CN109070544A - 低腐蚀阳光控制堆叠 - Google Patents
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Abstract
复合堆叠能够包括第一衬底层、包括银的功能层、包括耐腐蚀材料的第一阻挡层和包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料的第二阻挡层。所述第二阻挡层能够邻近于所述第一阻挡层。所述复合堆叠的VLT能够进一步为至少约50％并且TSER为至少约30％。另外或在替代方案中，所述复合堆叠的发射率能够为不大于约20％。
Description
技术领域
本公开涉及复合堆叠。具体来说，本公开涉及用于施用在透明衬底上的复合堆叠，其中复合堆叠具有特定太阳能和发射率特征。
背景技术
薄膜层的复合堆叠可用作施用到建筑物或车辆中的窗户的覆盖物以提供阳光控制益处。举例来说，期望的阳光控制益处可包括高可见光透射率、高总太阳能阻隔率和或低发射率。这类薄膜层的复合堆叠传统上通过将堆叠的功能薄膜层层压在保护性和光学透明涂层中来保护，所述涂层接着可粘附到透明衬底，如玻璃窗或塑料衬底。虽然层压改进薄膜层的复合堆叠的耐久性，但其也倾向于干扰在具体波长下功能层的阳光控制益处。因而，需要在不使用层压的情况下示出高耐久性同时还展现非凡和期望的阳光控制益处的复合堆叠。
发明内容
根据一个方面，复合堆叠可包括第一衬底层、至少一个可包括银的功能层、至少可包括耐腐蚀材料的第一阻挡层和至少可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料的第二阻挡层。第二阻挡层可邻近于第一阻挡层。复合堆叠的VLT可为至少约50％。复合堆叠的TSER可进一步为至少约30％。
根据又一个方面，复合堆叠可包括第一衬底层、至少一个可包括银的功能层、至少可包括耐腐蚀材料的第一阻挡层和至少可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料的第二阻挡层。第二阻挡层可邻近于第一阻挡层。复合堆叠的发射率可进一步为不大于约20％。
根据又一个方面，形成复合堆叠的方法可包括提供第一衬底层、形成至少一个可包括银的功能层、形成至少可包括耐腐蚀材料的第一阻挡层和形成至少可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料的第二阻挡层。第二阻挡层可邻近于第一阻挡层形成。复合堆叠的VLT可为至少约50％。复合堆叠的TSER可进一步为至少约30％。
附图说明
实施例通过实例来说明，并且不限于附图。
图1包括根据本文所述的某些实施例的实例复合堆叠的图示；
图2包括根据本文所述的某些实施例的另一个实例复合堆叠的图示；
图3包括根据本文所述的某些实施例的另一个实例复合堆叠的图示
图4包括根据本文所述的某些实施例的另一个实例复合堆叠的图示；
图5包括根据本文所述的某些实施例的另一个实例复合堆叠的图示；
图6包括根据本文所述的某些实施例的另一个实例复合堆叠的图示；
图7a-7f包括根据本文所述的实施例的实例复合堆叠在10天BSN耐久性测试之后的表面的显微图像；
图8a-8e包括根据本文所述的实施例的实例复合堆叠在21天BSN耐久性测试之后的表面的显微图像；
图9a-9i包括比较实例复合堆叠在10天BSN耐久性测试之后的表面的显微图像；和
图10a-10c包括比较实例复合堆叠在21天BSN耐久性测试之后的表面的显微图像。
本领域技术人员应了解，图中的元件仅为简单和清晰起见而进行说明，并且不一定按比例绘制。举例来说，图中一些元件的尺寸可相对于其它元件放大以帮助改进对本发明的实施例的理解。另外，在不同图式中使用相同参考符号指示类似或相同的项目。
具体实施方式
与图结合提供以下描述来帮助理解本文所公开的教示内容。以下论述将集中于教示内容的特定实施方案和实施例上。提供此焦点以帮助描述教示内容，并且其不应被解释为对所述教示内容的范围或适用性的限制。然而，可基于如本申请中所公开的教示内容来使用其它实施例。
如本文所用，术语“可见光透射率”或“VLT”是指透射通过复合堆叠/透明衬底***的总可见光的比率并且可使用在10°角度下的D65光源计算。
术语“总太阳能阻隔率”或“TSER”是指总太阳能(热量)复合堆叠/透明衬底***并且可根据ISO 9050计算。
术语“发射率”是指被复合堆叠/透明衬底***反射的辐射热(热量)能量的百分比并且可根据ASTM标准NFRC301计算。
术语“包含(comprises/comprising)”、“包括(includes/including)”、“具有(has/having)”或其任何其它变化形式旨在涵盖非排它性包括。举例来说，包含一列特征的方法、物品或设备不一定仅限于那些特征，但可包括没有明确列出的其它特征或所述方法、物品或设备所固有的其它特征。另外，除非有明确的相反陈述，否则“或”是指包括性的或，而非排它性的或。举例来说，条件A或B通过以下中的任一种来得到满足：A是正确的(或存在的)并且B是错误的(或不存在的)、A是错误的(或不存在的)并且B是正确的(或存在的)以及A和B都是正确的(或存在的)。
此外，使用“一个/种(a/an)”是用于描述本文所述的元件及部件。这样做只是为了方便起见且给出本发明范围的一般性意义。除非显而易见指的是其它情况，否则此描述应将包括一个、至少一个或单数个解读为也包括多个，或反之亦然。举例来说，当本文中描述单个项目时，可使用多于一个项目来代替单个项目。类似地，在本文中描述多于一个项目时，可用单个项目取代所述多于一个项目。
除非另外规定，否则本文所用的所有技术和科学术语都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。材料、方法和实例仅是说明性的并且不旨在为限制性的。至于本文中未描述的内容，关于具体材料和加工行为的许多细节是常规的并且可见于阳光控制技术的教科书和其它来源中。
本文所述的实施例大体上涉及一种复合堆叠，其包括具有至少一个衬底层、至少一个功能层和至少一个邻近于功能层的双阻挡堆叠的多层结构，其中双阻挡堆叠提供高耐腐蚀性同时维持功能层的功能性。根据特定实施例，双阻挡堆叠可包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层可包括耐腐蚀材料，所述第二阻挡层邻近于第一阻挡层并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。根据本文所述的实施例形成的复合堆叠可具有特定性能特征，如低发射率、高可见光透射率、高TSER或其组合。
鉴于下文所描述的说明且不限制本公开的范围的实施例，将更好地理解这些概念。
图1包括实例复合堆叠100的一部分的剖面图的图示。如图1中所示，复合堆叠100可包括第一衬底层110、功能层120、第一阻挡层132和第二阻挡层134。第一阻挡层132可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层134可邻近于第一阻挡层132并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料
第一阻挡层132和第二阻挡层134可被统称为可邻近于功能层120的第一双阻挡堆叠130。根据特定实施例且如图1中所示，第一双阻挡堆叠130可位于第一衬底层110和功能层120之间。
根据替代实施例，功能层120可位于第一衬底层110和第一双阻挡堆叠130之间(在图1中未示出)。
根据另外其它特定实施例且如图1中所示，第一阻挡层132和第二阻挡层134可被布置在第一双阻挡堆叠130中，使得第一阻挡层132邻近于功能层120。
根据替代实施例，第一阻挡层132和第二阻挡层134可被布置在第一双阻挡堆叠130中，使得第二阻挡层134邻近于功能层120(在图1中未示出)。
根据特定实施例，第一衬底层110可包括聚合物材料。根据另一个特定实施例，第一衬底层110可由聚合物材料组成。根据另外其它实施例，第一衬底层110可为聚合物衬底层。根据特定实施例，聚合物衬底层可包括任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第一衬底层110可包括玻璃材料。根据又一个实施例，第一衬底层110可由玻璃材料组成。根据再另一个实施例，第一衬底层110可为玻璃衬底层。根据另外其它实施例，玻璃材料可包括任何期望的玻璃材料。
根据另外其它实施例，当第一衬底层110为聚合物衬底层时，其可具有特定厚度。举例来说，第一衬底层110的厚度可为至少约10微米，如至少约15微米、至少约20微米、至少约25微米、至少约30微米、至少约35微米、至少约40微米、至少约45微米、至少约50微米、至少约75微米、至少约100微米或甚至至少约125微米。根据再另一个实施例，第一衬底层110的厚度可为不大于约250微米，如不大于约245微米、不大于约240微米、不大于约235微米、不大于约230微米、不大于约225微米、不大于约220微米、不大于约215微米、不大于约210微米、不大于约205微米、不大于约200微米、不大于约175微米或甚至不大于约150微米。应了解，第一衬底层110的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第一衬底层110的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
应进一步了解，当第一衬底层110为玻璃衬底层时，其可具有任何期望的厚度。
根据特定实施例，功能层120可包括银。根据又一个实施例，功能层120可主要由银组成。根据再另一个实施例，功能层120可为银层。
根据另外其它实施例，功能层120可具有特定厚度。举例来说，功能层的厚度可为至少约5纳米，如至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米或甚至至少约35纳米。根据再另一个实施例，功能层120的厚度可为不大于约40纳米，如不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米或甚至不大于约31纳米。应了解，功能层120的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，功能层120的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
应了解，如本文所用，基于允许功能层或阻挡层在复合堆叠内履行其性能目的(即，低发射率层、耐腐蚀性或可见光透射率)，在复合堆叠内的“功能层”(即，功能层120)可区别于在复合堆叠内的“阻挡层”(即，阻挡层132或134)。
根据另一个实施例，第一阻挡层132可包括耐腐蚀材料。根据再另一个实施例，第一阻挡层132可主要由耐腐蚀材料组成。根据又一个实施例，第一阻挡层132可为耐腐蚀层。根据特定实施例，第一阻挡层132的耐腐蚀材料可为任何贵金属或稀有金属，例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂或金。根据特定实施例，第一阻挡层132的耐腐蚀材料可为任何贵金属或稀有金属的合金，例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金或其组合的合金。根据另外其它实施例，第一阻挡层132可包括金。根据又其它实施例，第一阻挡层132可主要由金组成。根据其它实施例，第一阻挡层132可被称作金阻挡层。
根据再另一个实施例，第一阻挡层132可具有特定厚度。举例来说，第一阻挡层的厚度可为不大于约10纳米，如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米或甚至不大于约0.2纳米。根据又一个实施例，第一阻挡层132的厚度可为至少约0.1纳米，如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米。应了解，第一阻挡层132的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第一阻挡层的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
根据又一个特定实施例，第二阻挡层134可包括具有比银更不稳定的标准电位的任何阻挡材料。举例来说，第二阻挡层134可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。根据再另一个实施例，第二阻挡层134可包括NiCr。根据另外其它实施例，第二阻挡层134可主要由NiCr组成。根据又一个实施例，第二阻挡层134可被称作NiCr层。
根据再另一个实施例，第二阻挡层134可具有特定厚度。举例来说，第二阻挡层134的厚度可为不大于约10纳米，如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米或甚至不大于约0.2纳米。根据又一个实施例，第二阻挡层的厚度可为至少约0.1纳米，如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米或甚至至少约0.4纳米。应了解，第二阻挡层134的厚度可在上文提到的最小值和最大值的任何者之间的范围内。应进一步了解，第二阻挡层134的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内的任何值。
根据再另一个实施例，复合堆叠100可具有特定发射率。举例来说，复合堆叠100的发射率可为不大于约20％，如不大于约18％、不大于约15％、不大于约13％、不大于约13％、不大于约10％、不大于约9％、不大于约8％、不大于约7％、不大于约6％或甚至不大于约5％。应了解，复合堆叠100的发射率可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，复合堆叠100的发射率可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
根据又一个实施例，复合堆叠100可具有特定VLT。举例来说，复合堆叠100的VLT可为至少约10％，如至少约20％、至少约30％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约75％、至少约80％、至少约85％、至少约90％。根据再另一个实施例，复合堆叠100的VLT可为不大于约99％。应了解，复合堆叠100的VLT可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，复合堆叠100的VLT可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
根据再另一个实施例，复合堆叠100可具有特定TSER。举例来说，复合堆叠100的TSER可为至少约30％，如至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约80％或甚至至少约85％。根据又一个实施例，复合堆叠100的TSER可为不大于约99％。应了解，复合堆叠100的TSER可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，复合堆叠100的TSER可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
根据又一个实施例，复合堆叠100可具有特定厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为第一阻挡层132的厚度并且THFL为功能层120的厚度。举例来说，复合堆叠100的比率THBL1/THFL可为不大于约5，如不大于约4、不大于约3、不大于约2、不大于约1、不大于约0.9、不大于约0.8、不大于约0.7、不大于约0.6、不大于约0.5、不大于约0.4、不大于约0.3、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、不大于约0.05、不大于约0.04、不大于约0.03、不大于约0.02、甚至不大于约0.01或甚至不大于约0.005。根据再另一个实施例，复合堆叠100的比率THBL1/THFL可为至少约0.002，如至少约0.005、至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、至少约0.1、至少约0.2、在约0.4、至少约0.5。应了解，复合堆叠100的比率THBL1/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内的任一值。应进一步了解，复合堆叠100的比率THBL1/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
根据又一个实施例，复合堆叠100可具有特定厚度比THBL2/THFL，其中THBL2为第二阻挡层134的厚度并且THFL为功能层120的厚度。举例来说，复合堆叠100的比率THBL2/THFL可为不大于约5，如不大于约4、不大于约3、不大于约2、不大于约1、不大于约0.9、不大于约0.8、不大于约0.7、不大于约0.6、不大于约0.5、不大于约0.4、不大于约0.3、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、不大于约0.05、不大于约0.04、不大于约0.03、不大于约0.02、甚至不大于约0.01或甚至不大于约0.005。根据再另一个实施例，复合堆叠100的比率THBL2/THFL可为至少约0.002，如至少约0.005、至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、至少约0.1、至少约0.2、在约0.4、至少约0.5。应了解，复合堆叠100的比率THBL2/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内的任一值。应进一步了解，复合堆叠100的比率THBL2/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
图2包括实例复合堆叠200的一部分的剖面图的图示。如图2中所示，复合堆叠200可包括第一衬底层210、功能层220、第一阻挡层232、第二阻挡层234和第三阻挡层236。第一阻挡层232可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层234可邻近于第一阻挡层232并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。
第一阻挡层232和第二阻挡层234组合地可被称作第一双阻挡堆叠230，其可邻近于功能层220。根据特定实施例且如图2中所示，第一双阻挡堆叠230可位于第一衬底层210和功能层220之间并且第三阻挡层236还可邻近于功能层220，使得功能层220和双阻挡堆叠230可在第三阻挡层236和第一衬底210之间。
根据再另一个特定实施例，第三阻挡层236可位于第一衬底层210和功能层220之间并且第一双阻挡堆叠230还可邻近于功能层220，使得功能层220和第三阻挡层236可在第一双阻挡堆叠230和第一衬底210之间(在图2中未示出)。
根据另外其它特定实施例且如图2中所示，第一阻挡层232和第二阻挡层234可被布置在第一双阻挡堆叠230中，使得第一阻挡层232邻近于功能层220。
根据另外其它实施例，第一阻挡层232和第二阻挡层234可被布置在第一双阻挡堆叠230中，使得第二阻挡层234邻近于功能层220(在图2中未示出)。
应了解，复合堆叠200、第一衬底层210、功能层220、第一阻挡层232、第二阻挡层234和第一双阻挡堆叠230可具有本文参考图1中的对应层所述的任何特征。
根据特定实施例，第三阻挡层236可包括耐腐蚀材料。根据再另一个实施例，第三阻挡层236可主要由耐腐蚀材料组成。根据又一个实施例，第三阻挡层236可为耐腐蚀层。根据特定实施例，第三阻挡层236的耐腐蚀材料可为任何贵金属或稀有金属，例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂或金。根据另外其它实施例，第三阻挡层236可包括金。根据又其它实施例，第三阻挡层236可主要由金组成。根据其它实施例，第三阻挡层236可被称作金阻挡层。
根据又一个特定实施例，第三阻挡层236可包括具有比银更不稳定的标准电位的任何阻挡材料。举例来说，第三阻挡层236可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。根据再另一个实施例，第三阻挡层236可包括NiCr。根据另外其它实施例，第三阻挡层236可主要由NiCr组成。根据又一个实施例，第三阻挡层236可被称作NiCr层。
根据再另一个实施例，第三阻挡层236可具有特定厚度。举例来说，第三阻挡层236的厚度可为不大于约10纳米，如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米或甚至不大于约0.2纳米。根据又一个实施例，第三阻挡层236的厚度可为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米，如至少约0.4纳米。应了解，第三阻挡层236的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第三阻挡层236的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者内的任何值。
根据又一个实施例，复合堆叠200可具有特定厚度比THBL3/THFL，其中THBL2为第三阻挡层236的厚度并且THFL为功能层220的厚度。举例来说，复合堆叠200的比率THBL2/THFL可为不大于约5，如不大于约4、不大于约3、不大于约2、不大于约1、不大于约0.9、不大于约0.8、不大于约0.7、不大于约0.6、不大于约0.5、不大于约0.4、不大于约0.3、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、不大于约0.05、不大于约0.04、不大于约0.03、不大于约0.02、甚至不大于约0.01或甚至不大于约0.005。根据再另一个实施例，复合堆叠200的比率THBL3/THFL可为至少约0.002，如至少约0.005、至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、至少约0.1、至少约0.2、在约0.4、至少约0.5。应了解，复合堆叠200的比率THBL2/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内的任一值。应进一步了解，复合堆叠200的比率THBL2/THFL可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
图3包括实例复合堆叠300的一部分的剖面图的图示。如图3中所示，复合堆叠300可包括第一衬底层310、功能层320、第一阻挡层332、第二阻挡层334、第三阻挡层336和第四阻挡层338。第一阻挡层332可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层334可邻近于第一阻挡层332并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第三阻挡层336可包括耐腐蚀材料。第四阻挡层338可邻近于第三阻挡层336并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。
第一阻挡层332和第二阻挡层334组合地可被称作第一双阻挡堆叠330，其可邻近于功能层320。第三阻挡层336和第四阻挡层338组合地可被称作第二双阻挡堆叠335。根据特定实施例且如图3中所示，第一双阻挡堆叠330可位于第一衬底层310和功能层320之间并且第二双阻挡堆叠335还可邻近于功能层320，使得功能层320和双阻挡堆叠330可在第二双阻挡堆叠335和第一衬底310之间。
根据另外其它特定实施例且如图3中所示，第一阻挡层332和第二阻挡层334可被布置在第一双阻挡堆叠330中，使得第一阻挡层332邻近于功能层320。
根据另外其它实施例，第一阻挡层332和第二阻挡层334可被布置在第一双阻挡堆叠330中，使得第二阻挡层334邻近于功能层320(在图3中未示出)。
根据另外其它特定实施例且如图3中所示，第三阻挡层336和第四阻挡层338可被布置在第二双阻挡堆叠335中，使得第三阻挡层336邻近于功能层320。
根据另外其它实施例，第三阻挡层336和第四阻挡层338可被布置在第二双阻挡堆叠335中，使得第四阻挡层338邻近于功能层320(在图3中未示出)。
应了解，复合堆叠300、第一衬底层310、功能层320、第一阻挡层332、第二阻挡层334和第三阻挡层336可具有本文参考图1或2中的对应层所述的任何特征。
根据特定实施例，第三阻挡层336可包括耐腐蚀材料。根据再另一个实施例，第三阻挡层336可主要由耐腐蚀材料组成。根据又一个实施例，第三阻挡层336可为耐腐蚀层。根据特定实施例，第三阻挡层336的耐腐蚀材料可为任何贵金属或稀有金属，例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂或金。根据特定实施例，第三阻挡层336的耐腐蚀材料可为任何贵金属或稀有金属的合金，例如钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金或其组合的合金。根据另外其它实施例，第三阻挡层336可包括金。根据又其它实施例，第三阻挡层336可主要由金组成。根据其它实施例，第三阻挡层336可被称作金阻挡层。
根据又一个特定实施例，第四阻挡层338可包括具有比银更不稳定的标准电位的任何阻挡材料。举例来说，第四阻挡层338可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。根据再另一个实施例，第四阻挡层338可包括NiCr。根据另外其它实施例，第四阻挡层338可主要由NiCr组成。根据又一个实施例，第四阻挡层338可被称作NiCr层。
根据再另一个实施例，第四阻挡层338可具有特定厚度。举例来说，第四阻挡层338的厚度可为不大于约10纳米，如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米或甚至不大于约0.2纳米。根据又一个实施例，第四阻挡层338的厚度可为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米，如至少约0.4纳米。应了解，第四阻挡层338的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第四阻挡层338的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
图4包括实例复合堆叠400的一部分的剖面图的图示。如图4中所示，复合堆叠400可包括第一衬底层410、功能层420、第一阻挡层432、第二阻挡层434、第三阻挡层436、第四阻挡层438和第一电介质层440。第一阻挡层432可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层434可邻近于第一阻挡层432并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第一阻挡层432和第二阻挡层434组合地可被称作第一双阻挡堆叠430，其可邻近于功能层420。第三阻挡层436可包括耐腐蚀材料。第四阻挡层438可邻近于第三阻挡层436并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第三阻挡层436和第四阻挡层438组合地可被称作第二双阻挡堆叠435，其可邻近于功能层420，使得功能层420可在第一双阻挡堆叠430和第二双阻挡堆叠435之间。第一电介质层440可位于第一双阻挡堆叠430和第一衬底层410之间。
应了解，复合堆叠400、第一衬底层410、功能层420、第一阻挡层432、第二阻挡层434、第一双阻挡堆叠430、第三阻挡层436、第四阻挡层438和第二双阻挡堆叠435可具有本文参考图1、2或3中的对应层所述的任何特征。
应进一步了解，根据替代实施例，第一电介质层440可包括于图1、2或3中所示的任何复合堆叠中。
根据某些实施例，第一电介质层440可包括电介质材料。根据另外其它实施例，第一电介质层440可主要由电介质材料组成。第一电介质层440的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料。举例来说，透明电介质材料可为以任何比例的氧化铟(In)、氧化锡(Sn)或氧化铟锡(ITO)的混合物。根据另外其它实施例，电介质材料可包括氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的相应纯氧化物，可能氧低于化学计量和可能掺杂有另一种原子(例如，Sb)。根据又其它实施例，透明电介质材料可包括以任何比例的Sn氧化物和Zn氧化物的任何混合物(SnZnOx)，包括纯氧化物，可能氧低于化学计量和可能掺杂有另一种原子(例如，In、Ga、Al)，其中掺杂物重量含量低于20％。根据另外其它实施例，透明电介质材料可包括Si氧化物、Si氮化物或Si氮氧化物的任何组合物。根据又其它实施例，电介质材料可包括任何化学计量或低于化学计量形式的Ti氧化物(即，TiOx，1<x<2)。根据另外其它实施例，电介质材料可包括任何化学计量或低于化学计量形式的Nb氧化物(即，NbOx，1<x<2.5)。根据又其它实施例，电介质材料可包括ITO、SnxZnyOz、SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2、TiOx、In2O3、AZO或其组合中的任一种。
根据又一个实施例，第一电介质层440可具有特定厚度。举例来说，第一电介质层440的厚度可为不大于约200纳米，如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米或甚至不大于约15。根据再另一个实施例，第一电介质层440的厚度可为至少约3纳米，如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米。应了解，第一电介质层440的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第一电介质层440的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的任何值。
图5包括实例复合堆叠500的一部分的剖面图的图示。如图5中所示，复合堆叠500可包括第一衬底层510、功能层520、第一阻挡层532、第二阻挡层534、第三阻挡层536、第四阻挡层538、第一电介质层540和第二电介质层545。第一阻挡层532可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层534可邻近于第一阻挡层532并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第一阻挡层532和第二阻挡层534组合地可被称作第一双阻挡堆叠530，其可邻近于功能层520。第三阻挡层536可包括耐腐蚀材料。第四阻挡层538可邻近于第三阻挡层536并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第三阻挡层536和第四阻挡层538组合地可被称作第二双阻挡堆叠535，其可邻近于功能层520，使得功能层520可在第一双阻挡堆叠530和第二双阻挡堆叠535之间。第一电介质层540可位于第一双阻挡堆叠530和第一衬底层510之间。第二电介质层545可定位成邻近于第二双阻挡堆叠535，使得第二双阻挡堆叠535在第二电介质层545和功能层520之间。
应了解，复合堆叠500、第一衬底层510、功能层520、第一阻挡层532、第二阻挡层534、第一双阻挡堆叠530、第三阻挡层536、第四阻挡层538、第二双阻挡堆叠535和第一电介质层540可具有本文参考图1、2、3或4中的对应层所述的任何特征。
应进一步了解，根据替代实施例，第二电介质层545可包括于图1、2、3或4中所示的任何复合堆叠中。
根据某些实施例，第二电介质层545可包括电介质材料。根据另外其它实施例，第二电介质层545可主要由电介质材料组成。第二电介质层545的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料。举例来说，透明电介质材料可为以任何比例的氧化铟(In)、氧化锡(Sn)或氧化铟锡(ITO)的混合物。根据另外其它实施例，电介质材料可包括氧化铟、氧化锡或氧化铟锡的相应纯氧化物，可能氧低于化学计量和可能掺杂有另一种原子(例如，Sb)。根据又其它实施例，透明电介质材料可包括以任何比例的Sn氧化物和Zn氧化物的任何混合物(SnZnOx)，包括纯氧化物，可能氧低于化学计量和可能掺杂有另一种原子(例如，In、Ga、Al)，其中掺杂物重量含量低于20％。根据另外其它实施例，透明电介质材料可包括Si氧化物、Si氮化物或Si氮氧化物的任何组合物。根据又其它实施例，电介质材料可包括任何化学计量或低于化学计量形式的Ti氧化物(即，TiOx，1<x<2)。根据另外其它实施例，电介质材料可包括任何化学计量或低于化学计量形式的Nb氧化物(即，NbOx，1<x<2.5)。根据又其它实施例，电介质材料可包括ITO、SnxZnyOz、SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2、TiOx、In2O3、AZO或其组合中的任一种。
根据又一个实施例，第二电介质层545可具有特定厚度。举例来说，第二电介质层的厚度可为不大于约200纳米，如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米或甚至不大于约15。根据再另一个实施例，第二电介质层的厚度可为至少约3纳米，如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米。应了解，第二电介质层的厚度可在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内。应进一步了解，第二电介质层的厚度可为在上文提到的最小值和最大值中的任何者之间的范围内的任何值。
图6包括实例复合堆叠600的一部分的剖面图的图示。如图6中所示，复合堆叠600可包括第一衬底层610、功能层620、第一阻挡层632、第二阻挡层634、第三阻挡层636、第四阻挡层638、第一电介质层640、第二电介质层645和第二衬底层650。第一阻挡层632可包括耐腐蚀材料。第二阻挡层634可邻近于第一阻挡层632并且可包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料。第一阻挡层632和第二阻挡层634组合地可被称作第一双阻挡堆叠630，其可邻近于功能层620。第三阻挡层636可包括耐腐蚀材料。第四阻挡层638可邻近于第三阻挡层636。第三阻挡层636和第四阻挡层638组合地可被称作第二双阻挡堆叠635，其可邻近于功能层620，使得功能层620可在第一双阻挡堆叠630和第二双阻挡堆叠635之间。第一电介质层640可位于第一双阻挡堆叠630和第一衬底层610之间。第二电介质层645可定位成邻近于第二双阻挡堆叠635，使得第二双阻挡堆叠635在第二电介质层645和功能层620之间。
应了解，复合堆叠600、第一衬底层610、功能层620、第一阻挡层632、第二阻挡层634、第一双阻挡堆叠630、第三阻挡层636、第四阻挡层638、第二双阻挡堆叠635、第一电介质层640和第二电介质层645可具有本文参考图1、2、3、4或5中的对应层所述的任何特征。
应进一步了解，根据替代实施例，第二衬底层650可包括于图1、2、3、4或5中所示的任何复合堆叠中。
根据特定实施例，第二衬底层650可包括聚合物材料。根据另一个特定实施例，第二衬底层650可由聚合物材料组成。根据另外其它实施例，第二衬底层650可为聚合物衬底层。根据特定实施例，聚合物衬底层可包括任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第二衬底层650可包括玻璃材料。根据又一个实施例，第二衬底层650可由玻璃材料组成。根据再另一个实施例，第二衬底层650可为玻璃衬底层。根据特定实施例，玻璃衬底层可包括任何期望的玻璃材料。
根据另外其它实施例，第二衬底层650可使用粘合剂材料粘附到复合堆叠600中的其余层。根据另外其它实施例，粘合剂材料可为任何已知的粘附材料。根据另外其它实施例，粘合剂材料可为任何丙烯酸类粘合剂。根据又一个实施例，粘合剂材料可为任何硅氧烷类粘合剂。
根据特定实施例，如本文所述的形成于第一和第二衬底上或第一和第二衬底之间的复合堆叠的所有层可使用任何合适的技术形成。举例来说，如本文所述的形成于第一和第二衬底上或第一和第二衬底之间的复合堆叠的所有层可使用磁控溅镀形成。根据另外其它实施例，如本文所述的形成于第一和第二衬底上或第一和第二衬底之间的复合堆叠的所有层可使用物理气相沉积形成。
许多不同方面和实施方案是可能的。在本文中描述那些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书以后，本领域技术人员将了解，那些方面和实施例仅仅是说明性的，并且不限制本发明的范围。实施例可根据如下所列实施例中的任何一个或多个。
实施例1.一种复合堆叠，包含：第一衬底层；包含银的功能层；包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和包含NiCr的第二阻挡层，其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；并且其中所述复合堆叠的VLT为至少约50％并且TSER为至少约30％。
实施例2.一种复合堆叠，包含：第一衬底层；包含银的功能层；包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和包含NiCr的第二阻挡层，其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；并且其中所述复合堆叠的发射率为不大于约20％。
实施例3.一种形成复合堆叠的方法，包含：提供第一衬底层；形成包含银的功能层；形成包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和形成包含NiCr的第二阻挡层，其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；其中所述复合堆叠的VLT为至少约50％并且TSER为至少约30％。
实施例4.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一衬底包含聚合物材料，其中所述第一衬底包含玻璃衬底；其中所述第一衬底由聚合物材料组成；其中所述第一衬底由玻璃衬底组成。
实施例5.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述耐腐蚀材料包含任何贵金属或稀有金属中的任一种，其中所述腐蚀材料包含钌、铑、钯、银、锇、铱、铂或金。
实施例6.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层由金组成、由铂组成。
实施例7.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的VLT为至少约10％、至少约20％、至少约30％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约75％、至少约80％、至少约85％和至少约90％。
实施例8.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的VLT为不大于约99％。
实施例9.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的TSER为至少约至少约30％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约80％和至少约85％。
实施例10.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层包含银，由银组成。
实施例11.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层的厚度为至少约5纳米、至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米和至少约35纳米。
实施例12.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层的厚度为不大于约40纳米、不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米和不大于约31纳米。
实施例13.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层的发射率为不大于约20％、不大于约18％、不大于约15％、不大于约13％、不大于约13％、不大于约10％、不大于约9％、不大于约8％、不大于约7％、不大于约6％和不大于约5％。
实施例14.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层的厚度为不大于约10纳米、不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米和不大于约0.2纳米。
实施例15.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层的厚度为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米和至少约0.4纳米。
实施例16.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL1/THFL进一步为不大于约5，其中THBL1为所述第一阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度，不大于约4、不大于约3、不大于约2、不大于约1、不大于约0.9、不大于约0.8、不大于约0.7、不大于约0.6、不大于约0.5、不大于约0.4、不大于约0.3、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、不大于约0.05、不大于约0.04、不大于约0.03、不大于约0.02，甚至不大于约0.01和不大于约0.005。
实施例17.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL1/THFL进一步为至少约0.002，其中THBL1为所述第一阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度，至少约0.005、至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、至少约0.1、至少约0.2、在约0.4和至少约0.5。
实施例18.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层邻近于所述功能层，其中所述第一阻挡层在所述功能层和所述第一衬底层之间。
实施例19.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二阻挡层包含具有比银更不稳定的标准电位的材料，其中所述第二阻挡层包含NiCr。
实施例20.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二阻挡层的厚度为不大于约10纳米、不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米和不大于约0.2纳米。
实施例21.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二阻挡层的厚度为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米和至少约0.4纳米。
实施例22.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL2/THFL进一步为不大于约5，其中THBL2为所述第二阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度，不大于约4、不大于约3、不大于约2、不大于约1、不大于约0.9、不大于约0.8、不大于约0.7、不大于约0.6、不大于约0.5、不大于约0.4、不大于约0.3、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、不大于约0.05、不大于约0.04、不大于约0.03、不大于约0.02，甚至不大于约0.01和不大于约0.005。
实施例23.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL2/THFL进一步为至少约0.002，其中THBL2为所述第二阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度，至少约0.005、至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、至少约0.1、至少约0.2、在约0.4和至少约0.5。
实施例24.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二阻挡层邻近于所述功能层，其中所述第二阻挡层在所述功能层和所述第一聚合物衬底层之间。
实施例25.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中第三阻挡层包含任何贵金属或稀有金属，钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金。
实施例26.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第三阻挡层的厚度为不大于约10纳米、不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米和不大于约0.2纳米。
实施例27.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第三阻挡层的厚度为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米和至少约0.4纳米。
实施例28.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL3/THFL进一步为不大于约5，其中THBL3为所述第三阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度。
实施例29.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL3/THFL进一步为至少约0.002，其中THBL3为所述第三阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度。
实施例30.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第三阻挡层邻近于所述功能层。
实施例31.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中第四阻挡层包含任何贵金属或稀有金属，钌、铑、钯、银、锇、铱、铂、金。
实施例32.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第四阻挡层的厚度为不大于约10纳米、不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米和不大于约0.2纳米。
实施例33.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第四阻挡层的厚度为至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米和至少约0.4纳米。
实施例34.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL4/THFL进一步为不大于约5，其中THBL4为所述第四阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度。
实施例35.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的厚度比THBL4/THFL进一步为至少约0.002，其中THBL4为所述第四阻挡层的所述厚度并且THFL为所述功能层的所述厚度。
实施例36.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第四阻挡层邻近于所述第三阻挡层、邻近于所述功能层。
实施例37.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠进一步包含第一电介质层。
实施例38.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一电介质层包含ITO、SnZnO、SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2.、TiOx、In2O3或AZO。
实施例39.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一电介质层的厚度为不大于约100纳米。
实施例40.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一电介质层的厚度为至少约3纳米。
实施例41.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一电介质层在所述第二阻挡层和所述第一聚合物衬底之间。
实施例42.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠进一步包含第二电介质层。
实施例43.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二电介质层包含ITO、SnZnO、SiO2、Si3N4、Nb2O5、TiO2、TiOx、In2O3或AZO。
实施例44.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二电介质层的厚度为不大于约100纳米。
实施例45.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二电介质层的厚度为至少约3纳米。
实施例46.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二电介质层在所述第二阻挡层和所述第一聚合物衬底之间。
实施例47.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一衬底层包含PET，由PET组成。
实施例48.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠进一步包含第二衬底层，其中所述第二衬底层为玻璃层，其中所述第二衬底层为聚合物衬底层。
实施例49.根据先前实施例中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第二衬底层包含PET，由PET组成。
实例
将在以下实例中进一步描述本文所述的概念，这些实例不限制在权利要求书中所描述的本发明的范围。
样品复合堆叠
根据本文所述的某些实施例配置和形成六个样品复合堆叠(S1-S6)。所有六个样品复合堆叠(S1-S6)均包括第一衬底层、第一(即，底)电介质层和第二(即，顶)电介质层。位于底电介质层和顶电介质层之间的每个堆叠中的层的配置(包括整体层组成、布置和厚度)概括于下表1中。应了解，表1中所列层的顺序指示复合堆叠中层的顺序，其中表中的底行对应于复合堆叠中的底层。
表1-样品复合堆叠配置
*划掉的格指示堆叠中无对应的层。
使用10天BSN测试和使用21天BSN测试评估每个样品复合堆叠的性能。BSN测试根据标准EN10962进行。具体来说，BSN持续时间测试由在恒定温度下将经涂布层暴露于潮湿和咸(中性)氛围组成。将待测试的经涂布层沉积于柔性PET衬底上，并且贯穿测试的持续时间，此衬底层压到玻璃支持物。将样品(大小100mm×100mm)放置在腔室内部，以20mm≤距离≤40mm(每个样品之间)以相对于垂直轴线15°+/-5°的倾角均匀散布。具有经涂布层的侧面应面朝上，或朝向腔室的门。设计用于此测试的机器应具有总体积高于0.4m3的腔室。腔室内部的盐水平必须自动地受控制以便贯穿测试持续时间保证盐浓度均匀地在50g/l+/-5g/l和温度在+/-下。应距腔室的壁至少100mm测量温度。盐喷雾剂pH应为中性的。腔室必须在样品引入之前至少24小时启动并且调节以测试平衡条件。不应允许中性盐水(通常沿机器的边缘和侧壁累积)直接滴到样品表面上。
在每个样品复合堆叠(S1-S6)中层的总体厚度被配置成对于每个样品复合堆叠，产生70％的VLT。应了解，在每个样品复合堆叠中功能层和阻挡层的相对厚度可如本文所述地调节，使得复合堆叠可实现在约10％到约99％范围内的任何期望VLT。
记录的性能测量结果包括薄层电阻演变(ΔRsq)和可见反射演变(ΔRL)。结果提供在下表2中。
表2-样品复合堆叠性能测量结果
如表2中所示，样品S1-S6示出在10天之后，无薄层电阻或可见光反射演变的增加。如表2中进一步所示，样品S1-S6仅示出在21天之后薄层电阻或可见光反射演变的有限增加。
还通过每个样品复合堆叠的表面的光学显微图像的视觉评估来评估每个样品复合堆叠的性能。
图7a包括样品S1在10天BSN测试之后的表面的图像。图7b包括样品S2在10天BSN测试之后的表面的图像。图7c包括样品S3在10天BSN测试之后的表面的图像。图7d包括样品S4在10天BSN测试之后的表面的图像。图7e包括样品S5在10天BSN测试之后的表面的图像。图7f包括样品S6在10天BSN测试之后的表面的图像。
如图7a-7f中所示，样品S1-S6示出在光学图像上，无裂纹迹象、无分层并且几乎无腐蚀点。
图8a包括样品S1在21天BSN测试之后的表面的图像。图8b包括样品S2在21天BSN测试之后的表面的图像。图8c包括样品S3在21天BSN测试之后的表面的图像。图8d包括样品S4在21天BSN测试之后的表面的图像。图8e包括样品S5在21天BSN测试之后的表面的图像。
如图8a-8e中所示，样品S1-S5同样示出在光学图像上，无裂纹迹象、无分层和仅小的腐蚀点。
比较样品复合堆叠
根据上述方法制备九个比较样品复合堆叠堆叠(CS1-CS9)。所有九个样品比较样品复合堆叠(CS1-CS9)包括第一衬底层、第一(即，底)电介质层和第二(即，顶)电介质层。位于底电介质层和顶电介质层之间的每个堆叠中的层的配置(包括整体层组成、布置和厚度)概括于下表3中。应了解，表中所列层的顺序指示比较复合堆叠中层的顺序，其中表中的底行对应于比较复合堆叠中的底层。
表3-比较样品堆叠配置
*划掉的格指示堆叠中无对应的层。
使用10天BSN测试和使用21天BSN测试评估每个样品复合堆叠的性能。BSN测试我们根据标准EN10962且如上所述进行。性能测量结果包括薄层电阻(ΔRsq)和可见反射演变(ΔRL)。结果提供在下表4中。
表4-比较样品复合堆叠性能测量结果
*NMP指示样品被破坏，不能进行测量
还通过比较样品复合堆叠的表面的光学显微图像的视觉评估来评估某些比较样品复合堆叠堆叠的性能。
图9a包括CS1在10天BSN测试之后的表面的图像。图9b包括CS2在10天BSN测试之后的表面的图像。图9c包括CS3在10天BSN测试之后的表面的图像。图9d包括CS4在10天BSN测试之后的表面的图像。图9e包括CS5在10天BSN测试之后的表面的图像。图9f包括CS6在10天BSN测试之后的表面的图像。图9g包括CS7在10天BSN测试之后的表面的图像。图9h包括CS8在10天BSN测试之后的表面的图像。图9i包括CS9在10天BSN测试之后的表面的图像。
如所示，当图9a-9i与图7a-7f相比时，当与根据本文所述的实施例形成的样品复合堆叠(S1-S6)相比时，样品CS1-CS9示出在10天之后在光学图像上增加的裂纹迹象、增加的分层和增加的腐蚀点大小。
图10a包括CS4在21天BSN测试之后的表面的图像。图10b包括CS5在21天BSN测试之后的表面的图像。图10c包括CS6在21天BSN测试之后的表面的图像。
同样如所示，当图10a-10c与图8a-8e相比时，当与根据本文所述的实施例形成的样品复合堆叠(S1-S6)相比时，样品CS4-CS6示出在21天之后在光学图像上增加的裂纹迹象、增加的分层和增加的腐蚀点大小。
前述实施例表示与目前先进技术相背离。值得注意的是，本文实施例的复合安全性堆叠包括在本领域中先前未识别出的特征的组合并且有助于性能改进。这类特征可包括但不限于在复合堆叠内层的特定配置，包括使用包括阻挡层的双阻挡结构或堆叠，所述阻挡层包括选自Ti、Ni、Cr、Cu、Al、Mg、NiCr或其合金中的任一种的阻挡材料并且邻近于耐腐蚀的阻挡层。本文所述的复合堆叠实施例已展现优于目前先进技术复合堆叠的引人注目的且出人意料的改进。具体来说，它们已示出改进的保护和耐久性性能同时符合与低发射率特征组合的所需VLT和TSER透射率。
应注意，并非在上文一般描述或实例中所描述的所有活动都是需要的，一部分具体活动可为不需要的，并且可执行除所述活动之外的一种或多种其它活动。再者，活动的所列顺序未必是所述活动执行的顺序。
上文已关于具体实施例描述益处、其它优势和对问题的解决方案。然而，这些益处、优势、问题的解决方案以及任何一个或多个可以使任何益处、优势或解决方案发生或变得更显著的特征不应被解释为任何或所有权利要求的重要的、必要的或基本的特征。
本文所描述的说明书和实施例的图示旨在提供对各种实施例的结构的一般理解。所述说明书和图示并不旨在充当使用本文所描述的结构或方法的设备和***的所有元件和特征的详尽并且全面的描述。单独的实施例还可组合地提供于单个实施例中，并且相反，为简洁起见，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地或以任何子组合来提供。另外，对在范围中所陈述值的参考包括所述范围内的每一个值。本领域技术人员仅在阅读本说明书之后，就可以清楚许多其它实施例。可使用其它实施例并且所述实施例可从本公开导出，使得在不脱离本公开的范围的情况下，可进行结构替代、逻辑替代或另一变化。因此，本公开应被视为说明性的而非限制性的。
Claims (15)
1.一种复合堆叠，包含：
第一衬底层；
包含银的功能层；
包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和
包含NiCr的第二阻挡层，
其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；并且
其中所述复合堆叠的VLT为至少约50％并且TSER为至少约30％。
2.一种复合堆叠，包含：
第一衬底层；
包含银的功能层；
包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和
包含NiCr的第二阻挡层，
其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；并且
其中所述复合堆叠的发射率为不大于约20％。
3.一种形成复合堆叠的方法，包含：
提供第一衬底层；
形成包含银的功能层；
形成包含耐腐蚀材料的第一阻挡层；和
形成包含NiCr的第二阻挡层，
其中所述第二阻挡层邻近于所述第一阻挡层；
其中所述复合堆叠的VLT为至少约50％并且TSER为至少约30％。
4.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一衬底包含聚合物材料。
5.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述耐腐蚀材料包含钌、铑、钯、银、锇、铱、铂或金。
6.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层由金组成。
7.根据权利要求2所述的复合堆叠，其中所述复合堆叠的VLT为至少约10％。
8.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的VLT为不大于约99％。
9.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的TSER为至少约至少约40％。
10.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层由银组成。
11.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层的厚度为至少约5纳米。
12.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述功能层的厚度为不大于约40纳米。
13.根据权利要求1和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述复合堆叠的发射率为不大于约20％。
14.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层的厚度为不大于约10纳米。
15.根据权利要求1、2和3中任一项所述的复合堆叠或方法，其中所述第一阻挡层的厚度为至少约0.1纳米。
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