CN109149977B - 整流器及相关整流电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种整流器,包括一第一输入端、一第二输入端以及一第一输出端以及至少一整流电路。每一整流电路包括:具有一晶体管的一开关电路以及一驱动电路,驱动电路耦接至开关电路并用以控制开关电路的一开关状态,并包括一图腾柱电路以及一输入晶体管。图腾柱电路包括一输入端以及耦接至晶体管的一输出端。输入晶体管耦接于图腾柱电路与开关电路之间。该至少一整流电路包括一第一整流电路与一第二整流电路,第一整流电路与第二整流电路的晶体管耦接至第一输出端,第一整流电路以及第二整流电路的输入晶体管分别耦接至第一输入端与第二输入端。本发明还公开了一种相关的整流电路。

Description

整流器及相关整流电路
技术领域
本发明涉及一种整流器以及一相关的整流电路。
背景技术
传统的桥式整流器通常使用四个二极管来实现,参考图1,图1为现有技术中以二极管实现之桥式整流器1的示意图,其包括二极管D1-D4、输入端IN1及IN2以及输出端OUT1与OUT2,在输入端IN1和IN2处输入的交流电流,通过该桥式整流电路,可以在输出端OUT1与OUT2处转换为直流电流。而传统上桥式整流器具有变压器体积较小的优点,但以二极管来实现的桥式整流器,二极管的逆向峰值电压通常需要到达一定程度,而采用如此较高规格的二极管将提高制造成本。
再者,为了进一步提高电流的效率,市面上有使用开关元件如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)来代替桥式整流电路中的二极管元件,而为了避免MOSFET的驱动电压过高而导致其栅介质击穿,使用驱动晶片或者驱动电路来为MOSFET提供较低驱动电压,但是驱动晶片的成本较高,且驱动电路多由分离元件组成,耗损较大。
因此,需要一种新的整流器架构来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种整流器及相关的整流电路,耗损低,转换效率高、电路简单,低成本,可节省大量制造成本。
为了实现上述目的,本发明公开了一种整流器。该整流器包括:一第一输入端、一第二输入端以及一第一输出端以及至少一整流电路。该至少一整流电路中的每一整流电路皆包括:一开关电路以及一驱动电路。该开关电路包括一晶体管;该驱动电路耦接至该开关电路并用以控制该开关电路的一开关状态,且该驱动电路包括一图腾柱电路以及一输入晶体管。该图腾柱电路包括一输入端以及一输出端,且该输出端耦接至该晶体管。该输入晶体管耦接于该图腾柱电路以及该开关电路之间。该至少一整流电路中包括一第一整流电路以及一第二整流电路,该第一整流电路以及该第二整流电路中的该晶体管耦接至该第一输出端,且该第一整流电路以及该第二整流电路中的该输入晶体管分别耦接至该第一输入端以及该第二输入端。
本发明所公开的整流器,利用图腾柱电路具有高放大率来驱动开关元件(开关电路之晶体管),可快速启闭开关元件,有效降低耗损,提高转换效率。再者,本发明使用图腾柱电路来实现驱动电路,相较于以驱动集成电路来驱动整流电路,电路简单,可节省大量制造成本。
较佳地,其中该第一整流电路以及该第二整流电路分别包括一自举式电路,其中该自举式电路包括:一二极管,其中该二极管的一阳极端耦接至一参考电压,而该二极管的一阴极端耦接至该图腾柱电路;以及一电容,其中该电容的一端点耦接至该二极管的该阴极端,而该电容的另一端点耦接至该第一输入端或该第二输入端的其中之一。
较佳地,该第一整流电路包括一电阻,该电阻的一端点耦接至该第一整流电路的该图腾柱电路的该输入端,该电阻的另一端点耦接至该第一整流电路的该图腾柱电路中的一晶体管。
较佳地,该第一整流电路包括一电阻,该电阻的一端点耦接至该第一整流电路的该输入晶体管,而该电阻的另一端点耦接至一参考电压。
较佳地,该至少一整流电路还包括一第三整流电路以及一第四整流电路,该第三整流电路和该第四整流电路中的该晶体管耦接至该第一输入端以及该第二输入端的其中之一,且第三整流电路和该第四整流电路中的该输入晶体管耦接至一该整流器的一第二输出端。
更佳地,该第三整流电路和该第四整流电路中的该图腾柱电路耦接至一参考电压。
更佳地,该第三整流电路包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该输入晶体管,而该电阻的另一端点耦接至该晶体管。
更佳地,该第三整流电路包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该图腾柱电路的该输入端,而该电阻的另一端点耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一。
更佳地,当该第一输入端与该第二输入端之间的一电压差的一绝对值小于一参考电压时,该至少一整流电路中的每一整流电路的该开关电路的该开关状态为关闭。
更佳地,当该第一输入端上的一电位较该第二输入端上的一电位大于一参考电压时,该第一整流电路与该第二整流电路的其中之一的该开关电路与该第三整流电路与该第四整流电路的其中之一的该开关电路为导通,该第一整流电路与该第二整流电路的另一的该开关电路与该第三整流电路与该第四整流电路的另一的该开关电路为关闭。
更佳地,该至少一整流电路的该开关电路中的该晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管,该第一整流电路与该第二整流电路的该晶体管的一漏极端耦接至该第一输出端,该第一整流电路与该第二整流电路的该晶体管的一源极端分别耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一,该第三整流电路与该第四整流电路的该晶体管的一漏极端分别耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一,该第三整流电路与该第四整流电路的该晶体管的一源极端耦接至该第二输出端。
较佳地,该图腾柱电路包括一npn双载子接面晶体管以及一pnp双载子接面晶体管,该npn双载子接面晶体管的一发射极端以及该pnp双载子接面晶体管的一发射极端耦接至该图腾柱电路的该输出端,且该npn双载子接面晶体管的一基极端以及该pnp双载子接面晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该输入端。
更佳地,该输入晶体管为一npn双载子接面晶体管,且该输入晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该pnp双载子接面晶体管的一集电极端,该输入晶体管的一集电极端耦接至该图腾柱电路的该输入端,且该输入晶体管的一发射极端耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一。本发明使用图腾柱电路之pnp双载子接面晶体管和输入晶体管(npn双载子接面晶体管)组成可控硅整流单元,利用可控硅整流单元高感性和双触发的功能来导通/截止开关元件,进一步降低耗损,提高启闭开关元件以及提升转换效率。再者,本发明的图腾柱电路和可控硅整流单元共用一个双载子接面晶体管,可有效简化电路,降低成本。
本发明还公开了一种整流电路。该整流电路包括一开关电路以及一驱动电路。该开关电路包括一晶体管;该驱动电路耦接至该开关电路并用以控制该开关电路的一开关状态,且该驱动电路包括一图腾柱电路以及一输入晶体管。该图腾柱电路包括一输入端以及一输出端,且该输出端耦接至该晶体管。该输入晶体管耦接于该图腾柱电路以及该开关电路之间。
本发明所公开的整流电路,利用图腾柱电路具有高放大率来驱动开关元件(开关电路之晶体管),可快速启闭开关元件,提高转换效率。再者,本发明使用图腾柱电路来实现驱动电路,相较于以驱动集成电路来驱动整流电路,电路简单,可节省大量制造成本。
较佳地,所述整流电路还包括一自举式电路,该自举式电路包括一二极管和一电容,其中该二极管的一阳极端耦接至一参考电压,而该二极管的一阴极端耦接至该图腾柱电路;该电容的一端点耦接至该二极管的该阴极端,而该电容的另一端点耦接至该整流电路的一输入端。
较佳地,该开关电路中的该晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管,该晶体管的一漏极端耦接至该整流电路的一输出端,该晶体管的一源极端耦接至该整流电路的该输入端。
较佳地,该图腾柱电路包括一npn双载子接面晶体管以及一pnp双载子接面晶体管,该npn双载子接面晶体管的一发射极端以及该pnp双载子接面晶体管的一发射极端耦接至该图腾柱电路的该输出端,且该npn双载子接面晶体管的一基极端以及该pnp双载子接面晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该输入端。
更佳地,该输入晶体管为一npn双载子接面晶体管,且该输入晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该pnp双载子接面晶体管的一集电极端,该输入晶体管的一集电极端耦接至该图腾柱电路的该输入端,且该输入晶体管的一发射极端耦接至该整流电路的该输入端。本发明使用图腾柱电路之pnp双载子接面晶体管和晶体管(npn双载子接面晶体管)组成可控硅整流单元,利用可控硅整流单元高感性和双触发的功能来导通/截止开关元件,进一步降低耗损,提高启闭开关元件以及提升转换效率。再者,本发明的图腾柱电路和可控硅整流单元共用一个双载子接面晶体管,可有效简化电路,降低成本。
较佳地,该整流电路还包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该图腾柱电路的该输入端,而该电阻的另一端点耦接至该图腾柱电路的一晶体管。
较佳地,该整流电路还包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该输入晶体管,而该电阻的另一端点耦接至一参考电压。
附图说明
图1是现有技术中全波整流器的示意图。
图2是本发明一实施例之全波整流器的示意图。
图3是本发明一实施例之输入电压差值与输出电压的波形图。
附图标记:
IN1、IN2、N1 输入端
OUT1、OUT2、N2 输出端
D1-D2 二极管
20 桥式整流器
210-240 整流电路
C1-C2 电容
R1-R2 电阻
DR 驱动电路
SW 开关电路
T1-T4 晶体管
N3-N4 端点
V1、V2 电压
Vcc 参考电压
具体实施方式
在说明书及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的组件。所属领域中具有通常知识者应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的「包括」系为一开放式的用语,故应解释成「包括但不限定于」。此外,「耦接」一词在此系包括任何直接及间接的电气连接手段,因此,若文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置,或者透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
图2是本发明一实施例之桥式整流器20的示意图,如图2所示,桥式整流器包括整流电路210、220、230以及240、输入端IN1与IN2、输出端OUT1与OUT2,其中输入端IN1为零线端,而输入端IN2为火线端,输入端IN1与IN2用以耦接电磁干扰滤波电路(图未示),对照图1与图2可发现,本发明所提出的整流电路210-240可分别模拟图1中的二极管D1-D4,整流电路210-240基本上大致一致,参考图2可知,整流电路210-240皆包括一开关电路SW以及一驱动电路DR,其中开关电路SW由一N型金属氧化物半导体场效晶体管T3(后续简称晶体管T3)来实现,而驱动电路DR包括由双载子接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)所组成的一图腾柱电路以及由一npn双载子接面晶体管实现的一输入晶体管T4。驱动电路DR所包括的图腾柱电路分别由一npn双载子接面晶体管T1(后续简称为晶体管T1)以及一pnp双载子接面晶体管T2(后续简称为晶体管T2)所组成,且图腾柱电路还包括一输入端N1、一输出端N2以及端点N3与N4,其中输入端N1耦接至晶体管T1与T2的基极端,输出端N2耦接至晶体管T1与T2的发射极端以及晶体管T3的一栅极端,端点N3耦接至晶体管T1的一集电极端,而端点N4耦接至晶体管T2的一集电极端。另外,如图2所示,驱动电路DR中的输入晶体管T4耦接于图腾柱电路以及开关电路SW之间。详细来说,输入晶体管T4的一基极耦接至端点N4、一集电极耦接至端点N1、而一发射极耦接至晶体管T3的一源极端。另外,整流电路210与220的晶体管T3的一漏极端耦接至输出端OUT1而整流电路230与240的晶体管T3的源极端耦接至输出端OUT2。
再次参考图2,整流电路210与220分别包括一自举式(bootstrap)电路,利用一参考电压Vcc与该自举式电路来提升端点N3上的电压值,以提供电源至图腾柱电路及输入晶体管T4,在本实施例中,参考电压Vcc最大值为12伏特。整流电路210中的自举式电路由一二极管D1与一电容C1所组成,详细来说,二极管D1的一阳极端耦接至一参考电压Vcc,二极管D1的一阴极端耦接至端点N3,电容C1的一端点耦接至端点N3,而另一端点耦接至输入晶体管T4的源极端以及输入端IN1;另外,整流电路220中的自举式电路由一二极管D2与一电容C2所组成,详细来说,二极管D2的一阳极端耦接至参考电压Vcc,二极管D2的一阴极端耦接至端点N3,电容C2的一端点耦接至端点N3,而另一端点耦接至输入晶体管T4的该源极端以及输入端IN2。
整流电路210-240分别包括电阻R1与R2,其中对于整流电路210,其电阻R1的一端点耦接至端点N1,而另一端点耦接至端点N3,电阻R2的一端点耦接至端点N4,而另一端点耦接至整流电路220中的端点N3;对于整流电路220,其电阻R1的一端点耦接至端点N1,而另一端点耦接至端点N3,电阻R2的一端点耦接至端点N4,而另一端点耦接至整流电路210中的端点N3;对于整流电路230,其电阻R1的一端点耦接至端点N1,而另一端点耦接至整流电路240中的晶体管T3的一漏极端,电阻R2的一端点耦接至端点N4,而另一端点耦接至输入端IN2;对于整流电路240,其电阻R1的一端点耦接至端点N1,而另一端点耦接至输入端IN2,电阻R2的一端点耦接至端点N4,而另一端点耦接至整流电路240中的晶体管T3的一漏极端。
本案所提出的桥式整流器20的操作具有三种状态,将于下面段落叙述。
当输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)与输入端IN2上的电压(图2中以V2标注)的差值的一绝对值小于参考电压Vcc,即│V1-V2│<Vcc时,输入晶体管T4将导通,使得大量电流透过图腾柱电路流向输入晶体管T4,导致端点N2上的电压降低,而晶体管T3将因此关闭,因此,当输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)与输入端IN2上的电压(的2图中以V2标注)的差值的一绝对值小于参考电压Vcc时,整流电路210-240将全数关闭。
当输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)与输入端IN2上的电压(图2中以V2标注)的差值大于参考电压Vcc,即V1-V2>Vcc时输入电压差值为负半周波形(请参阅图3之输入电压差值),整流电路220与240的输入晶体管T4导通,使得整流电路220与240的端点N2上的电压下降,导致整流电路220与240的晶体管T3关闭;相反地,整流电路210与230的输入晶体管T4并未导通,电流自端点N3流向端点N2,使得整流电路210与230的晶体管T3受图腾柱电路的驱动而导通,因此,当输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)与输入端IN2上的电压(的2图中以V2标注)的差值大于参考电压Vcc时,整流电路210与位于其对称方的整流电路230将导通,而整流电路220与位于其对称方的整流电路240将关闭。
当输入端IN2上的电压(图2中以V2标注)与输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)的差值大于参考电压Vcc,即V2-V1>Vcc时输入电压差值为正半周波形,整流电路210与230的输入晶体管T4导通,使得整流电路210与230的端点N2上的电压下降,导致整流电路210与230的晶体管T3关闭;相反地,整流电路220与240的输入晶体管T4并未导通,电流自端点N3流向端点N2,使得整流电路220与240的晶体管T3受图腾柱电路的驱动而导通,因此,当输入端IN2上的电压(图2中以V2标注)与输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)的差值大于参考电压Vcc时,整流电路220与位于其对称方的整流电路240将导通,而整流电路210与位于其对称方的整流电路230将关闭。
正常情况下,输入端IN1上的电压(图2中以V1标注)与输入端IN2上的电压(图2中以V2标注)的差值会呈现一正弦波,并且透过桥式整流器20的整流效果,使得输出端OUT1或输出端OUT2上的电压值呈现全波整流效果,但透过本发明所提出的架构,在│V1-V2│<Vcc时,将造成整流电路210-240的晶体管T3短暂关闭,使得输出电压将不会降至0伏特,参考图3,图3根据本发明一实施例之输入电压差值与输出电压的波形图,如同输入电压差值(V1-V2)的波形图所示,当V1-V2的波形图进入正负12伏特(即参考电压Vcc的电压值)时,输出电压将维持在大约10伏特的位置;当V1-V2的波形图持续下降时,桥式整流器20将进入整流电路210与230开启而整流电路220与240关闭的状态,而输出电压的波形将呈现全波整流的波形;相反地,当V1-V2的波形图持续上升时,桥式整流器20将进入整流电路220与240开启而整流电路210与230关闭的状态,而输出电压的波形将同样呈现全波整流的波形。
需注意的是,本案所提出的桥式整流器20可模拟为传统上以二极管实现的桥式整流器,差别在于本发明以晶体管取代二极管,并且以双载子接面晶体管来实现驱动电路,然而,本领域具通常知识者应能理解,全波整流器并不限定以4颗二极管的桥式整流器来实现,单纯以2颗二极管同样能实现全波整流器,因此若以两个本发明所提出的整流电路(如整流电路210与230)来实现一整流器,应同样能具有整流效果,换句话说,本发明并不限定以4个整流电路,即整流电路210-240来实现整流器。
简单归纳本发明,通过本发明所提出的架构,当输入端突然的短路时,输出端仍然能维持在一固定电压值,避免电压的大幅度跳动造成电路损坏,另外,本发明系用双载子接面晶体管来实现驱动电路,相较于以驱动集成电路来驱动整流电路,将可节省大量制造成本。
以上所述仅为本发明之较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰,皆应属本发明之涵盖范围。

Claims (19)

1.一种整流器,其特征在于,包括:
一第一输入端、一第二输入端以及一第一输出端;以及
至少一整流电路,其中该至少一整流电路中的每一整流电路包括:
一开关电路,其中该开关电路包括一晶体管;以及
一驱动电路,耦接至该开关电路,其中该驱动电路系用以控制该开关电路的一开关状态,包括:
一图腾柱电路,包括一输入端以及一输出端,其中该输出端耦接至该开关电路的该晶体管的栅极;以及
一输入晶体管,耦接于该图腾柱电路的输入端以及该开关电路的该晶体管的源极之间;
其中该至少一整流电路包括一第一整流电路以及一第二整流电路,该第一整流电路以及该第二整流电路中该开关电路的该晶体管的漏极耦接至该第一输出端,且该第一整流电路以及该第二整流电路中的该输入晶体管的发射极分别耦接至该第一输入端以及该第二输入端。
2.如权利要求1所述的整流器,其中该第一整流电路以及该第二整流电路分别包括一自举式电路,其中该自举式电路包括:
一二极管,其中该二极管的一阳极端耦接至一参考电压,而该二极管的一阴极端耦接至该图腾柱电路的供电端;以及
一电容,其中该电容的一端点耦接至该二极管的该阴极端,而该电容的另一端点耦接至该第一输入端或该第二输入端的其中之一。
3.如权利要求1所述的整流器,其中该第一整流电路包括一电阻,该电阻的一端点耦接至该第一整流电路的该图腾柱电路的该输入端,该电阻的另一端点耦接至该第一整流电路的该图腾柱电路中的一晶体管的集电极。
4.如权利要求1所述的整流器,其中该第一整流电路包括一电阻,该电阻的一端点耦接至该第一整流电路的该输入晶体管的基极,而该电阻的另一端点耦接至一参考电压。
5.如权利要求1所述的整流器,其中该至少一整流电路还包括一第三整流电路以及一第四整流电路,该第三整流电路和该第四整流电路中该开关电路的该晶体管的漏极耦接至该第一输入端以及该第二输入端的其中之一,且第三整流电路和该第四整流电路中的该输入晶体管的发射极耦接至一该整流器的一第二输出端。
6.如权利要求5所述的整流器,其中该第三整流电路和该第四整流电路中的该图腾柱电路的供电端耦接至一参考电压。
7.如权利要求5所述的整流器,其中该第三整流电路包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该输入晶体管的基极,而该电阻的另一端点耦接至该开关电路的该晶体管的漏极。
8.如权利要求5所述的整流器,其中该第三整流电路包括一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该图腾柱电路的该输入端,而该电阻的另一端点耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一。
9.如权利要求5所述的整流器,其中当该第一输入端与该第二输入端之间的一电压差的一绝对值小于一参考电压时,该至少一整流电路中的每一整流电路的该开关电路的该开关状态为关闭。
10.如权利要求5所述的整流器,其中当该第一输入端上的一电位较该第二输入端上的一电位大于一参考电压时,该第一整流电路与该第二整流电路的其中之一的该开关电路与该第三整流电路与该第四整流电路的其中之一的该开关电路为导通,该第一整流电路与该第二整流电路的另一的该开关电路与该第三整流电路与该第四整流电路的另一的该开关电路为关闭。
11.如权利要求5所述的整流器,其中该至少一整流电路的该开关电路中的该晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管,该第一整流电路与该第二整流电路中该开关电路的该晶体管的一漏极端耦接至该第一输出端,该第一整流电路与该第二整流电路中该开关电路的该晶体管的一源极端分别耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一,该第三整流电路与该第四整流电路中该开关电路的该晶体管的一漏极端分别耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一,该第三整流电路与该第四整流电路中该开关电路的该晶体管的一源极端耦接至该第二输出端。
12.如权利要求1所述的整流器,其中该图腾柱电路包括一npn双载子接面晶体管以及一pnp双载子接面晶体管,该npn双载子接面晶体管的一发射极端以及该pnp双载子接面晶体管的一发射极端耦接至该图腾柱电路的该输出端,且该npn双载子接面晶体管的一基极端以及该pnp双载子接面晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该输入端。
13.如权利要求12所述的整流器,其中该输入晶体管为一npn双载子接面晶体管,且该输入晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该pnp双载子接面晶体管的一集电极端,该输入晶体管的一集电极端耦接至该图腾柱电路的该输入端,且该输入晶体管的一发射极端耦接至该第一输入端与该第二输入端的其中之一。
14.一种整流电路,其特征在于,包括:
一开关电路,其中该开关电路包括一晶体管;以及
一驱动电路,耦接至该开关电路,其中该驱动电路系用以控制该开关电路的一开关状态,包括:
一图腾柱电路,包括一输入端以及一输出端,其中该输出端耦接至该开关电路的该晶体管的栅极,该图腾柱电路包括一npn双载子接面晶体管以及一pnp双载子接面晶体管;以及
一输入晶体管,耦接于该图腾柱电路的输入端以及该开关电路的该晶体管的源极之间,该输入晶体管为一npn双载子接面晶体管,且该输入晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该pnp双载子接面晶体管的一集电极端,该输入晶体管的一集电极端耦接至该图腾柱电路的该输入端,且该输入晶体管的一发射极端耦接至该整流电路的输入端。
15.如权利要求14所述的整流电路,还包括:
一自举式电路,包括:
一二极管,其中该二极管的一阳极端耦接至一参考电压,而该二极管的一阴极端耦接至该图腾柱电路的供电端;以及
一电容,其中该电容的一端点耦接至该二极管的该阴极端,而该电容的另一端点耦接至该整流电路的一输入端。
16.如权利要求14所述的整流电路,其中该开关电路中的该晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管,该开关电路的该晶体管的一漏极端耦接至该整流电路的一输出端,该开关电路的该晶体管的一源极端耦接至该整流电路的输入端。
17.如权利要求14所述的整流电路,其中该图腾柱电路的该npn双载子接面晶体管的一发射极端以及该pnp双载子接面晶体管的一发射极端耦接至该图腾柱电路的该输出端,且该图腾柱电路的该npn双载子接面晶体管的一基极端以及该pnp双载子接面晶体管的一基极端耦接至该图腾柱电路的该输入端。
18.如权利要求14所述的整流电路,还包括:
一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该图腾柱电路的该输入端,而该电阻的另一端点耦接至该图腾柱电路的一晶体管的集电极。
19.如权利要求14所述的整流电路,还包括:
一电阻,其中该电阻的一端点耦接至该输入晶体管的基极,而该电阻的另一端点耦接至一参考电压。
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