CN109245745A - 一种信号发生方法、装置和射频装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种信号发生方法、装置和射频装置，涉及电子技术领域，包括：信号产生电路，MOS管和变压器，其中，信号产生电路的输出端与MOS管的第一端相连接，MOS管的第二端与变压器的原边接线端子相连接，MOS管的第三端与低电平信号相连接；信号产生电路用于生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，第一PWM信号和第二PWM信号为互补对称的PWM信号；MOS管用于在第一PWM信号和第二PWM信号的控制下交替导通和关闭；变压器用于基于MOS管的导通和关闭，在变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号，本发明所提供的射频装置填补了现有技术空白，能实现频率可调、占空比可调、死区时间可调能够满足大多数皮肤状况。

Description

一种信号发生方法、装置和射频装置

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其是涉及一种信号发生方法、装置和射频装置。

背景技术

随着经济的发展，人民生活水平的提高，女性开始越来越关注自身的健康，皮肤的健康便是其中的重点之一。射频美容仪是常见的美容理疗仪器，它通过刺激皮肤真皮层下的胶原蛋白增生，从而达到嫩肤、淡化皱纹、提升面部皮肤的功效。

目前市场上的射频美容仪存在很多双极以及多级射频美容仪。现有射频美容仪设置有两个或者多个触点式的治疗探头。通过治疗探头来接触皮肤，从而实现对电极之间皮肤接触面的美容理疗功能。但是，现有的射频美容仪的电极所发出的射频能量是恒定的，这将导致现有的射频美容仪对不同皮肤的美容理疗效果具有局限性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种信号发生方法、装置和射频装置，以缓解了现有的射频技术射频效果差且实用性差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种信号发生装置，包括：信号产生电路，MOS管和变压器，其中，所述信号产生电路的输出端与所述MOS管的第一端相连接，所述MOS管的第二端与所述变压器的原边接线端子相连接，所述MOS管的第三端与低电平信号相连接；所述信号产生电路用于生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号；所述MOS管用于在所述第一PWM信号和所述第二PWM信号的控制下交替导通和关闭；所述变压器用于基于所述MOS管的导通和关闭，在所述变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号。

进一步地，所述信号产生电路包括：处理器和驱动装置，其中，所述处理器的输出端与所述驱动装置的输入端相连接，所述驱动装置的输出端与所述MOS管的第一端相连接；所述处理器用于生成第一初始PWM信号和第二初始PWM信号，其中，所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号为互补对称的PWM信号；所述驱动装置用于对所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号进行放大处理，得到所述第一PWM信号和所述第二PWM信号。

进一步地，所述MOS管包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：所述第一MOS管的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第一MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第一MOS管的源极与所述变压器原边的第一接线端子相连接；所述第二MOS管的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第二MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第二MOS管的源极与所述变压器原边的第二接线端子相连接。

进一步地，所述变压器原边的第三接线端子用于获取初始电压，其中，所述变压器原边的第三接线端子位于所述第一接线端子和所述第二接线端子之间。

进一步地，所述变压器为平面变压器。

进一步地，所述装置还包括：电极，所述电极与所述变压器的副边接线端子相连接，用于获取所述变压器输出的电信号，并基于获取到的所述电信号输出所述正弦信号。

进一步地，所述电极包括：第一电极和第二电极，其中，所述第一电极的输入端与第一副边接线端子相连接，所述第二电极的输入端与第二副边接线端子相连接。

第二方面，本发明实施例提供了一种射频装置，包括外壳和上述第一方面中任一项所述的信号发生装置，所述信号发生装置设置在所述外壳的内部，所述外壳用于保护所述信号发生装置。

进一步地，所述射频装置还包括：控制按键；所述控制按键与所述信号发生装置中的处理器相连接，用于调节所述射频装置的开关状态和工作档位。

第三方面，本发明实施例提供了一种信号发生方法，应用于上述第一方面中任一项所述的信号发生装置，包括：生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号；通过所述第一PWM信号和所述第二PWM信号控制所述信号发生装置中MOS管的导通和关闭；基于所述MOS管的导通和关闭，在所述信号发生装置的变压器的副边感应线圈中感应并输出正弦信号。

在本发明实施例中，首先，通过信号产生电路生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号；然后，利用第一PWM信号和第二PWM信号控制MOS管交替导通和关闭，在MOS管交替导通和关闭的过程中，在变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号，进而，通过该正弦信号实现射频。采用本实施例所提供的信号发生装置来实现射频，所提供的射频装置填补了现有技术空白，能实现频率可调、占空比可调、死区时间可调能够满足大多数皮肤状况，进而缓解了现有的射频技术射频效果差且实用性差的技术问题。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明实施例的一种信号发生装置的示意图；

图2是根据本发明实施例的第一种可选地信号发生装置的示意图；

图3是根据本发明实施例的第二种可选地信号发生装置的示意图；

图4是根据本发明实施例的一种信号发生方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

根据本发明实施例，提供了一种信号发生装置的实施例。

图1是根据本发明实施例的一种信号发生装置的示意图，如图1所示，该信号发生装置包括：信号产生电路10，MOS管20和变压器30，其中，所述信号产生电路的输出端与所述MOS管的第一端相连接，所述MOS管的第二端与所述变压器的原边接线端子相连接，所述MOS管的第三端与低电平信号相连接。

具体地，所述信号产生电路用于生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号。

需要说明的是，在本实施例中，第一PWM信号和第二PWM信号为两路互补对称的PWM波，且此PWM波的频率、占空比、以及死区时间均可调。具体地，可以在信号发生装置的处理器中来调整PWM波的频率、占空比、以及死区时间。

所述MOS管用于在所述第一PWM信号和所述第二PWM信号的控制下交替导通和关闭；

所述变压器用于基于所述MOS管的导通和关闭，在所述变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号。

在本发明实施例中，首先，通过信号产生电路生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号；然后，利用第一PWM信号和第二PWM信号控制MOS管交替导通和关闭，在MOS管交替导通和关闭的过程中，在变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号，进而，通过该正弦信号实现射频。采用本实施例所提供的信号发生装置来实现射频，所提供的射频装置填补了现有技术空白，能实现频率可调、占空比可调、死区时间可调能够满足大多数皮肤状况，进而缓解了现有的射频技术射频效果差且实用性差的技术问题。

在一个可选的实施方式中，如图2所示，信号产生电路10包括：处理器11和驱动装置12，其中，所述处理器11的输出端与所述驱动装置的输入端相连接，所述驱动装置12的输出端与所述MOS管的第一端相连接；

所述处理器11用于生成第一初始PWM信号和第二初始PWM信号，其中，所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号为互补对称的PWM信号；

所述驱动装置12用于对所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号进行放大处理，得到所述第一PWM信号和所述第二PWM信号。

需要说明的是，在本实施例中，该处理器可以为单片机，还可以为DSP(DigitalSignal Processing，数据信号处理器)，FPGA(Field-Programmable Gate Array，即现场可编程门阵列)等设备，本实施例中不做具体限定。

若该处理器为单片机，那么该单片机通过IO口输出两路互补对称的PWM波，分别为PWM1(第一初始PWM信号)，PWM2(第二初始PWM信号)。此PWM波(即，第一初始PWM信号和第二初始PWM信号)的频率、占空比、以及死区时间均可调。PWM1和PWM2输入到驱动装置中，驱动装置输出频率相同、占空比相同、死区时间相同的两路互补对称的PWM波，分别为PWM3(第一PWM信号)，PWM4(第二PWM信号)，使其驱动能力更强。

在一个可选的实施方式中，如图3所示，MOS管20包括：第一MOS管21和第二MOS管22，其中：

所述第一MOS管21的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第一MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第一MOS管的源极与所述变压器原边的第一接线端子相连接；

所述第二MOS管22的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第二MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第二MOS管的源极与所述变压器原边的第二接线端子相连接。

需要说明的是，在本实施例中，第一MOS管记为MOS管1，第二MOS管记为MOS管2。PWM3和PWM4分别控制着MOS管1和MOS管2的关闭以及导通。

在本实施例中，如图3所示，变压器原边的第三接线端子用于获取初始电压(即，Vin)，其中，所述变压器原边的第三接线端子位于所述第一接线端子和所述第二接线端子之间。

可选地，在本实施例中，所述变压器为平面变压器。

在本实施例中，如图3所示，该装置还包括：电极40，所述电极与所述变压器的副边接线端子相连接，用于获取所述变压器输出的电信号，并基于获取到的所述电信号输出所述正弦信号。

可选地，所述电极40包括：第一电极41和第二电极42，其中，所述第一电极的输入端与第一副边接线端子相连接，所述第二电极的输入端与第二副边接线端子相连接。

如图3所示，当MOS管1导通时，在平面变压器的初始电压端(即，第三接线端子)与MOS管1的漏极之间，形成闭合回路，产生电流。当MOS管1关闭时，平面变压器的初始电压端(即，第三接线端子)与MOS管1的漏极之间的闭合回路断开。当MOS管1导通时，在平变压器的副边的感应线圈中感应得到电流(或者电压)；当MOS管2导通时，在平变压器的副边的感应线圈中感应得到电流(或者电压)。此时，该感应到的电流(或者电压)输出到第一电极和第二电极，进而形成一个近似的正弦波，也即正弦信号。

需要说明的是，在本实施例中，通过调节该正弦信号的频率，则可以调节该正弦信号所能达到的深度；通过调节PWM波的占空比和死区时间，就可以调节信号发生装置工作时的温度。

实施例二：

根据本发明实施例，提供了一种射频装置的实施例。

在本实施例中，该射频装置，包括外壳和上述实施例中任一项所述的信号发生装置，所述信号发生装置设置在所述外壳的内部，所述外壳用于保护所述信号发生装置。

可选地，在本实施例中，所述射频装置还包括：控制按键；

所述控制按键与所述信号发生装置中的处理器相连接，用于调节所述射频装置的开关状态和工作档位。

在本实施例中，采用本实施例所提供的信号发生装置来实现射频，更加安全可靠，进而缓解了现有的射频技术射频效果差且实用性差的技术问题。

实施例三：

根据本发明实施例，提供了一种信号发生方法的实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机***中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

图4是根据本发明实施例的一种信号发生方法的流程图，如图4所示，该方法包括如下步骤：

步骤S402，生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号；

步骤S404，通过所述第一PWM信号和所述第二PWM信号控制所述信号发生装置中MOS管的导通和关闭；

步骤S406，基于所述MOS管的导通和关闭，在所述信号发生装置的变压器的副边感应线圈中感应并输出正弦信号。

需要说明的是，在本实施例中，上述方法应用于上述实施例一所述的信号发生装置，或者上述实施例二所述的射频装置中。

射频装置和信号发生装置的具体工作原理描述如下：

首先，信号发生装置中的单片机通过IO口输出两路互补对称的PWM波，分别为PWM1(第一初始PWM信号)，PWM2(第二初始PWM信号)。此PWM波(即，第一初始PWM信号和第二初始PWM信号)的频率、占空比、以及死区时间均可调。PWM1和PWM2输入到驱动装置中，驱动装置输出频率相同、占空比相同、死区时间相同的两路互补对称的PWM波，分别为PWM3(第一PWM信号)，PWM4(第二PWM信号)，使其驱动能力更强。PWM3和PWM4分别控制着MOS管1和MOS管2的关闭以及导通。

如上述图3所示，当MOS管1导通时，在平面变压器的初始电压端(即，第三接线端子)与MOS管1的漏极之间，形成闭合回路，产生电流。当MOS管1关闭时，平面变压器的初始电压端(即，第三接线端子)与MOS管1的漏极之间的闭合回路断开。当MOS管1导通时，在平变压器的副边的感应线圈中感应得到电流(或者电压)；当MOS管2导通时，在平变压器的副边的感应线圈中感应得到电流(或者电压)。此时，该感应到的电流(或者电压)输出到第一电极和第二电极，进而形成一个近似的正弦波，也即正弦信号。

需要说明的是，在本实施例中，通过调节该正弦信号的频率，则可以调节该正弦信号所能达到的深度；通过调节PWM波的占空比和死区时间，就可以调节信号发生装置工作时的温度。

在本发明实施例中，首先，通过信号产生电路生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号；然后，利用第一PWM信号和第二PWM信号控制MOS管交替导通和关闭，在MOS管交替导通和关闭的过程中，在变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号，进而，通过该正弦信号实现射频。采用本实施例所提供的信号发生装置来实现射频，所提供的射频装置填补了现有技术空白，能实现频率可调、占空比可调、死区时间可调能够满足大多数皮肤状况，进而缓解了现有的射频技术射频效果差且实用性差的技术问题。

另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种信号发生装置，其特征在于，包括：信号产生电路，MOS管和变压器，其中，所述信号产生电路的输出端与所述MOS管的第一端相连接，所述MOS管的第二端与所述变压器的原边接线端子相连接，所述MOS管的第三端与低电平信号相连接；

所述信号产生电路用于生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号；

所述MOS管用于在所述第一PWM信号和所述第二PWM信号的控制下交替导通和关闭；

所述变压器用于基于所述MOS管的导通和关闭，在所述变压器的副边感应线圈中感应得到正弦信号。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号产生电路包括：处理器和驱动装置，其中，所述处理器的输出端与所述驱动装置的输入端相连接，所述驱动装置的输出端与所述MOS管的第一端相连接；

所述处理器用于生成第一初始PWM信号和第二初始PWM信号，其中，所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号为互补对称的PWM信号；

所述驱动装置用于对所述第一初始PWM信号和所述第二初始PWM信号进行放大处理，得到所述第一PWM信号和所述第二PWM信号。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述MOS管包括：第一MOS管和第二MOS管，其中：

所述第一MOS管的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第一MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第一MOS管的源极与所述变压器原边的第一接线端子相连接；

所述第二MOS管的门极与所述信号产生电路的输出端相连接，所述第二MOS管的漏极与低电平信号相连接，所述第二MOS管的源极与所述变压器原边的第二接线端子相连接。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述变压器原边的第三接线端子用于获取初始电压，其中，所述变压器原边的第三接线端子位于所述第一接线端子和所述第二接线端子之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述变压器为平面变压器。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：电极，所述电极与所述变压器的副边接线端子相连接，用于获取所述变压器输出的电信号，并基于获取到的所述电信号输出所述正弦信号。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电极包括：第一电极和第二电极，其中，所述第一电极的输入端与第一副边接线端子相连接，所述第二电极的输入端与第二副边接线端子相连接。

8.一种射频装置，其特征在于，包括外壳和上述权利要求1至7中任一项所述的信号发生装置，所述信号发生装置设置在所述外壳的内部，所述外壳用于保护所述信号发生装置。

9.根据权利要求8所述的射频装置，其特征在于，所述射频装置还包括：控制按键；

所述控制按键与所述信号发生装置中的处理器相连接，用于调节所述射频装置的开关状态和工作档位。

10.一种信号发生方法，应用于上述权利要求1至7中任一项所述的信号发生装置，其特征在于，包括：

生成第一脉冲宽度调制PWM信号和第二脉冲宽度调制PWM信号，其中，所述第一PWM信号和所述第二PWM信号为互补对称的PWM信号；

通过所述第一PWM信号和所述第二PWM信号控制所述信号发生装置中MOS管的导通和关闭；

基于所述MOS管的导通和关闭，在所述信号发生装置的变压器的副边感应线圈中感应并输出正弦信号。