CN109231157B - 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 - Google Patents
四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109231157B CN109231157B CN201811318987.6A CN201811318987A CN109231157B CN 109231157 B CN109231157 B CN 109231157B CN 201811318987 A CN201811318987 A CN 201811318987A CN 109231157 B CN109231157 B CN 109231157B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- upper substrate
- cylinder
- base layer
- pressure
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 5
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00158—Diaphragms, membranes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
- G01D21/02—Measuring two or more variables by means not covered by a single other subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0292—Sensors not provided for in B81B2201/0207 - B81B2201/0285
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底；下部衬底包括下部衬底基底层，下部衬底基底层上面设有下部衬底金属欧姆电路层，下部衬底基底层的中部设有下部实心圆柱，下部衬底基底层上方的四周边缘设有四周支承结构；上部衬底包括上部衬底基底层，上部衬底基底层上面设有上部衬底绝缘层，上部衬底绝缘层上设有上部衬底金属欧姆接触电路以及由四根梁和上部中心圆膜构成的上部四梁圆膜结构，梁上设有压阻条；上部中心圆膜下方连接有薄壁圆筒，薄壁圆筒套在下部实心圆柱外，四周支承结构和上部衬底基底层下方连接；本发明实现了压力和位移的集成测量，具有集成度好，测量灵敏度高等优点。
Description
技术领域
本发明属于MEMS传感器技术领域，具体涉及一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器。
背景技术
在航空航天、军事、汽车等工业和军事领域中，经常需要同时测量结构所受压力及由于受压而产生的位移等参数。而在这些应用中，除了能准确实时测量出这些参数之外，对传感器的微型化、集成化、多功能化要求也越来越迫切。在现有工艺结构中，由于检测原理的不同，MEMS压力传感器和位移传感器一般是分立的，从而增加了芯片的制作成本和空间尺寸。基于MEMS技术的集成传感器能够在有限的空间内实现诸如压力、位移、温度、加速度等多参数的集成测量，目前所报道的MEMS集成传感器种类较少，且大多数属于简单地集成，即将各待测物理量根据对应的测量原理独立设计结构，然后将这些独立的功能单元加工在同一基底上的不同位置。比如将同一个传感器基底的左半边做成压力检测单元，右半边做成加速度检测单元，这样的简单集成虽然能在一定程度上减小传感器的尺寸和制作成本，但是没有充分利用各个物理量测量原理所对应的结构之间的交叉关系，即未将各个检测原理对应的结构关系利用上，因而属于简单的片内集成,MEMS传感器的集成度有待进一步提高。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，实现了压力和位移的集成检测，具有体积小，成本低，集成度好，测量灵敏度高等优点。
为了达到上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底；
所述的下部衬底包括下部衬底基底层100，下部衬底基底层100上面设有下部衬底金属欧姆电路层101，下部衬底基底层100的中部设有下部实心圆柱102，下部衬底基底层100上方的四周边缘还设有四周支承结构103；
所述的上部衬底包括上部衬底基底层300，上部衬底基底层300上面设有上部衬底绝缘层301，上部衬底绝缘层301上设有上部衬底金属欧姆接触电路303以及由四根梁400和上部中心圆膜401构成的上部四梁圆膜结构，四根梁400上设有压阻条302，压阻条302、上部衬底金属欧姆接触电路303及上部四梁圆膜结构构成了压阻式压力传感器；
上部中心圆膜401的中部下方连接有薄壁圆筒304，薄壁圆筒304套在下部实心圆柱102外，四周支承结构103和上部衬底基底层300下方连接，通过薄壁圆筒304和下部实心圆柱102轴向相对运动构成变面积型同轴圆柱电容式位移传感器。
所述的四根压阻条302设计在四根梁400根部，以得到最大的压力检测灵敏度。
所述的四周支承结构103和上部衬底基底层300下方键合形成上下衬底连接层200。
在所述的上部衬底绝缘层301上，通过掺杂和刻蚀工艺，在四根梁400根部形成对称分布的压阻条302，并通过电子束蒸发或溅射金属薄膜工艺，在上部衬底绝缘层301上表面形成上部衬底金属欧姆接触电路303的惠斯通电桥，将各压阻条302相互连接构成完整信号输出电路。
所述的薄壁圆筒304的圆心和上部中心圆膜401的中心需保证对中重合。
所述的薄壁圆筒304采用激光打孔的高精度加工工艺，保证薄壁圆筒304尽可能地规则。
所述的薄壁圆筒304的轴向高度H1应略小于下部实心圆柱102的轴向高度H2，并满足两者的高度差Dh＝H2-H1，Dh的大小根据所设计传感器的位移和压力测量量程和结构应力极限分析综合确定。
本发明的有益效果是：将MEMS压力传感器和MEMS位移传感器从结构上进行了集成，可最大程度地减小芯片面积，从而降低了芯片的制作成本；可一次性完成整个芯片的封装，显著降低芯片加工的成本。本发明中的上部四梁圆膜结构与圆柱电容的薄壁圆筒是一体同心的，因此，上部的四梁圆膜结构的对称稳定性保证了薄壁圆筒在检测位移过程中，径向位移最小甚至消除，从而在实现两种物理量测量的同时保证了位移传感器线性度和灵敏度，且上部的压阻式压力测量结构具有平面应力集中效应，与一般的结构相比，这种膜片在受到微压时即可产生较大的应力集中，使得传感器在测量微压时具有较高的灵敏度，且能解决一般结构膜片在很薄时由于膜应力和弯曲应力产生的测量非线性。且传感器上部薄壁圆筒和下部圆柱之间的轴向高度差Dh起到自然限位作用，具有3倍以上的抗过载能力，避免由于超量程工作导致传感器失效。
附图说明
图1为本发明实施例整体结构示意图。
图2为本发明实施例下部衬底的结构示意图。
图3为本发明实施例上部衬底的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
参照图1、图2和图3，一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，其整体结构呈立方体形状,包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底；
所述的下部衬底包括下部衬底基底层100，下部衬底基底层100上面设有下部衬底金属欧姆电路层101，下部衬底基底层100的中部设有下部实心圆柱102，下部衬底基底层100上方的四周边缘还设有四周支承结构103；
所述的上部衬底包括上部衬底基底层300，上部衬底基底层300上面设有上部衬底绝缘层301，上部衬底绝缘层301上设有上部衬底金属欧姆接触电路303以及由四根梁400和上部中心圆膜401构成的上部四梁圆膜结构，四根梁400上设有压阻条302，压阻条302、上部衬底金属欧姆接触电路303及上部四梁圆膜结构构成了压阻式压力传感器；
上部中心圆膜401的中部下方连接有薄壁圆筒304，薄壁圆筒304套在下部实心圆柱102外，四周支承结构103和上部衬底基底层300下方键合形成上下衬底连接层200，通过薄壁圆筒304和下部实心圆柱102轴向相对运动构成变面积型同轴圆柱电容式位移传感器。
针对本实施例，通过有限元建模分析知，当外界压力作用在上部中心圆膜401上时，四根梁400会产生挠度，且仿真结果表明四根梁400的根部应力达到最大。因此，本实施例根据受压时四根梁400的应力应变方向，结合上部四个压阻条302横向和纵向压阻效应的变化原则，将上部四个压阻条302对称设计在四根梁400根部，以得到最大的压力检测灵敏度。当四根梁400在受到压力作用产生挠度时，位于其上的四个压阻条302由于压阻效应的影响，其电阻值会发生变化，由此打破上部衬底金属欧姆接触电路303惠斯通电桥的平衡，输出电压完成压力的测量。
通过有限元建模分析知，当外界压力作用在上部中心圆膜401上时，四根梁400会产生挠度，且上部中心圆膜401平稳均匀地产生沿着压力方向的位移，即上部中心圆膜401未产生明显偏斜。基于此，与上部中心圆膜401连接的薄壁圆筒304会产生轴向位移，与下部实心圆柱102形成轴向相对运动，产生圆柱形电容器输出电容变化，以此反映传感器检测到的位移。
在所述的上部衬底绝缘层301上，通过掺杂和刻蚀工艺，在四根梁400根部形成对称分布的压阻条302，并通过电子束蒸发或溅射金属薄膜工艺，在上部衬底绝缘层301上表面形成上部衬底金属欧姆接触电路303的惠斯通电桥，将各压阻条相互连接构成完整信号输出电路。
所述的薄壁圆筒304的圆心和上部中心圆膜401的中心需保证对中重合，因此对光刻制版和刻蚀工艺的要求较高。这样设计的目的是保证上部中心圆膜401受压时，四根梁400产生的挠度均匀且相等，即上部中心圆膜401保持在水平XY平面内不发生偏斜，只产生轴向位移，以此来保证薄壁圆筒304的存在对梁膜压阻结构没有影响或影响很小可以忽略。
所述的薄壁圆筒304采用激光打孔高精度加工工艺，保证薄壁圆筒304尽可能地规则。
所述的薄壁圆筒304的轴向高度H1应略小于下部实心圆柱102的轴向高度H2，在未受到压力和位移作用时，薄壁圆筒304和下部实心圆柱102结构不发生相对运动，一旦有位移作用时，薄壁圆筒304会轴向下移，下部实心圆柱102结构静止不动，因此在初始时，两者的高度必须满足薄壁圆筒304的轴向高度H1略小于下部实心圆柱102的高度H2，并满足两者的高度差Dh＝H2-H1，Δh的大小根据所设计传感器的位移和压力测量量程和结构应力极限分析综合确定。
本发明的工作原理是：将MEMS压力传感器和MEMS位移传感器从结构上进行了集成，可最大程度地减小芯片面积，从而降低芯片制作成本；通过一次封装，即可完成整个芯片的封装，降低了芯片封装的成本。当传感器所处的环境有压力和位移时，四根梁400和中心圆膜401共同形成压阻式压力传感器结构，检测压力大小并通过衬底金属欧姆接触电路303输出对应的电压信号；同时中心圆膜401在压力作用下会产生位移，并带动薄壁圆筒304轴向移动，与下方基底的实心圆柱102构成变面积型位移传感器，且由于上部是四梁圆膜结构，因此，其结构对称稳定性保证了薄壁圆筒304在轴向位移过程中，径向位移最小甚至消除，从而在实现两种物理量测量的同时保证了位移传感器线性度和灵敏度。且上部的压阻式压力测量结构具有平面应力集中效应，与一般的结构相比，这种膜片在受到微压时即可产生较大的应力集中，使得传感器在测量微压时具有较高的灵敏度，且能解决一般膜片结构在很薄时由于膜应力和弯曲应力产生的测量非线性。薄壁圆筒304和下部实心圆柱102之间的轴向高度差Δh起到限位作用，避免由于超量程工作导致传感器失效。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，包括上部衬底和与之配合连接的下部衬底，其特征在于：
所述的下部衬底包括下部衬底基底层(100)，下部衬底基底层(100)上面设有下部衬底金属欧姆电路层(101)，下部衬底基底层(100)的中部设有下部实心圆柱(102)，下部衬底基底层(100)上方的四周边缘还设有四周支承结构(103)；
所述的上部衬底包括上部衬底基底层(300)，上部衬底基底层(300)上面设有上部衬底绝缘层(301)，上部衬底绝缘层(301)上设有上部衬底金属欧姆接触电路(303)以及由四根梁(400)和上部中心圆膜(401)构成的上部四梁圆膜结构，四根梁(400)上设有压阻条(302)，压阻条(302)、上部衬底金属欧姆接触电路(303)及上部四梁圆膜结构构成了压阻式压力传感器；
上部中心圆膜(401)的中部下方连接有薄壁圆筒(304)，薄壁圆筒(304)套在下部实心圆柱(102)外，四周支承结构(103)和上部衬底基底层(300)下方连接，通过薄壁圆筒(304)和下部实心圆柱(102)轴向相对运动构成变面积型同轴圆柱电容式位移传感器；
所述的四周支承结构(103)和上部衬底基底层(300)下方键合形成上下衬底连接层(200)；
在所述的上部衬底绝缘层(301)上，通过掺杂和刻蚀工艺，在四根梁(400)根部形成对称分布的压阻条(302)，并通过电子束蒸发或溅射金属薄膜工艺，在上部衬底绝缘层(301)上表面形成上部衬底金属欧姆接触电路(303)的惠斯通电桥，将各压阻条(302)相互连接构成完整信号输出电路。
2.根据权利要求1所述的一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，其特征在于：所述的四根压阻条(302)设计在四根梁(400)根部，以得到最大的压力检测灵敏度。
3.根据权利要求1所述的一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，其特征在于：所述的薄壁圆筒(304)的轴线和上部圆膜(401)的轴线需保证对中重合。
4.根据权利要求1所述的一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，其特征在于：所述的薄壁圆筒(304)采用激光打孔高精度加工工艺，保证薄壁圆筒(304)尽可能地规则。
5.根据权利要求1所述的一种四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式MEMS传感器，其特征在于：所述的薄壁圆筒(304)的轴向高度H1应略小于下部实心圆柱(102)的轴向高度H2，并满足两者的高度差Δh＝H2-H1，Δh的大小根据所设计传感器的位移和压力测量量程和结构应力极限分析综合确定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811318987.6A CN109231157B (zh) | 2018-11-07 | 2018-11-07 | 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811318987.6A CN109231157B (zh) | 2018-11-07 | 2018-11-07 | 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109231157A CN109231157A (zh) | 2019-01-18 |
| CN109231157B true CN109231157B (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=65077227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811318987.6A Active CN109231157B (zh) | 2018-11-07 | 2018-11-07 | 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109231157B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110411615B (zh) * | 2019-07-01 | 2021-08-03 | 杭州电子科技大学 | 一种高灵敏度的mems触觉传感器结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010056825A (ko) * | 1999-12-17 | 2001-07-04 | 서희돈 | 타축감도를 최소화한 압저항형 센서 구조 및 그 센서의제조방법 |
| CN102636298A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-08-15 | 西安交通大学 | 一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片 |
| CN107941407A (zh) * | 2017-11-19 | 2018-04-20 | 东北大学 | 一种微压高过载传感器芯片 |
| CN209177990U (zh) * | 2018-11-07 | 2019-07-30 | 西安交通大学 | 四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式mems传感器结构 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI506278B (zh) * | 2012-12-06 | 2015-11-01 | Murata Manufacturing Co | High Voltage Resistive MEMS Sensors |
-
2018
- 2018-11-07 CN CN201811318987.6A patent/CN109231157B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010056825A (ko) * | 1999-12-17 | 2001-07-04 | 서희돈 | 타축감도를 최소화한 압저항형 센서 구조 및 그 센서의제조방법 |
| CN102636298A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-08-15 | 西安交通大学 | 一种梁膜四岛结构微压高过载传感器芯片 |
| CN107941407A (zh) * | 2017-11-19 | 2018-04-20 | 东北大学 | 一种微压高过载传感器芯片 |
| CN209177990U (zh) * | 2018-11-07 | 2019-07-30 | 西安交通大学 | 四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式mems传感器结构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 压阻式MEMS压力传感器的原理与分析;郭成锐;林鸣谢;;电子质量(09);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109231157A (zh) | 2019-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102128953B (zh) | 对称倾斜折叠梁结构电容式微加速度传感器 | |
| CN103941041A (zh) | 一种三框架结构的单质量块三轴mems加速度计 | |
| Tian et al. | The novel structural design for pressure sensors | |
| CN100487461C (zh) | 金属电容式微加速度计 | |
| CN112964417B (zh) | 一种双动极板电容式压力敏感芯片 | |
| Hsieh et al. | Investigation of a pressure sensor with temperature compensation using two concentric wheatstone-bridge circuits | |
| CN109231157B (zh) | 四梁圆膜与同轴圆柱结合的压力和位移集成式mems传感器 | |
| CN102175361A (zh) | 一种能够测量亚微牛顿力的三维微力传感器及其封装方法 | |
| US10899603B2 (en) | Micromechanical z-inertial sensor | |
| CN114659681A (zh) | 一种高温力传感器及其生产方法 | |
| CN107976274B (zh) | 一种基于同步共振的压力检测装置及检测方法 | |
| CN209177990U (zh) | 四梁圆膜与同轴圆柱的压力和位移集成式mems传感器结构 | |
| CN116007831B (zh) | 一种复合式mems真空规及其制作方法 | |
| CN101694409A (zh) | Soi机油压力传感器的全硅压力芯片制造方法 | |
| Zhang et al. | A high-accuracy multi-element silicon barometric pressure sensor | |
| CN202974174U (zh) | 一种基于电容传感器阵列的三维微接触式测头 | |
| CN109655181A (zh) | 一种传感器及其制备方法 | |
| Achouch et al. | Improvement of the performance of a capacitive relative pressure sensor: case of large deflections | |
| CN210893522U (zh) | 一种mems压力传感器 | |
| CN112798169A (zh) | 一种具有抗高过载能力的高压传感器 | |
| CN111693201B (zh) | 一种隧穿式mems气压传感器及其用途 | |
| Angel et al. | Sensitivity enhancement by striped arrow embossed diaphragms in low pressure MEMS piezoresistive pressure sensors | |
| CN216246919U (zh) | 一种电容式芯片结构 | |
| CN110082011A (zh) | 一种多级测力测位移传感器 | |
| CN112556892B (zh) | 一种高精度谐振球式压力传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |