CN109167252A - 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法 - Google Patents

内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109167252A
CN109167252A CN201811193810.8A CN201811193810A CN109167252A CN 109167252 A CN109167252 A CN 109167252A CN 201811193810 A CN201811193810 A CN 201811193810A CN 109167252 A CN109167252 A CN 109167252A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
silver sulfide
vulcanization
quanta dots
colored zinc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811193810.8A
Other languages
English (en)
Inventor
廖晨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Post and Telecommunication University
Nanjing University of Posts and Telecommunications
Original Assignee
Nanjing Post and Telecommunication University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Post and Telecommunication University filed Critical Nanjing Post and Telecommunication University
Priority to CN201811193810.8A priority Critical patent/CN109167252A/zh
Publication of CN109167252A publication Critical patent/CN109167252A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1042—Optical microcavities, e.g. cavity dimensions comparable to the wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法，该微盘腔激光器包括依次向上设置的硅基板、硅圆柱和内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘。本发明利用低毒的最低量子态2重简并的硫化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益,通过在硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化硫化银量子点的表面，能够进一步降低光增益阈值。将量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。用内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅薄膜制备微盘腔，最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。

Description

内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备 方法
技术领域
本发明涉及一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法，属于半导体光电子器件的技术领域。
背景技术
近红外激光器可广泛应用于光通信、遥感和相干等离子体产生等领域。受益于量子限域效应，半导体量子点作为光增益材料展现出了多种优越的性能，例如发射波长随尺寸可调、潜在的低激光阈值和温度不敏感的激光性能。目前，利用分子束外延法制备的近红外量子点激光器已经开始商业应用。相比于外延生长的量子点，胶体量子点具有更小的尺寸和更均一的尺寸分布，因而具有更强的量子限域效应和更窄的发射峰。最常见的近红外发射胶体量子点是铅盐(硫化铅、硒化铅和碲化铅)量子点。它们为岩盐型结构，在布里渊区的L点有4个等效的能带最小值。考虑2重自旋简并，铅盐量子点的最低量子态是8重简并的，平均每个量子点内的激子数要超过4才能实现粒子数反转。这使铅盐量子点的光增益阈值极高，很难实现光增益。目前，迫切需要寻找到一种新型的胶体量子点来实现低阈值的近红外光增益。
近年来，低毒的最低量子态2重简并的硫化银量子点由于在第二近红外窗口具有优异的荧光性质而引起强烈的关注。目前关于硫化银量子点的研究大多聚焦在制备方法以及体内成像，其在激光领域的潜在应用尚未有报道。
仅用硫化银量子点代替铅盐量子点还不能获得最理想的近红外光增益。在胶体量子点中俄歇复合非常高效，这使胶体量子点的光增益阈值高于外延生长的量子点，阻碍了胶体量子点激光器的发展。
微盘腔激光器具有品质因子高、制备便捷和可集成化等优点。然而胶体量子点与微盘腔的耦合一直没能很好地实现。目前，最常用的做法是将量子点涂覆在制备好的二氧化硅微盘腔上，这样会显著降低微盘腔的品质因子。
发明内容
本发明的目的是提供一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法，以获得低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，包括依次向上设置的硅基板、硅圆柱和内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘。
所述内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘由二氧化硅圆盘和嵌入该二氧化硅圆盘中的硫化银/硫化银锌核壳量子点组成。
所述硫化银/硫化银锌核壳量子点在二氧化硅圆盘中均匀分布。
所述硫化银/硫化银锌核壳量子点由硫化银量子点以及包覆在该硫化银量子点表面的硫化银锌合金壳组成。
所述硫化银锌合金壳的锌元素含量从内到外逐渐增加。
所述硫化银/硫化银锌核壳量子点作为光增益介质。
所述硅圆柱上底面的面积小于内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘下底面的面积。
一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)利用高温热分解法制备硫化银量子点；
(2)利用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小银离子前躯体的注入速度同时增加锌离子前躯体的注入速度，在硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，获得硫化银/硫化银锌核壳量子点；
(3)将步骤(2)得到的硫化银/硫化银锌核壳量子点分散于甲苯中，再将硫化银/硫化银锌核壳量子点的甲苯分散液与全氢聚硅氮烷混合，然后旋涂到硅基板上来获得内含量子点的二氧化硅膜；
(4)利用反应离子干法刻蚀将内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅膜刻蚀成内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘；
(5)用二氟化氙刻蚀二氧化硅圆盘下方的硅来获得支撑二氧化硅圆盘的硅圆柱。
有益效果：硫化银量子点为单斜晶相，最低量子态只有2重自旋简并，能够实现低阈值的近红外光增益。研究表明核和壳材料间平缓的界面势垒能够使俄歇速率减小3个数量级以上,减少界面缺陷也能显著抑制俄歇复合。因此，若在硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化硫化银量子点的表面，能够抑制俄歇复合进一步降低光增益阈值。
将量子点嵌入于二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。全氢聚硅氮烷是一种新型的涂层材料，在大气氛围中能够在室温下转化为无机二氧化硅。旋涂量子点与全氢聚硅氮烷的混合液能够获得高质量的内含量子点的二氧化硅薄膜，为制备高品质因子的微盘腔量子点激光器提供了条件。
本发明利用低毒的最低量子态2重简并的硫化银量子点替代最低量子态8重简并的铅盐量子点，以实现低阈值的近红外光增益，通过在硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，来构建平缓的界面势垒和钝化硫化银量子点的表面，能够进一步降低光增益阈值。将量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。用内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅薄膜制备微盘腔，最终能够获得低阈值、高品质因子和环境友好的微盘腔近红外量子点激光器。
附图说明
图1是硫化银/硫化银锌核壳量子点的结构示意图；
图2是内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器的结构示意图。
图中：1-硫化银量子点，2-硫化银锌合金壳，3-硅基板，4-硅圆柱，5-内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做更进一步的解释。
如图2所述，本发明的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，包括依次向上设置的硅基板3、硅圆柱4和内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5。
内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5由二氧化硅圆盘和嵌入该二氧化硅圆盘中的硫化银/硫化银锌核壳量子点组成。硫化银/硫化银锌核壳量子点在二氧化硅圆盘中均匀分布。如图1所示，硫化银/硫化银锌核壳量子点由硫化银量子点1以及包覆在该硫化银量子点1表面的硫化银锌合金壳2组成。硫化银锌合金壳2的锌元素含量从内到外逐渐增加。硫化银/硫化银锌核壳量子点是光增益介质，低毒的最低量子态只有2重自旋简并的硫化银量子点1，能够实现低阈值的近红外光增益，通过在硫化银量子点1表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳2，来构建平缓的界面势垒和钝化硫化银量子点1的表面，能够进一步降低光增益阈值。将硫化银/硫化银锌核壳量子点嵌入二氧化硅中能够避免在微盘腔上涂覆量子点带来的品质因子下降。得益于内含量子点的二氧化硅圆盘与空气的折射率差，光场沿内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5的内侧壁振荡和放大。
硅圆柱4上底面的面积小于内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5下底面的面积，硅圆柱4将内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5和硅基底3隔离，阻止光场从内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘5泄漏到硅基底3。
本发明的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)利用高温热分解法制备近红外发射的硫化银量子点；
(2)利用连续离子层吸附反应法，通过在2小时的反应过程中将浓度为0.1毫摩尔/毫升的银离子前躯体的注入速度从5毫升/小时逐渐减小到0.5毫升/小时，同时将浓度为0.1毫摩尔/毫升的锌离子前躯体的注入速度从0.5毫升/小时逐渐增加到5毫升/小时，在2微摩尔的硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，获得硫化银/硫化银锌核壳量子点；
(3)按1：5的质量比将步骤(2)得到的硫化银/硫化银锌核壳量子点分散于甲苯中，再按1：1的质量比将硫化银/硫化银锌核壳量子点的甲苯分散液与全氢聚硅氮烷混合，然后旋涂到硅基板上来获得内含量子点的二氧化硅膜；
(4)利用反应离子干法刻蚀将内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅膜刻蚀成内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘；
(5)用二氟化氙刻蚀二氧化硅圆盘下方的硅来获得支撑二氧化硅圆盘的硅圆柱。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：包括依次向上设置的硅基板(3)、硅圆柱(4)和内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘(5)。
2.根据权利要求1所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘(5)由二氧化硅圆盘和嵌入该二氧化硅圆盘中的硫化银/硫化银锌核壳量子点组成。
3.根据权利要求2所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述硫化银/硫化银锌核壳量子点在二氧化硅圆盘中均匀分布。
4.根据权利要求2所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述硫化银/硫化银锌核壳量子点由硫化银量子点(1)以及包覆在该硫化银量子点(1)表面的硫化银锌合金壳(2)组成。
5.根据权利要求4所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述硫化银锌合金壳(2)的锌元素含量从内到外逐渐增加。
6.根据权利要求1所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述硫化银/硫化银锌核壳量子点作为光增益介质。
7.根据权利要求1所述的内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器，其特征在于：所述硅圆柱(4)上底面的面积小于内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘(5)下底面的面积。
8.一种内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)利用高温热分解法制备硫化银量子点；
(2)利用连续离子层吸附反应法，通过逐渐减小银离子前躯体的注入速度同时增加锌离子前躯体的注入速度，在硫化银量子点表面包覆锌元素含量从内到外逐渐增加的硫化银锌合金壳，获得硫化银/硫化银锌核壳量子点；
(3)将步骤(2)得到的硫化银/硫化银锌核壳量子点分散于甲苯中，再将硫化银/硫化银锌核壳量子点的甲苯分散液与全氢聚硅氮烷混合，然后旋涂到硅基板上来获得内含量子点的二氧化硅膜；
(4)利用反应离子干法刻蚀将内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅膜刻蚀成内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的二氧化硅圆盘；
(5)用二氟化氙刻蚀二氧化硅圆盘下方的硅来获得支撑二氧化硅圆盘的硅圆柱。
CN201811193810.8A 2018-10-15 2018-10-15 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法 Pending CN109167252A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811193810.8A CN109167252A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811193810.8A CN109167252A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109167252A true CN109167252A (zh) 2019-01-08

Family

ID=64878246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811193810.8A Pending CN109167252A (zh) 2018-10-15 2018-10-15 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109167252A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102718180A (zh) * 2012-06-28 2012-10-10 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法
CN104466657A (zh) * 2014-11-07 2015-03-25 南京大学 一种芯片集成的2微米波长微型激光器
CN104861864A (zh) * 2014-02-20 2015-08-26 韩国科学技术研究院 具有聚硅氮烷和波长转换剂的涂覆组成物和波长转换片
CN105264042A (zh) * 2013-06-05 2016-01-20 柯尼卡美能达株式会社 光学材料、光学膜及发光器件
CN106601886A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件
CN107787352A (zh) * 2015-03-27 2018-03-09 奈科斯多特股份公司 连续发射的核/壳纳米片

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102718180A (zh) * 2012-06-28 2012-10-10 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 同心环芯纳米硅微盘微腔器件及其制备方法
CN105264042A (zh) * 2013-06-05 2016-01-20 柯尼卡美能达株式会社 光学材料、光学膜及发光器件
CN104861864A (zh) * 2014-02-20 2015-08-26 韩国科学技术研究院 具有聚硅氮烷和波长转换剂的涂覆组成物和波长转换片
CN104466657A (zh) * 2014-11-07 2015-03-25 南京大学 一种芯片集成的2微米波长微型激光器
CN107787352A (zh) * 2015-03-27 2018-03-09 奈科斯多特股份公司 连续发射的核/壳纳米片
CN106601886A (zh) * 2016-12-30 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5749792B2 (ja) 量子ドット・ガラス複合発光材料及びその製造方法
US9153933B2 (en) Ti: sapphire crystal fiber, manufacturing method thereof, and wide band light source using the same
CN106675550A (zh) 一种钙钛矿量子点凝胶及其制备方法
FR2745584A1 (fr) Luminophore et son procede de fabrication
KR100991904B1 (ko) 양자점을 이용한 백색광 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
CN108417698A (zh) 量子点封装体及其制备方法、发光装置和显示装置
CN101888056B (zh) 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
KR20170071433A (ko) 발광성 구조체 및 그것을 사용한 발광 장치
WO2021018261A1 (zh) Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用
CN107093662A (zh) 一种新型的全无机钙钛矿量子点硅胶透镜及其制备方法
CN109193343A (zh) 内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法
CN109167256A (zh) 内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法
CN113991427A (zh) 一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法
CN110323294A (zh) 一种氧化锌/铯铅溴核壳微米线及其制备方法以及一种光探测器
CN109167254A (zh) 内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法
CN109286129A (zh) 内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的咖啡环激光器及其制备方法
CN109167252A (zh) 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的微盘腔激光器及其制备方法
CN109217107A (zh) 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的分布反馈激光器及其制备方法
CN109321242B (zh) 一种荧光材料的制备方法
CN109286134A (zh) 内含硒化银/硒化银锌核壳量子点的分布反馈激光器及其制备方法
CN111864532A (zh) 提高钙钛矿纳米片激光器稳定性的表面保护层及制备方法
CN109346919A (zh) 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的咖啡环激光器及其制备方法
CN109346925A (zh) 内含硫化银/硫化银锌核壳量子点的垂直腔面发射激光器及其制备方法
CN109273984A (zh) 内含碲化银/碲化银锌核壳量子点的咖啡环激光器及其制备方法
CN109217105A (zh) 内含硫化银量子点的咖啡环激光器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190108

RJ01 Rejection of invention patent application after publication