CN109135280B - 一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：1)将溶质为碳黑的黑色分散液和溶质为消光剂的白色分散液混合，所得混合液进行剪切分散和/或超声分散，加入非金属醇盐及聚酰胺酸树脂溶液，经剪切分散和/或超声分散后得到黑色填料分散液；2)在极性非质子溶剂中，按1：0.990‑0.998的摩尔比加入二胺和二酐反应制得聚酰胺酸树脂溶液，加入黑色填料分散液，搅匀后加入或不加入稳定剂，搅匀，得到亚光黑色PAA树脂溶液；3)所得亚光黑色PAA树脂溶液进一步制成亚光黑色PI薄膜。采用本发明所述方法制得的薄膜具有优异的绝缘性能、较好的机械性能以及较低的针孔和气泡率。

Description

一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜及其制备 方法

技术领域

本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜，具体涉及一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

背景技术

近年来，人们开始使用亚光黑色聚酰亚胺(PI)薄膜遮盖柔性线路板、电子元件、集成电路封装件的引线框架等电子材料，以达到防止目视检查和篡改的目的。亚光黑色PI薄膜通常是在PI薄膜中加入着色力强的碳黑，使薄膜呈不透光黑色。碳黑由碳组成，碳原子的排列方式类似于石墨，具有导电性，纳米级碳黑网络链堆积紧密，比表面积大，单位质量颗粒多，在聚合物中很容易形成链式导电结构。因此，纳米级碳黑的加入除了使薄膜变黑外，也会降低PI薄膜的绝缘性，导致电气强度的大幅度下降。如果碳黑发生团聚，网络链堆积更为紧密，而且大面积分布不均，不仅导致电气强度进一步降低，还造成各处薄膜的电气强度大小不一，使薄膜在后期应用时出现短路等不良现象，直接影响电子产品的产品质量。

电气强度作为电子产品用聚酰亚胺薄膜各项技术指标中的一个关键性能，对电子产品的稳定性起到至关重要的作用。以厚度为12.5μm的亚光黑色PI薄膜为例，现有市面上的该厚度薄膜的电气强度性能和外观差异较大，进口亚光黑色PI薄膜电气强度在90-130kV/mm，膜面外观的气泡针孔较少；而国产亚光黑色PI薄膜电气强度大多在60-80kV/mm，膜面的气泡针孔良莠不齐。在外观质量方面，国产亚光黑色PI薄膜的膜面存在数量较多的针孔和气泡，降低了亚光黑色PI薄膜的绝缘性，对制成的电子产品质量造成了不利的影响。

就国内生产商而言，现有技术制得的亚光黑色PI薄膜多在80kV/mm左右，主要方法包括以下几种：采用偶联剂改性碳黑、有机染料取代或部分取代碳黑、无机氧化物取代碳黑、采用其他遮光剂取代部分碳黑用量或者制成二层以上的黑色PI薄膜等，但是在实际生产过程中均存在很多缺陷。例如，采用偶联剂改性碳黑的方法，如偶联剂控制不佳会产生自缩聚，从而形成杂质颗粒引起针孔和气泡的产生；有机黑染料的着色力不如碳黑，至少需要几倍量才能获得与碳黑相同遮光效果的黑色PI薄膜，且有机黑色染料耐热性差，加入后直接影响亚光黑色PI薄膜的耐热性；黑色金属氧化物密度大，容易发生沉降，影响薄膜产品的一致性，而且，出口欧盟的电子产品必须通过欧盟环保标准，不能在产品中检出锡、钴等金属元素，这也导致该技术在实际产品生产中受到限制；采用双层或多层设计结构的亚光黑色PI薄膜，如果厚度不均匀，很容易发生翘曲、张力不均等问题，对下游客户上胶造成了很大的困扰，制备工艺难度大。

公开号为CN102482418A的发明专利，采用多种填料分散设备和分散工艺相结合制备了厚度为15μm厚的低亚光黑色PI薄膜。具体的实施例中，采用部分化学亚胺化法将10重量％的低电导率碳黑、10重量％的PAA树脂和80重量％的溶剂在高速分散研磨机中混合均匀，然后采用球磨机球磨，获得中值粒度为300nm的碳黑浆料。接着，将15重量％的氧化硅消光粉、9.6重量％的树脂和75.4重量％的溶剂在高速搅拌器中混合均匀，获得中值粒度为3.6μm的氧化硅消光粉浆料。其次，将黑色浆料和PAA树脂在装有低速锚式搅拌器、高速盘式分散器和高速剪切转子-定子乳化器的混合容器中进行混合均匀。之后加入消光粉浆料，采用高速剪切转子-定子搅拌器彻底混合，制得树脂粘度为1200泊以上的亚光黑色PAA树脂，最后采用化学亚胺化法制膜，制备了两面光泽度为12GU，电气强度达106kV/mm，表面电阻率10¹⁵Ω，光密度为4.31的亚光黑色PI薄膜。虽然上述方法可获得分散均匀的黑色浆料和消光粉浆料，但是它们的分散工艺均较为繁琐，特别是在碳黑浆料与PAA树脂研磨的过程中，必须保证容器密封性良好，否则会因PAA树脂易吸水导致出现水解，甚至影响填料发生团聚，从而产生针孔和气泡。

对于减少亚光黑色PI薄膜膜面外观的针孔及气泡，公开号为CN104169330A的发明专利给出了具体方案，具体是将3.0-7.5wt％的碳黑和0.5-1.5wt％的TiO₂屏蔽剂加入到聚酰胺酸树脂中制备得到，所得薄膜的透光率低于1.0％、光泽度低于60％、断裂伸长率大于80％，其表面电阻率大于10¹⁵Ω，针孔发生率低于1/100m²。但是，该发明也明确指出，屏蔽剂的添加量在0.5-1.5wt％时所得薄膜具有较好的加工性能、热辐射和屏蔽性能，但当其添加量多于1.5wt％时，所得薄膜的机械性能会劣化，针孔发生率会提高，导致膜的产量降低、外观差。然而，为了追求更好的亚光效果，人们在聚酰胺酸树脂中添加的消光粉的质量分数多在3wt％以上，以实现降低黑色PI薄膜光泽度的目的。可见，上述发明所述方法无法解决现有技术中消费者的需求。

因此，如何解决亚光黑色PI薄膜绝缘性低，又能降低针孔和气泡发生率成为我国亚光黑色PI薄膜产品质量提升的难题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜及其制备方法。由该方法制得的亚光黑色聚酰亚胺薄膜具有优异的绝缘性能、较好的机械性能以及较低的针孔和气泡率。

为解决上述技术问题，本发明提供的低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：

1)黑色填料分散液的制备：

1.1)将碳黑均匀分散于极性非质子溶剂中，得到黑色分散液；

1.2)将消光剂均匀分散于极性非质子溶剂中，得到白色分散液；

1.3)将黑色分散液和白色分散液混合，所得混合液进行剪切分散和/或超声分散，然后加入非金属醇盐，再进行剪切分散和/或超声分散，之后再加入聚酰胺酸树脂溶液，再进行剪切分散和/或超声分散，得到黑色填料分散液；其中，所述的非金属醇盐为选自钛酸正丁酯(TBT)、钛酸乙酯、正硅酸乙酯(TEOS)和正硅酸甲酯(TMOS)中的一种或两种以上的组合，其加入量为碳黑和消光剂总用量的0.1-5wt％；所述聚酰胺酸树脂溶液的固含量为17-22wt％，其加入量为碳黑和消光剂总用量的1-9wt％；

2)在极性非质子溶剂中，按1：0.990-0.998的摩尔比加入芳香族二胺和芳香族二酐反应制得聚酰胺酸树脂溶液，然后加入黑色填料分散液，搅拌均匀，之后加入或不加入稳定剂，搅拌均匀，得到亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液；所述的稳定剂为磷酸三苯酯和/或亚磷酸三苯酯；

3)所得亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液按现有常规工艺制备得到黑色亚光聚酰亚胺薄膜。

上述制备方法的步骤1.1)和1.2)中，可采用现有常规方法将碳黑或消光剂均匀分散于极性非质子溶剂中，优选采用下述方法对碳黑或消光剂进行分散，这样能够在获得更低的针孔率的同时还能具有较好的机械性能、电气性能和光泽度：

将碳黑置于极性非质子溶剂中，先进行剪切分散，然后再进行均质处理或研磨处理或超声分散，得到黑色分散液。其中，所述剪切分散优选在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间为≥0.5h，优选为0.5-3h；所述的均质处理在压力≤50MPa条件下进行，均质时间为≥15min，优选为30-90min；所述的研磨处理在1000-3000r/min的转速条件下进行，研磨时间为≥0.5h，优选为0.5-3h；所述超声分散的时间为≥0.5h，优选为0.5-3h。

将消光剂置于极性非质子溶剂中剪切分散，得到白色分散液，所述的剪切分散在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间为≥0.5h，优选为1-5h。

上述制备方法的步骤1.3)中，为了获得分散性更好的黑色填料分散液，优选剪切分散是在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间优选为≥1h，进一步优选为2-10h；优选超声分散的时间优选为≥1h，进一步优选为2-3h。该步骤中所述的聚酰胺酸树脂溶液按现有常规方法进行制备，如采用公知的芳香族二胺和芳香族二酐在极性非质子溶剂进行缩聚反应而得；所述聚酰胺酸树脂溶液的加入量优选为碳黑和消光剂总用量的3-6wt％。该步骤中非金属醇盐的加入量优选为碳黑和消光剂总用量的1-2wt％。

上述制备方法的步骤1)中，所述的消光剂为现有技术中的常规选择，优选为选自二氧化硅、二氧化钛和磷酸氢钙中一种或任意两种以上的组合。所述消光剂通常为平均粒径1-10μm的消光剂，优选为2-10μm，进一步优选为3-8μm。所述碳黑通常为表面电阻≥10⁸Ω的低导电碳黑，其原生粒径通常为5-300nm，优选为10-200nm，进一步优选为15-100nm。

上述制备方法的步骤2)中，所述黑色填料分散液的加入量为控制其中碳黑及消光剂的加入量为现有技术中的常规用量，优选的，是控制其中碳黑的加入量为步骤2)所述聚酰胺酸树脂溶液固含量的2-7wt％，且其中消光剂的加入量为步骤2)所述聚酰胺酸树脂溶液固含量的1-8wt％；进一步优选控制其中碳黑的加入量为步骤2)所述聚酰胺酸树脂溶液固含量的3-5wt％，且其中消光剂的加入量为步骤2)所述聚酰胺酸树脂溶液固含量的3-7wt％。该步骤中所述的聚酰胺酸树脂溶液的固含量可与现有技术相同，优选为17-22wt％，优选18-21wt％，进一步优选为19-20wt％。

上述制备方法的步骤2)中，稳定剂的加入是为了抑制热分解，其加入量与现有技术相同，具体可是步骤2)所述的聚酰胺酸树脂溶液固含量的0.5-2wt％，当加入的是磷酸三苯酯和亚磷酸三苯酯的混合物时，在它们的总加入量满足上述要求的前提下，它们之间的配比可以为任意配比。

上述制备方法的步骤3)中，所得亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液经消泡、流涎、拉伸、热亚胺化后制得黑色亚光聚酰亚胺薄膜。

本发明所述方法涉及的极性非质子溶剂、芳香族二胺和芳香族二酐的选择与用量均与现有技术相同，芳香族二胺和芳香族二酐进行缩聚反应的温度及时间也与现有技术相同。优选如下：

所述的芳香族二胺可以是选自4,4’,-二氨基二苯醚(ODA)、3,4’,-二氨基二苯醚、3,3’,-二氨基二苯醚、1,4-二氨基苯(p-PDA)、1,3-二氨基苯(m-PDA)、1,2-二氨基苯(o-PDA)、4,4’-二氨基联苯(DBZ)、4,4’-二氨基-3,3’-二甲基联苯(OTD)、4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯(MTD)中的一种或任意两种以上的组合。当芳香族二胺的选择为上述两种以上的组合时，它们之间的配比可以为任意配比。

所述的芳香族二酐可以是选自均苯四酸二酐(PMDA)、3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐(s-BPDA)、2,3,3’,4’-联苯四羧酸二酐(a-BPDA)、3,3’,4,4’-二苯醚四羧酸二酐(ODPA)、2,3,3’,4’-二苯醚四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)和2,3,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐中的一种或任意两种以上的组合。当芳香族二酐的选择为上述两种以上的组合时，它们之间的配比可以为任意配比。所述反应的温度可以是0-80℃，优选0-60℃，更优选0-50℃，反应的时间通常为5-40h。

所述的极性非质子溶剂可以是选自N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二乙基乙酰胺和N,N-二乙基甲酰胺中的一种或任意两种以上的的组合；当极性非质子溶剂的选择为上述两种以上的组合时，它们之间的配比可以为任意配比。

本发明还包括由上述方法制得的低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜。

与现有技术相比，本发明的特点在于：

1、在黑色分散液和白色分散液的混合液中加入非金属醇盐，使其与填料孔隙中的水分或孔隙排出的水分发生化学水解反应，生成半无机或无机网络结构，一方面，对黑色分散液和白色分散液起到稳定防沉的作用，另一方面又增加了填料和树脂的相容性，大大减少了薄膜针孔和气泡的产生。对于未水解完全的非金属醇盐在后续与聚酰胺酸树脂混合时，仍可消耗聚酰胺酸树脂缩合产生的水分，从而避免了因水分的存在导致针孔和气泡的产生。在非金属醇盐之后加入特定用量的聚酰胺酸树脂包覆碳黑和消光粉填料，使碳黑表面形成一层绝缘层，阻隔了碳黑导电网链结构的形成，从而有效提高薄膜的绝缘性。

2、将二胺和二酐的摩尔比限定在1：0.990-0.998，可防止分子链段的局部凝胶形成团聚的核心而导致填料的团聚(这些团聚体也是针孔和气泡产生的原因之一)，从而进一步减少针孔和气泡的产生。

3、进一步的，采用特定的分散方法获得黑色分散液和白色分散液，将两者混合后两种以上粒子相互穿插，再超声分散或剪切分散，使填料被溶剂充分浸润，与孔隙中的空气和水发生置换，最后再与聚酰胺酸树脂混合，减少因碳黑和消光剂的比表面积而出现空气或水分难以排出导致浸润性差的问题，从另一个方面减少制膜过程中针孔和气泡的产生。

4、采用本发明所述方法制得的亚光黑色PI薄膜具有优异的绝缘性能、较好的机械性能和光泽度，以及较低的针孔和气泡率，以厚度为13μm的亚光黑色PI薄膜为例，其拉伸强度≥180MPa，断裂伸长率≥45％，体积电阻率≥10¹²Ω·m，表面电阻率≥10¹⁶Ω，电气强度≥120kV/mm，薄膜的针孔、气泡发生率小于0.5个/100m²。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步的详述，以更好地理解本发明的内容，但本发明并不限于以下实施例。

以下各实施例中涉及的用于包裹炭黑和消光剂的聚酰胺酸树脂溶液(即在步骤1.3)中加入的聚酰胺酸树脂溶液)采用现有常规的二胺和二酐在在极性非质子溶剂进行缩聚反应而得，其中各编号的树脂溶液的固含量及其中二胺和二酐的摩尔比如下述表1所示：

表1：

实施例1

1)黑色填料分散液的制备：

1.1)将4.2kg碳黑(原生粒径为20nm)和38kg的DMAc混合均匀，采用高速剪切机剪切分散(转速为2000r/min，分散时间为1h)，再采用均质机分散(压力为50MPa，均质时间为30min)，得到黑色分散液，备用；

1.2)将4.2kg二氧化硅(平均粒径为4μm)和24kg DMAc混合均匀，置于高速剪切机以3000r/min的转速剪切分散3h，得到白色分散液，备用；

1.3)将黑色分散液和白色分散液混合，所得混合液置于高速剪切机中，加入85g钛酸正丁酯，以2000r/min的转速剪切分散10h，之后再置于超声设备中超声分散2h，最后再加入420g PAA-1树脂，并以2000r/min的转速剪切搅拌2h，得到黑色填料分散液；

2)在310kg DMAc中加入0.2mol ODA，溶解完全后，分多次加入总量为0.1988mol的PMDA进行反应，得到聚酰胺酸树脂溶液；然后加入黑色填料分散液，充分搅拌均匀后，再加入200g亚磷酸三苯酯，继续搅拌均匀，得到亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液；

3)所得亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液经消泡后通过刮刀或挤出模头将树脂涂覆在钢带上，加热(170℃)除去溶剂，得到自支撑膜，再经单向/双向拉伸，热酰亚胺化(420℃)，得到厚度为13μm的亚光黑色PI薄膜。

实施例2

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，非金属醇盐为正硅酸乙酯，PAA-1树脂的添加量为84g；

步骤2)中，PMDA的总量为0.1994mol；

步骤1)和2)中，极性非质子溶剂改为NMP。

实施例3

重复实施例1，不同的是：

步骤1.1)中，碳黑的原生粒径为300nm；

步骤1.3)中，非金属醇盐为正硅酸乙酯，PAA-1树脂的添加为670g。

实施例4

重复实施例2，不同的是：

步骤1.1)中，碳黑的用量为1.7kg，用于分散碳黑的DMAc的质量为15kg；

步骤1.2)中，二氧化硅的平均粒径为2μm；

步骤1.3)中，添加的是PAA-2树脂，其添加量为290g；正硅酸乙酯的添加量为6g；

步骤2)中，PMDA的总量为0.1996mol。

实施例5

重复实施例2，不同的是：

步骤1.2)中，二氧化硅的平均粒径为10μm，用量为2.5kg，用于分散二氧化硅的DMAc质量为14kg；

步骤1.3)中，添加的是PAA-3树脂，其添加量为330g；正硅酸乙酯添加量为70g；

步骤2)中，PMDA的总量为0.199mol。

实施例6

重复实施例1，不同的是：

步骤1)按下述操作进行：

1.1)将3.4kg碳黑(原生粒径为25nm)和30kg的DMAc混合均匀，采用高速剪切机剪切分散(转速为1000r/min，分散时间为2h)，再采用球磨机机分散(转速为1500r/min，球磨时间为60min)，得到黑色分散液，备用；

1.2)将0.8kg二氧化钛(平均粒径为6μm)和8kg DMAc混合均匀，置于高速剪切机以3000r/min的转速剪切分散4h，得到白色分散液，备用；

1.3)将黑色分散液和白色分散液混合，所得混合液置于高速剪切机中，加入21g钛酸正丁酯，以1500r/min的转速剪切分散20h，之后再置于超声设备中超声分散2h，最后再加入210g PAA-4树脂，超声分散1h，得到黑色填料分散液。

实施例7

重复实施例1，不同的是：

步骤1.1)中，碳黑的原生粒径为25nm，用量为2.5kg，用于分散碳黑的DMAc质量为23kg；

步骤1.2)中，二氧化硅的用量为6.7kg，用于分散氧化硅的DMAc质量为38kg；

步骤1.3)中，添加的是PAA-5树脂，其添加量为460g；钛酸正丁酯的添加量为74g。

实施例8

重复实施例1，不同的是：

步骤1.1)中，碳黑的原生粒径为25nm；

步骤1.2)中，二氧化硅的用量为6.7kg，用于分散氧化硅的DMAc质量为49kg；

步骤1.3)中，添加的是PAA-6树脂，其添加量为550g；非金属醇盐为正硅酸甲酯，其添加量为22g；加入正硅酸甲酯的物料在剪切分散10h置于超声设备中超声分散的时间为4h。

实施例9

重复实施例1，不同的是：

重复实施例1，不同的是：

步骤1.1)中，碳黑的原生粒径为100nm，用量为5.9kg，用于分散碳黑的DMAc质量为43kg；

步骤1.2)中，二氧化硅的平均粒径为3μm；

步骤1.3)中，添加的是PAA-7树脂，其添加量为500g；非金属醇盐为正硅酸乙酯，其添加量为500g；

步骤2)中，PMDA的总量为0.198mol。

实施例10

重复实施例1，不同的是：

步骤1)按下述操作进行：

1.1)将2.5kg碳黑(原生粒径为30nm)和29kg的DMAc混合均匀，采用高速剪切机剪切分散(转速为2000r/min，分散时间为1.5h)，再置于超声设备中超声分散2h，得到黑色分散液，备用；

1.2)将3.4kg二氧化钛(平均粒径为4μm)和19kg DMAc混合均匀，置于高速剪切机以2500r/min的转速剪切分散4h，得到白色分散液，备用；

1.3)将黑色分散液和白色分散液混合，所得混合液置于高速剪切机中，加入60g钛酸正丁酯，以2500r/min的转速剪切分散10h，之后再置于超声设备中超声分散2h，最后再加入290g PAA-1树脂，并以2500r/min的转速剪切搅拌3h，得到黑色填料分散液。

对比例1

重复实施例1，不同的是：

步骤1.2)中，二氧化硅的用量为9kg，用于分散氧化硅的DMAc质量为50kg。

对比例2

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，钛酸正丁酯的加入量为504g。

对比例3

重复实施例1，不同的是：

步骤2)中，PMDA的总量为0.1999mol。

对比例4

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，钛酸正丁酯的添加量为600g。

对比例5

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，PAA-1树脂的添加量为1260g。

对比例6

重复实施例1，不同的是：

步骤2)中，PMDA的总量为0.1978mol。

对比例7

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，钛酸正丁酯的添加量为7.65g。

对比例8

重复实施例1，不同的是：

步骤1.3)中，PAA-1树脂的添加量为75.6g。

将上述各实施例和各对比例中制备黑色亚光聚酰亚胺薄膜的基本参数整理于下述表2中。

表2：

对上述各实施例和各对比例制得的黑色亚光聚酰亚胺薄膜的性能进行检测，结果列于下述表3中。

表3：

Claims (9)

1.一种低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：

1)黑色填料分散液的制备：

1.1)将碳黑均匀分散于极性非质子溶剂中，得到黑色分散液；

1.2)将消光剂均匀分散于极性非质子溶剂中，得到白色分散液；

1.3)将黑色分散液和白色分散液混合，所得混合液进行剪切分散和/或超声分散，然后加入非金属醇盐，再进行剪切分散和/或超声分散，之后再加入聚酰胺酸树脂溶液，再进行剪切分散和/或超声分散，得到黑色填料分散液；其中，所述的非金属醇盐为选自钛酸正丁酯、钛酸乙酯、正硅酸乙酯和正硅酸甲酯中的一种或两种以上的组合，其加入量为碳黑和消光剂总用量的0.1-5wt％；所述聚酰胺酸树脂溶液的固含量为17-22wt％，其加入量为碳黑和消光剂总用量的1-9wt％；

2)在极性非质子溶剂中，按1：0.990-0.998的摩尔比加入芳香族二胺和芳香族二酐反应制得聚酰胺酸树脂溶液，然后加入黑色填料分散液，搅拌均匀，之后加入或不加入稳定剂，搅拌均匀，得到亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液；所述的稳定剂为磷酸三苯酯和/或亚磷酸三苯酯；所述黑色填料分散液的加入量为控制其中碳黑的加入量为聚酰胺酸树脂溶液固含量的2-7wt％，且其中消光剂的加入量为聚酰胺酸树脂溶液固含量的1-8wt％；

3)所得亚光黑色聚酰胺酸树脂溶液按现有常规工艺制备得到黑色亚光聚酰亚胺薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1.1)中，将碳黑置于极性非质子溶剂中，先进行剪切分散，然后再进行均质处理或研磨处理或超声分散，得到黑色分散液。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1.1)中，

所述的剪切分散在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间为≥0.5h；

所述的均质处理在压力≤50MPa条件下进行，均质时间为≥15min；

所述的研磨处理在1000-3000r/min的转速条件下进行，研磨时间为≥0.5h；

所述超声分散的时间为≥0.5h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1.2)中，将消光剂置于极性非质子溶剂中剪切分散，得到白色分散液。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤1.2)中，所述的剪切分散在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间为≥0.5h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1.3)中，

所述的剪切分散在1000-3000r/min的转速条件下进行，剪切分散的时间≥1h；

所述超声分散的时间为≥1h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中，所述的消光剂为选自二氧化硅、二氧化钛和磷酸氢钙中一种或任意两种以上的组合。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所述稳定剂的加入量为聚酰胺酸树脂溶液固含量的0.5-2wt％。

9.权利要求1-8中任一项所述方法制备得到的低针孔发生率高绝缘亚光黑色聚酰亚胺薄膜。