CN109124647A - 一种激光模组、激光模组的探测方法和终端 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种激光模组、激光模组探测方法和终端,涉及仪器探测领域,激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态。对激光模组探测,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,该磁传感器能感应到该第一磁场强度即可,其位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
Description
技术领域
本发明实施例涉及仪器探测领域,尤其涉及一种激光模组、激光模组的探测方法和终端。
背景技术
目前,身份识别中的3D人脸识别需要应用激光模组,激光模组中产生的激光可能对人体产生伤害,因此,通常通过探测激光模组是否正常,以避免激光对人体产生伤害。
现有技术中,对激光模组的探测,主要通过电探测和热探测的两种方式进行,参照图1所示,图1示出了,现有技术中,采用电探测的激光模组结构示意图。该激光模组包括:光学元件11、支撑体12、导通线路13、激光发射器14、电路板15,在光学元件11上设置镀膜17,并设置焊接点焊接16,该激光发射器14用于发出激光,其中,镀膜17、焊接点16、导通线路13、电路板15组成回路,如果光学元件11破损或者脱落,上述回路就会断开,以此达到监控的目的;参照图2,图2示出了,现有技术中,采用热探测的激光模组结构示意图。在激光模组底部增加热感应元件18,通过监控激光模组的工作温度来判断激光模组是否正常。
发明人在研究上述现有技术的过程中发现,上述现有技术方案存在如下缺点:电监控的方式需要在光学元件11上进行镀膜并焊接,工艺复杂,良率较低;热监控的方式需在激光模组底部增加热感应元件18,增加激光模组的高度,不利于激光模组的轻薄化。
发明内容
本发明提供一种激光模组、激光模组的探测方法和终端,旨在解决为实现激光模组探测导致工艺复杂、良品率低、不利于激光模组轻薄化的问题。
根据本发明的第一方面,提供了一种激光模组,
所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;
所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;
所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;
第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;
工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;
其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
根据本发明的第二方面,提供了激光模组的探测方法,所述方法应用于如上述的激光模组,所述方法包括:
通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;
基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;
其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
根据本发明的第三方面,提供了一种终端,所述终端包括上述的激光模组。
根据本发明的第四方面,本发明实施例还提供了一种移动终端,该移动终端包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时实现本发明所述的激光模组的探测方法的步骤。
根据本发明的第五方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现本发明所述的激光模组的探测方法的步骤。
本发明实施例提供的激光模组,所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
附图说明
图1是现有技术中,采用电探测的激光模组结构示意图;
图2是现有技术中,采用热探测的激光模组结构示意图;
图3是本发明实施例中提供的第一种激光模组结构示意图;
图4是本发明实施例中提供的第二种激光模组结构示意图;
图5是本发明实施例中提供的第三种激光模组结构示意图;
图6是本发明实施例中提供的第四种激光模组结构示意图;
图7是本发明实施例中提供的第五种激光模组结构示意图;
图8是图7所示的激光模组结构的俯视图;
图9是本发明实施例中提供的一种激光模组的结构示意图;
图10是本发明实施例中提供的第六种激光模组结构示意图;
图11是本发明实施例中提供的另一激光模组的结构示意图;
图12是本发明实施例中提供的一种激光模组的探测方法的流程图;
图13是本发明实施例中提供的另一种激光模组的探测方法的流程图;
图14是本发明实施例中的一种移动终端的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中的激光模组,所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端。
具体的,参照图3所示,图3是本发明实施例中提供的第一种激光模组结构示意图。该激光模组包括:磁性光学元件组件19、支撑体12、激光发射器14、电路板15、磁传感器20;所述支撑体12设置在所述电路板15上,所述支撑体12包围在所述激光发射器14四周;所述磁性光学元件组件19设置在所述支撑体12的远离所述电路板15的一端。
可选的,在本发明实施例中,该激光模组还可以包括驱动芯片,磁传感器20可以通过电路板15与该驱动芯片电性连接,该驱动芯片接收磁传感器20的输出,可以根据磁传感器20的输出,确定该激光模组的工作状态。该驱动芯片的布设位置具体不作限定。
可选的,在本发明实施例中,所述磁性光学元件组件包括:透光性超过第一阈值的磁性光学元件。
由于该光学元件组件,需要透过激光发射器14发出的激光,可以根据实际需要,结合经验等,确定上述第一阈值,上述第一阈值可以为:透过的激光能够满足成像要求的透光性阈值。在本发明实施例中,对此不作具体限定。
具体的,例如,参照上述图3所示,该磁性光学元件组件19即为由透光性超过第一阈值磁性材质构成的磁性光学元件组件。磁性光学元件组件包括:透光性超过第一阈值的磁性光学元件,对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化,且保证了由该磁性光学元件组件透过的激光能够满足成像要求。
可选的,所述磁性光学元件组件包括:光学元件本体和磁性配件;所述磁性配件设置在所述光学元件本体上;所述光学元件本体包括:透光区域和非透光区域;处于所述光学元件本体透光区域的磁性配件为具有透光性的磁性配件。
具体的,参照图4所示,图4是本发明实施例中提供的第二种激光模组结构示意图。图4中,磁性光学元件组件19可以包括:光学元件本体191和磁性配件192,磁性配件192设置在该光学元件本体191上。该光学元件本体191可以包括:透光区域和非透光区域,参照图4中,该光学元件本体191中,位于L1和L2之间的区域可以为透光区域,该光学元件本体191,位于L1的左侧,或位于L2的右侧区域可以为非透光区域,处于该光学元件本体191透光区域L1和L2之间的区域的磁性配件192为具有透光性的磁性配件。
如图4中,处于该光学元件本体191非透光区域位于L1的左侧,或位于L2的右侧区域的磁性配件192可以为具有透光性的磁性配件,也可以为或非透光性的磁性配件,本发明实施例,对此不作具体限定。
再例如,参照图5所示,图5是本发明实施例中提供的第三种激光模组结构示意图。图中磁性配件192位于该光学元件本体191的透光区域,则该磁性配件192为具有透光性的磁性配件。
在本发明实施例中,磁性光学元件组件包括:光学元件本体和磁性配件;该磁性配件设置在所述光学元件本体上;该光学元件本体包括:透光区域和非透光区域;处于该光学元件本体透光区域的磁性配件为具有透光性的磁性配件。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化,且该光学元件本体和磁性配件的制作可选性多,利于提高良品率。
在本发明实施例中,所述磁性配件与所述光学元件本体一体成型设置。例如,参照图5所示,磁性配件192与光学元件本体191一体成型设置。
在本发明实施例中,该磁性配件与该光学元件本体一体成型设置,无论是磁性配件出现故障,还是光学元件本体出现故障,均可准确检测,提高了检测准确性和灵敏性,且无需单独设置磁性配件的检测装置,利于激光模组的轻薄化。
在本发明实施例中,所述磁性配件设置在所述光学元件本体上,包括:所述磁性配件粘接、或涂布在所述光学元件本体上,或者所述磁性配件嵌入至所述光学元件本体。
具体的,该磁性配件192可以采用粘接、或涂布等方式,设置在该光学元件本体191上,该磁性配件192还可以嵌入至该光学元件本体191;同样的,该光学元件本体191包括:透光区域和非透光区域;处于该光学元件本体191透光区域的磁性配件192为具有透光性的磁性配件。
例如,参照图6所示,图6是本发明实施例中提供的第四种激光模组结构示意图。图6中该磁性配件192嵌入至该光学元件本体191,同样的图6中,处于该光学元件本体191透光区域的磁性配件192位于为具有透光性的磁性配件。
在本发明实施例中,所述磁性配件设置在所述光学元件本体上,包括:所述磁性配件粘接、或涂布在所述光学元件本体上,或者所述磁性配件嵌入至所述光学元件本体。磁性配件和光学元件本体的设置方式多样,利于提高良品率。
可选的,上述磁性配件192的材料可以是磁铁、磁粉、磁条、磁性薄膜等,在本发明实施例中,对此不作具体限定。
可选的,所述磁性光学元件组件包括:光学元件本体和线圈;所述线圈固定在所述光学元件本体上;所述线圈的正负极设置于所述电路板上,所述电路板与所述线圈构成回路,所述电路板为所述线圈供电,使所述线圈产生磁场。
例如,参照图7所示,图7是本发明实施例中提供的第五种激光模组结构示意图。图7中磁性光学元件组件19可以包括:光学元件本体191和线圈193;该线圈193固定在该光学元件本体191上;该线圈的正负极1931设置于电路板15上,电路板15与线圈193构成回路,电路板15为线圈193供电,使线圈193产生磁场。图8是图7所示的激光模组结构的俯视图。
在本发明实施例中,所述磁性光学元件组件包括:光学元件本体和线圈;所述线圈固定在所述光学元件本体上;所述线圈的正负极设置于所述电路板上,所述电路板与所述线圈构成回路,所述电路板为所述线圈供电,使所述线圈产生磁场。无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化,且该光学元件本体和线圈的制作工艺简单,利于提高良品率。
在本发明实施例中,所述线圈与所述光学元件本体一体成型设置。参照图7所示,线圈193与光学元件本体191一体成型设置。
在本发明实施例中,该线圈与该光学元件本体一体成型设置,无论是线圈出现故障,还是光学元件本体出现故障,均可准确检测,提高了检测准确性和灵敏性,且无需单独设置线圈的检测装置,利于激光模组的轻薄化。
在本发明实施例中,所述线圈固定在所述光学元件本体上,包括:所述线圈粘接、焊接在所述光学元件本体上,或者所述线圈嵌入至所述光学元件本体。
例如,参照图7所示,图7中该线圈193粘接或焊接该光学元件本体191上,同样的,处于该光学元件本体191透光区域的线圈193位于为具有透光性的线圈。
在本发明实施例中,所述线圈固定在所述光学元件本体上,包括:所述线圈粘接、焊接在所述光学元件本体上,或者所述线圈嵌入至所述光学元件本体。线圈和光学元件本体的设置方式多样,利于提高良品率。
在本发明实施例中,该磁传感器20可以为霍尔效应传感器,还可以为各向异性磁电阻传感器,还可以为巨磁电阻传感器、还可以为隧道磁电阻传感器。在本发明实施例中,对此不作具体限定。磁传感器的选择性多,根据实际需要选择合适的磁传感器,更适合用户的实际需要,例如,若需要控制成本,则可以综合考虑成本和检测准确性,选择磁传感器,利于降低成本。
在本发明实施例中,上述异常状态包括以下至少一项:组件破损、组件脱落、组件变形。即,不管是组件破损,或是组件脱落,还是组件变形,该激光模组均能检测出该激光模组的工作状态为异常状态,提高了检测准确性和灵敏性。
在本发明实施例中,该传感器20可以设置在该电路板15的任意位置,能够探测该磁性光学元件组件19产生的磁场即可。在本发明实施例中,对此不作具体限定。例如,参照图3所示,该传感器20设置在了该支撑体形成的包围内部,该传感器20还可以设置在该支撑体形成的包围的外部,在本发明实施例中,对此不作具体限定。
具体的,将传感器20设置在了该支撑体形成的包围内部,有效利用了该激光模组内部的空间,不会增大该激光模组的宽度或高度,利于终端的轻薄化。
在本发明实施例中,可选的,所述磁传感器设置在所述电路板上靠近所述磁性光学元件组件的一面。例如,参照图3所示,该传感器20设置在了电路板15上靠近磁性光学元件组件19的一面。
在本发明实施例中,磁传感器设置在电路板上靠近所述磁性光学元件组件的一面,一方面,若该磁传感器需要供电,则该电路板可以为其供电,无需单独设置该磁传感器的供电设置,利于激光模组的轻薄化;另一方面该磁传感器距离该磁性光学元件组件距离更近,进而该磁性光学元件组件较小的第一磁场强度变化,该磁传感器就能感知到,检测准确度高,且检测灵敏度高。
在本发明实施例中,该磁传感器20能够获取该磁性光学元件组件19的第一磁场强度。
参照图9,图9示出了根据本发明实施例中提供的一种激光模组300的结构示意图。所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端。具体关于该激光模组的记载,可以参照上述记载,此处不再赘述。
所述装置300可以包括:第一磁场强度确定模块301,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度。
在本发明实施例中,第一磁场强度确定模块301,可以用于通过上述磁传感器获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度。
具体的,参照图3所示,第一磁场强度确定模块301通过该磁传感器20能够获取该磁性光学元件组件19的第一磁场强度。
工作状态确定模块302,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
在本发明实施例中,工作状态确定模块302,可以用于基于上述第一磁场强度,确定上述激光模组的工作状态。
在本发明实施例中,参照图3所示,当上述磁性光学元件组件19设置在支撑体12上,磁传感器20设置在电路板15以后,则磁传感器20获取到的磁性光学元件组件19的第一磁场强度就固定。基于磁传感器20获取到的第一磁场强度,工作状态确定模块302通过磁传感器20获取第一磁场强度,即可确定该激光模组的工作状态。
具体的,磁传感器20可以将磁场强度转换为电信号,可选的,在本发明实施例中,该激光模组还可以包括驱动芯片,磁传感器20可以通过电路板15与该驱动芯片电性连接,该驱动芯片接收磁传感器20的输出的第一电信号,该驱动芯片可以基于该第一电信号,确定该激光模组的工作状态。
例如,参照图10所示,图10是本发明实施例中提供的第六种激光模组结构示意图。图10中,该驱动芯片21布设在电路板15上,且位于支撑体12包围的空间内。将该驱动芯片21布设在该激光模组的内部,有效利用了该激光模组内部的空间,不会增大该激光模组的宽度或高度,利于激光模组的轻薄化,而激光模组通常都设置在终端上,因此同样利于终端的轻薄化。
具体的,参照图3所示,若,该磁性光学元件组件19破损、脱落、或变形,则工作状态确定模块302通过磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度,或第一电信号就会发生变化,进而确定该激光模组的工作状态为异常状态。
本发明实施例提供的激光模组,所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
在上述的激光模组300的基础上,参照图11所示,图11示出了根据本发明实施例中提供的另一激光模组300的结构示意图。
可选的,所述工作状态确定模块302可以包括:
差值确定单元3021,用于获取所述第一磁场强度与预设磁场强度的差值。
在本发明实施例中,差值确定单元3021,可以用于获取上述第一磁场强度与预设磁场强度的差值。
工作状态确定单元3022,用于在所述差值超出预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。
具体的,工作状态确定单元3022,可以用于在上述差值超出预设差值范围的情况下,将上述激光模组的工作状态确定为异常状态。
在本发明实施例中,当所述差值超过预设差值范围的情况下,工作状态确定单元3022将所述激光模组的工作状态,确定为异常。
在本发明实施例中,该预设差值范围可以选取为该激光模组正常工作时,上述磁传感器接收到磁性光学元件组件的第一磁场强度的最大值、最小值与该预设磁场强度作差,确定的磁场范围。例如,若选取的该激光模组正常工作时,上述磁传感器接收到磁性光学元件组件产生的预设磁场强度为1安培/米,若该激光模组正常工作时,上述磁传感器接收到磁性光学元件组件的第一磁场强度的最大值为1.3安培/米,该激光模组正常工作时,上述磁传感器接收到磁性光学元件组件的第一磁场强度的最小值为0.7安培/米,则该预设差值范围则为:-0.3安培/米至+0.3安培/米。当上述差值在预设差值范围内,工作状态确定单元3022将所述激光模组的工作状态,确定为正常;当上述差值超过预设差值范围内,工作状态确定单元3022将所述激光模组的工作状态,确定为异常。
具体应用中,例如,若,参照图3所示,该磁性光学元件组件19破损、脱落或变形,则工作状态确定单元3022通过磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度与预设差值范围超过了预设差值范围,则可以将该激光模组的工作状态确定为异常状态。例如,针对上述例子,若磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度为0.5安培/米,预设磁场强度为1安培/米,第一磁场强度与预设磁场强度的差值为-0.5安培/米,而预设差值范围为-0.3安培/米至+0.3安培/米,该差值-0.5安培/米超过了预设差值范围,则可以将该激光模组的工作状态确定为异常状态。若磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度为1.1安培/米,预设磁场强度为1安培/米,第一磁场强度与预设磁场强度的差值为0.1安培/米,而预设差值范围为-0.3安培/米至+0.3安培/米,该差值0.1安培/米在预设差值范围内,则可以将该激光模组的工作状态确定为正常状态。
在本发明实施例中,所述工作状态确定模块包括:差值确定单元,用于获取所述第一磁场强度与预设磁场强度的差值;工作状态确定单元,用于在所述差值超出预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。根据第一磁场强度与预设磁场强度的差值,确定激光模组的工作状态,由于该预设磁场强度体现的是该激光模组正常工作情况下对应的磁场强度,由此确定的激光模组工作状态,准确性更高。
可选的,在上述的激光模组300的基础上,当所述激光模组的工作状态为异常状态,该激光模组300还可以包括:调整模块,对所述激光发射器的发光参数进行调整,或对所述激光发射器进行断电,使所述激光发射器发出的激光强度小于等于预设强度值。
在本发明实施例中,激光发射器的发光参数可以为:激光发射器发出激光脉冲的数量、或激光发射器发出的激光脉冲的光强,或者激光发射器发出的激光脉冲的方向等,在本发明实施例中,对此不作具体限定。
具体的,若工作状态确定模块302或工作状态确定单元3022确定所述激光模组的工作状态为异常状态,则调整模块可以对激光发射器14的发光参数进行调整,或对激光发射器14进行断电,使激光发射器14发出的激光强度小于等于预设强度值。例如,控制该激光发射器14,使该激光发射器14停止工作,或降低该激光发射器14发出的激光强度,以避免伤害人体。
具体的,上述图5中的驱动芯片21可以与上述激光发射器14电性连接,若确定所述激光模组的工作状态为异常状态,驱动芯片21可以控制该激光发射器14,使该激光发射器14停止工作,或降低该激光发射器14发出的激光强度,以避免伤害人体。
本发明实施例提供的激光模组,所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
参照图12,图12是本发明实施例中提供的激光模组的一种探测方法的流程图,该方法应用于上述的激光模组激光模组,关于该激光模组可以参照上述实施例的记载,此处不再赘述。具体可以包括如下步骤:
步骤101,通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度。
在本发明实施例中,该磁传感器20能够获取该磁性光学元件组件19的第一磁场强度。
步骤102,基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
在本发明实施例中,基于上述第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态。
在本发明实施例中,当上述磁性光学元件组件19设置在支撑体12上,磁传感器20设置在电路板15以后,则磁传感器20获取到的磁性光学元件组件19的第一磁场强度就固定。通过磁传感器20获取第一磁场强度,基于该第一磁场强度,确定该激光模组的工作状态。
具体的,磁传感器20可以将磁场强度转换为电信号,可选的,在本发明实施例中,该激光模组还可以包括驱动芯片,磁传感器20可以通过电路板15与该驱动芯片电性连接,该驱动芯片接收磁传感器20的输出的第一电信号,磁传感器20将上述第一磁场强度转换为对应的第一电信号,然后将上述第一电信号传送给该驱动芯片,该驱动芯片可以基于该第一电信号,确定该激光模组的工作状态。
例如,参照图10所示,图10中,该驱动芯片21布设在电路板15上,且位于支撑体12包围的空间内。将该驱动芯片21布设在该激光模组的内部,有效利用了该激光模组内部的空间,不会增大该激光模组的宽度或高度,利于激光模组的轻薄化,而激光模组通常都设置在终端上,因此同样利于终端的轻薄化。
具体的,参照图3所示,若,该磁性光学元件组件19破损、脱落或变形,则磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度,或第一电信号就会发生变化,进而确定该激光模组的工作状态为异常状态。
本发明实施例提供的激光模组的探测方法,应用于上述的激光模组,所述方法包括:通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于所述第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
参照图13,图13是本发明实施例中提供的另一种激光模组的探测方法的流程图,该方法应用于上述的激光模组,关于该激光模组可以参照上述实施例的记载,此处不再赘述。具体可以包括如下步骤:
步骤201、通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度。
该步骤201,可以参照上述步骤101,此处不再赘述。
步骤202、获取所述第一磁场强度与预设磁场强度的差值。
在本发明实施例中,获取上述第一磁场强度与预设磁场强度的差值。
步骤203、在所述差值超过预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。
在本发明实施例中,在所述差值超过预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。
具体应用中,例如,若,参照图3所示,该磁性光学元件组件19破损脱落、或变形,则磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度与预设差值范围超过了预设差值范围,则可以将该激光模组的工作状态确定为异常状态。例如,若磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度为0.5安培/米,预设磁场强度为1安培/米,第一磁场强度与预设磁场强度的差值为-0.5安培/米,而预设差值范围为-0.3安培/米至+0.3安培/米,该差值-0.5安培/米超过了预设差值范围,则可以将该激光模组的工作状态确定为异常状态。若磁传感器20获取的该磁性光学元件组件19的第一磁场强度为1.1安培/米,预设磁场强度为1安培/米,第一磁场强度与预设磁场强度的差值为0.1安培/米,而预设差值范围为-0.3安培/米至+0.3安培/米,该差值0.1安培/米在预设差值范围内,则可以将该激光模组的工作状态确定为正常状态。
步骤204、在所述激光模组的工作状态为异常状态的情况下,对所述激光发射器的发光参数进行调整,或对所述激光发射器进行断电,使所述激光发射器发出的激光强度小于等于预设强度值。
在本发明实施例中,对上述激光发射器的发光参数进行调整,或对所述激光发射器进行断电,使所述激光发射器发出的激光强度小于等于预设强度值。
在本发明实施例中,激光发射器的发光参数可以为:激光发射器发出激光脉冲的数量、或激光发射器发出的激光脉冲的光强,或者激光发射器发出的激光脉冲的方向等,在本发明实施例中,对此不作具体限定。
具体应用中,例如,针对上述例子,若第一磁场强度与预设磁场强度的差值为-0.5安培/米,而预设差值范围为-0.3安培/米至+0.3安培/米,该差值-0.5安培/米超过了预设差值范围,则可以将该激光模组的工作状态确定为异常状态。则对激光发射器14的发光参数进行调整,或对该激光发射器14进行断电,例如,可以减小该激光发射器发出激光脉冲的数量,若激光发射器原来发出激光脉冲数量为200束,在该激光模组的工作状态为异常状态情况下,则可以将激光发射器发出激光脉冲数量降为40束。进而使激光发射器14发出的激光强度小于等于预设强度值。再例如,控制该激光发射器14,使该激光发射器14停止工作,或降低该激光发射器14发出的激光强度,以避免伤害人体。
具体的,上述图5中的驱动芯片21可以与上述激光发射器14电性连接,若确定所述激光模组的工作状态为异常状态,驱动芯片21可以控制该激光发射器14,对所述激光发射器14的发光参数进行调整,或使该激光发射器14停止工作,以避免伤害人体。
本发明实施例提供的激光模组的探测方法,应用于上述的激光模组,所述方法包括:通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于所述第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
需要说明的是,对于方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请实施例,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。
优选的,本发明实施例还提供一种终端,包括如上述的激光模组,且能达到相同的技术效果,为避免重复,这里不再赘述。
图14为实现本发明各个实施例中的一种移动终端的硬件结构示意图,该移动终端700包括但不限于:射频单元701、网络模块702、声音输出单元703、输入单元704、传感器705、显示单元706、用户输入单元707、接口单元708、存储器709、处理器710、以及电源711等部件。本领域技术人员可以理解,图14中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定,移动终端可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。在本发明实施例中,移动终端包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载终端、可穿戴设备、以及计步器等。
其中,处理器710,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
本发明实施例,通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。对激光模组探测过程中,无需镀膜和焊接,工艺简单,良率高,磁性光学元件组件替代原有的光学元件,设置磁传感器,通过磁传感器获取磁性光学元件组件的第一磁场强度,基于所述第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态,该磁传感器能够感应到该磁性光学元件组件的第一磁场强度即可,该磁传感器位置设置选择性多,利于激光模组的轻薄化。
应理解的是,本发明实施例中,射频单元701可用于收发信息或通话过程中,信号的接收和发送,具体的,将来自基站的下行数据接收后,给处理器710处理;另外,将上行的数据发送给基站。通常,射频单元701包括但不限于天线、至少一个放大器、收发信机、耦合器、低噪声放大器、双工器等。此外,射频单元701还可以通过无线通信***与网络和其他设备通信。
移动终端通过网络模块702为用户提供了无线的宽带互联网访问,如帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等。
声音输出单元703可以将射频单元701或网络模块702接收的或者在存储器709中存储的声音数据转换成声音信号并且输出为声音。而且,声音输出单元703还可以提供与移动终端700执行的特定功能相关的声音输出(例如,呼叫信号接收声音、消息接收声音等等)。声音输出单元703包括扬声器、蜂鸣器以及受话器等。
输入单元704用于接收声音或视频信号。输入单元704可以包括图形处理器(Graphics Processing Unit,GPU)7041和麦克风7042,图形处理器7041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。处理后的图像帧可以显示在显示单元706上。经图形处理器7041处理后的图像帧可以存储在存储器709(或其它存储介质)中或者经由射频单元701或网络模块702进行发送。麦克风7042可以接收声音,并且能够将这样的声音处理为声音数据。处理后的声音数据可以在电话通话模式的情况下转换为可经由射频单元701发送到移动通信基站的格式输出。
移动终端700还包括至少一种传感器705,比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地,光传感器包括环境光传感器及接近传感器,其中,环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板7061的亮度,接近传感器可在移动终端700移动到耳边时,关闭显示面板7061或背光。作为运动传感器的一种,加速计传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小,静止时可检测出重力的大小及方向,可用于识别移动终端姿态(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等;传感器705还可以包括指纹传感器、压力传感器、虹膜传感器、分子传感器、陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等,在此不再赘述。
显示单元706用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息。显示单元706可包括显示面板7061,可以采用液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等形式来配置显示面板7061。
用户输入单元707可用于接收输入的数字或字符信息,以及产生与移动终端的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。具体地,用户输入单元707包括触控面板7071以及其他输入设备7072。触控面板7071,也称为触摸屏,可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板7071上或在触控面板7071附近的操作)。触控面板7071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中,触摸检测装置检测用户的触摸方位,并检测触摸操作带来的信号,将信号传送给触摸控制器;触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给处理器710,接收处理器710发来的命令并加以执行。此外,可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板7071。除了触控面板7071,用户输入单元707还可以包括其他输入设备7072。具体地,其他输入设备7072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆,在此不再赘述。
进一步的,触控面板7071可覆盖在显示面板7061上,当触控面板7071检测到在其上或附近的触摸操作后,传送给处理器710以确定触摸事件的类型,随后处理器710根据触摸事件的类型在显示面板7061上提供相应的视觉输出。虽然在14中,触控面板7071与显示面板7061是作为两个独立的部件来实现移动终端的输入和输出功能,但是在某些实施例中,可以将触控面板7071与显示面板7061集成而实现移动终端的输入和输出功能,具体此处不做限定。
接口单元708为外部装置与移动终端700连接的接口。例如,外部装置可以包括有线或无线头戴式耳机端口、外部电源(或电池充电器)端口、有线或无线数据端口、存储卡端口、用于连接具有识别模块的装置的端口、声音输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口、耳机端口等等。接口单元708可以用于接收来自外部装置的输入(例如,数据信息、电力等等)并且将接收到的输入传输到移动终端700内的一个或多个元件或者可以用于在移动终端700和外部装置之间传输数据。
存储器709可用于存储软件程序以及各种数据。存储器709可主要包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作***、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等;存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如声音数据、电话本等)等。此外,存储器709可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
处理器710是移动终端的控制中心,利用各种接口和线路连接整个移动终端的各个部分,通过运行或执行存储在存储器709内的软件程序或模块,以及调用存储在存储器709内的数据,执行移动终端的各种功能和处理数据,从而对移动终端进行整体监控。处理器710可包括一个或多个处理单元;优选的,处理器710可集成应用处理器和调制解调处理器,其中,应用处理器主要处理操作***、用户界面和应用程序等,调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是,上述调制解调处理器也可以不集成到处理器110中。
移动终端700还可以包括给各个部件供电的电源711(比如电池),优选的,电源711可以通过电源管理***与处理器710逻辑相连,从而通过电源管理***实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。
另外,移动终端700包括一些未示出的功能模块,在此不再赘述。
优选的,本发明实施例还提供一种移动终端,包括处理器710,存储器709,存储在存储器709上并可在上述处理器710上运行的计算机程序,该计算机程序被处理器710执行时实现上述激光模组的探测方法实施例的各个过程,且能达到相同的技术效果,为避免重复,这里不再赘述。
基于上述移动终端的硬件结构,以下对本发明各实施例进行详细详述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述激光模组的探测方法实施例的各个过程,且能达到相同的技术效果,为避免重复,这里不再赘述。其中,上述的计算机可读存储介质,如只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)、随机存取存储器(Random AccessMemory,简称RAM)、磁碟或者光盘等。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。
Claims (16)
1.一种激光模组,其特征在于,所述激光模组包括:磁性光学元件组件、支撑体、激光发射器、电路板、磁传感器;
所述支撑体设置在所述电路板上,所述支撑体包围在所述激光发射器四周;
所述磁性光学元件组件设置在所述支撑体的远离所述电路板的一端;
第一磁场强度确定模块,用于通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;
工作状态确定模块,用于基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;
其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
2.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述磁性光学元件组件包括:透光性超过第一阈值的磁性光学元件。
3.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述磁性光学元件组件包括:光学元件本体和磁性配件;所述磁性配件设置在所述光学元件本体上;
所述光学元件本体包括:透光区域和非透光区域;处于所述光学元件本体透光区域的磁性配件为具有透光性的磁性配件。
4.根据权利要求3所述的激光模组,其特征在于,所述磁性配件与所述光学元件本体一体成型设置。
5.根据权利要求3所述的激光模组,其特征在于,所述磁性配件设置在所述光学元件本体上,包括:
所述磁性配件粘接、或涂布在所述光学元件本体上,或者所述磁性配件嵌入至所述光学元件本体。
6.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述磁性光学元件组件包括:光学元件本体和线圈;所述线圈固定在所述光学元件本体上;
所述线圈的正负极设置于所述电路板上,所述电路板与所述线圈构成回路,所述电路板为所述线圈供电,使所述线圈产生磁场。
7.根据权利要求6所述的激光模组,其特征在于,所述线圈与所述光学元件本体一体成型设置。
8.根据权利要求6所述的激光模组,其特征在于,所述线圈固定在所述光学元件本体上,包括:
所述线圈粘接、焊接在所述光学元件本体上,或者所述线圈嵌入至所述光学元件本体。
9.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述工作状态确定模块包括:
差值确定单元,用于获取所述第一磁场强度与预设磁场强度的差值;
工作状态确定单元,用于在所述差值超出预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。
10.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述磁传感器包括:霍尔效应传感器、各向异性磁电阻传感器、巨磁电阻传感器、隧道磁电阻传感器中的至少一项。
11.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述异常状态包括以下至少一项:组件破损、组件脱落、组件变形。
12.根据权利要求1所述的激光模组,其特征在于,所述磁传感器设置在所述电路板上靠近所述磁性光学元件组件的一面。
13.一种激光模组的探测方法,其特征在于,所述方法应用于如权利要求1至12中任一所述的激光模组,所述方法包括:
通过所述磁传感器,获取所述磁性光学元件组件的第一磁场强度;
基于第一磁场强度,确定所述激光模组的工作状态;
其中,所述工作状态包括异常状态或正常状态。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述基于第一磁场强度确定所述激光模组的工作状态,包括:
获取所述第一磁场强度与预设磁场强度的差值;
在所述差值超过预设差值范围的情况下,将所述激光模组的工作状态确定为异常状态。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,在所述激光模组的工作状态为异常状态的情况下,所述方法还包括:
对所述激光发射器的发光参数进行调整,或对所述激光发射器进行断电,使所述激光发射器发出的激光强度小于等于预设强度值。
16.一种终端,其特征在于,所述终端包括如权利要求1至12中任一项所述的激光模组。
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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