CN109188097A - 一种单片fpc的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置及方法 - Google Patents

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Abstract

一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其包括电磁屏蔽膜(1)、竖直部(2)、水平部(3)、凹槽部(4)、屏蔽膜导通点(5)、屏蔽膜测试点(6)，单片FPC的电磁屏蔽膜包括竖直部、水平部，水平部的右端具有凹槽部，凹槽部包括第一槽壁(41)、第二槽壁(42)，第一槽壁、第二槽壁相互垂直，其特征在于：屏蔽膜导通点(5)位于电磁屏蔽膜(1)内，屏蔽膜测试点(6)位于凹槽部(4)内，屏蔽膜导通点与屏蔽膜测试点电性联通。本发明仅需要一个或多个裸露的测试点接触表笔就可以测试；其实就是把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。

Description

一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置及方法
技术领域
本发明涉及单片FPC(柔性电路板)的电磁屏蔽膜测试领域，尤其涉及一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置及方法。
背景技术
电磁屏蔽膜是一种屏蔽EMI(电磁干扰)的材料，是用导电导磁材料制成的屏蔽体(Shield)将电磁波限定在一定的范围内，使电磁波从屏蔽体的一面耦合或辐射到另一面时受到抑制或衰减；电子产品会受到高频电磁波的干扰，而影响产品的品质，此时屏蔽膜的屏蔽作用尤为重要，电磁屏蔽膜接地是发挥其作用的重要前提之一，测试对地阻抗值是检验屏蔽膜是否有效接地的方法。
现有技术中，单片FPC测电磁屏蔽膜对地阻抗时，需要刮开屏蔽膜表面绝缘层，但是刮的力度难控制，很难接触到屏蔽膜的shild层并会损伤FPC。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种单片FPC电磁屏蔽膜对地阻抗的测量方案，检测电磁屏蔽膜接地的有效性。通过在单片FPC上增加测试电路；通过铜皮开窗点引出电磁屏蔽膜的测试点，此测试点已连通屏蔽膜膜，通过万用表量测此测试点和GND之间的阻值。
改进后，仅需要一个裸露的测试点接触表笔就可以测试；其实就是把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其包括电磁屏蔽膜(1)、竖直部(2)、水平部(3)、凹槽部(4)、屏蔽膜导通点(5)、屏蔽膜测试点(6)，单片FPC的电磁屏蔽膜包括竖直部、水平部，水平部的右端具有凹槽部，凹槽部包括第一槽壁(41)、第二槽壁(42)，第一槽壁、第二槽壁相互垂直，其特征在于：屏蔽膜导通点(5)位于电磁屏蔽膜(1)内，屏蔽膜测试点(6)位于凹槽部(4)内，屏蔽膜导通点与屏蔽膜测试点电性联通。
进一步地，屏蔽膜导通点至第一槽壁的距离与屏蔽膜测试点至第一槽壁的距离相等，屏蔽膜测试点至第一槽壁的距离为凹槽部深度(T)的0.35-0.40倍。
进一步地，屏蔽膜测试点至第二槽壁的距离为凹槽部深度(T)的0.95-1.0倍。
进一步地，屏蔽膜测试点包括第一屏蔽膜测试点(61)、第二屏蔽膜测试点(62)，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点位于同一竖直线上，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点与屏蔽膜导通点电性连通，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点、屏蔽膜导通点三者的连线构成近似于直角三角形。
进一步地，通过在单片FPC上增加测试电路，通过铜皮开窗点引出电磁屏蔽膜的屏蔽膜测试点，该屏蔽膜测试点已连通电磁屏蔽膜，通过万用表测量此屏蔽膜测试点与GND之间的阻值。
进一步地，通过设置一个或多个裸露的屏蔽膜测试点接触万用表笔进行测试，通过把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的屏蔽膜测试点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。
本发明仅需要一个或多个裸露的测试点接触表笔就可以测试；其实就是把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。
附图说明
图1为本发明单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置结构示意图；
图2为本发明单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置另一实施例结构示意图。
图中：电磁屏蔽膜1、竖直部2、水平部3、凹槽部4、第一槽壁41、第二槽壁42、屏蔽膜导通点5、屏蔽膜测试点6、第一屏蔽膜测试点61、第二屏蔽膜测试点62。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
参见附图1-2：该单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，包括电磁屏蔽膜1、竖直部2、水平部3、凹槽部4、屏蔽膜导通点5、屏蔽膜测试点6。
单片FPC的电磁屏蔽膜1包括竖直部2、水平部3，水平部3的右端具有凹槽部4，凹槽部4包括第一槽壁41、第二槽壁42，第一槽壁41、第二槽壁42相互垂直，屏蔽膜导通点5位于电磁屏蔽膜1内/上，屏蔽膜测试点6位于凹槽部4内，屏蔽膜导通点5与屏蔽膜测试点6电性联通。
屏蔽膜导通点5至第一槽壁41的距离与屏蔽膜测试点6至第一槽壁41的距离相等，屏蔽膜测试点6至第一槽壁41的距离为凹槽部4深度T的0.35-0.40倍，屏蔽膜测试点6至第二槽壁42的距离为凹槽部4深度T的0.95-1.0倍。
参见附图2，屏蔽膜测试点6包括第一屏蔽膜测试点61、第二屏蔽膜测试点62，第一屏蔽膜测试点61、第二屏蔽膜测试点62位于同一竖直线上，第一屏蔽膜测试点61、第二屏蔽膜测试点62与屏蔽膜导通点5电性连通，第一屏蔽膜测试点61、第二屏蔽膜测试点62、屏蔽膜导通点5三者的连线构成直角三角形/近似于直角三角形。通过设置多个屏蔽膜测试点进一步提高了测量的准确性、有效性。
本发明仅需要一个或多个裸露的测试点接触表笔就可以测试；其实就是把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。
上述实施方式是对本发明的说明，不是对本发明的限定，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的保护范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其包括电磁屏蔽膜(1)、竖直部(2)、水平部(3)、凹槽部(4)、屏蔽膜导通点(5)、屏蔽膜测试点(6)，单片FPC的电磁屏蔽膜包括竖直部、水平部，水平部的右端具有凹槽部，凹槽部包括第一槽壁(41)、第二槽壁(42)，第一槽壁、第二槽壁相互垂直，其特征在于：屏蔽膜导通点(5)位于电磁屏蔽膜(1)内，屏蔽膜测试点(6)位于凹槽部(4)内，屏蔽膜导通点与屏蔽膜测试点电性联通。
2.根据权利要求1所述的一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其特征在于，屏蔽膜导通点至第一槽壁的距离与屏蔽膜测试点至第一槽壁的距离相等，屏蔽膜测试点至第一槽壁的距离为凹槽部深度(T)的0.35-0.40倍。
3.根据权利要求2所述的一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其特征在于，屏蔽膜测试点至第二槽壁的距离为凹槽部深度(T)的0.95-1.0倍。
4.根据权利要求1所述的一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其特征在于，屏蔽膜测试点包括第一屏蔽膜测试点(61)、第二屏蔽膜测试点(62)，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点位于同一竖直线上，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点与屏蔽膜导通点电性连通，第一屏蔽膜测试点、第二屏蔽膜测试点、屏蔽膜导通点三者的连线构成近似于直角三角形。
5.根据权利要求4所述的一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其特征在于，通过在单片FPC上增加测试电路，通过铜皮开窗点引出电磁屏蔽膜的屏蔽膜测试点，该屏蔽膜测试点已连通电磁屏蔽膜，通过万用表测量此屏蔽膜测试点与GND之间的阻值。
6.根据权利要求5所述的一种单片FPC的电磁屏蔽膜对地阻抗测试装置，其特征在于，通过设置一个或多个裸露的屏蔽膜测试点接触万用表笔进行测试，通过把与EMI导通的开窗区域延伸出来，通过测量延伸出来的屏蔽膜测试点与地之间的导通性，来衡量EMI与接地效果。
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