CN109119875B - 双晶体红外激光器 - Google Patents

双晶体红外激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN109119875B
CN109119875B CN201811107561.6A CN201811107561A CN109119875B CN 109119875 B CN109119875 B CN 109119875B CN 201811107561 A CN201811107561 A CN 201811107561A CN 109119875 B CN109119875 B CN 109119875B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
crystal
pump
mirror
laser crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811107561.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109119875A (zh
Inventor
任戬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen JPT Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen JPT Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen JPT Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shenzhen JPT Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201811107561.6A priority Critical patent/CN109119875B/zh
Publication of CN109119875A publication Critical patent/CN109119875A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109119875B publication Critical patent/CN109119875B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621—Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • H01S3/0623—Antireflective [AR]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0813—Configuration of resonator
    • H01S3/0815—Configuration of resonator having 3 reflectors, e.g. V-shaped resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • H01S3/1673—YVO4 [YVO]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种双晶体红外激光器，包括第一泵浦激光器、第二泵浦激光器、第一聚焦组件、第二聚焦组件、谐振组件、第一激光晶体、第二激光晶体、及调Q晶体；谐振组件构成激光谐振腔；输出低重复频率的1064nm脉冲光时，第一泵浦激光器输出泵浦光，第一激光晶体产生1064nm激光；输出高重复频率的1064nm脉冲光时，第二泵浦激光器输出泵浦光，第二激光晶体产生1064nm激光；在调Q晶体的调制下，激光谐振腔内形成1064nm脉冲光，输出激光谐振腔外；通过第一激光晶体与第二激光晶体在能级寿命上的差异，从而能使单个激光谐振腔在低重复频率输出与高重复频率输出之间切换时，输出的1064nm脉冲光功率保持稳定。

Description

双晶体红外激光器
技术领域
本发明涉及激光技术领域，特别是涉及一种双晶体红外激光器。
背景技术
激光是近代科学技术中的重大发明之一，其中，端面泵浦的1064nm激光应用于加工领域，在金属、非金属以及精密加工中的应用价值尤其突出。由于端泵可获得较高的光束质量，获取光束质量优良，能长效稳定运行的端泵红外1064nm激光，对日渐增长的激光加工行业，意义重大。
市面上端面泵浦激光器一般单端泵浦或者双端泵浦激光晶体，然后利用调Q元件进行谐振腔调节形成脉冲光。在实际应用时，高频低频的参数能进行不同工作，利用传统方式形成的脉冲光平均功率在不同频率下会有变化，无法同时在高重复频率和低重复频率下都有较好的功率稳定性，导致高重复频率和低重复频率的1064nm脉冲光需由不同的设备输出，导致激光加工的设备投入成本提高。
发明内容
基于此，有必要提供一种在高重复频率和低重复频率能稳定输出1064nm脉冲光的双晶体红外激光器。
一种双晶体红外激光器，包括第一泵浦激光器、第二泵浦激光器、与所述第一泵浦激光器对应的第一聚焦组件、与所述第二泵浦激光器对应的第二聚焦组件、谐振组件、第一激光晶体、第二激光晶体、及调Q晶体；所述谐振组件包括第一前端镜、第二前端镜、尾端镜、转折镜、及输出镜；所述第一前端镜、所述第二前端镜、所述尾端镜、所述转折镜、及所述输出镜构成激光谐振腔；所述第一前端镜与所述第二前端镜对应设置；所述尾端镜与所述第一前端镜对应设置；所述转折镜分别与所述第二前端镜、所述输出镜对应设置；所述第一激光晶体、所述第二激光晶体设置在所述第一前端镜与所述第二前端镜之间；所述调Q晶体设置在所述激光谐振腔内；输出低重复频率的1064nm脉冲光时，所述第一泵浦激光器输出泵浦光，所述第一泵浦激光器输出的泵浦光经所述第一聚焦组件聚焦到所述第一激光晶体，所述第一激光晶体在所述激光谐振腔内产生1064nm激光；由所述第一激光晶体产生的1064nm激光透射所述第二激光晶体；输出高重复频率的1064nm脉冲光时，所述第二泵浦激光器输出泵浦光，所述第二泵浦激光器输出的泵浦光经所述第二聚焦组件聚焦到所述第二激光晶体，所述第二激光晶体在所述激光谐振腔内产生1064nm激光；由所述第二激光晶体产生的1064nm激光透射所述第一激光晶体；在所述调Q晶体的调制下，所述激光谐振腔内形成1064nm脉冲光，1064nm脉冲光部分透射所述输出镜，输出所述激光谐振腔外
上述双晶体红外激光器，通过在输出低重复频率的1064nm脉冲光时，由第一泵浦激光器输出泵浦光，第一激光晶体产生1064nm激光，在输出高重复频率的1064nm脉冲光时，由第二泵浦激光器输出泵浦光，第二激光晶体产生1064nm激光，通过第一激光晶体与第二激光晶体在能级寿命上的差异，从而能使单个激光谐振腔在低重复频率输出与高重复频率输出之间切换时，输出的1064nm脉冲光功率保持稳定，从而可利用单台激光加工的设备实现低重复频率及高重复频率1064nm脉冲光的稳定输出。
在其中一个实施例中，所述第一激光晶体为Nd:YAG，所述第二激光晶体为Nd:YVO4。
在其中一个实施例中，所述第一激光晶体及所述第二激光晶体的双面镀1064nm增透膜。
在其中一个实施例中，所述第一激光晶体及所述第二激光晶体的双面镀808/880nm增透膜。
在其中一个实施例中，还包括光阑，所述光阑上设有通光孔，所述通光孔处于所述第一激光晶体与所述第二激光晶体之间。
在其中一个实施例中，还包括光纤组件，所述光纤组件包括第一传输光纤及第二传输光纤；所述第一泵浦激光器耦合所述第一传输光纤输出泵浦光，所述第二泵浦激光器耦合所述第二传输光纤输出泵浦光。
在其中一个实施例中，所述光纤组件还包括与所述第一聚焦组件对应设置的第一固定件，所述第一传输光纤的输出端固定在所述第一固定件上。
在其中一个实施例中，所述光纤组件还包括与所述第二聚焦组件对应设置的第二固定件，所述第二传输光纤的输出端固定在所述第二固定件上。
在其中一个实施例中，所述第一聚焦组件包括第一平凸透镜及第二平凸透镜，所述第一平凸透镜的凸面与所述第二平凸透镜的凸面相对。
在其中一个实施例中，所述第二聚焦组件包括第三平凸透镜及第四平凸透镜，所述第三平凸透镜的凸面与所述第四平凸透镜的凸面相对。
附图说明
图1为本发明的一较佳实施例的双晶体红外激光器的结构图；
图2为图1所示的双晶体红外激光器输出的脉冲光的功率、脉宽与重复频率之间的关系曲线图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
请参阅图1，为本发明一较佳实施方式的双晶体红外激光器100，用于输出1064nm脉冲光。该双晶体红外激光器100包括第一泵浦激光器21、第二泵浦激光器22、与第一泵浦激光器21对应的第一聚焦组件31、与第二泵浦激光器22对应的第二聚焦组件32、谐振组件、第一激光晶体50、第二激光晶体60、及调Q晶体70；谐振组件包括第一前端镜41、第二前端镜42、尾端镜43、转折镜44、及输出镜45；第一前端镜41、第二前端镜42、尾端镜43、转折镜44、及输出镜45构成激光谐振腔；第一前端镜41与第二前端镜42对应设置；尾端镜43与第一前端镜41对应设置；转折镜44分别与第二前端镜42、输出镜45对应设置；第一激光晶体50、第二激光晶体60设置在第一前端镜41与第二前端镜42之间；调Q晶体70设置在激光谐振腔内；输出低重复频率的1064nm脉冲光时，第一泵浦激光器21输出808nm或者880nm泵浦光，第一泵浦激光器21输出的泵浦光经第一聚焦组件31聚焦到第一激光晶体50，第一激光晶体50吸收泵浦光能量后实现粒子数反转，在激光谐振腔内产生1064nm激光；由第一激光晶体50产生的1064nm激光透射第二激光晶体60；输出高重复频率的1064nm脉冲光时，第二泵浦激光器22输出808nm或者880nm泵浦光，第二泵浦激光器22输出的泵浦光经第二聚焦组件32聚焦到第二激光晶体60，第二激光晶体60吸收泵浦光能量后实现粒子数反转，在激光谐振腔内产生1064nm激光；由第二激光晶体60产生的1064nm激光透射第一激光晶体50；在调Q晶体70的调制下，激光谐振腔内形成1064nm脉冲光，1064nm脉冲光部分透射输出镜45，输出到激光谐振腔外。
通过在输出低重复频率的1064nm脉冲光时，由第一泵浦激光器21输出泵浦光，第一激光晶体50产生1064nm激光，在输出高重复频率的1064nm脉冲光时，由第二泵浦激光器22输出泵浦光，第二激光晶体60产生1064nm激光，通过第一激光晶体50与第二激光晶体60在能级寿命上的差异，从而能使单个激光谐振腔在低重复频率输出与高重复频率输出之间切换时，输出的1064nm脉冲光功率保持稳定，从而可利用单台激光加工的设备实现低重复频率及高重复频率1064nm脉冲光的稳定输出。
在其中一个实施方式中，为实现第一激光晶体50与第二激光晶体60低重复频率及高重复频率之间具有不同的上能级寿命，第一激光晶体50为Nd:YAG，第二激光晶体60为Nd:YVO4；由于Nd:YAG与Nd:YVO4的在能级寿命特性存在差异；Nd:YVO4的上能级寿命短，约90us-100us，Nd:YAG上能级寿命长，约230us，由于此特性的差异，Nd:YVO4在高频(大于40khz)下有比较好的激光输出，Nd:YAG在低频(小于20khz)下有比较好的激光输出，从而使激光谐振腔在低重复频率输出与高重复频率输出之间切换时，输出的1064nm脉冲光功率保持稳定。
请参阅图2，在图2中，双晶体红外激光器100输出的1064nm脉冲光的平均功率为P、脉宽为τ；在本实施方式中，在通过第二泵浦激光器22激活第二激光晶体60时，所输出的1064nm脉冲光具有更小的脉宽，即在相同平均功率输出下，相对第一激光晶体50的运行效果，脉冲峰值更高；若通过第二激光晶体60在低重复频率下输出1064nm脉冲光，则1064nm脉冲光的功率下降严重，而通过第一激光晶体50在低重复频率下输出1064nm脉冲光时，则能保持较大的脉冲能量。
进一步地，由于第一激光晶体50为Nd:YAG，第二激光晶体60为Nd:YVO4，由于Nd:YAG与Nd:YVO4在脉冲宽度特性上存在差异，在需要高脉冲宽度的1064nm脉冲光时，第一泵浦激光器21启动，第二泵浦激光器22停止，Nd:YAG晶体激活工作，从而输出高脉冲宽度的1064nm脉冲光；在需要低脉冲宽度的1064nm脉冲光时，第二泵浦激光器22启动，第一泵浦激光器21停止，Nd:YVO4晶体激活工作，从而输出低脉冲宽度的1064nm脉冲光，从而可利用单台激光加工的设备实现低脉冲宽度及高脉冲宽度1064nm脉冲光的稳定输出；在其他实施方式中，还可以是，第一激光晶体50为Nd:YVO4，第二激光晶体60为Nd:YAG。
在其中一个实施方式中，为减少1064nm激光经过第一激光晶体50或第二激光晶体60表面时的损耗，第一激光晶体50及第二激光晶体60的双面镀1064nm增透膜，从而减少1064nm激光的反射。
在其中一个实施方式中，为减少泵浦光经过第一激光晶体50或第二激光晶体60表面时的损耗，第一激光晶体50及第二激光晶体60的双面镀808/880nm增透膜，从而提高第一激光晶体50或第二激光晶体60对泵浦光的吸收。
请参阅图1，在其中一个实施方式中，为调节双晶体红外激光器100的输出模式，双晶体红外激光器100还包括光阑80，光阑80上设有通光孔，通光孔处于第一激光晶体50与第二激光晶体60之间；在双晶体红外激光器100运行时，符合横模特性需求的1064nm激光通过通光孔，从而使双晶体红外激光器100处于预定的输出模式；进一步地，由于光阑80设置在第一激光晶体50与第二激光晶体60之间，可避免第二激光晶体60接收到第一泵浦激光器21所发出的泵浦光，或第一激光晶体50接收到第二泵浦激光所发出的泵浦光，从而避免第一激光晶体50与第二激光晶体60同时激活，避免泵浦光不必要的消耗。
在其中一个实施方式中，为使第一泵浦激光器21或第二泵浦激光器22所产生的泵浦光可靠传输，双晶体红外激光器100还包括光纤组件，光纤组件包括第一传输光纤91及第二传输光纤92；第一泵浦激光器21耦合第一传输光纤91输出泵浦光，第二泵浦激光器22耦合第二传输光纤92输出泵浦光。
在其中一个实施方式中，为固定第一传输光纤91的输出端，光纤组件还包括与第一聚焦组件31对应设置的第一固定件93，第一传输光纤91的输出端固定在第一固定件93上。
在其中一个实施方式中，为固定第二传输光纤92的输出端，光纤组件还包括与第二聚焦组件32对应设置的第二固定件94，第二传输光纤92的输出端固定在第二固定件94上。
在其中一个实施方式中，为减少第一聚焦组件31的像差，第一聚焦组件31包括第一平凸透镜33及第二平凸透镜34，第一平凸透镜33的凸面与第二平凸透镜34的凸面相对；进一步地，为减少泵浦光在第一聚焦组件31上的损耗，第一平凸透镜33及第二平凸透镜34镀808nm/880nm增透膜；具体地，第一聚焦组件31的焦点处于第一激光晶体50内，且与第一激光晶体50端面相距1-3mm处。
在其中一个实施方式中，为减少第二聚焦组件32的像差，第二聚焦组件32包括第三平凸透镜35及第四平凸透镜36，第三平凸透镜35的凸面与第四平凸透镜36的凸面相对；进一步地，为减少泵浦光在第二聚焦组件32上的损耗，第三平凸透镜35及第四平凸透镜36镀808nm/880nm增透膜；具体地，第二聚焦组件32的焦点处于第二激光晶体60内，且与第二激光晶体60端面相距1-3mm处。
具体地，第一泵浦激光器21及第二泵浦激光器22为半导体激光器；为提高第一激光晶体50或第二激光晶体60吸收到的泵浦光，或减少1064nm激光的损失，第一前端镜41、第二前端镜42镀808nm/880nm增透、及1064nm高反膜；尾端镜43、转折镜44镀1064n高反膜；具体地，输出镜45镀1064nm部分透射膜，在本实施方式中，输出镜45的透射率为10％-40％，由于1064nm激光部分透射输出镜45，透射输出镜45的1064nm脉冲光输出激光谐振腔，经输出镜45反射的1064nm激光继续在激光谐振腔进行振荡。
具体地，调Q晶体70设置在第一前端镜41与尾端镜43之间；调Q晶体70为声光Q晶体、电光Q晶体或被动调Q晶体70；具体地，第二前端镜42将1064nm脉冲光反射至转折镜44，然后被转折镜44反射至输出镜45，1064nm脉冲光部分透射输出镜45，从而输出至激光谐振腔外；本实施方式中，通过激光谐振腔的多次折叠，空间利用效率非常高，在有限的空间内实现了各个光学器件有条不紊的摆放，虽然紧凑但是不存在干扰装配的情况，在实现过程中大大缩小了整机所需要的体积，使得激光器更加的小型化，有利于下游应用端的集成。
本实施例中，通过在输出低重复频率的1064nm脉冲光时，由第一泵浦激光器输出泵浦光，第一激光晶体产生1064nm激光，在输出高重复频率的1064nm脉冲光时，由第二泵浦激光器输出泵浦光，第二激光晶体产生1064nm激光，通过第一激光晶体与第二激光晶体在能级寿命上的差异，从而能使单个激光谐振腔在低重复频率输出与高重复频率输出之间切换时，输出的1064nm脉冲光功率保持稳定，从而可利用单台激光加工的设备实现低重复频率及高重复频率1064nm脉冲光的稳定输出。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种双晶体红外激光器，其特征在于，包括第一泵浦激光器、第二泵浦激光器、与所述第一泵浦激光器对应的第一聚焦组件、与所述第二泵浦激光器对应的第二聚焦组件、谐振组件、第一激光晶体、第二激光晶体、及调Q晶体；所述谐振组件包括第一前端镜、第二前端镜、尾端镜、转折镜、及输出镜；所述第一前端镜、所述第二前端镜、所述尾端镜、所述转折镜、及所述输出镜构成激光谐振腔；所述第一前端镜与所述第二前端镜对应设置；所述尾端镜与所述第一前端镜对应设置；所述转折镜分别与所述第二前端镜、所述输出镜对应设置；所述第一激光晶体、所述第二激光晶体设置在所述第一前端镜与所述第二前端镜之间；所述调Q晶体设置在所述激光谐振腔内；输出低重复频率的1064nm脉冲光时，所述第一泵浦激光器输出泵浦光，所述第一泵浦激光器输出的泵浦光经所述第一聚焦组件聚焦到所述第一激光晶体，所述第一激光晶体在所述激光谐振腔内产生1064nm激光；由所述第一激光晶体产生的1064nm激光透射所述第二激光晶体；输出高重复频率的1064nm脉冲光时，所述第二泵浦激光器输出泵浦光，所述第二泵浦激光器输出的泵浦光经所述第二聚焦组件聚焦到所述第二激光晶体，所述第二激光晶体在所述激光谐振腔内产生1064nm激光；由所述第二激光晶体产生的1064nm激光透射所述第一激光晶体；在所述调Q晶体的调制下，所述激光谐振腔内形成1064nm脉冲光，1064nm脉冲光部分透射所述输出镜，输出所述激光谐振腔外；所述第一激光晶体为Nd:YAG，所述第二激光晶体为Nd:YVO4。
2.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述第一激光晶体及所述第二激光晶体的双面镀1064nm增透膜。
3.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述第一激光晶体及所述第二激光晶体的双面镀808/880nm增透膜。
4.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，还包括光阑，所述光阑上设有通光孔，所述通光孔处于所述第一激光晶体与所述第二激光晶体之间。
5.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，还包括光纤组件，所述光纤组件包括第一传输光纤及第二传输光纤；所述第一泵浦激光器耦合所述第一传输光纤输出泵浦光，所述第二泵浦激光器耦合所述第二传输光纤输出泵浦光。
6.根据权利要求5所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述光纤组件还包括与所述第一聚焦组件对应设置的第一固定件，所述第一传输光纤的输出端固定在所述第一固定件上。
7.根据权利要求5所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述光纤组件还包括与所述第二聚焦组件对应设置的第二固定件，所述第二传输光纤的输出端固定在所述第二固定件上。
8.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述第一聚焦组件包括第一平凸透镜及第二平凸透镜，所述第一平凸透镜的凸面与所述第二平凸透镜的凸面相对。
9.根据权利要求1所述的双晶体红外激光器，其特征在于，所述第二聚焦组件包括第三平凸透镜及第四平凸透镜，所述第三平凸透镜的凸面与所述第四平凸透镜的凸面相对。
CN201811107561.6A 2018-09-21 2018-09-21 双晶体红外激光器 Active CN109119875B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811107561.6A CN109119875B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 双晶体红外激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811107561.6A CN109119875B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 双晶体红外激光器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109119875A CN109119875A (zh) 2019-01-01
CN109119875B true CN109119875B (zh) 2019-09-06

Family

ID=64856124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811107561.6A Active CN109119875B (zh) 2018-09-21 2018-09-21 双晶体红外激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109119875B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111969402A (zh) * 2020-07-31 2020-11-20 山东师范大学 一种应用于小车的中红外窄线宽固体脉冲激光器及方法
CN114252867B (zh) * 2022-02-28 2022-05-20 深圳市海创光学有限公司 激光雷达光源及其重复频率切换方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101558653A (zh) * 2006-10-16 2009-10-14 康宁股份有限公司 在半导体激光器的波长选择、相位、以及增益区域中的波长控制
CN101719623A (zh) * 2009-11-13 2010-06-02 温州市嘉泰激光科技有限公司 光纤耦合双端面泵浦全固态激光器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7522642B2 (en) * 2006-03-29 2009-04-21 Amo Development Llc Method and system for laser amplification using a dual crystal Pockels cell
CN101212117A (zh) * 2006-12-26 2008-07-02 深圳市大族激光科技股份有限公司 单端面泵浦三倍频固体激光器
CN101237118A (zh) * 2007-01-30 2008-08-06 中国科学院福建物质结构研究所 1210nm光参量振荡器
CN101710669B (zh) * 2009-12-16 2011-06-01 温州市嘉泰激光科技有限公司 双输出端面泵浦全固态激光器
CN104158078A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种双端泵浦激光器及其工作方法
CN103427323B (zh) * 2013-08-22 2016-02-10 中国科学院上海光学精密机械研究所 单一高次谐波紫外单色光源
CN103944040A (zh) * 2014-03-27 2014-07-23 长春理工大学 新型双晶体串接双波长激光器
CN105006735A (zh) * 2015-08-19 2015-10-28 天津大学 双晶体多通式飞秒激光放大***
CN105428975B (zh) * 2015-12-23 2019-02-01 上海朗研光电科技有限公司 高功率飞秒光纤激光器
CN106684674A (zh) * 2017-02-13 2017-05-17 天津大学 一种双晶体复合增益的内腔拉曼黄光激光器
CN107732643A (zh) * 2017-11-24 2018-02-23 深圳市杰普特光电股份有限公司 单泵双端泵浦红外激光器
CN107991237A (zh) * 2017-12-26 2018-05-04 深圳市杰普特光电股份有限公司 光谱测量装置及***
CN208782229U (zh) * 2018-09-21 2019-04-23 深圳市杰普特光电股份有限公司 双晶体红外激光器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101558653A (zh) * 2006-10-16 2009-10-14 康宁股份有限公司 在半导体激光器的波长选择、相位、以及增益区域中的波长控制
CN101719623A (zh) * 2009-11-13 2010-06-02 温州市嘉泰激光科技有限公司 光纤耦合双端面泵浦全固态激光器

Also Published As

Publication number Publication date
CN109119875A (zh) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103618205B (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
CN102842847B (zh) 一种内腔单谐振光学参量振荡器
CN210201151U (zh) 一种全固态绿光激光器
CN109119875B (zh) 双晶体红外激光器
CN208782229U (zh) 双晶体红外激光器
CN102280812A (zh) 一种侧面泵浦大功率激光器
CN204760744U (zh) 一种连续光和脉冲光相切换的装置
CN102684061A (zh) 一种稳定脉冲能量的全固态角动量可调谐激光器
CN203895741U (zh) 一种新型脉冲式Nd:YAG激光器
CN101000997A (zh) 波长为916nm的Nd:LuVO4激光器
CN104953457B (zh) 交替输出双波长调q脉冲激光的装置
CN101527425A (zh) 钨酸钡晶体全固态连续拉曼激光器
CN106058632B (zh) 一种基于键合晶体的脉冲能量可调的被动调q拉曼激光***
CN103199427B (zh) 一种内腔单谐振光学参量振荡器
CN108963741B (zh) 双晶体绿光激光器
CN208782230U (zh) 双晶体绿光激光器
CN207994332U (zh) 激光二极管泵浦的二硫化钨调Q的Yb：GYSO全固态激光器
CN108933378B (zh) 双晶体紫外激光器
CN208782235U (zh) 双晶体紫外激光器
CN102280810A (zh) 一种宽温度工作范围的倍频激光器
CN101527422A (zh) 一种不同方向出光的双波长固体激光器
CN104409957B (zh) 一种窄线宽2μm激光器装置
CN104659648B (zh) 掺钕硅酸镓镧自倍频超短脉冲激光器
CN104917053A (zh) V型谐振腔及基于v型谐振腔的激光器
CN107681460B (zh) 多谱线输出共频移复合型固体拉曼激光器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant