增加缓存单元中的反相器的个数实现缓存单元提供的信号强度补偿的值的增加，也可以通过扩大缓存单元中的反相器的尺寸实现缓存单元提供的信号强度补偿的值的增加，还可以同时通过增加反相器个数和反相器尺寸实现缓存单元提供的信号强度补偿的值的增加；同样的，当需要减小缓存单元提供的信号强度补偿的值时，可以通过减少缓存单元中反相器的个数或缩小反相器尺寸来实现。本申请对此并不做限定。
除了采用信号强度补偿的方式，还可以提供负载补偿，如图8所示，图8为阵列基板的俯视结构示意图，参考图6和图8，所述补偿单元40包括第一负载补偿单元412，所述第一负载补偿单元412与所述第一栅极电路41连接，所述第一负载补偿单元412用于为所述第一栅极电路41输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第二方向排布的第一栅极电路41连接的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值依次增加。
负载补偿是指提升第一栅极电路41的负载，以增加第一栅极电路41输出的扫描信号的衰减程度。
与上文中对图7所示的阵列基板的分析类似，在图8中，需要使为位置③和位置④处提供负载补偿的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值，大于为位置①和位置②处提供负载补偿的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值，才能够使位置①、位置②、位置③和位置④处的显示像素的显示亮度的衰减程度与位置1、位置2、位置3和位置4处的显示像素的显示亮度的衰减程度相同或相似，从而减小或消除使得位置①、位置②、位置③和位置④处的显示像素的显示亮度与位置1、位置2、位置3和位置4处的显示像素的显示亮度的差异。
下面对交叉驱动的栅极驱动方式的阵列基板进行举例说明，在本申请的一个实施例中，参考图6和图9，图9为阵列基板的俯视结构示意图，所述阵列基板还包括：
设置于所述第二边框区B2中的第二栅极电路42；
所述第二显示区12中还包括多条沿第二方向延伸，且与所述第二栅极电路42连接的第二栅极线50，相邻所述第二显示区12中同一行的第二栅极线50的负载相同，所述第二栅极电路42用于为所述第二栅极线50提供扫描信号。
图9所示的阵列基板中，第一显示区11和第二显示区12中的栅极驱动方式均为交叉驱动，在交叉驱动的阵列基板中，两个栅极电路为所有的显示像素逐行提供扫描信号，在显示像素数量不变的情况下，栅极电路为某一行显示像素提供扫描信号的周期可以缩短一半，有利于降低对栅极电路扫描信号周期的要求，降低栅极电路的成本。
仍然参考图9，所述补偿单元40包括第二缓存单元413，所述第二栅极电路42包括所述第二缓存单元413，所述第二缓存单元413用于为所述第二栅极电路42提供信号强度补偿；沿第一方向排布的第二栅极电路42中的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值依次减少。
在图9所示的阵列基板中，第二显示区12的栅极驱动方式为交叉驱动，相应的，第一显示区11的栅极驱动方式也需要为交叉驱动，即第一显示区11的两侧分别设置有第三栅极电路112和第四栅极电路113，第一显示区中设置有与第三栅极电路112连接的第三栅极线111，和与所述第四栅极电路113连接的第四栅极线114；位于第一显示区11第一方向一侧的第三栅极电路112为沿第二方向延伸的第三栅极线111提供扫描信号，驱动方向为X轴正向，位于第一显示区11第二方向一侧的第四栅极电路113为沿第一方向延伸的第四栅极线114提供扫描信号，驱动方向为X轴负向。
在本实施例中，第一栅极电路41提供的扫描信号与驱动方向相同的，位于第一显示区11第一方向一侧的第三栅极电路112比较；第二栅极电路42提供的扫描信号与驱动方向相同的，位于第一显示区11第二方向一侧的第四栅极电路113比较即可，补偿方式与上文描述的单边驱动方式类似，即对于第一栅极电路41而言，其中的第一缓存单元411需要使处于位置①、位置②、位置③和位置④的第一栅极电路41的扫描信号依次衰减；对于第二栅极电路42而言，其中的第二缓存单元413需要使处于位置④、位置③、位置②和位置①处的第二栅极电路42的扫描信号依次衰减，因此沿第一方向排布的第二栅极电路42中的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值依次减少，沿所述第二方向排布的第一栅极电路41中的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值依次减少。
仍然参考图9，当所述缺口20数量为一个时，发明人通过仿真分析确定了第一栅极电路41和第二栅极电路42中缓存单元提供的信号强度补偿的数值关系，具体地，沿所述第一方向排布的第一个第二栅极电路42的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值，为另一个第二栅极电路42的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值的N倍；
沿所述第二方向排布的第一个第一栅极电路41的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，为另一个第一栅极电路41的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值的N倍；
其中，N的取值范围为2-10。
当N的取值范围为2-10时，发明人通过仿真分析发现，可以通过调节第一显示区11中栅极电路的补偿值，实现基本消除第一显示区11和第二显示区12中的显示像素的显示亮度的差异，达到消除第一显示区11和第二显示区12的分屏现象的目的，提升具备所述阵列基板的显示面板的显示品质。
除了采用信号强度补偿的方式，还可以提供负载补偿，如图10所示，图10为阵列基板的俯视结构示意图，在图10中，所述补偿单元40包括第二负载补偿单元414，所述第二负载补偿单元414与所述第二栅极电路42连接，所述第二负载补偿单元414用于为所述第二栅极电路42输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第一方向排布的第二栅极电路42连接的第二负载补偿单元414提供的负载补偿的值依次增加。
当采用负载补偿单元对第二显示区12中的栅极电路提供补偿时，第一负载补偿单元412和第二负载补偿单元414可以在阵列基板中薄膜晶体管的各层结构或像素电极、公共电极的图案化的过程中同时形成，有利于简化阵列基板的制备工艺。
仍然参考图10，当所述缺口20数量为一个时，发明人通过仿真分析确定了第一栅极电路41和第二栅极电路42中负载补偿单元40提供的负载补偿的数值关系，具体地，沿所述第一方向排布的第一个第二栅极电路42的第二负载补偿单元414提供的负载补偿的值，为另一个第二栅极电路42的第二负载补偿单元414提供的负载补偿的值的M倍；
沿所述第二方向排布的第一个第一栅极电路41的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值，为另一个第一栅极电路41的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值的M倍；
其中，M的取值范围为0.1-0.5。
当M的取值范围为0.1-0.5时，发明人通过仿真分析发现，可以通过调节第一显示区11中栅极电路的补偿值，实现基本消除第一显示区11和第二显示区12中的显示像素的显示亮度的差异，达到消除第一显示区11和第二显示区12的分屏现象的目的，提升具备所述阵列基板的显示面板的显示品质。
下面对具体的仿真结果进行说明，对如图4所示的现有技术中的交叉驱动的阵列基板进行扫描信号的仿真结果如图11和图12所示，从图11中可以看出，位置1处和位置4的扫描信号相比，位置4处的扫描信号衰减程度明显更大，可以推测的是：从位置1到位置4，衰减强度是逐渐增强的。从图12中可以看出，位置1与位置①以及位置③的衰减程度是基本一致的，因此位置3相比位置③来说，衰减更加严重。而要想避免分屏现象，需要让位置①处的扫描信号衰减与位置1处的扫描信号衰减一致，位置③处的扫描信号衰减需与位置3处的扫描信号衰减一致。因此，在对位置①和位置③进行负载补偿时，位置③需要补偿的值相比位置①来说更大。正如前文所述，在当缺口20为一个的阵列基板中，通过进一步的仿真分析发现，当采用信号强度补偿，且N的取值范围为2-10时，或采用负载补偿，且M的取值范围为0.1-0.5时，均可以满足在不同的第一显示区11中栅极电路补偿值的情况下，实现基本消除第一显示区11和第二显示区12中的显示像素的显示亮度的差异，达到消除第一显示区11和第二显示区12的分屏现象的目的，提升具备所述阵列基板的显示面板的显示品质。
下面对交叉驱动的阵列基板的另外一种情况进行说明，参考图13和图14，图13为阵列基板的俯视结构示意图，图14为图13所示的阵列基板的分区示意图，在本实施例中，所述第二显示区12中具有多条沿第一方向延伸的第一栅极线30和第二栅极线50，同一所述第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50的负载均相同；
所述非显示区包括位于所述第二显示区12第一方向一侧的第一边框区B1、位于所述第二显示区12第二方向一侧的第二边框区B2、位于所述第一显示区11第一方向一侧的第三边框区B3和位于所述第一显示区11第二方向一侧的第四边框区B4，所述第一方向和第二方向相对，且相互平行；
所述非显示区还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括设置于所述第一边框区B1中的第一栅极电路41和设置于第二边框区B2中的第二栅极电路42；所述第一栅极电路41与所述第一栅极线30连接，用于为所述第一栅极线30提供扫描信号，所述第二栅极电路42与所述第二栅极线50连接，用于为所述第二栅极线50提供扫描信号。
图13和图14所示的阵列基板在利用补偿单元实现针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的，实现了减少或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区和第一显示区的分屏现象的目的的基础上，缺口20可以位于阵列基板边缘的非中央位置，可以满足各种异形显示面板的不同布局的要求，提升阵列基板的适用性。
正如前文所述，栅极线的长度与栅极线的负载成正比，因此同一所述第二显示区12中的栅极线的长度一致，从而使得同一所述第二显示区12中的栅极线的负载一致。
仍然参考图13和图14，所述补偿单元40包括第一缓存单元411和第二缓存单元413，所述第一栅极电路41包括所述第一缓存单元411，所述第一缓存单元411用于为所述第一栅极电路41提供信号强度补偿；所述第二栅极电路42包括所述第二缓存单元413，所述第二缓存单元413用于为所述第二栅极电路42提供信号强度补偿；靠近所述第三边框区B3的第二显示区12两侧的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，大于第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值；靠近所述第四边框区B4的第二显示区12两侧的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，小于第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值。
在本实施例中，同一所述第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50的长度相同，如前文所述，同一所述第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50连接的显示像素数量相同，因此同一所述第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50的负载相同。
在图13所示的实施例中，以一个缺口20为例进行说明，靠近第三边框区B3一侧的第二显示区12的显示亮度与位于第三边框区B3中的栅极电路连接的显示像素的显示亮度进行比较，靠近第四边框区B4一侧的第二显示区12的显示亮度与位于第四边框区B4中的栅极电路连接的显示像素的显示亮度进行比较。这是因为位于第三边框区B3中的栅极电路连接的显示像素的显示亮度主要决定着第一显示区11靠近第三边框区B3一侧的显示亮度，而位于第四边框区B4中的栅极电路连接的显示像素的显示亮度主要决定着第一显示区11靠近第四边框区B4一侧的显示亮度。
也就是说，在本实施例中，扫描信号由栅极线的位置1向位置2传递的过程中，扫描信号的衰减程度递增，位置1处的显示亮度大于位置2处的显示亮度，在缺口20第一方向一侧的第二显示区12中，对于第一栅极线30而言，其中的扫描信号的衰减程度由位置①向位置②处递增，即对于第一栅极线30连接的显示像素而言，位置①处的显示亮度要高于位置②处的显示亮度；而正好相反地，对于第二栅极线50连接的显示像素而言，位置①处的显示亮度要低于位置②处的显示亮度，因此，为了保证位置①和位置②处的显示亮度的变化趋势与位置1和2的变化趋势一致，需要保证该第二显示区12两侧的第一栅极电路41中的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，大于第二栅极电路42中的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值。
相应的，扫描信号由栅极线的位置4向位置3传递的过程中，扫描信号的衰减程度递增，位置4处的显示亮度大于位置3处的显示亮度，在缺口20第二方向一侧的第二显示区12中，对于第一栅极线30而言，其中的扫描信号的衰减程度由位置③向位置④处递增，即对于第一栅极线30连接的显示像素而言，位置③处的显示亮度要高于位置④处的显示亮度；而正好相反地，对于第二栅极线50连接的显示像素而言，位置③处的显示亮度要低于位置④处的显示亮度，因此，为了保证位置③和位置④处的显示亮度的变化趋势与位置3和4的变化趋势一致，需要保证在该第二显示区12两侧的第一栅极电路41中的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，小于第二栅极电路42中的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值。
除了采用信号强度补偿的方式，还可以提供负载补偿，参考图14和图15，图15为阵列基板的俯视结构示意图，在图15中，所述补偿单元40包括第一负载单元和第二负载单元，所述第一负载单元与所述第一栅极电路41连接，所述第二负载单元与所述第二栅极电路42连接，所述第一负载单元和第二负载单元用于提供负载补偿；靠近所述第三边框区B3的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的负载补偿的值，小于第二负载单元提供的负载补偿的值；靠近所述第四边框区B4的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的信号强度补偿的值，大于第二负载单元提供的负载补偿的值。
与对图13中的阵列基板的分析类似，只是负载单元提供的负载补偿的值越大，扫描信号的衰减程度越大，这与信号强度补偿补偿的值越大，扫描信号的衰减程度越小是相反的，因此，在进行负载补偿以期达到同样的目的时，需要保证靠近所述第三边框区B3的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的负载补偿的值，小于第二负载单元提供的负载补偿的值；靠近所述第四边框区B4的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的信号强度补偿的值，大于第二负载单元提供的负载补偿的值。
通过图13和图15所提出的信号强度补偿和负载补偿方式，均可以对图14所示的缺口20位于边缘非中央位置处的阵列基板的补偿，实现减少或消除所述第二显示区12与所述第一显示区11的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区12和第一显示区11的分屏现象的目的。
下面对交叉驱动的阵列基板的另外一种情况进行说明，参考图16、图17和图18，图16和图17为阵列基板的俯视结构示意图，图18为图17和图18所示的阵列基板的分区示意图，，在图16和图17所示的实施例中，所述缺口20位于上边框的中央区域，使得相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30的负载相同，且同一第二显示区12中的栅极线的长度一致，因此同一所述第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50的负载均一致。
由于在图16和图17所示的阵列基板中，同时满足相邻所述第二显示区12中同一行的第一栅极线30的负载相同，和同一第二显示区12中的第一栅极线30和第二栅极线50的负载均一致的条件。因此，当采用信号强度补偿和负载补偿方式均可以由两种方式；
参考图16，当采用信号强度补偿时，一种补偿方式为：所述补偿单元40包括第一负载补偿单元412，所述第一负载补偿单元412与所述第一栅极电路41连接，所述第一负载补偿单元412用于为所述第一栅极电路41输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第二方向排布的第一栅极电路41连接的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值依次增加。
所述补偿单元40包括第二缓存单元413，所述第二栅极电路42包括所述第二缓存单元413，所述第二缓存单元413用于为所述第二栅极电路42提供信号强度补偿；沿第一方向排布的第二栅极电路42中的第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值依次减少。
另外一种补偿方式为：所述补偿单元40包括第一缓存单元411和第二缓存单元413，所述第一栅极电路41包括所述第一缓存单元411，所述第一缓存单元411用于为所述第一栅极电路41提供信号强度补偿；所述第二栅极电路42包括所述第二缓存单元413，所述第二缓存单元413用于为所述第二栅极电路42提供信号强度补偿；靠近所述第三边框区B3的第二显示区12两侧的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，大于第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值；靠近所述第四边框区B4的第二显示区12两侧的第一缓存单元411提供的信号强度补偿的值，小于第二缓存单元413提供的信号强度补偿的值。
当采用负载补偿的方式时，一种补偿方式为：所述补偿单元40包括第一负载补偿单元412，所述第一负载补偿单元412与所述第一栅极电路41连接，所述第一负载补偿单元412用于为所述第一栅极电路41输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第二方向排布的第一栅极电路41连接的第一负载补偿单元412提供的负载补偿的值依次增加。
所述补偿单元40包括第二负载补偿单元414，所述第二负载补偿单元414与所述第二栅极电路42连接，所述第二负载补偿单元414用于为所述第二栅极电路42输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第一方向排布的第二栅极电路42连接的第二负载补偿单元414提供的负载补偿的值依次增加。
另一种方式为：所述补偿单元40包括第一负载单元和第二负载单元，所述第一负载单元与所述第一栅极电路41连接，所述第二负载单元与所述第二栅极电路42连接，所述第一负载单元和第二负载单元用于提供负载补偿；靠近所述第三边框区B3的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的负载补偿的值，小于第二负载单元提供的负载补偿的值；靠近所述第四边框区B4的第二显示区12两侧的第一负载单元提供的信号强度补偿的值，大于第二负载单元提供的负载补偿的值。
下面的一些实施例对负载单元的具体可能构成进行说明，所述补偿单元为负载补偿单元，所述负载补偿单元为电阻、电容、或电阻和电容的串联结构中的一者。
其中，电容可以采用平行板电容，该平行板电容的一个极板与栅极线连接即可，另一个极板可以作为其他部件的一部分，只要两个极板形成的平行板电容能够形成栅极驱动电路的负载即可。
电阻为耗能元件，根据各栅极电路的负载选择电阻的电阻值的大小，可以起到平衡负载的作用。
那么相应的，电阻和电容的串联结构也可以作为负载补偿单元的一种实现方式。
可选的，所述负载补偿单元接于栅极线远离栅极电路一侧。当然的，所述负载补偿单元还可以接于栅极线靠近栅极电路一侧。在一些实施例中，所述负载补偿单元还可以部分接于栅极线远离栅极电路一侧，另外一部分接于栅极线靠近栅极电路一侧，这样的设置方式使得负载补偿单元的设置位置更加灵活，从而降低负载补偿单元的布置难度。此外，虽然负载补偿单元设置位置有所不同，但不同位置处的各负载补偿单元均能够使得各栅极驱动电路的负载趋于一致，以消除分屏现象，提升显示品质。
可选的，所述电容为多层电容，多层电容可以在占用较小面积的情况下，提高较高的电容值。
如图19和图20所示，图19和图20为阵列基板的剖面示意图，图19和图20提供了两种可选的多层电容的可行构成，在图19所示的阵列基板中，所述阵列基板还包括多晶硅层PO、第一金属层M1和第二金属层M2，其中，所述第一金属层M1位于所述多晶硅层PO背离衬底一侧，所述第二金属层M2位于所述第一金属层M1背离所述多晶硅层PO一侧；
所述多层电容包括相对设置的第一极板、第二极板和第三极板；
所述第一极板与所述第三极板电连接，所述第三极板由所述多晶硅层PO形成；
所述第二极板由所述第一金属层M1形成，所述第一金属层M1还用于形成所述阵列基板的数据线；
所述第三极板由所述第二金属层M2形成。
在图19中，利用三层极板形成多层电容，相较于两层极板形成的电容而言，在相同电容值的情况下，三层极板形成的多层电容能够有效地减少电容的面积。
在图20所示的阵列基板中，所述阵列基板还包括多晶硅层PO、第一金属层M1、第二金属层M2、第一导电薄膜层I1和第二导电薄膜层I2；其中，所述第一金属层M1位于所述多晶硅层PO背离所述衬底一侧，所述第二金属层M2位于所述第一金属层M1与第一导电薄膜层I1之间，所述第二导电薄膜层I2位于所述第一导电薄膜层I1背离所述衬底一侧；
所述多层电容包括相对设置的第四极板、第五极板、第六极板、第七极板和第八极板；
所述第四极板、第六极板和第八极板均电连接，所述第五极板和第七极板电连接；
所述第四极板由所述第二导电薄膜层I2形成；
所述第五极板由所述第一导电薄膜层I1形成；
所述第六极板由第二金属层M2形成；
所述第七极板由第一金属层M1形成，所述第一金属层M1还用于形成所述阵列基板的数据线；
所述第八极板由多晶硅层PO形成。
在图20中，多层电容由五层极板构成，同样的，相较于两层极板形成的电容而言，在相同电容值的情况下，五层极板形成的多层电容能够有效地减少电容的面积。
可选的，所述多晶硅层PO还用于形成薄膜晶体管的有源区，所述第一金属层M1还用于形成薄膜晶体管的栅极以及栅极线，所述第二金属层M2还用于形成薄膜晶体管的源极和漏极，以及数据线，所述第一导电薄膜层I1和第二导电薄膜层I2分别用于形成阵列基板的公共电极层和像素电极层。
另外需要说明的是，多晶硅层PO、第一金属层M1、第二金属层M2、第一导电薄膜层I1和第二导电薄膜层I2均为具有导电能力的导电层，因此为了避免直接接触短路，相邻的导电层之间还设置有绝缘层(附图19和20中未示出)，相邻的导电层需要进行电连接时，可以通过贯穿绝缘层的过孔实现。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，参考图21，图21为所述显示面板的剖面结构示意图，所述显示面板包括如上述任一实施例所述的阵列基板100和彩膜基板200，所述阵列基板100为上述任一实施例所述的阵列基板100。此外，图21中以液晶显示面板为例，还示出了液晶层300和支撑结构400。
当所述显示面板的有机发光显示面板时，不包括液晶层300和支撑结构400，阵列基板100经过封装后直接与彩膜基板200固定粘接后即可形成显示面板。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板，其中，在所述阵列基板中，由于所述非显示区中的补偿单元与所述第一栅极线一一对应，且补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供信号强度补偿或负载补偿，那么不同的补偿单元可以提供不同程度的补偿，从而实现针对相同负载的栅极线提供不同程度补偿的目的，实现了减少或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异，缓解或消除第二显示区和第一显示区的分屏现象的目的。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和包围所述显示区的非显示区；所述阵列基板的至少一个边缘具有至少一个缺口；
所述显示区包括第一显示区和位于所述缺口两侧的第二显示区；
所述第二显示区中具有多条第一栅极线，相邻两个所述第二显示区中位于同一行的第一栅极线的负载相同；
所述非显示区包括补偿单元，所述补偿单元与所述第一栅极线一一对应，所述补偿单元为至少两条负载相同的第一栅极线提供负载补偿，以减小或消除所述第二显示区与所述第一显示区的显示亮度差异；
所述第一显示区中，由于扫描信号的衰减，位于同一行被同一条栅极线驱动的显示像素的显示亮度逐渐降低；所述补偿单元用于对相同负载的第一栅极线提供不同程度的补偿，减小或消除相邻两个所述第二显示区中同一行中依次排布的多个位置与所述第一显示区中对应位置的显示亮度的差异。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二显示区中具有多条沿第一方向延伸的第一栅极线，相邻所述第二显示区中同一行的第一栅极线的负载相同；
所述非显示区包括位于所述第二显示区第一方向一侧的第一边框区，和位于所述第二显示区第二方向一侧的第二边框区，所述第一方向和第二方向相对，且相互平行；
所述非显示区还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路与所述第一栅极线连接，所述栅极驱动电路包括设置于所述第一边框区中的第一栅极电路，所述第一栅极电路用于为所述第一栅极线提供扫描信号。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述补偿单元包括第一负载补偿单元，所述第一负载补偿单元与所述第一栅极电路连接，所述第一负载补偿单元用于为所述第一栅极电路输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第二方向排布的第一栅极电路连接的第一负载补偿单元提供的负载补偿的值依次增加。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
设置于所述第二边框区中的第二栅极电路；
所述第二显示区中还包括多条沿第二方向延伸，且与所述第二栅极电路连接的第二栅极线，相邻所述第二显示区中同一行的第二栅极线的负载相同，所述第二栅极电路用于为所述第二栅极线提供扫描信号。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述补偿单元包括第二负载补偿单元，所述第二负载补偿单元与所述第二栅极电路连接，所述第二负载补偿单元用于为所述第二栅极电路输出的扫描信号提供负载补偿，且与沿所述第一方向排布的第二栅极电路连接的第二负载补偿单元提供的负载补偿的值依次增加。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述缺口数量为一个；
沿所述第一方向排布的第一个第二栅极电路的第二负载补偿单元提供的负载补偿的值，为另一个第二栅极电路的第二负载补偿单元提供的负载补偿的值的M倍；
沿所述第二方向排布的第一个第一栅极电路的第一负载补偿单元提供的负载补偿的值，为另一个第一栅极电路的第一负载补偿单元提供的负载补偿的值的M倍；
其中，M的取值范围为0.1-0.5。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二显示区中具有多条沿第一方向延伸的第一栅极线和第二栅极线，同一所述第二显示区中的第一栅极线和第二栅极线的负载均相同；
所述非显示区包括位于所述第二显示区第一方向一侧的第一边框区、位于所述第二显示区第二方向一侧的第二边框区、位于所述第一显示区第一方向一侧的第三边框区和位于所述第一显示区第二方向一侧的第四边框区，所述第一方向和第二方向相对，且相互平行；
所述非显示区还包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括设置于所述第一边框区中的第一栅极电路和设置于第二边框区中的第二栅极电路；所述第一栅极电路与所述第一栅极线连接，用于为所述第一栅极线提供扫描信号，所述第二栅极电路与所述第二栅极线连接，用于为所述第二栅极线提供扫描信号。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，
所述补偿单元包括第一负载单元和第二负载单元，所述第一负载单元与所述第一栅极电路连接，所述第二负载单元与所述第二栅极电路连接，所述第一负载单元和第二负载单元用于提供负载补偿；靠近所述第三边框区的第二显示区两侧的第一负载单元提供的负载补偿的值，小于第二负载单元提供的负载补偿的值；靠近所述第四边框区的第二显示区两侧的第一负载单元提供的信号强度补偿的值，大于第二负载单元提供的负载补偿的值。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿单元为负载补偿单元，所述负载补偿单元为电阻、电容、或电阻和电容的串联结构中的一者。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述电容为多层电容。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多晶硅层、第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层位于所述多晶硅层背离衬底一侧，所述第二金属层位于所述第一金属层背离所述多晶硅层一侧；
所述多层电容包括相对设置的第一极板、第二极板和第三极板；
所述第一极板与所述第三极板电连接；
所述第二极板由所述第一金属层形成，所述第一金属层还用于形成所述阵列基板的数据线；
所述第三极板由所述多晶硅层形成，或，所述第三极板由所述第二金属层形成。
12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多晶硅层、第一金属层、第二金属层、第一导电薄膜层和第二导电薄膜层；其中，所述第一金属层位于所述多晶硅层背离所述衬底一侧，所述第二金属层位于所述第一金属层与第一导电薄膜层之间，所述第二导电薄膜层位于所述第一导电薄膜层背离所述衬底一侧；
所述多层电容包括相对设置的第四极板、第五极板、第六极板、第七极板和第八极板；
所述第四极板、第六极板和第八极板均电连接，所述第五极板和第七极板电连接；
所述第四极板由所述第二导电薄膜层形成；
所述第五极板由所述第一导电薄膜层形成；
所述第六极板由第二金属层形成；
所述第七极板由第一金属层形成，所述第一金属层还用于形成所述阵列基板的数据线；
所述第八极板由多晶硅层形成。
13.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
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