CN109239628B - 用于磁共振成像的交错并行传输射频线圈 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了用于磁共振成像(MRI)***的射频(RF)线圈的方法和***。在一个实施例中，配置用于MRI***的RF线圈包括多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从基部侧延伸的两个臂。以这种方式，RF线圈可以有效地生成具有改善的通道隔离的磁场，同时产生较少的Annefact伪影。

Description

用于磁共振成像的交错并行传输射频线圈
技术领域
本文公开的主题主要涉及磁共振成像(MRI)，更具体地，涉及用于MRI的交错并行传输射频(RF)线圈。
背景技术
磁共振成像(MRI)是一种医学成像模态，可以在不使用X射线或其他电离辐射的情况下形成人体内部的图像。MRI使用超导磁体形成强大、均匀的静磁场。当人体或人体的一部分被置于磁场中时，与组织水中的氢核相关联的核自旋变得极化，其中与这些自旋相关联的磁矩变得优先沿着磁场的方向对齐，导致沿着该轴线的小的净组织磁化。MRI***还包括梯度线圈，其产生具有正交轴线的较小振幅、空间上变化的磁场，以通过在身体中的每个位置形成签名共振频率来对MR信号进行空间编码。然后使用射频(RF)线圈在氢核的共振频率处或其附近产生RF能量脉冲，这为核自旋***增加了能量。当核自旋松弛回到其静止能量状态时，它们以RF信号的形式释放吸收的能量。该信号被MRI***检测到，并使用计算机和已知的重建算法转换成图像。
一些RF线圈可以被配置用于并行传输，其中RF线圈包括单独的独立供电和控制元件，每个元件产生它们自己的子磁场，这些子磁场相加构成净磁场，与仅生成单个磁场的RF线圈相反。因此，并行传输能够选择性地控制RF激励的均匀性以及在组织中产生的磁场和电场的分布。
然而，大多数用于MRI的并行传输RF线圈，例如横向电磁(TEM)线圈、退化鸟笼型线圈(degenerate birdcage coils)和环形线圈，都具有显著的RF性能问题。例如，与其他线圈相比，TEM线圈低效地生成磁场并产生更多的Annefact伪影。环形线圈对于生成磁场也是低效的。退化鸟笼型线圈对屏蔽位置敏感，通道间的隔离有限。
发明内容
在一个实施例中，配置用于磁共振成像(MRI)***的射频(RF)线圈包括多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从基部侧延伸的两个臂。这样，RF线圈可以有效地生成具有改善的通道隔离的磁场，同时产生较少的Annefact伪影。
应当理解，提供以上简要描述是为了以简化形式介绍在详细描述中进一步描述的一系列概念。而不是意图识别要求保护的主题的关键或必要特征，该主题的范围唯一地由详细描述之后的权利要求限定。此外，要求保护的主题并不限于解决上文或本公开的任何部分中指出的任何缺点的实施。
具体地，本申请技术方案1涉及一种配置用于磁共振成像(MRI)***的射频(RF)线圈，包括：多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从所述基部侧延伸的两个臂。
本申请技术方案2涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，所述多个RF线圈导体包括多个外部RF线圈导体和多个内部RF线圈导体，其中，所述多个内部RF线圈导体中的每一个定位在由对应的外部RF线圈导体限定的区域内。
本申请技术方案3涉及根据技术方案2所述的RF线圈，其中，每个内部RF线圈导体的所述两个臂与所述对应的外部RF线圈导体的所述两个臂对齐。
本申请技术方案4涉及根据技术方案1所述的RF线圈，还包括多个屏蔽件，其中，每个RF线圈导体定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。
本申请技术方案5涉及根据技术方案4所述的RF线圈，其中，每个RF线圈导体通过多个柱固定地附接到所述对应屏蔽件的所述内表面。
本申请技术方案6涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，每个RF线圈导体的所述基部侧包括用于接纳调谐电容器的至少一个狭槽。
本申请技术方案7涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，所述多个RF线圈导体中的每个RF线圈导体的所述两个臂沿相同的方向定向。
本申请技术方案8涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，所述多个RF线圈导体沿着所述RF线圈的圆周以交错配置定位。
本申请技术方案9涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，每个RF线圈导体通过连接条联接到至少一个其他RF线圈导体。
本申请技术方案10涉及根据技术方案1所述的RF线圈，其中，所述多个RF线圈导体包括八个RF线圈导体。
本申请技术方案11涉及一种***，包括：超导磁体；梯度线圈组件，其设置在所述超导磁体的内径内；以及射频(RF)线圈，其设置在所述梯度线圈组件的内径内，所述RF线圈包括：多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从所述基部侧延伸的两个臂。
本申请技术方案12涉及根据技术方案11所述的***，其中，所述多个RF线圈导体包括多个外部RF线圈导体和多个内部RF线圈导体，其中，所述多个内部RF线圈导体中的每一个定位在由对应的外部RF线圈导体限定的区域内。
本申请技术方案13涉及根据技术方案11所述的***，其中，所述RF线圈还包括多个屏蔽件，并且其中，每个RF线圈导体定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。
本申请技术方案14涉及根据技术方案11所述的***，其中，每个RF线圈导体的所述两个臂相对于所述基部侧以直角、锐角和钝角之一从所述基部侧延伸。
本申请技术方案15涉及根据技术方案11所述的***，其中，所述RF线圈包括全身线圈。
本申请技术方案16涉及根据技术方案11所述的***，其中，所述RF线圈包括表面线圈。
本申请技术方案17涉及一种射频(RF)线圈，包括：多个外部RF线圈导体，每个外部RF线圈导体包括基部侧和从所述基部侧沿相同方向延伸的两个臂，所述基部侧和所述两个臂限定内部区域；以及多个内部RF线圈导体，每个内部RF线圈导体包括基部侧和从所述基部侧沿相同方向延伸的两个臂，其中，每个内部RF线圈导体定位在对应的外部RF线圈导体的内部区域内。
本申请技术方案18涉及根据技术方案17所述的RF线圈，还包括多个屏蔽件，其中，所述多个外部RF线圈导体和所述多个内部RF线圈导体中的每一个定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。
本申请技术方案19涉及根据技术方案17所述的RF线圈，其中，所述多个屏蔽件包括多个外部屏蔽件和多个内部屏蔽件，其中，所述多个外部RF线圈导体定位在所述多个外部屏蔽件上，其中，所述多个内部RF线圈导体定位在所述多个内部屏蔽件上，其中，所述外部屏蔽件中的每一个的形状类似于所述外部RF线圈导体，并且其中，所述内部屏蔽件中的每一个的形状为弯曲片。
本申请技术方案20涉及根据技术方案17所述的RF线圈，其中，每个内部RF线圈导体的所述两个臂与所述对应的外部RF线圈导体的所述两个臂对齐，并且其中，所述内部RF线圈导体和所述外部RF线圈导体中的每一个沿着所述RF线圈的圆周以相同的方向定向。
附图说明
通过参照附图阅读非限制性实施例的以下描述，将更好地理解本发明，附图中：
图1是根据本发明的实施例的MRI***的框图；
图2示出了根据实施例的示例RF线圈的透视图；
图3示出了图2所描绘的示例RF线圈的二维投影；
图4示出了根据实施例的示例RF线圈的钝角RF线圈导体配置；
图5示出了根据实施例的示例RF线圈的锐角RF线圈导体配置；并且
图6示出了示出磁场强度作为不同RF线圈的轴向位置的函数的曲线图。
图2-3大致按比例示出。
具体实施方式
以下描述涉及MRI***中的RF线圈的各种实施例。具体地，提供了用于交错环形RF线圈的***，其可以在MRI***中实现，例如图1所描绘的MRI***。交错环形RF线圈可以包括多个RF线圈导体，这些RF线圈导体被配置成“U”形并布置成交错配置，如图2和3所描绘。RF线圈导体的臂可以被配置成钝角或锐角配置(即，导体的臂可以从导体的基部侧以大于或小于90度的角度延伸)，而不是直角配置(即，臂从导体的基部侧以90度的角度延伸)。交错环形RF线圈的场强与TEM线圈的强度相当，并且相对于鸟笼型和环形RF线圈得到改善，如图6所描绘，同时显示出相对于每种其他RF线圈配置的显著性能改善(例如，效率、annefact伪影和通道隔离)。
图1示出了磁共振成像(MRI)设备10，其包括静磁场磁体单元12、梯度线圈单元13、RF线圈单元14、RF体线圈单元15、发射/接收(T/R)开关20、RF驱动器单元22、梯度线圈驱动器单元23、数据采集单元24、控制器单元25、病床26、数据处理单元31、操作控制台单元32以及显示单元33。MRI设备10将电磁脉冲信号发射到放置在具有形成的静磁场的成像空间18中的受检者16，以执行用于从受检者16获得磁共振(MR)信号的扫描，以基于通过扫描如此获得的MR信号重建受检者16的切片的图像。
静磁场磁体单元12通常包括例如安装在环面真空容器内的环形超导磁体。磁体限定围绕受检者16的圆柱形空间，并且沿着圆柱形空间的Z方向生成恒定的初级静磁场。
MRI设备10还包括梯度线圈单元13，该梯度线圈单元13在成像空间18中生成梯度磁场，以提供由RF线圈单元14接收的具有三维定位信息的MR信号。梯度线圈单元13包括三个梯度线圈***，每个梯度线圈***生成包括在彼此垂直的三个空间轴线之一中的梯度磁场，并且根据成像条件在频率编码方向、相位编码方向和切片选择方向中的每一个上生成梯度场。更具体地，梯度线圈单元13在受检者16的切片选择方向上施加梯度场以选择切片；并且RF线圈单元14将RF脉冲发射到受检者16的所选切片并激励它。梯度线圈单元13还在受检者16的相位编码方向上施加梯度场，以对来自由RF脉冲激励的切片的MR信号进行相位编码。然后，梯度线圈单元13在受检者16的频率编码方向上施加梯度场，以对来自由RF脉冲激励的切片的MR信号进行频率编码。
RF线圈单元14例如设置成包围受检者16的待成像的区域。在由静磁场磁体单元12形成静磁场的静磁场空间或成像空间18中，RF线圈单元14基于来自控制器单元25的控制信号将作为电磁波的RF脉冲发射到受检者16，从而生成高频磁场。这激励受检者16的待成像切片中的质子的自旋。当在受检者16的待成像切片中如此激励的质子自旋返回至与初始磁化矢量对齐时，RF线圈单元14作为MR信号接收生成的电磁波。RF线圈单元14可以使用相同的RF线圈发射和接收RF脉冲。
RF体线圈单元15例如被设置为包围成像空间18，并且产生与由成像空间18内的静磁场磁体单元12产生的主磁场正交的RF磁场脉冲以激励核。与可以容易地从MR设备10断开并且用另一个RF线圈单元替换的RF线圈单元14相反，RF体线圈单元15被固定地附接并连接到MRI设备10。此外，尽管诸如包括RF线圈单元14的那些的局部线圈可以仅向受检者16的局部区域发射或从该区域接收信号，但是RF体线圈单元15通常具有较大的覆盖区域，并且可以用于向受检者16的全身发射信号或从其接收信号。使用只接收局部线圈和发射体线圈提供了均匀的RF激励和良好的图像均匀性，代价是沉积在受检者16体内的高RF功率。对于发射-接收局部线圈，局部线圈向感兴趣的区域提供RF激励，并接收MR信号，由此减少沉积在受检者16体内的RF功率。应当理解，RF线圈单元14和/或RF体线圈单元15的具体用途取决于成像应用。
T/R开关20可以选择性地将RF体线圈单元15当在接收模式下操作时电连接到数据采集单元24，并且当在发射模式下操作时电连接到RF驱动器单元22。类似地，T/R开关20可以选择性地将RF线圈单元14当RF线圈单元14在接收模式下操作时电连接到数据采集单元24，并且当在发射模式下操作时电连接到RF驱动器单元22。当RF线圈单元14和RF体线圈单元15两者在单次扫描中使用时，例如如果RF线圈单元14被配置成接收MR信号并且RF体线圈单元15被配置成发射RF信号，则T/R开关20可以将来自RF驱动器单元22的控制信号引导至RF体线圈单元15，同时将从RF线圈单元14接收的MR信号引导至数据采集单元24。RF体线圈单元15的线圈可以被配置成以只发射模式、只接收模式或发射-接收模式进行操作。局部RF线圈单元14的线圈可以被配置成以发射-接收模式或只接收模式进行操作。
RF驱动器单元22包括栅极调制器(未示出)、RF功率放大器(未示出)和RF振荡器(未示出)，用于驱动RF线圈单元14并在成像空间18中形成高频磁场。RF驱动器单元22基于来自控制器单元25的控制信号并且使用栅极调制器将从RF振荡器接收的RF信号调制为具有预定包络的预定定时的信号。由栅极调制器调制的RF信号由RF功率放大器放大，然后输出到RF线圈单元14。
梯度线圈驱动器单元23基于来自控制器单元25的控制信号驱动梯度线圈单元13，从而在成像空间18中生成梯度磁场。梯度线圈驱动器单元23包括对应于包括在梯度线圈单元13中的三个梯度线圈***的三个***的驱动器电路(未示出)。
数据采集单元24包括前置放大器(未示出)、相位检测器(未示出)和模拟/数字转换器(未示出)，用于采集由RF线圈单元14接收的MR信号。在数据采集单元24中，相位检测器利用来自RF驱动器单元22的RF振荡器的输出作为参考信号相位检测从RF线圈单元14接收并由前置放大器放大的MR信号，并将相位检测后的模拟MR信号输出到模拟/数字转换器以转换成数字信号。如此获得的数字信号被输出到数据处理单元31。
MRI设备10包括用于在其上放置受检者16的台26。通过基于来自控制器单元25的控制信号移动台26，受检者16可以在成像空间18内外移动。
控制器单元25包括计算机和其上记录待由计算机执行的程序的记录介质。程序在由计算机执行时使设备的各个部分执行对应于预定扫描的操作。记录介质可以包括例如ROM、软盘、硬盘、光盘、磁光盘、CD-ROM或非易失性存储卡。控制器单元25连接到操作控制台单元32，并且处理输入到操作控制台单元32的操作信号，并且还通过向它们输出控制信号来控制台26、RF驱动器单元22、梯度线圈驱动器单元23和数据采集单元24。控制器单元25还基于从操作控制台单元32接收的操作信号来控制数据处理单元31和显示单元33以获得所需的图像。
作为非限制性示例，操作控制台单元32包括诸如键盘和鼠标的用户输入装置。操作控制台单元32由操作者使用来例如输入诸如成像方案的数据，并设置待执行成像序列的区域。关于成像方案和成像序列执行区域的数据被输出到控制器单元25。
数据处理单元31包括计算机和记录介质，在记录介质上记录待由计算机执行以进行预定的数据处理的程序。数据处理单元31连接到控制器单元25，并且基于从控制器单元25接收的控制信号来执行数据处理。数据处理单元31也连接到数据采集单元24，并且通过将各种成像处理操作施加到从数据采集单元24输出的MR信号而生成频谱数据。
显示单元33包括显示装置，并基于从控制器单元25接收的控制信号在显示装置的显示屏幕上显示图像。显示单元33显示例如关于输入项目的图像，操作者关于该输入项目从操作控制台单元32输入操作数据。显示单元33还显示由数据处理单元31生成的受检者16的切片图像。
图2示出了根据实施例的RF线圈200的透视图。具体地，RF线圈200包括八通道交错环形RF线圈。如所描绘，RF线圈200是圆柱形和环形形状的，并且与上述图1的MRI***10或用于获得MR图像的任何其他类似或等效***兼容。
RF线圈200包括多个外部RF线圈导体201和多个内部RF线圈导体203。导体201和203可以由诸如铜的具有高电导率的常规材料构成。对于八通道RF线圈，RF线圈200可以包括四个外部RF线圈导体201和四个内部RF线圈导体203。在一些示例中，每个外部RF线圈导体201可以与对应的内部RF线圈导体203配对以形成线圈段。
作为说明性示例，图3示出了图2所描绘的示例RF线圈200的内部的二维投影。如图3所示，RF线圈200包括第一线圈段301、第二线圈段302、第三线圈段303和第四线圈段304。线圈段301、302、303和304中的每一个包括外部RF线圈导体201和内部RF线圈导体203。
RF线圈导体201和203中的每一个被配置成大致“U”形。也就是说，RF线圈导体201和203中的每一个可以包括基部侧和从基部侧的每一端沿相同方向延伸的两个臂。臂可以被配置成与RF线圈导体的基部侧成直角，如图2所描绘。如本文结合图4和5进一步讨论的，臂可以相对于RF线圈导体的基部侧以锐角和/或钝角配置。
外部RF线圈导体201的尺寸相对大于内部RF线圈导体203的尺寸，使得内部RF线圈导体203可以定位在由外部RF线圈导体201的臂和基部侧限定的空间内。此外，如图2所描绘，内部RF线圈导体203的臂的端部可以与外部RF线圈导体201的臂的端部对齐。
RF线圈200还包括多个外部屏蔽件216和多个内部屏蔽件218。每个RF线圈导体可以定位在对应的屏蔽件上。例如，每个外部RF线圈导体201可以定位在对应的外部屏蔽件216上，而每个内部RF线圈导体203可以定位在对应的内部屏蔽件218上。更具体地，RF线圈导体201和203分别定位在外部屏蔽件216和内部屏蔽件218的内表面上。这样，屏蔽件216和218将RF线圈导体201和203与梯度线圈(例如梯度线圈单元13)径向分离，使得屏蔽件216和218用于将RF线圈导体201和203与成像***中的梯度线圈脱开。
如所描绘，外部屏蔽件216可以被配置成类似于外部RF线圈导体201的“U”形。同时，内部屏蔽件218可以被配置为弯曲片(例如，如图3所示的二维投影所描绘的矩形)。屏蔽件216和218的尺寸可以相对大于相应的RF线圈导体201和203的尺寸。此外，RF线圈导体201和203可以通过多个支撑柱251分别固定地附接到屏蔽件216和218。支撑柱251可以将RF线圈导体支撑在远离屏蔽件的指定距离处。
外部RF线圈导体201和内部RF线圈导体203可以分别包括电容器狭槽241和243，电容器可以被***其中以调谐RF线圈导体并由此调谐RF线圈。应当理解，RF线圈200可以包括未示出的附加电子部件，例如以将RF线圈联接到数据采集单元和/或RF驱动器单元。
每对外部RF线圈导体201和内部RF线圈导体203可以通过连接器221连接。每对RF线圈导体中的内部RF线圈导体203可以通过连接器231连接到相邻的一对RF线圈导体中的外部RF线圈导体201。
RF线圈200的线圈段301、302、303和304可以由间隙219分开。也就是说，线圈段可以彼此隔开指定的距离，从而防止在RF线圈的整个圆周上出现共模电流。此外，每个线圈段的外部屏蔽件216和内部屏蔽件218可以类似地由间隙220分开。
应当理解，所描绘的八通道RF线圈200是说明性的而非限制性的，并且在一些示例中，RF线圈可以包括大于或小于八个的多个通道。作为一个示例，RF线圈200可以包括四通道RF线圈。为此，RF线圈200可以包括四个外部RF线圈导体201，而没有内部RF线圈导体203。或者，RF线圈200可以仅包括两个线圈段，每个线圈段包括一个外部RF线圈导体201和一个内部RF线圈导体203。在这样的示例中，可以调整RF线圈导体以及对应的屏蔽件的尺寸，以提供与RF线圈200相同的尺寸。例如，每个RF线圈导体的臂可以比所描绘的延伸得更远。作为另一个示例，RF线圈200可以包括多于四个线圈段。在这样的示例中，可以调整每个线圈段(包括外部RF线圈导体201和内部RF线圈导体203)的尺寸以容纳附加的线圈段。
RF线圈200可以用于全身RF线圈或用于表面(或局部)线圈，例如头部线圈。对于全身RF线圈，RF线圈200的尺寸被配置成使得RF线圈200可以安装在梯度线圈单元13内部，如图1所示，其中RF线圈200与梯度线圈单元13同轴。在这样的示例中，RF体线圈单元15可以包括RF线圈200。对于表面线圈或局部线圈(例如，头部线圈)，RF线圈200的尺寸被配置成使得RF线圈200可以设置在患者成像空间18内，如图1所示。在这样的示例中，RF线圈单元14可以包括RF线圈200。作为另一个示例，RF线圈单元14和RF体线圈单元15都可以包括交错环形RF线圈，例如RF线圈200，其具有相应配置的尺寸。
如图2和3所描绘，RF线圈导体的臂从RF线圈导体的基部侧以直角延伸。也就是说，臂与基部侧成90度角。应当理解，可以通过调整RF线圈导体的配置来优化或以其他方式调整RF线圈200的性能和效率。作为说明性示例，图4和5描绘了不同的RF线圈导体配置。具体地，图4示出了根据实施例的用于示例RF线圈的钝角RF线圈导体配置400。外部RF线圈导体401包括基部侧411以及从基部侧411延伸的第一臂412和第二臂413。如所描绘，第一臂412以大于90度的角度416(例如钝角)从基部侧411延伸。类似地，第二臂413以大于90度的角度417从基部侧411延伸。在一些示例中，角度416和417可以包括相同的角度，但是应当理解，在其他示例中，角度416和417可以包括不同的角度。
类似于外部RF线圈导体401，内部RF线圈导体403包括基部侧421以及从基部侧421延伸的第一臂422和第二臂423。如所描绘，第一臂422以大于90度的角度426从基部侧421延伸。类似地，第二臂423以大于90度的角度427从基部侧421延伸。
作为另一个说明性示例，图5示出了根据实施例的示例RF线圈的锐角RF线圈导体配置500。外部RF线圈导体501包括基部侧511以及从基部侧511延伸的第一臂512和第二臂513。如所描绘，第一臂512以小于90度的角度516(例如锐角)从基部侧511延伸。类似地，第二臂513以小于90度的角度517从基部侧511延伸。
类似于外部RF线圈导体501，内部RF线圈导体503包括基部侧521以及从基部侧521延伸的第一臂522和第二臂523。第一臂522以小于90度的角度526从基部侧521延伸。第二臂523以小于90度的角度527从基部侧521延伸。
图6示出了曲线图600，其示出了对于具有相似孔径(例如68cm至70cm)的不同RF线圈，作为轴向位置(例如沿着z轴)的函数的磁场强度。具体地，曲线605描绘了作为八通道交错环形RF线圈的轴向位置的函数的磁场强度，所述线圈为例如上文结合图2-5描述的RF线圈；曲线610描绘了作为十六通道TEM线圈的轴向位置的函数的磁场强度；曲线615描绘了作为八通道环形RF线圈的轴向位置的函数的磁场强度；而曲线620描绘了作为双通道鸟笼型RF线圈的轴向位置的函数的磁场强度。
如曲线605和610所描绘，交错环形RF线圈的场强小于远离线圈中心的TEM线圈的场强。同时，交错环形RF线圈的效率至少是TEM线圈的效率的两倍。
此外，如曲线605、615和620所描绘，交错环形RF线圈的场强比远离线圈中心的环形RF线圈和鸟笼型RF线圈的场强更平滑且更大。交错环形RF线圈的效率相当于不能并行传输的双通道鸟笼型线圈，并且至少是八通道环形线圈的效率的两倍。
因此，交错环形RF线圈的发射和接收性能比先前的RF线圈设计(例如环形、鸟笼型和TEM设计)显著改善。与其他RF线圈设计相比，交错环形RF线圈的通道隔离也得到显著改善。此外，与其他线圈设计相比，交错环形RF线圈产生较少的Annefact伪影。
图2-5示出了具有各种部件的相对定位的示例配置。如果被示出为直接彼此接触或者直接联接，那么至少在一个示例中，这些元件可以分别被称为直接接触或直接联接。类似地，至少在一个示例中，所示的彼此邻接或相邻的元件可以分别的彼此邻接或相邻。作为示例，彼此共面接触的部件可以被称为处于共面接触。作为另一个示例，在至少一个示例中，彼此分开定位仅在其间具有空间而没有其他部件的元件可以被称为是彼此分开定位的。作为又一个示例，在彼此的上方/下方、在彼此的相对侧处或彼此的左侧/右侧所示的元件可以被称为相对于彼此的在彼此的上方/下方、在彼此的相对侧处或彼此的左侧/右侧。此外，如图所示，在至少一个示例中，元件的最顶部元件或点可以被称为部件的“顶部”，并且元件的最底部元件或点可以被称为部件的“底部”。如本文所使用的，顶部/底部、上部/下部、上方/下方，可以是相对于图的竖直轴线的并且用于描述图的元件相对于彼此的定位。因此，在一个示例中，在其他元件上方示出的元件竖直地定位在所述其他元件上方。作为又一个示例，图中描绘的元件的形状可以被称为具有那些形状(例如，圆形、笔直、平面、弯曲、倒圆、倒角、成角度等)。此外，在至少一个示例中，所示出的彼此交叉的元件可以被称为相交元件或彼此交叉。此外，在一个示例中，在另一元件内示出的元件或在另一元件外部示出的元件可以被称为在另一元件内或在另一元件外。
在一个实施例中，配置用于磁共振成像(MRI)***的射频(RF)线圈包括多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从基部侧延伸的两个臂。
在RF线圈的第一示例中，多个RF线圈导体包括多个外部RF线圈导体和多个内部RF线圈导体，其中多个内部RF线圈导体中的每一个定位在由对应的外部RF线圈导体限定的区域内。在可选地包括第一示例的RF线圈的第二示例中，每个内部RF线圈导体的两个臂与对应的外部RF线圈导体的两个臂对齐。在可选地包括第一示例和第二示例中的一个或多个的RF线圈的第三示例中，RF线圈还包括多个屏蔽件，其中每个RF线圈导体定位在多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。在可选地包括第一示例至第三示例中的一个或多个的RF线圈的第四示例中，每个RF线圈导体通过多个柱固定地附接到对应屏蔽件的内表面。在可选地包括第一示例到第四示例中的一个或多个的RF线圈的第五示例中，每个RF线圈导体的基部侧包括用于接纳调谐电容器的至少一个狭槽。在可选地包括第一示例至第五示例中的一个或多个的RF线圈的第六示例中，多个RF线圈导体中的每个RF线圈导体的两个臂定向在相同的方向上。在可选地包括第一示例至第六示例中的一个或多个的RF线圈的第七示例中，多个RF线圈导体沿着RF线圈的圆周以交错配置定位。在可选地包括第一示例至第七示例中的一个或多个的RF线圈的第八示例中，每个RF线圈导体通过连接条联接到至少一个其他RF线圈导体。在可选地包括第一示例至第八示例中的一个或多个的RF线圈的第九示例中，多个RF线圈导体包括八个RF线圈导体。
在另一个实施例中，一种***包括：超导磁体；梯度线圈组件，其设置在超导磁体的内径内；以及射频(RF)线圈，其设置在梯度线圈组件的内径内，RF线圈包括多个RF线圈导体，每个RF线圈导体包括基部侧和从基部侧延伸的两个臂。
在该***的第一示例中，多个RF线圈导体包括多个外部RF线圈导体和多个内部RF线圈导体，其中多个内部RF线圈导体中的每一个定位在由对应的外部RF线圈导体限定的区域内。在可选地包括第一示例的***的第二示例中，RF线圈还包括多个屏蔽件，其中每个RF线圈导体定位在多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。在可选地包括第一示例和第二示例中的一个或多个的***的第三示例中，每个RF线圈导体的两个臂相对于基部侧以直角、锐角和钝角之一从基部侧延伸。在可选地包括第一示例至第三示例中的一个或多个的***的第四示例中，RF线圈包括全身线圈。在可选地包括第一示例至第四示例中的一个或多个的***的第五示例中，RF线圈包括表面线圈。
在又一个实施例中，一种射频(RF)线圈包括：多个外部RF线圈导体，每个外部RF线圈导体包括基部侧和从基部侧沿相同方向延伸的两个臂，基部侧和两个臂限定内部区域；以及多个内部RF线圈导体，每个内部RF线圈导体包括基部侧和从基部侧沿相同方向延伸的两个臂，其中每个内部RF线圈导体定位在对应的外部RF线圈导体的内部区域内。
在RF线圈的第一示例中，RF线圈还包括多个屏蔽件，其中多个外部RF线圈导体和多个内部RF线圈导体中的每一个定位在多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上。在可选地包括第一示例的RF线圈的第二示例中，多个屏蔽件包括多个外部屏蔽件和多个内部屏蔽件，其中多个外部RF线圈导体定位在多个外部屏蔽件上，其中多个内部RF线圈导体定位在多个内部屏蔽件上，其中每个外部屏蔽件的形状类似于外部RF线圈导体，并且其中每个内部屏蔽件的形状为弯曲片。在可选地包括第一示例和第二示例中的一个或多个的RF线圈的第三示例中，每个内部RF线圈导体的两个臂与对应的外部RF线圈导体的两个臂对齐，并且其中内部RF线圈导体和外部RF线圈导体中的每一个沿着RF线圈的圆周在相同方向上定向。
如本文所使用，以单数形式叙述和前接用词“一”或“一个”的元件或步骤应被理解为并不排除多个所述元件或步骤，除非明确叙述了这种排除。此外，对本发明的“一个实施例”的引用并非意图被解释为排除也结合所陈述特征的附加实施例的存在。此外，除非相反地明确说明，“包含”、“包括”或“具有”带特定性质的元件或多个元件的实施例可包括没有那种性质的附加此类元件。术语“包括”和“在其中”用作相应术语“包含”和“其中”的普通语言等效体。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等只用作标签，而不是意图对其对象施加数字要求或特定位置次序。
本书面描述用示例来公开包括最佳模式的本发明，并且还使本领域的普通技术人员能实施本发明，包括制造和使用任何装置或***以及执行任何包括在内的方法。本发明的可专利范围由权利要求所限定，并且可包括本领域的普通技术人员想到的其它示例。如果这种其他示例具有与所附权利要求的字面语言没有不同的结构元件，或者如果它们包括与所附权利要求的字面语言无实质差别的等同结构元件，则这种其他示例意图在所附权利要求的范围内。

Claims (14)

1.一种配置用于磁共振成像(MRI)***的射频线圈，包括：
多个射频线圈导体，每个射频线圈导体包括基部侧和从所述基部侧延伸的两个臂，其中，所述多个射频线圈导体包括多个外部射频线圈导体和多个内部射频线圈导体，其中，所述多个内部射频线圈导体中的每一个定位在由对应的外部射频线圈导体限定的区域内；以及
多个屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体和所述多个内部射频线圈导体中的每一个定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上；
其中，所述多个屏蔽件包括多个外部屏蔽件和多个内部屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体定位在所述多个外部屏蔽件上，其中，所述多个内部射频线圈导体定位在所述多个内部屏蔽件上，其中，所述外部屏蔽件中的每一个的形状类似于所述外部射频线圈导体，并且其中，所述内部屏蔽件中的每一个的形状为弯曲片。
2.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，每个内部射频线圈导体的所述两个臂与所述对应的外部射频线圈导体的所述两个臂对齐。
3.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，每个射频线圈导体通过多个柱固定地附接到所述对应屏蔽件的所述内表面。
4.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，每个射频线圈导体的所述基部侧包括用于接纳调谐电容器的至少一个狭槽。
5.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个射频线圈导体中的每个射频线圈导体的所述两个臂沿相同的方向定向。
6.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个射频线圈导体沿着所述射频线圈的圆周以交错配置定位。
7.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，每个射频线圈导体通过连接条联接到至少一个其他射频线圈导体。
8.根据权利要求1所述的射频线圈，其中，所述多个射频线圈导体包括八个射频线圈导体。
9.一种***，包括：
超导磁体；
梯度线圈组件，其设置在所述超导磁体的内径内；以及
射频线圈，其设置在所述梯度线圈组件的内径内，所述射频线圈包括：
多个射频线圈导体，每个射频线圈导体包括基部侧和从所述基部侧延伸的两个臂，其中，所述多个射频线圈导体包括多个外部射频线圈导体和多个内部射频线圈导体，其中，所述多个内部射频线圈导体中的每一个定位在由对应的外部射频线圈导体限定的区域内；以及
多个屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体和所述多个内部射频线圈导体中的每一个定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上；
其中，所述多个屏蔽件包括多个外部屏蔽件和多个内部屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体定位在所述多个外部屏蔽件上，其中，所述多个内部射频线圈导体定位在所述多个内部屏蔽件上，其中，所述外部屏蔽件中的每一个的形状类似于所述外部射频线圈导体，并且其中，所述内部屏蔽件中的每一个的形状为弯曲片。
10.根据权利要求9所述的***，其中，每个射频线圈导体的所述两个臂相对于所述基部侧以直角、锐角和钝角之一从所述基部侧延伸。
11.根据权利要求9所述的***，其中，所述射频线圈包括全身线圈。
12.根据权利要求9所述的***，其中，所述射频线圈包括表面线圈。
13.一种射频线圈，包括：
多个外部射频线圈导体，每个外部射频线圈导体包括基部侧和从所述基部侧沿相同方向延伸的两个臂，所述基部侧和所述两个臂限定内部区域；
多个内部射频线圈导体，每个内部射频线圈导体包括基部侧和从所述基部侧沿相同方向延伸的两个臂，其中，每个内部射频线圈导体定位在对应的外部射频线圈导体的内部区域内；以及
多个屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体和所述多个内部射频线圈导体中的每一个定位在所述多个屏蔽件中的对应屏蔽件的内表面上；
其中，所述多个屏蔽件包括多个外部屏蔽件和多个内部屏蔽件，其中，所述多个外部射频线圈导体定位在所述多个外部屏蔽件上，其中，所述多个内部射频线圈导体定位在所述多个内部屏蔽件上，其中，所述外部屏蔽件中的每一个的形状类似于所述外部射频线圈导体，并且其中，所述内部屏蔽件中的每一个的形状为弯曲片。
14.根据权利要求13所述的射频线圈，其中，每个内部射频线圈导体的所述两个臂与所述对应的外部射频线圈导体的所述两个臂对齐，并且其中，所述内部射频线圈导体和所述外部射频线圈导体中的每一个沿着所述射频线圈的圆周以相同的方向定向。
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