CN109253743A - 等离激元声波谐振双波段红外传感器 - Google Patents
等离激元声波谐振双波段红外传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109253743A CN109253743A CN201811340279.2A CN201811340279A CN109253743A CN 109253743 A CN109253743 A CN 109253743A CN 201811340279 A CN201811340279 A CN 201811340279A CN 109253743 A CN109253743 A CN 109253743A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- infrared sensor
- metal
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 5
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229940112822 chewing gum Drugs 0.000 description 1
- 235000015218 chewing gum Nutrition 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/40—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light specially adapted for use with infrared light
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
- H03H3/0075—Arrangements or methods specially adapted for testing microelecro-mechanical resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H2009/02165—Tuning
- H03H2009/02173—Tuning of film bulk acoustic resonators [FBAR]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
等离激元声波谐振双波段红外传感器涉及红外传感技术领域，解决了现有技术中吸收率较低和双波段吸收增加吸收层厚度的问题，包括依次连接的读出集成电路衬底、薄膜体声波谐振器、介质层和金属阵列层，金属阵列层包括复数个金属单元，每个金属单元由两种不同尺寸的金属块组成。本发明非制冷红外传感器通过在薄膜体声波谐振器表面集成介质层和金属阵列层，实现非制冷红外传感器对红外光谱的增强吸收，吸收率从20％提高到80％以上，同时通过金属块尺寸变换实现双波段，不增加吸收层厚度且红外传感器传感性能优良；通过集成方式制造，可批量生产，且成本低廉；既有传统非制冷红外传感的优点，同时响应快速、传感灵敏度高。
Description
技术领域两
本发明涉及红外传感技术领域，具体涉及等离激元声波谐振双波段红外传感器。
背景技术
根据工作的温度不同，红外传感器一般分为制冷型和非制冷型两大类。制冷型红外传感器通常由半导体材料制成。利用某些材料的光电效应，光敏材料吸收光子后，引起电学参数的改变。为了抑制热载流子及噪声，制冷型红外传感器工作温度通常在77K以下。需要利用制冷机或者液氮等制冷，这将导致其体积和重量相对较大，价格也比较昂贵。非制冷型红外传感器也叫室温传感器，可在室温条件下工作而无需制冷，因此具有更易于便携等优点。非制冷红外传感器一般是热传感器，即通过传感红外辐射的热效应来工作。非制冷红外传感器因其省略了体积庞大、价格昂贵的制冷机构，在体积、重量、寿命、成本、功耗、启动速度及稳定性等方面相比于制冷型红外传感器具有优势。但在响应时间、传感灵敏度方面较制冷型红外传感器存在差距。
近年来，随着微纳传感技术的发展，薄膜体声波谐振器的应用也扩展到非制冷红外传感器领域。一方面，薄膜体声波谐振器通常具有微型的尺寸，抗外界干扰能力更强；另一方面，薄膜体声波谐振器通常工作在谐振模拟，且具有很高的品质因数，所以器件表现出很高的灵敏度；以上两个方面促使基于薄膜体声波谐振器的非制冷红外传感器表现出优秀的信噪比指标。另外，薄膜体声波谐振器采用频率读出电路方式，该种方式可以有效抑制闪烁噪声(1/f噪声)。
然而薄膜体声波谐振器的敏感表面对红外辐射的吸收率较低，一般小于20％，且对入射频谱没有选择性。从而导致基于薄膜体声波谐振器的非制冷红外传感器对红外辐射的吸收率较低。
目前，非制冷红外传感器通常只能传感某一波段范围内的红外辐射。如果要实现中波和长波双色吸收，需要设计双材料吸收层结构，通过不同材料对不同谱段的吸收，实现双色传感。但该方法受材料制备应力限制，材料选择范围有限并且增加吸收层厚度，会影响非制冷红外传感器性能。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供等离激元声波谐振双波段红外传感器。
本发明为解决技术问题所采用的技术方案如下：
等离激元声波谐振双波段红外传感器，包括薄膜体声波谐振器，该红外传感器还包括连接薄膜体声波谐振器的读出集成电路衬底、位于薄膜体声波谐振器上表面上的介质层和位于介质层上表面上的金属阵列层，所述金属阵列层包括复数个金属单元，每个金属单元由两种不同尺寸的金属块组成。
本发明的有益效果是：
1、通过在薄膜体声波谐振器表面集成介质层和金属阵列层的结构，利用金属阵列层实现对红外光谱的增强吸收，吸收的能量作用于薄膜体声波谐振器上，克服了薄膜体声波谐振器的敏感表面对红外辐射的吸收率较低的问题，将非制冷红外传感器的吸收率提高到80％以上。
2、通过复数个由两种不同尺寸的金属块组成的金属阵列层实现双波段吸收，克服了双材料吸收层结构的不足，金属阵列层无需双材料吸收层结构和增加吸收层厚度，工艺制作简单，对应的红外传感器拥有优良、稳定、可靠的红外传感性能。
3、本发明的非制冷红外传感器是薄膜结构，相比于以往微桥结构的非制冷红外传感器在抗震性能和像元一致性等方面具有明显优势。
4、本发明将薄膜体声波谐振器、介质层和金属阵列层集成在读出集成电路衬底上，因此具有集成制造、批量生产、成本低廉等优势。
5、本发明的一种等离激元声波谐振双波段红外传感器既有传统非制冷红外传感低成本、小型化、高稳定性、长寿命的优点，也兼具制冷型红外传感器快速响应、高传感灵敏度的优点。
附图说明
图1为本发明的非制冷红外传感器的结构示意图。
图2为本发明的非制冷红外传感器的读出集成电路衬底的结构示意图。
图3为本发明的非制冷红外传感器的金属阵列层的一种具体结构图。
图4为本发明的非制冷红外传感器的金属阵列层的另一种具体结构图。
图5为本发明的非制冷红外传感器的薄膜体声波谐振器的结构示意图。
图6为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S1对应的状态图。
图7为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S2对应的状态图。
图8为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S3对应的状态图。
图9为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S4对应的状态图。
图10为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S5对应的状态图。
图11为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S6对应的状态图。
图12为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S7对应的状态图。
图13为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S8对应的状态图。
图14为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S9对应的状态图。
图15为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S10对应的状态图。
图16为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S11对应的状态图。
图17为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S12对应的状态图。
图18为本发明的非制冷红外传感器的制备过程S13对应的状态图。
图中：1、读出集成电路衬底，1-1、第一衬底电极，1-2、第二衬底电极，1-3、衬底，2、薄膜体声波谐振器，2-1、顶电极，2-.2、压电层，2-3、底电极，2-4、第一电极，2-5、第二电极，2-6、硅基底，2-7、右通孔电极，2-8、左通孔电极，2-9、空腔，2-17、右通孔，2-18、左通孔，2-19、凹槽，2-29、牺牲层，3、介质层，4、金属阵列层，4-1、金属单元，5、连接层。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
一种基于薄膜体声波谐振器2的双波段非制冷红外传感器，如图1所示，该红外传感器还包括读出集成电路衬底1(又称ROIC衬底)、薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4，读出集成电路衬底1、薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4依次连接，薄膜体声波谐振器2位于读出集成电路衬底1上、介质层3位于薄膜体声波谐振器2上表面，金属阵列层4位于介质层3上表面。金属阵列层4包括复数个金属单元4-1，每个金属单元4-1由两种不同尺寸的金属块组成。
本发明一种基于薄膜体声波谐振器2的双波段非制冷红外传感器，提供了一种基于介质层3、金属阵列层4和薄膜体声波谐振器2技术的非制冷红外传感器结构。其传感机理在于利用金属阵列层4和介质层3实现对红外光谱的增强吸收，吸收的能量作用于薄膜体声波谐振器2上，通过检测薄膜体声波谐振器2电学参数的变化，推导出红外辐射量。本发明通过在薄膜体声波谐振器2表面集成介质层3和金属阵列层4的结构，克服了薄膜体声波谐振器2的敏感表面对红外辐射的吸收率较低的问题，将非制冷红外传感器的吸收率提高到80％以上，也增加了对入射光谱的选择性。同时，金属阵列层4包括多个重复金属单元4-1，每一个金属单元4-1由两种不同尺寸的金属块结构组成，两种不同尺寸的金属块对应两个不同的吸收波峰，两个吸收波峰达到双波段吸收的效果，所以通过在薄膜体声波谐振器2表面集成金属阵列层4克服了双材料吸收层结构的不足，不同于采用双层结构吸收来增加吸收带宽的方式，金属阵列层4的制备采用一种材料进行金属块尺寸变换即可实现，无需双材料吸收层结构，即无需增加吸收层厚度或是堆叠层数，工艺制作简单，同时红外传感器拥有优良、稳定、可靠的红外传感性能。另外，本发明提供的非制冷红外传感器是薄膜结构，相比于以往微桥结构的非制冷红外传感器在抗震性能和像元一致性等方面具有明显优势。通过薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4集成在读出集成电路衬底1上，因此具有集成制造、批量生产、成本低廉等优势。该非制冷红外传感器既有传统非制冷红外传感低成本、小型化、高稳定性、长寿命的优点，也兼具制冷型红外传感器快速响应、高传感灵敏度的优点。
上述的读出集成电路衬底1和薄膜体声波谐振器2可直接连接也可以通过连接层5连接，所说的连接层5为连接电极。读出集成电路衬底1包括衬底1-3和设置在衬底1-3上的两个衬底电极，分别称为第一衬底电极1-1和第二衬底电极1-2，第一衬底电极1-1和第二衬底电极1-2均连接衬底1-3，如图2所示。读出集成电路衬底1的功能是读取薄膜体声波谐振器2的电学信号。通常读出集成电路衬底1工作在射频波段，更具体地，读出集成电路衬底1工作在薄膜体声波谐振器2的谐振频率附近波段(约1GHz～3GHz)。
金属阵列层4的材料通常采用Au、Ag、Al等，但不限于这三种金属；金属阵列层4制作工艺可采用常用半导体工艺及电子束光刻技术。介质层3的材料通常采用Ge、MgF2、SiO2或AlN等，但不限于这些材料。图3和图4为位于介质层3上的金属阵列层4的两种结构的举例，但不限于图3、图4两种结构，如图3和图4，通过设计每个金属单元4-1包括两种不同尺寸的金属块的阵列结构，实现对红外辐射的双波段增强吸收，图3中虚线所框选的区域为金属单元4-1，金属单元4-1内的两种不同尺寸的金属块均为正方形(横截面为正方形)，图4中两种不同尺寸的金属块均为圆形(横截面为圆形)。
薄膜体声波谐振器2包括硅基底2-6、空腔2-9、底电极2-3、压电层2-2、顶电极2-1、左通孔电极2-8、右通孔电极2-7、第一电极2-4和第二电极2-5，具体结构如图5所示。硅基底2-6上设有左通孔2-18和右通孔2-17，左通孔电极2-8位于左通孔2-18内、左通孔电极2-8填充左通孔2-18，右通孔电极2-7位于右通孔2-17内、右通孔电极2-7填充右通孔2-17。第一电极2-4和第二电极2-5均设置在硅基底2-6的下表面，第一电极2-4连接左通孔电极2-8的下端，可以为与左通孔电极2-8一体成型，第二电极2-5连接右通孔电极2-7的下端，可以为与右通孔电极2-7一体成型。第一电极2-4连接读出集成电路衬底1的第一衬底电极1-1，第二电极2-5连接读出集成电路衬底1的第二衬底电极1-2，左通孔电极2-8通过第一电极2-4连通读出集成电路衬底1，右通孔电极2-7通过第二电极2-5连通读出集成电路衬底1。空腔2-9位于硅基底2-6的上表面，底电极2-3设置在空腔2-9和硅基底2-6的上面，空腔2-9位于底电极2-3和硅基底2-6之间，底电极2-3覆盖空腔2-9，即空腔2-9在硅基底2-6上的投影面积小于底电极2-3在硅基底2-6上的投影面积，也就是底电极2-3和硅基底2-6的中间的空间称之为空腔2-9，空腔2-9作用是实现声波的反射，将机械能限制在薄膜体声波谐振器2内部。压电层2-2设置在底电极2-3上表面上，顶电极2-1设置在压电层2-2上表面上，介质层3设置在顶电极2-1上表面上，底电极2-3连接左通孔电极2-8的上端，顶电极2-1连接右通孔电极2-7的上端。优选的是，压电层2-2在硅基底2-6上的投影面积大于空腔2-9在硅基底2-6上的投影面积。顶电极2-1、介质层3和金属阵列层4共同组成双波带吸收层，双波带吸收层的宽带吸收提高了非制冷红外传感器的性能。
上述的底电极2-3和顶电极2-1通常采用Mo、W、Al、Pt或者Ni等材料。压电层2-2通常采用AlN、ZnO、LiNbO3或石英等材料。右通孔电极2-7、左通孔电极2-8、第一电极2-4和第二电极2-5通常采用电镀工艺制作，可选材料包括Au、Cu或Ni，但不限于这几种材料。
本发明的红外传感器还包括围板和红外窗口。围板设置在读出集成电路衬底1上，例如通过密封胶粘在读出集成电路衬底1上表面。红外窗口设置在围板上，而且红外窗口位于金属阵列层4的正上方，允许红外光透过该红外窗口照射在金属阵列层4的表面。读出集成电路衬底1、围板和红外窗口共同构成密封腔，根据工作条件的需求，密封腔为薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4提供真空环境。
根据本发明一种基于薄膜体声波谐振器2的双波段非制冷红外传感器，提供了一种基于薄膜体声波谐振器2的双波段非制冷红外传感器的制备方法。具体步骤如下：
S1、取得硅基底2-6
如图6所示，取得硅基底2-6；硅基底2-6为半导体行业中常用的高阻双抛硅片。
S2、在硅基底2-6上制备左通孔2-18、右通孔2-17和凹槽2-19
如图7所示，在硅基底2-6上制备左通孔2-18、右通孔2-17和凹槽2-19(在S11中，凹槽2-19配合底电极2-3成为空腔2-9)。左通孔2-18和右通孔2-17的制备工艺通常采用深硅离子反应刻蚀(DRIE)。凹槽2-19的制备工艺可以采用干法或湿法刻蚀。
S3、制作导电电极
如图8所示，在左通孔2-18内制备左通孔电极2-8，在右通孔2-17内制备右通孔电极2-7，在左通孔电极2-8下端、硅基底2-6的下表面制作第一电极2-4，在右通孔电极2-7下端、硅基底2-6的下表面制作第二电极2-5。左通孔电极2-8、右通孔电极2-7、第一电极2-4和第二电极2-5的制备工艺通常采用电镀的方法，电镀的材料可以选用Cu、Au或Ni等。
S4、利用牺牲层材料填充凹槽2-19
如图9所示，在硅基底2-6上表面沉积第一牺牲层，第一牺牲层覆盖凹槽2-19和硅基底2-6上表面。第一牺牲层的厚度要大于凹槽2-19的深度。第一牺牲层的材料通常采用硼硅玻璃。第一牺牲层以及下述的第二牺牲层统称为牺牲层2-29。
S5、将硅基底2-6上表面磨平
如图10所示，将硅基底2-6上表面进行平坦化处理。平坦化通常采用化学机械研磨的工艺。硅基底2-6平坦化后，硅基底2-6上表面露出左通孔电极2-8和右通孔电极2-7，第一牺牲层平坦化后称为第二牺牲层，第二牺牲层仅存在于凹槽2-19中，第二牺牲层上表面与硅基底2-6上表面共面。
S6、制备底电极2-3
如图11所示，在S5完成后的硅基底2-6上表面和第二牺牲层上表面制备底电极2-3。底电极2-3一端与左通孔电极2-8的上端连接，底电极2-3覆盖第二牺牲层。底电极2-3的制备通常采用磁控溅射的工艺。
S7、制备压电层2-2
如图12所示，在底电极2-3上表面上制备压电层2-2。优选的是，压电层2-2在硅基底2-6上的投影面积大于凹槽2-19(即S11的空腔2-9)在硅基底2-6上的投影面积。压电层2-2通常采用气相化学沉积的方法制备。
S8、制备顶电极2-1
如图13所示，在压电层2-2上表面上制备顶电极2-1。顶电极2-1的一端与右通孔电极2-7连接。顶电极2-1的制备通常采用磁控溅射的工艺。
S9、制备介质层3
如图14所示，在顶电极2-1上表面上制备介质层3。介质层3的制备通常采用溅射或者真空蒸镀等工艺方法。介质层3面积通常小于等于顶电极2-1面积，介质层3的下表面的面积小于等于顶电极2-1上表面的面积。
S10、制备金属阵列层4
如图15所示，在介质层3上表面上制备金属阵列层4。金属阵列层4可以采用光刻或者电子束光刻、剥离等工艺完成。
S11、刻蚀牺牲层2-29以得到空腔2-9
如图16所示，释放第二牺牲层，得到空腔2-9，即得到薄膜体声波谐振器2，此时介质层3与薄膜体声波谐振器2为连接状态。上述空腔2-9可以采用HF溶液湿法刻蚀第二牺牲层或者采用气态HF干法刻蚀第二牺牲层得到。
S12、制备读出集成电路衬底1
如图17所示，制备读出集成电路衬底1。
S13、将读出集成电路衬底1与薄膜体声波谐振器2进行键合
如图18所示，通过键合的方式，将薄膜体声波谐振器2与读出集成电路衬底1连接，得到非制冷红外传感器。也就是将第一衬底电极1-1和第一电极2-4连接、将第二衬底电极1-2和第二电极2-5连接。两个衬底电极可通过连接层5与薄膜体声波谐振器2上的第一电极2-4和第二电极2-5连接。键合方式通常采用金属热压键合工艺。
S14、封装
对S14所得到的器件进行封装。围板胶在读出集成电路衬底1上，再将红外窗口胶连围板的上部，读出集成电路衬底1、围板和红外窗口组成密封腔。围板可以采用硅片晶圆、玻璃片或者陶瓷封装结构等。该密封腔可根据薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4的要求，对密封腔抽真空。制备完成。
上述制造方法是通过MEMS微加工方法，将薄膜体声波谐振器2、介质层3和金属阵列层4集成在读出集成电路衬底1上，因此具有集成制造、批量生产、成本低廉等优势。
Claims (7)
1.等离激元声波谐振双波段红外传感器，包括薄膜体声波谐振器(2)，其特征在于，该红外传感器还包括连接薄膜体声波谐振器(2)的读出集成电路衬底(1)、位于薄膜体声波谐振器(2)上表面上的介质层(3)和位于介质层(3)上表面上的金属阵列层(4)，所述金属阵列层(4)包括复数个金属单元(4-1)，每个金属单元(4-1)由两种不同尺寸的金属块组成。
2.如权利要求1所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，所述读出集成电路衬底(1)包括衬底(1-3)和衬底电极，所述衬底电极的数量为两个，衬底电极位于衬底(1-3)上表面上，衬底电极连接衬底(1-3)和薄膜体声波谐振器(2)。
3.如权利要求2所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器(2)包括硅基底(2-6)、空腔(2-9)、底电极(2-3)、压电层(2-2)、顶电极(2-1)、左通孔电极(2-8)、右通孔电极(2-7)、第一电极(2-4)和第二电极(2-5)，第一电极(2-4)和第二电极(2-5)均位于硅基底(2-6)下表面、且一一对应的连接两个衬底电极，左通孔电极(2-8)和右通孔电极(2-7)位于硅基底(2-6)内且一一对应连接第一电极(2-4)和第二电极(2-5)，底电极(2-3)连接左通孔电极(2-8)且位于硅基底(2-6)上，空腔(2-9)位于硅基底(2-6)和底电极(2-3)之间，且空腔(2-9)在硅基底(2-6)上的投影面积小于底电极(2-3)在硅基底(2-6)上的投影面积，压电层(2-2)设置在底电极(2-3)上表面上，顶电极(2-1)设置在压电层(2-2)上表面上且连接右通孔电极(2-7)，顶电极(2-1)的上表面上设置介质层(3)。
4.如权利要求3所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，所述压电层(2-2)在硅基底(2-6)上的投影面积大于空腔(2-9)在硅基底(2-6)上的投影面积。
5.如权利要求3所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，所述金属阵列层(4)的材料为Au、Ag或Al；介质层(3)的材料为Ge、MgF2、SiO2或AlN；底电极(2-3)和顶电极(2-1)的材料为Mo、W、Al、Pt或Ni；压电层(2-2)的材料为AlN、ZnO、LiNbO3或石英；左通孔电极(2-8)、右通孔电极(2-7)、第一电极(2-4)和第二电极(2-5)的材料为Au、Cu或Ni。
6.如权利要求1所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，红外传感器还包括设置在读出集成电路衬底(1)上的围板和设置在围板上的红外窗口，所述红外窗口位于金属阵列层(4)的正上方，读出集成电路衬底(1)、围板和红外窗口共同构成密封腔。
7.如权利要求1所述的等离激元声波谐振双波段红外传感器，其特征在于，红外传感器还包括连接层(5)，读出集成电路衬底(1)通过连接层(5)连接薄膜体声波谐振器(2)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811340279.2A CN109253743B (zh) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 等离激元声波谐振双波段红外传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811340279.2A CN109253743B (zh) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 等离激元声波谐振双波段红外传感器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109253743A true CN109253743A (zh) | 2019-01-22 |
| CN109253743B CN109253743B (zh) | 2020-09-22 |
Family
ID=65043699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811340279.2A Expired - Fee Related CN109253743B (zh) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 等离激元声波谐振双波段红外传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109253743B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109813447A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 集成宽带人工表面的非制冷红外焦平面及制作方法 |
| CN109813448A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 双谱超表面集成非制冷红外探测器及制作方法 |
| CN111564700A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-21 | 江苏大学 | 一种基于超材料的双波段太赫兹增透膜结构 |
| CN114353956A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-15 | 清华大学 | 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050035828A1 (en) * | 2003-04-07 | 2005-02-17 | Kyoung Je Hong | Film bulk acoustic resonator (FBAR) device and method for producing the same |
| CN101551330A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-07 | 南京大学 | 一种表面等离激元晶体传感器及其制备方法 |
| CN101586985A (zh) * | 2008-05-23 | 2009-11-25 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法 |
| CN101713688A (zh) * | 2009-12-11 | 2010-05-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种mems非制冷双波段红外探测器及其制备方法 |
| CN101894831A (zh) * | 2009-05-20 | 2010-11-24 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
| CN102175329A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-09-07 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 红外探测器及其制作方法及多波段非制冷红外焦平面 |
| CN102509728A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-06-20 | 北京大学 | 一种非制冷红外探测器的设计及制备方法 |
| CN202329818U (zh) * | 2011-11-18 | 2012-07-11 | 华中科技大学 | 一种非致冷红外探测装置 |
| US20120205541A1 (en) * | 2009-10-21 | 2012-08-16 | Seung-Chang Lee | Plasmonic detectors |
| CN102664185A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-09-12 | 上海中科高等研究院 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
| CN103335728A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于等离子体透镜阵列的非制冷红外焦平面探测器 |
| US20140217289A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared detector |
| CN104030234A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-10 | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 | 基于薄膜体声波谐振器的mems红外传感器制备方法 |
| CN203932063U (zh) * | 2010-12-23 | 2014-11-05 | 菲力尔***公司 | 双波段焦平面阵列 |
| WO2015104294A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | Universite Paris Diderot Paris 7 | Semiconductor photodetector |
| CN108565301A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-21 | 哈尔滨工业大学 | 基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法 |
-
2018
- 2018-11-12 CN CN201811340279.2A patent/CN109253743B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050035828A1 (en) * | 2003-04-07 | 2005-02-17 | Kyoung Je Hong | Film bulk acoustic resonator (FBAR) device and method for producing the same |
| CN101586985A (zh) * | 2008-05-23 | 2009-11-25 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法 |
| CN101551330A (zh) * | 2009-05-15 | 2009-10-07 | 南京大学 | 一种表面等离激元晶体传感器及其制备方法 |
| CN101894831A (zh) * | 2009-05-20 | 2010-11-24 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
| US20120205541A1 (en) * | 2009-10-21 | 2012-08-16 | Seung-Chang Lee | Plasmonic detectors |
| CN101713688A (zh) * | 2009-12-11 | 2010-05-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种mems非制冷双波段红外探测器及其制备方法 |
| CN102175329A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-09-07 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 红外探测器及其制作方法及多波段非制冷红外焦平面 |
| CN203932063U (zh) * | 2010-12-23 | 2014-11-05 | 菲力尔***公司 | 双波段焦平面阵列 |
| CN102509728A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-06-20 | 北京大学 | 一种非制冷红外探测器的设计及制备方法 |
| CN202329818U (zh) * | 2011-11-18 | 2012-07-11 | 华中科技大学 | 一种非致冷红外探测装置 |
| CN102664185A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-09-12 | 上海中科高等研究院 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
| US20140217289A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Infrared detector |
| CN103335728A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于等离子体透镜阵列的非制冷红外焦平面探测器 |
| WO2015104294A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | Universite Paris Diderot Paris 7 | Semiconductor photodetector |
| CN104030234A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-10 | 江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司 | 基于薄膜体声波谐振器的mems红外传感器制备方法 |
| CN108565301A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-09-21 | 哈尔滨工业大学 | 基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ZHENYUN QIAN等: "Narrowband MEMS resonant infrared detectors based on ultrathin perfect plasmonic absorbers", 《IEEE》 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109813447A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 集成宽带人工表面的非制冷红外焦平面及制作方法 |
| CN109813448A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 双谱超表面集成非制冷红外探测器及制作方法 |
| CN109813447B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-08-31 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 集成宽带人工表面的非制冷红外焦平面及制作方法 |
| CN111564700A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-21 | 江苏大学 | 一种基于超材料的双波段太赫兹增透膜结构 |
| CN114353956A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-15 | 清华大学 | 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置 |
| CN114353956B (zh) * | 2022-01-06 | 2024-04-19 | 清华大学 | 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109253743B (zh) | 2020-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109253743A (zh) | 等离激元声波谐振双波段红外传感器 | |
| CN109459144A (zh) | 基于压电效应及复合等离激元的宽光谱红外传感器 | |
| CN109502540B (zh) | 基于薄膜体声波谐振器的偏振型红外探测器的制备方法 | |
| CN110118605A (zh) | 一种谐振型宽光谱非制冷红外探测器及其制备方法 | |
| CN104030234B (zh) | 基于薄膜体声波谐振器的mems红外传感器制备方法 | |
| CN105784189B (zh) | 硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备 | |
| CN110118604B (zh) | 基于混合谐振模式的宽光谱微测辐射热计及其制备方法 | |
| EP1068638A1 (en) | Wafer-pair having deposited layer sealed chambers | |
| CN105527026B (zh) | 一种像素单元及其构成的红外成像探测器 | |
| CN109459145B (zh) | 基于微机电谐振器的双波段非制冷红外探测器的制备方法 | |
| KR101068042B1 (ko) | 초소형 인체 감지용 적외선 센서 및 그의 제조방법 | |
| CN110687065B (zh) | 一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器 | |
| JPH10274561A (ja) | 熱型赤外線検出素子 | |
| WO2020125324A1 (zh) | 一种具有高效能谐振腔的红外探测器及其制备方法 | |
| CN109459148B (zh) | 基于超表面fbar谐振频率温漂特性的偏振红外传感器 | |
| CN109459143B (zh) | 基于等离激元及压电薄膜温度频率特性的红外传感器 | |
| CN113447148B (zh) | 一种红外焦平面探测器 | |
| CN109470367B (zh) | 一种基于fbar的宽波段非制冷红外探测器的制备方法 | |
| RU2465685C2 (ru) | Устройство, содержащее слоеную конструкцию, для обнаружения теплового излучения, способ его изготовления и использования | |
| CN108801966B (zh) | 一种多类型气体传感用多元热释电敏感元件 | |
| US20020081760A1 (en) | Individual detector performance in radiation detector arrays | |
| CN109459146B (zh) | 一种基于压电谐振器的非制冷红外探测器的制备方法 | |
| CN102928089B (zh) | 一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法 | |
| CN103072941B (zh) | 基于表面牺牲层工艺的mems器件自封装制备方法 | |
| KR101034647B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 패키징을 이용한 ｎｄｉｒ 방식의 가스 센서용적외선 감지소자 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200922 |