CN109095782B - 一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents
一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括S1)、银纳米线的制备；S2)、玻璃衬底上三维立体微结构的构筑；S3)、将一定长径比的银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构中，本发明采用水热法，以硝酸银为银源、葡萄糖为还原剂、硫酸铁为诱导剂、聚乙烯吡络烷酮(PVP)为形貌诱导剂制备出长径比可调的银纳米线，通过不同长径比的银纳米线制备透明导电薄膜，另外，本发明通过将银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构中，从而提高了薄膜的透光率，其透光率大于91.3％，并且采用“内部分层嵌入、加热固化短银纳米线”与“外层修饰长银纳米线”相结合的制备方法，进一步提高了导电薄膜的光电性能，其电阻约为20Ω/sq。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料技术领域，尤其是一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
金属透明导电薄膜(TCF)在触摸屏、显示器、加热器、生物传感器抗静电、新能源、太阳能电池、柔性电子、可穿戴电子等方面具有广泛的应用前景。目前在透明导电薄膜中，一般采用氧化铟锡(ITO)作为主要的透明导电电极材料，通常在器件衬底表面溅射一层ITO，形成的TCF具有透过率高、导电性能优良、表面平整等优点，但是由于氧化铟锡材料本身的脆性限制了其在柔性电子器件和可穿戴设备领域中的应用。
目前，金属氧化物、石墨烯、碳纳米管、金属网格结构、金属纳米线等新型薄膜材料的研究成为重点。其中，金属银纳线(AgNWs)由于其制备成本低、导电性优异、机械性能良好及化学性能稳定等优点，成为最具潜力替代ITO的最佳薄膜材料之一。
银纳米线(AgNWs)作为典型的一维金属纳米材料，同时具备金属银的优良性能和纳米材料的小尺寸效应，表现出优异的导电性能和机械性能。采用涂覆法制备出银纳米线随机网络结构的TCF，其可见光透过率高、导电性能优良，使得银纳米线成为最具潜力替代ITO的薄膜材料，受到众多研究者的青睐。但随之带来的无法避免的问题是，用银纳米线制备的TCF，其表面粗糙度大且附着性较差，针对此问题，哈尔滨工业大学于春宇研究小组，采用PEDOT：PSS为修饰剂，制备出导电性能优良的银纳米线/PEDOT：PSS复合TCF；Wang小组将ZAO涂覆在银纳米线表面，制备出AgNWs/ZAO复合TCF；也有部分研究者采用PVC等高聚物制备基于银纳米线的复合TCF，虽然银纳米线复合TCF可以一定程度上有效地解决附着性差和表面粗糙度等问题，但同时也降低了TCF的可见光透过率和影响其功函数。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，本发明采用玻璃三维立体微结构为衬底，将银纳米线有效地嵌入其中，形成嵌入式银纳米线网络结构，既增加了银纳米线与衬底的附着性，又不改变银纳米线自身优良的性能，同时有效利用了微结构自身高透过的性能，进一步提高TCF的透过率。
本发明的技术方案为：一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，本发明采用水热法，以硝酸银为银源、葡萄糖为还原剂、硫酸铁为诱导剂、聚乙烯吡络烷酮(PVP)为形貌诱导剂制备出长径比可调的银纳米线，并采用“内部分层嵌入、加热固化短银纳米线”与“外层修饰长银纳米线”相结合的方法制备得到基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜，具体包括以下步骤：
S1)、银纳米线的制备
S101)、取0.5-0.7g的AgNO3固态颗粒，通过磁力搅拌溶于15-18mL的去离子水中，形成AgNO3溶液；
S102)、配置0.12g/40mL的硫酸铁溶液以及0.72g/30mL的葡萄糖溶液；
S103)、向葡萄糖溶液中依次缓慢滴加硝酸银溶液和硫酸铁溶液，待其混合均匀后，取5.0g的聚乙烯吡络烷酮(PVP，K30)溶于其中，充分搅拌30-40min；
S104)、将步骤S103)中制备的混合液放入100mL的聚氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中，在鼓风干燥箱中180℃反应6h，待其自然冷却至室温取出，除去上层黑色液体，在转速为2500r/min的转速条件下，采用无水乙醇离心洗涤5-8次；选用快速滤纸抽滤8-10次，去除样品中少量银颗粒，即可制得纯净且形貌均匀的具有一定长径比的银纳米线(AgNWs)；
S2)、玻璃衬底上三维立体微结构的制备
S201)、清洗玻璃衬底，采用无水乙醇，丙酮以及去离子水分别超声洗涤15min，除去表面杂质及有机物；
S202)、采用六甲基二硅氮烷(HMDS)对玻璃表面改性，然后旋涂1.0um的光刻胶；
S203)、用光刻技术在光刻胶表面绘制一个蜂窝状分布圆形阵列的二维平面图形，控制圆的直径约为20um，相邻圆的间距约为30um；
S204)、在室温的条件下，采用湿法刻蚀，以氢氟酸(HF)为刻蚀剂，将玻璃样品放入聚四氟乙烯容器中，刻蚀30min，即可得到深度为3um的蜂窝状分布的三维圆台阵列微结构；
S3)、基于三维立体微结构的银纳米线导电薄膜的制备
S301)、首先将具有三维立体微结构的玻璃衬底放入小烧杯容器的底部，然后将一定量的短银纳米线悬浮液缓慢地滴入小烧杯容器中的玻璃衬底上；
S302)、将小烧杯容器放在超声台上，进行超声振动15min；
S303)、将玻璃衬底缓慢移出小烧杯容器，将样品置于鼓风干燥箱中，200℃热退火处理20min；
S304)、采用旋涂法将聚乙烯醇(PVA)涂覆在样品表面，以增加表面平整度和层层间的附着性，然后进行加热固化，其加热温度是80℃，固化时间是10min；
S305)、再将加热固化后的样品，再次安装步骤S301)-S303)的方法重复3次；
S306)、再采用旋涂法将长银纳米线悬浮液滴涂在样品表面，采用高速1500r/min旋涂60s，200℃热退火处理30min，即可制得将银纳米线嵌入三维立体微结构的透明导电薄膜。
进一步的，上述技术方案中，步骤S104)中制备的银纳米线的长度为40～140um，银纳米线的直径为50-95nm。
进一步的，上述技术方案中，步骤S301)中，采用的玻璃衬底为具有三维立体圆台微结构的玻璃衬底，由于该玻璃衬底具有一定的疏水性，因此，所滴入的银纳米线悬浮液以布满整个玻璃衬底为宜。
进一步的，上述技术方案中，步骤S301)中的短银纳米线为直径为90nm、长度为40～60um，其平均长径比为500的银纳米线。
进一步的，上述技术方案中，步骤S302)中，超声条件为：超声频率为28KHZ，超声功率为1000W。
进一步的，上述技术方案中，步骤S306)中的长银纳米线为直径为50～80nm、长度约为80～140um，其长径比大于1000的银纳米线。
进一步的，上述技术方案中，步骤S306)中制备的透明导电薄膜的透光率大于91.3％，电阻为20Ω/sq。
本发明的有益效果为：本发明采用水热法，以硝酸银为银源、葡萄糖为还原剂、硫酸铁为诱导剂、聚乙烯吡络烷酮(PVP)为形貌诱导剂制备出长径比可调的银纳米线，通过不同长径比的银纳米线制备透明导电薄膜，进一步提高了薄膜的导电性能，另外，本发明通过将银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构中，从而提高了薄膜的透光率，其透光率大于91.3％，并且采用“内部分层嵌入、加热固化短银纳米线”与“外层修饰长银纳米线”相结合的制备方法，进一步提高了导电薄膜的致密性、平整度，使得银纳米线更好的嵌入微结构中，从而进一步提高了导电薄膜的光电性能，其电阻约为20Ω/sq。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的导电薄膜的SEM图，其中，a为1000倍的放大倍数下的SEM图，b为a中方框处放大10000倍的SEM；
图2为本发明实施例1制备的银纳米线的SEM图，其中，a为200倍的放大倍数下的SEM图，b为4000倍的放大倍数下的SEM图；
图3为本发明实施例1制备的银纳米线的XRD射线衍射图；
图4为本发明实施例1制备的导电薄膜的透过率与平面玻璃薄膜透光率的对比图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明：
采用水热法，以硝酸银为银源、葡萄糖为还原剂、硫酸铁为诱导剂、聚乙烯吡络烷酮(PVP)为形貌诱导剂制备出长径比可调的银纳米线，并采用“内部分层嵌入、加热固化短银纳米线”与“外层修饰长银纳米线”相结合的方法制备得到基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜。
实施例1
一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1)、银纳米线的制备
S101)、取0.5g的AgNO3固态颗粒，通过磁力搅拌溶于15mL的去离子水中，形成AgNO3溶液；
S102)、配置0.12g/40mL的硫酸铁溶液以及0.72g/30mL的葡萄糖溶液；
S103)、向葡萄糖溶液中依次缓慢滴加硝酸银溶液和硫酸铁溶液，待其混合均匀后，取5.0g的聚乙烯吡络烷酮(PVP，K30)溶于其中，充分搅拌30min；
S104)、将步骤S103)中制备的混合液放入100mL的聚氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中，在鼓风干燥箱中180℃反应6h，待其自然冷却至室温取出，除去上层黑色液体，在转速为2500r/min的转速条件下，采用无水乙醇离心洗涤5-8次；选用快速滤纸抽滤8-10次，去除样品中少量银颗粒，即可制得纯净且形貌均匀的具有一定长径比的银纳米线(AgNWs)；
S2)、玻璃衬底上三维立体微结构的制备
S201)、清洗玻璃衬底，采用无水乙醇，丙酮以及去离子水分别超声洗涤15min，除去表面杂质及有机物；
S202)、采用六甲基二硅氮烷(HMDS)对玻璃表面改性，然后旋涂1.0um的光刻胶；
S203)、用光刻技术在光刻胶表面绘制一个蜂窝状分布圆形阵列的二维平面图形，控制圆的直径约为20um，相邻圆的间距约为30um；
S204)、在室温的条件下，采用湿法刻蚀，以氢氟酸(HF)为刻蚀剂，将玻璃样品放入聚四氟乙烯容器中，刻蚀30min，即可得到深度为3um的蜂窝状分布的三维圆台阵列微结构；
S3)、将一定长径比的银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构的构筑
S301)、首先将具有三维立体微结构的玻璃衬底放入小烧杯容器的底部，然后将一定量的短银纳米线悬浮液缓慢地滴入小烧杯容器中的玻璃衬底上，其中，该银纳米线的直径为90nm、长度为40～60um，其平均长径比为500，并且由于采用的玻璃衬底为具有三维立体圆台微结构的玻璃衬底，该玻璃衬底具有一定的疏水性，因此，所滴入的银纳米线悬浮液以布满整个玻璃衬底为宜；
S302)、将小烧杯容器放在超声台上，进行超声振动15min，超声频率为28KHZ，超声功率为1000W；
S303)、将玻璃衬底缓慢移出小烧杯容器，将样品置于鼓风干燥箱中，200℃热退火处理20min；
S304)、采用旋涂法将聚乙烯醇(PVA)涂覆在样品表面，以增加表面平整度和层层间的附着性，然后进行加热固化，其加热温度是80℃，固化时间是10min；
S305)、再将加热固化后的样品，再次安装步骤S301)-S303)的方法重复3次；
S306)、再采用旋涂法将长银纳米线悬浮液滴涂在样品表面，采用高速1500r/min旋涂60s，200℃热退火处理30min，即可制得将银纳米线嵌入三维立体微结构的透明导电薄膜，其中，长银纳米线的直径为50～80nm、长度约为80～140um，其长径比大于1000的银纳米线。
实施例2
一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1)、银纳米线的制备
S101)、取0.6g的AgNO3固态颗粒，通过磁力搅拌溶于17mL的去离子水中，形成AgNO3溶液；
S102)、配置0.12g/40mL的硫酸铁溶液以及0.72g/30mL的葡萄糖溶液；
S103)、向葡萄糖溶液中依次缓慢滴加硝酸银溶液和硫酸铁溶液，待其混合均匀后，取5.0g的聚乙烯吡络烷酮(PVP，K30)溶于其中，充分搅拌35min；
S104)、将步骤S103)中制备的混合液放入100mL的聚氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中，在鼓风干燥箱中180℃反应6h，待其自然冷却至室温取出，除去上层黑色液体，在转速为2500r/min的转速条件下，采用无水乙醇离心洗涤5-8次；选用快速滤纸抽滤9次，去除样品中少量银颗粒，即可制得纯净且形貌均匀的具有一定长径比的银纳米线(AgNWs)；
S2)、玻璃衬底上三维立体微结构的制备
S201)、清洗玻璃衬底，采用无水乙醇，丙酮以及去离子水分别超声洗涤15min，除去表面杂质及有机物；
S202)、采用六甲基二硅氮烷(HMDS)对玻璃表面改性，然后旋涂1.0um的光刻胶；
S203)、用光刻技术在光刻胶表面绘制一个蜂窝状分布圆形阵列的二维平面图形，控制圆的直径约为20um，相邻圆的间距约为30um；
S204)、在室温的条件下，采用湿法刻蚀，以氢氟酸(HF)为刻蚀剂，将玻璃样品放入聚四氟乙烯容器中，刻蚀30min，即可得到深度为3um的蜂窝状分布的三维圆台阵列微结构；
S3)、将一定长径比的银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构的构筑
S301)、首先将具有三维立体微结构的玻璃衬底放入小烧杯容器的底部，然后将一定量的短银纳米线悬浮液缓慢地滴入小烧杯容器中的玻璃衬底上，其中，短银纳米线的直径为90nm、长度为40～60um，其平均长径比为500，并且由于采用的玻璃衬底为具有三维立体圆台微结构的玻璃衬底，该玻璃衬底具有一定的疏水性，因此，所滴入的银纳米线悬浮液以布满整个玻璃衬底为宜；
S302)、将小烧杯容器放在超声台上，进行超声振动15min，超声频率为28KHZ，超声功率为1000W；
S303)、将玻璃衬底缓慢移出小烧杯容器，将样品置于鼓风干燥箱中，200℃热退火处理20min；
S304)、采用旋涂法将聚乙烯醇(PVA)涂覆在样品表面，以增加表面平整度和层层间的附着性，然后进行加热固化，其加热温度是80℃，固化时间是10min；
S305)、再将加热固化后的样品，再次安装步骤S301)-S303)的方法重复3次；
S306)、再采用旋涂法将长银纳米线悬浮液滴涂在样品表面，采用高速1500r/min旋涂60s，200℃热退火处理30min，即可制得将银纳米线嵌入三维立体微结构的透明导电薄膜，其中，长银纳米线的直径为50～80nm、长度约为80～140um，其长径比大于1000的银纳米线。
实施例3
一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1)、银纳米线的制备
S101)、取0.7g的AgNO3固态颗粒，通过磁力搅拌溶于18mL的去离子水中，形成AgNO3溶液；
S102)、配置0.12g/40mL的硫酸铁溶液以及0.72g/30mL的葡萄糖溶液；
S103)、向葡萄糖溶液中依次缓慢滴加硝酸银溶液和硫酸铁溶液，待其混合均匀后，取5.0g的聚乙烯吡络烷酮(PVP，K30)溶于其中，充分搅拌40min；
S104)、将步骤S103)中制备的混合液放入100mL的聚氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中，在鼓风干燥箱中180℃反应6h，待其自然冷却至室温取出，除去上层黑色液体，在转速为2500r/min的转速条件下，采用无水乙醇离心洗涤8次；选用快速滤纸抽滤9次，去除样品中少量银颗粒，即可制得纯净且形貌均匀的具有一定长径比的银纳米线(AgNWs)；
S2)、玻璃衬底上三维立体微结构的制备
S201)、清洗玻璃衬底，采用无水乙醇，丙酮以及去离子水分别超声洗涤15min，除去表面杂质及有机物；
S202)、采用六甲基二硅氮烷(HMDS)对玻璃表面改性，然后旋涂1.0um的光刻胶；
S203)、用光刻技术在光刻胶表面绘制一个蜂窝状分布圆形阵列的二维平面图形，控制圆的直径约为20um，相邻圆的间距约为30um；
S204)、在室温的条件下，采用湿法刻蚀，以氢氟酸(HF)为刻蚀剂，将玻璃样品放入聚四氟乙烯容器中，刻蚀30min，即可得到深度为3um的蜂窝状分布的三维圆台阵列微结构；
S3)、将一定长径比的银纳米线嵌入玻璃衬底上三维立体微结构的构筑
S301)、首先将具有三维立体微结构的玻璃衬底放入小烧杯容器的底部，然后将一定量的短银纳米线悬浮液缓慢地滴入小烧杯容器中的玻璃衬底上，其中，短银纳米线的直径为90nm、长度为40～60um，其平均长径比为500，并且由于采用的玻璃衬底为具有三维立体圆台微结构的玻璃衬底，该玻璃衬底具有一定的疏水性，因此，所滴入的银纳米线悬浮液以布满整个玻璃衬底为宜；
S302)、将小烧杯容器放在超声台上，进行超声振动15min，超声频率为28KHZ，超声功率为1000W；
S303)、将玻璃衬底缓慢移出小烧杯容器，将样品置于鼓风干燥箱中，200℃热退火处理20min；
S304)、采用旋涂法将聚乙烯醇(PVA)涂覆在样品表面，以增加表面平整度和层层间的附着性，然后进行加热固化，其加热温度是80℃，固化时间是10min；
S305)、再将加热固化后的样品，再次安装步骤S301)-S303)的方法重复3次；
S306)、再采用旋涂法将长银纳米线悬浮液滴涂在样品表面，采用高速1500r/min旋涂60s，200℃热退火处理30min，即可制得将银纳米线嵌入三维立体微结构的透明导电薄膜，其中，长银纳米线的直径为50～80nm、长度约为80～140um，其长径比大于1000的银纳米线。
实施例4性能分析
采用SEM观察本实施例1制备的导电薄膜的微观形貌，在1000倍的放大倍数下，如图1中(a)所示，银纳米线均匀的分布在微结构圆台的下方，并相互连接呈现出随机网络结构，对图(a)中方框内容放大至10000倍，如图1中(b)所示，在银纳米线的节点处上层银纳米线微微弯曲与下层银纳米线烧结在一起，说明热处理可以增强了银纳米线的之间的结合，从而形成稳定的银纳米线随机网络结构；
在200倍的放大倍数下，如图2中(a)所示，实施例1制备的银纳米线的长度为40～60um，在4000倍的放大倍数下，图2中(b)所示，银纳米线的直径约为92nm，
如图3所示，实施例1制备的银纳米线的XRD谱图分别在(110)、(200)、(220)、(311)的晶面处均有一衍射峰，这与标准卡片PDF:04-0783晶面衍射峰相一致，且波峰尖锐无其他杂质峰出现，因此，可判断样品为面心立方结构的单质银，另外通过采用四探针的方法来测试样品的电学性能，常用ITO的电阻为18.1Ω；而本实施例制备的银纳米线的电阻为9.3Ω，明显优于ITO，并且用四探针测试仪测试薄膜导电性能，在测试电压为2V，测试电流为1mA的条件下，测得其方块电阻约为20Ω/sq，其导电性能优良；
另外，采用紫外分光光度计分别测试普通平面玻璃和微结构的透过率，本发明所采用的微结构的透过率高于普通的平面玻璃，在550nm处，微结构的透过率可达96％，而平面玻璃的约为92.7％，并且微结构拥有更宽的透过带宽，约在350nm处，微结构的透过率呈现缓慢的下降趋势，而平面玻璃则直线下降，因此，微结构的透过率优于普通平面玻璃，并且采用紫外分光光度计分别测试基于平面玻璃和基于微结构的银纳米线的透明导电薄膜的透过率，如图4所示，实施例1制备的基于微结构的银纳米线透明导电薄膜的透过率高于基于平面玻璃的银纳米线透明导电薄膜，在550nm处，基于微结构的银纳米线透明导电薄膜的透过率为91.3％，而基于平面玻璃的透过率为88.1％。
上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理和最佳实施例，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (4)
1.一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1）、银纳米线的制备
S101）、取0.5-0.7g的AgNO3固态颗粒，通过磁力搅拌溶于15-18 mL的去离子水中，形成AgNO3溶液；
S102）、配置0.12 g/40 mL的硫酸铁溶液以及0.72 g/30 mL的葡萄糖溶液；
S103）、向葡萄糖溶液中依次缓慢滴加硝酸银溶液和硫酸铁溶液，待其混合均匀后，取5.0g的聚乙烯吡络烷酮溶于其中，充分搅拌30-40min；
S104）、将步骤S103）中制备的混合液放入100 mL的聚氟乙烯内胆的不锈钢反应釜中，在鼓风干燥箱中180℃反应6h，待其自然冷却至室温取出，除去上层黑色液体，在转速为2500 r/min的转速条件下，采用无水乙醇离心洗涤5-8次；选用快速滤纸抽滤8-10次，去除样品中少量银颗粒，即可制得纯净且形貌均匀的具有一定长径比的银纳米线（AgNWs）；
S2）、玻璃衬底上三维立体微结构的制备
S201）、清洗玻璃衬底，采用无水乙醇，丙酮以及去离子水分别超声洗涤15min，除去表面杂质及有机物；
S202）、采用六甲基二硅氮烷HMDS对玻璃表面改性，然后旋涂1.0um的光刻胶；
S203）、用光刻技术在光刻胶表面绘制一个蜂窝状分布圆形阵列的二维平面图形，控制圆的直径为20µm，相邻圆的间距为30µm；
S204）、在室温的条件下，采用湿法刻蚀，以氢氟酸HF为刻蚀剂，将玻璃样品放入聚四氟乙烯容器中，刻蚀30min，即可得到深度为3µm的蜂窝状分布的三维圆台阵列微结构；
S3）、基于三维立体微结构的银纳米线导电薄膜的制备
S301）、首先将具有三维立体微结构的玻璃衬底放入小烧杯容器的底部，然后将一定量的短银纳米线悬浮液缓慢地滴入小烧杯容器中的玻璃衬底上；
其中，所述的短银纳米线为直径为90nm、长度为40~60µm，其平均长径比为500的银纳米线；
S302）、将小烧杯容器放在超声台上，进行超声振动15min；
S303）、将玻璃衬底缓慢移出小烧杯容器，将样品置于鼓风干燥箱中， 200℃热退火处理20min；
S304）、采用旋涂法将聚乙烯醇PVA涂覆在样品表面，以增加表面平整度和层层间的附着性，然后进行加热固化，其加热温度是80℃，固化时间是10min；
S305）、再将加热固化后的样品，再次安装步骤S301）- S303）的方法重复3次；
S306）、再采用旋涂法将长银纳米线悬浮液滴涂在样品表面，采用高速1500 r/min旋涂60s，200℃热退火处理30min，即可制得将银纳米线嵌入三维立体微结构的透明导电薄膜，透明导电薄膜的透光率为91.3%，电阻为20Ω/sq；
其中，所述的长银纳米线为直径为50～80nm、长度为80～140µm，其长径比大于1000的银纳米线。
2.根据权利要求1所述的一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S104）中制备的银纳米线的长度为40~140um，银纳米线的直径为50-95nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于步骤S301）中，采用的玻璃衬底为具有三维立体圆台微结构的玻璃衬底。
4.根据权利要求1所述的一种基于三维立体微结构的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于步骤S302）中，超声条件为：超声频率为28KHZ，超声功率为1000W。
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