CN109243970A - 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法 - Google Patents

一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109243970A
CN109243970A CN201811026560.9A CN201811026560A CN109243970A CN 109243970 A CN109243970 A CN 109243970A CN 201811026560 A CN201811026560 A CN 201811026560A CN 109243970 A CN109243970 A CN 109243970A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
face
film magazine
tank body
treatment trough
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811026560.9A
Other languages
English (en)
Inventor
戚定定
贺贤汉
庄云娟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Xinxinjingyuan Semiconductor Technology Co ltd
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd, Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd filed Critical Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Priority to CN201811026560.9A priority Critical patent/CN109243970A/zh
Publication of CN109243970A publication Critical patent/CN109243970A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体制造领域。一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，包括如下步骤：步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜角度的角度范围为1～10°；处理槽的四个角部开设有开口向下的螺纹孔，螺纹孔内装有螺丝，通过螺丝旋入螺纹孔的旋入量，调节处理槽底板的倾斜程度；步骤三，将片盒置于处理槽内，由于处理槽底板倾斜，硅片的抛光面朝下；步骤四，将处理槽内的硅片进行端面腐蚀工序。本专利使片盒置于底板上时能够倾斜一定角度，且指定片盒中硅片抛光面朝下，从而避免了非抛光面边缘与片盒接触对腐蚀速率的影响。

Description

一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体涉及硅片腐蚀方法。
背景技术
半导体硅片生产加工中，端面腐蚀是目前常见的端面处理技术之一。它的基本原理是利用HF酸与Si不发生化学发应而可与SiO2反应的性质，在端面处理槽中进行端面腐蚀，达到去除APCVD成膜后硅片端面的SiO2薄膜的目的。
现有技术首先将硅片垂直放置在片盒内，再将片盒与硅片一起垂直置于端面处理槽中进行腐蚀。硅片在重力作用下，边缘靠在片盒上。由于腐蚀槽底板水平的设计，片盒底部置于槽内底板上时也是水平，故硅片与片盒接触的面则具有随机性，存有如图1、图2两种不同的倚靠方式，硅片的A面(非抛光面)以及B面(抛光面)均可能倚靠在片盒上。若与片盒接触的面为抛光面，则少量生长于该端面的SiO2薄膜尚可通过化学机械抛光(ChemicalMechanism Polishing)的方式去除，以减小影响。若接触部位为非抛光面，则会影响硅片的端面腐蚀速率。硅片与片盒接触部位相比于非接触部位腐蚀速率不一致，可能导致端面SiO2薄膜残留，端面倒角轮廓异常；硅片端面腐蚀不均匀，面状态异常。因而硅片返工和报废的比率增加，腐蚀药液的使用量增加，良率降低，造成不必要的成本损失。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，以解决上述至少一个技术问题。
本发明的技术方案是：一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；
步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜角度的角度范围为1～10°；
所述处理槽的四个角部开设有开口向下的螺纹孔，所述螺纹孔内装有螺丝，通过螺丝旋入螺纹孔的旋入量，调节处理槽底板的倾斜程度；
步骤三，将片盒置于处理槽内，由于处理槽底板倾斜，片盒倾斜，片盒内的硅片也倾斜，硅片的抛光面朝下；
步骤四，将处理槽内的硅片进行端面腐蚀工序。
本专利通过改造处理槽底板，使片盒置于底板上时能够倾斜一定角度，且指定片盒中硅片抛光面朝下，使硅片与片盒接触的面均为抛光面，从而避免了非抛光面边缘与片盒接触对腐蚀速率的影响。该技术减小了因硅片与片盒接触导致的端面SiO2薄膜残留和硅片端面腐蚀不均匀现象，节省了腐蚀药液使用量，提高了良率，降低了成本。
所述处理槽包括前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板四个侧板；
四个侧板的外侧通过转轴转动连接有摆针；
四个侧板上还设有用于测量底板的倾斜角度的刻度线，刻度线设置在转轴的***；
所述摆针远离转轴的一端为摆针的尖端部，摆针的尖端部指向所述刻度线；
所述摆针以及刻度线构成底板倾斜测量机构。
便于实现对底板测量角度的侧视。
进一步优选为，所述四个侧板的外侧螺纹连接螺钉，以螺钉作为转轴，所述摆针上均开设有穿过螺钉的通孔，摆针远离转轴侧安装有配重。
便于实现摆针的尖端部在配重的重力作用下，始终处于自然下垂状态。
进一步优选为，四个侧板的外侧均固定有水准泡。
便于通过水准泡，便于实现四个角部安装的螺丝中两两螺丝的伸出长度一致。
或者，所述处理槽包括设置在底板的四个角部的四个透明立柱，所述螺纹孔开设在四个透明立柱上；
所述处理槽还包括分别用于连接相邻的透明立柱的前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板；
前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板下端均与底板相连；
所述透明立柱的***刻设有长度方向平行于透明立柱的长度方向的刻度线。
便于直观的观测到螺丝的旋入深度，控制底板的倾斜程度。
步骤四，通过向处理槽内注入腐蚀酸液。腐蚀酸液的配比为HF：H2O＝1:2～1:8。腐蚀时为：4～10min，腐蚀酸液及环境温度为23±2℃。
处理槽的上端设有一盖体，盖体将处理槽的上端开口封住，所述盖体上开设有用于导入HF气体的进气口以及导出气体的出气口；
步骤四中，首先通过腐蚀酸液进行腐蚀4～10min分钟后，通过进气口导入HF气体，对硅片进行干燥，硅片置于充满HF气体中静置3分钟后，出气口将气体排出。
所述处理槽包括绝缘材料制成的外槽体以及特氟龙制成的内槽体，所述外槽体与所述内槽体滑动连接构成所述处理槽；
所述处理槽上还安装有离子导流***，所述离子导流***包括两个导电板，两个导电板是硅片制成的导电板，两个导电板固定在内槽体的底部，且两个导电板的下端设有外露出内槽体的底部的导电端；
所述离子导流***还包括一直流电源，所述直流电源安装在外槽体上，所述外槽体的底部固定有两个金属层，直流电源的正极与负极分别通过导线与两个金属层相连，内槽体与外槽体相连时，两个金属层分别与两个导电板的导电端接触连接；
两个导电板之间为片盒的摆放区域。
便于通过增设有离子导流***，便于实现氢氟酸中游离的氢离子正向运动去撞击硅片，提高腐蚀效果，在外加电场的作用下，缩短腐蚀时间。
步骤二，将处理槽的底板调整为从左至右倾斜向上；
与直流电源的负极相连的导电板设置在与直流电源的正极相连的导电板的左侧。
便于实现氢氟酸中游离的氢离子正向运动去撞击硅片。
所述直流电源优选为10v的直流电源。
所述外槽体的外壁上设有一控制直流电源与金属层的通断的控制开关。
附图说明
图1为背景技术中的硅片的一种倚靠示意图；
图2为背景技术中硅片的另一种倚靠示意图；
图3为本发明处理槽方案一的一种结构示意图；
图4为本发明处理槽方案二的一种结构示意图；
图5为本发明处理槽方案三的一种结构示意图。
图中：1为螺丝，2为刻度线，3为摆针，4为水准泡，5为透明立柱，6为外槽体，7为内槽体，8为导电板，9为金属层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
参见图3、图4以及图5，一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，包括如下步骤：步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜角度的角度范围为1～10°；处理槽的四个角部开设有开口向下的螺纹孔，螺纹孔内装有螺丝，通过螺丝旋入螺纹孔的旋入量，调节处理槽底板的倾斜程度；步骤三，将片盒置于处理槽内，由于处理槽底板倾斜，片盒倾斜，片盒内的硅片也倾斜，硅片的抛光面朝下；步骤四，将处理槽内的硅片进行端面腐蚀工序。本专利通过改造处理槽底板，使片盒置于底板上时能够倾斜一定角度，且指定片盒中硅片抛光面朝下，使硅片与片盒接触的面均为抛光面，从而避免了非抛光面边缘与片盒接触对腐蚀速率的影响。该技术减小了因硅片与片盒接触导致的端面SiO2薄膜残留和硅片端面腐蚀不均匀现象，节省了腐蚀药液使用量，提高了良率，降低了成本。
处理槽的结构可以有如下方案:
方案一：参见图3，处理槽包括前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板四个侧板；四个侧板的外侧通过转轴转动连接有摆针3；四个侧板上还设有用于测量底板的倾斜角度的刻度线2，刻度线2设置在转轴的***；摆针3远离转轴的一端为摆针3的尖端部，摆针3的尖端部指向刻度线2；摆针3以及刻度线2构成底板倾斜测量机构。便于实现对底板测量角度的侧视。进一步优选为，四个侧板的外侧螺纹连接螺钉，以螺钉作为转轴，摆针3上均开设有穿过螺钉的通孔，摆针3远离转轴侧安装有配重。便于实现摆针3的尖端部在配重的重力作用下，始终处于自然下垂状态。进一步优选为，四个侧板的外侧均固定有水准泡4。便于通过水准泡4，便于实现四个角部安装的螺丝1中两两螺丝1的伸出长度一致。
方案二：参见图4，处理槽包括设置在底板的四个角部的四个透明立柱5，螺纹孔开设在四个透明立柱5上；处理槽还包括分别用于连接相邻的透明立柱5的前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板；前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板下端均与底板相连；透明立柱的***刻设有长度方向平行于透明立柱的长度方向的刻度线。便于直观的观测到螺丝的旋入深度，控制底板的倾斜程度。
方案三，在方案一和方案二的基础上，还可以改进为，参见图5，处理槽包括绝缘材料制成的外槽体6以及特氟龙制成的内槽体7，外槽体6与内槽体7滑动连接构成处理槽。步骤四，通过向处理槽内注入氢氟酸。处理槽的上端设有一盖体，盖体将处理槽的上端开口封住，盖体上开设有用于导入HF气体的进气口以及导出气体的出气口；步骤四中，首先通过腐蚀酸液进行腐蚀4～10min分钟后，通过进气口导入HF气体，对硅片进行干燥，硅片置于充满HF气体中静置3分钟后，出气口将气体排出。处理槽上还安装有离子导流***，离子导流***包括两个导电板8，两个导电板8是硅片制成的导电板8，两个导电板8固定在内槽体7的底部，且两个导电板8的下端设有外露出内槽体7的底部的导电端；离子导流***还包括一直流电源，直流电源安装在外槽体6上，外槽体6的底部固定有两个金属层9，直流电源的正极与负极分别通过导线与两个金属层9相连，内槽体7与外槽体6相连时，两个金属层9分别与两个导电板8的导电端接触连接；两个导电板8之间为片盒的摆放区域。便于通过增设有离子导流***，便于实现氢氟酸中游离的氢离子正向运动去撞击硅片，提高腐蚀效果，在外加电场的作用下，缩短腐蚀时间。步骤二，将处理槽的底板调整为从左至右倾斜向上；与直流电源的负极相连的导电板设置在与直流电源的正极相连的导电板的左侧。便于实现氢氟酸中游离的氢离子正向运动去撞击硅片。直流电源优选为10v的直流电源。外槽体6的外壁上设有一控制直流电源与金属层9的通断的控制开关。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，将硅片装入片盒，且片盒中硅片的抛光面的朝向一致；
步骤二，将用于对硅片进行腐蚀处理的处理槽的底板进行倾斜设置，底板与水平面形成的倾斜角度的角度范围为1～10°；
所述处理槽的四个角部开设有开口向下的螺纹孔，所述螺纹孔内装有螺丝，通过螺丝旋入螺纹孔的旋入量，调节处理槽底板的倾斜程度；
步骤三，将片盒置于处理槽内，由于处理槽底板倾斜，片盒倾斜，片盒内的硅片也倾斜，硅片的抛光面朝下；
步骤四，将处理槽内的硅片进行端面腐蚀工序。
2.根据权利要求1所述的一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于：所述处理槽包括前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板四个侧板；
四个侧板的外侧通过转轴转动连接有摆针；
四个侧板上还设有用于测量底板的倾斜角度的刻度线，刻度线设置在转轴的***；
所述摆针远离转轴的一端为摆针的尖端部，摆针的尖端部指向所述刻度线；
所述摆针以及刻度线构成底板倾斜测量机构。
3.根据权利要求2所述的一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于：所述四个侧板的外侧螺纹连接螺钉，以螺钉作为转轴，所述摆针上均开设有穿过螺钉的通孔，摆针远离转轴侧安装有配重。
4.根据权利要求3所述的一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于：四个侧板的外侧均固定有水准泡。
5.根据权利要求1所述的一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于：所述处理槽包括设置在底板的四个角部的四个透明立柱，所述螺纹孔开设在四个透明立柱上；
所述处理槽还包括分别用于连接相邻的透明立柱的前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板；
前侧板、后侧板、左侧板以及右侧板下端均与底板相连；
所述透明立柱的***刻设有长度方向平行于透明立柱的长度方向的刻度线。
6.根据权利要求1所述的一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法，其特征在于：步骤四，通过向处理槽内注入腐蚀酸液；腐蚀酸液的配比为HF：H2O＝1:2～1:8；
所述处理槽包括绝缘材料制成的外槽体以及特氟龙制成的内槽体，所述外槽体与所述内槽体滑动连接构成所述处理槽；
所述处理槽上还安装有离子导流***，所述离子导流***包括两个导电板，两个导电板是硅片制成的导电板，两个导电板固定在内槽体的底部，且两个导电板的下端设有外露出内槽体的底部的导电端；
所述离子导流***还包括一直流电源，所述直流电源安装在外槽体上，所述外槽体的底部固定有两个金属层，直流电源的正极与负极分别通过导线与两个金属层相连，内槽体与外槽体相连时，两个金属层分别与两个导电板的导电端接触连接；
两个导电板之间为片盒的摆放区域。
CN201811026560.9A 2018-09-04 2018-09-04 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法 Pending CN109243970A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811026560.9A CN109243970A (zh) 2018-09-04 2018-09-04 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811026560.9A CN109243970A (zh) 2018-09-04 2018-09-04 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109243970A true CN109243970A (zh) 2019-01-18

Family

ID=65061089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811026560.9A Pending CN109243970A (zh) 2018-09-04 2018-09-04 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109243970A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2125816U (zh) * 1992-04-14 1992-12-23 罗光志 测垂仪
JPH0851095A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Rohm Co Ltd ウエット処理装置
CN102134737A (zh) * 2011-04-28 2011-07-27 上海理工大学 一种多孔硅的制备方法
CN102709172A (zh) * 2012-06-01 2012-10-03 吉林华微电子股份有限公司 硅片向背面倾斜腐蚀方法
CN202839708U (zh) * 2012-06-01 2013-03-27 上饶光电高科技有限公司 一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮
CN204857685U (zh) * 2015-07-17 2015-12-09 扬州晶新微电子有限公司 一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2125816U (zh) * 1992-04-14 1992-12-23 罗光志 测垂仪
JPH0851095A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Rohm Co Ltd ウエット処理装置
CN102134737A (zh) * 2011-04-28 2011-07-27 上海理工大学 一种多孔硅的制备方法
CN102709172A (zh) * 2012-06-01 2012-10-03 吉林华微电子股份有限公司 硅片向背面倾斜腐蚀方法
CN202839708U (zh) * 2012-06-01 2013-03-27 上饶光电高科技有限公司 一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮
CN204857685U (zh) * 2015-07-17 2015-12-09 扬州晶新微电子有限公司 一种硅晶圆片倾斜式腐蚀缸

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
金同寿: "《阻容元件及其片式化技术》", 30 April 2000 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105274488B (zh) 金刚石电极及其制造方法
CN107012495A (zh) 具有杯底部轮廓的镀杯
CN108426929A (zh) 一种工作电极可拆分外置式三电极体系电化学测试装置
CN108531953A (zh) 用于电镀的宽唇形密封件
JP2004149895A (ja) メッキ装置およびメッキ方法
CN108251889A (zh) 一种铝箔电解加电电极装置
CN109243970A (zh) 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法
US20140209471A1 (en) Forming an oxide layer on a flat conductive surface
CN1906752A (zh) 结合动态弯液面的无应力蚀刻处理
JP4221365B2 (ja) 電気分解を監視するための装置および方法
Liu et al. DC etching anode aluminum foil to form branch tunnels by electroless depositing Cu
CN103233228A (zh) 一种太阳能电池锗衬底片的腐蚀方法
CN201180166Y (zh) 半导体材料的电解抛光装置
US3901786A (en) Electrolytic dissolver
CN112596560B (zh) 钙钛矿太阳能电池热导纳光谱测试的温控装置及测试方法
CN112701072B (zh) 晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法
CN206580911U (zh) 一种电解池
TW201825650A (zh) 透過處理溶液處理物體表面的方法及裝置
CN103887167A (zh) 一种半导体芯片台面的钝化方法
CN104746127B (zh) 用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法
CN211785033U (zh) 一种硅微通道电化学腐蚀试验装置
CN2927034Y (zh) 低倍组织热酸蚀装置
CN221368800U (zh) 一种二氟乙烷充装***产品回收装置
CN118336509A (zh) 一种半导体激光器的冷却装置
JP3834316B2 (ja) めっき装置およびめっき方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20191223

Address after: 310000 No. 3899 Jiangdong Avenue 709-18, Dajiangdong Industrial Agglomeration Area, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant after: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant after: Shanghai xinxinjingyuan Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: 310000 No. 3899 Jiangdong Avenue 709-18, Dajiangdong Industrial Agglomeration Area, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant before: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
CB02 Change of applicant information

Address after: 310000 709-18, 3899 Jiangdong Avenue, dajiangdong industrial cluster, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant after: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant after: Shanghai Zhongxin wafer semiconductor technology Co.,Ltd.

Address before: 310000 709-18, 3899 Jiangdong Avenue, dajiangdong industrial cluster, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant before: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant before: Shanghai xinxinjingyuan Semiconductor Technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 311225 No. 888, dongken Road, Qiantang New District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant after: Hangzhou Zhongxin wafer semiconductor Co.,Ltd.

Applicant after: Shanghai Zhongxin wafer semiconductor technology Co.,Ltd.

Address before: 310000 709-18, 3899 Jiangdong Avenue, dajiangdong industrial cluster, Xiaoshan District, Hangzhou City, Zhejiang Province

Applicant before: HANGZHOU ZHONGXIN WAFER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Applicant before: Shanghai Zhongxin wafer semiconductor technology Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190118

RJ01 Rejection of invention patent application after publication