CN109069990A - 用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗 - Google Patents

用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗 Download PDF

Info

Publication number
CN109069990A
CN109069990A CN201780025125.1A CN201780025125A CN109069990A CN 109069990 A CN109069990 A CN 109069990A CN 201780025125 A CN201780025125 A CN 201780025125A CN 109069990 A CN109069990 A CN 109069990A
Authority
CN
China
Prior art keywords
exhaust system
sensors
downstream
temperature
remote plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780025125.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109069990B (zh
Inventor
马丁·A·希尔金
戴维·K·卡尔森
马修·D·斯科特奈伊卡斯尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN109069990A publication Critical patent/CN109069990A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109069990B publication Critical patent/CN109069990B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32963—End-point detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

本公开案的实施例一般是关于用于清洗排放***，例如与用于形成外延硅的处理腔室一起使用的排放***的方法及设备。排放***包含用于供应离子化气体穿过排放***的远端等离子来源，及置于远端等离子来源下游的一或更多个温度感测器。

Description

用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗
技术领域
本公开案的各方面一般是关于用于清洗排放***的方法及设备，例如用于形成外延硅的处理腔室的排放***。
背景技术
外延硅使用含硅前驱物气体在处理腔室中沉积。在处理腔室中预先决定数量的沉积周期之后，使用含氯气体清洗处理腔室。来自含氯气体的氯自由基与硅反应以形成氯硅烷，氯硅烷自处理腔室排放。氯硅烷为沉积于排放***的内表面上的可燃材料，且须周期性地移除。依据所需移除程度，移除氯硅烷的清洗时间可在自半天长至一个月的范围中。此外，氯硅烷可在排放***拆卸后于大气环境中与氧反应，因而形成氯代硅氧烷(chlorosiloxane)，氯代硅氧烷具有接触可***性。由于操作人员采取的额外预防措施，氯代硅氧烷的形成进一步延长用于清洗及维持所需时间。
因此，需要用于清洗排放***的改良的方法及设备。
发明内容
在一个方面中，处理***包括：处理腔室；及排放***，该排放***耦合至该处理腔室。该排放***包括：远端等离子来源，该远端等离子来源用于供应离子化清洗气体至该处理腔室下游的该排放***；及一或更多个感测器，该一或更多个感测器用于量测该排放***的一或更多个位置处的该排放***的温度。
在另一方面中，处理***包括：处理腔室；及排放***，该排放***耦合至该处理腔室。该排放***包括：远端等离子来源，该远端等离子来源用于供应离子化清洗气体至该处理腔室下游的该排放***；一或更多个感测器，该一或更多个感测器位于该远端等离子来源的下游，用于量测该排放***的一或更多个位置处的该排放***的温度；及终点侦测***，该终点侦测***位于该一或更多个感测器的下游；及真空泵，该真空泵位于该终点侦测***的下游。
在另一实施例中，用于清洗排放***的工艺包括以下步骤：将一或更多个离子化气体导入处理腔室下游的排放***；监视该排放***内的温度；及基于所监视的该温度，调整该一或更多个离子化气体的流动率。
附图说明
于是可以详细理解本公开案上述特征中的方式，可藉由参考各方面而具有本公开案的更特定描述(简短总结如上)，其中一些图示于所附图式中。然而，注意所附图式仅图示示范方面，因此不考虑限制其范围，因为本公开案可允许其他等效方面。
图1为根据本公开案的一个方面的处理***100的示意图示。
图2为图示清洗周期期间的排放***的温度回应的图形。
图3图示根据于此描述的方面在清洗之后排放***的分区的内视图。
为了便于理解，尽可能使用相同元件符号，以标示图式中共用的相同元件。设想一个方面的元件及特征可有利地并入其他方面，而无须进一步叙述。
具体实施方式
本公开案的各方面一般相关于用于清洗排放***，例如与用于形成外延硅的处理腔室一起使用的排放***的方法及设备。排放***包含用于供应离子化气体穿过排放***的远端等离子来源，及置于远端等离子来源下游的一或更多个温度感测器。注意设想于此描述的方法及设备的使用以用于其他工艺，例如蚀刻、或外延硅之外的材料沉积。
图1为根据本公开案的一个方面的处理***100的示意图示。处理***100包含耦合至排放***102的处理腔室101(例如外延沉积反应器)。排放***102在排放***102的下游端耦合至真空泵103，以便于排放物流动至位于排放***102下游的洗涤器122。排放***102可包含经由伸缩软管105耦合至排放***102的终点侦测***104。排放***102及伸缩软管105可设置于真空泵103的上游以便于清洗操作的终点的确定。
远端等离子来源(RPS)106耦合至排放***102以离子化清洗、冲洗、载送、或其他处理气体及提供离子化气体至排放***102。例如，第一气体供应来源107可耦合至RPS 106以提供惰性或非反应性气体(例如，氩)经由RPS 106至排放***102。此外，第二气体供应来源108可耦合至RPS 106以提供清洗气体(例如，NF3)经由RPS 106至排放***102。其他设想的清洗气体包含NF2H、CHF3、CF4，诸如此类。注意亦可设想其他清洗气体及其他非反应性气体。离子化气体便于累积的沉积自排放***102的内部移除，因而减少或消除对排放***102针对清洗的拆卸需求。
排放***102包含第一隔绝阀109，防止排放气体回流进入处理腔室101。处理腔室101可藉由壁120与真空泵103分隔。RPS 106经由气体通路110耦合至第一隔绝阀109下游的排放***102。气体通路110包含设置于气体通路110中的第二隔绝阀111以控制流经气体通路110的气体，因而控制自RPS 106流动至排放***102的气体。可藉由控制器(未图示)来控制隔绝阀109及111。
排放***102亦包含用于感测温度的一或更多个感测器112a至112g(图示七个)。第一温度感测器112a设置于隔绝阀109及111的下游及压力控制阀113的上游。剩下的感测器112b至112g置于压力控制阀113的下游及伸缩软管105的上游。感测器112a至112g便于监视排放***102不同位置处的排放温度。在一个方面中，感测器112a至112g置于排放***102中易受增加的排放物材料沉积影响的位置。例如，阀、管弯处、T形接头等易受增加的材料沉积影响。在一个实例中，感测器112a至112g可为热电耦。在一个实例中，温度感测器112e及112f位于地板121下方。
温度感测器112a至112g便于监视排放***102内的清洗操作。来自清洗气体的氟化物自由基与氯硅烷沉积物的反应为放热的。因此，一般可经由温度量测量化反应程度。例如，可藉由追踪排放***102内的温度来监视清洗操作的终点侦测。在感测器112a至112g处的升高温度指示清洗气体与沉积材料的反应，同时由于沉积材料的反应完成/移除而大致等于或接近大气温度的温度(或离开RPS 106的清洗气体的温度)指示实质完成的清洗操作。
此外或选择地，可使用感测器112a至112g以便于监视及控制清洗操作。例如，感测器112a至112g可监视温度以便防止排放***内的失控的放热反应。随着在特定感测器112a至112g处的量测温度接近预先决定的限制，可传递一讯号至控制器。相应地，控制器可调整离开RPS 106的清洗气体的流动率(及/或停止流动率)。清洗气体量的减少限制了排放***102内的反应程度，因而维持温度于所需水平。
设想每一感测器112a至112g可经程式化至相同或不同温度限制。例如，压力控制阀113可为温度敏感的，因而可限制相邻于压力控制阀113的感测器112a及112b至相对较低的温度，例如约摄氏70度至约摄氏80度。可放置感测器112c至112g相邻于如T形接头或管弯处(对温度较不敏感)的部件。在该实例中，用于感测器112c至112g的回馈讯号可设定于相对较高的温度，例如约摄氏110度至约摄氏130度。
亦设想控制器可基于多于一个温度感测器112a至112g的读数来回应。例如，若温度感测器112a至112g的其中仅一者记录高温，控制器可经配置而不回应，直至一或更多个额外温度感测器112a至112g纪录高温。
在另一实例中，每一感测器112a至112g可包含两级限制。例如，当达到第一限制，可传递讯号以减少清洗气体的流动。当达到第二、较高的限制，清洗气体的流动可完全暂停以终止排放***102中的任何反应。设想感测器112a至112g可耦合至任何合适的继电器或通讯链结以便于传输资料或控制气体流动。在一个实例中，可使用速动开关(snap switch)及/或互锁开关(interlock switch)以控制排放***102内的气体流动。可放置速动开关及/或互锁开关相邻于或耦合至个别的感测器112a至112g。
在另一实例中，控制器可经配置以在感测器112a至112g的其中一者或更多者中的温度上升率超过限制时反应。控制器可根据一设定区间对来自感测器112a至112g的温度读数取样、比较感测器112a至112g的连续读数以确定温度改变、及比较温度改变与一限制，该限制对所有感测器112a至112g而言可为相同的，或对任何或所有感测器112a至112g而言可为不同的。若任何或所有温度改变超过个别限制，控制器可随之调整清洗气体的流动。
可在预先决定的区间，例如在处理腔室101中处理特定数量的基板之后，在排放***中执行清洗操作。在清洗工艺中，关闭隔绝阀109以防止清洗气体回流进入处理腔室。可监视处理腔室101内的压力以确保隔绝阀未逸漏，因而不会不利地允许清洗气体进入处理腔室。随后，开启第二隔绝阀111以允许被RPS 106离子化的气体前进经过排放***102，此外，将压力控制阀113设定至产生适于碰撞等离子的压力的一位置，例如，约0.5torr至约1.5torr。接着，允许氩以约500每分钟标准立方厘米(sccm)至约3000sccm的范围内的流动率流经RPS 106。接着，在RPS 106中点燃等离子且允许等离子稳定例如持续约5秒至约10秒。
一旦等离子稳定，以100sccm至约500sccm的范围内的流动率提供清洗气体(例如NF3)至RPS 106，且允许清洗气体流经排放***102以移除排放***102内所累积的材料。耦合至一或更多个感测器112a至112g的控制***监视排放部件温度。若排放部件达到预先决定的临界值，减少或暂停清洗气体的流动以允许排放***102冷却。一旦温度冷却至预先决定的设定点，恢复或升高清洗气体流动。可重复该工艺直至充分地清洗排放***102。持续监视温度便于识别清洗终点。随着部件的温度接近大气温度，指示清洗终点。或者，可使用终点侦测***104(例如，可为非分散红外线感测器)来决定清洗处理终点侦测。
在清洗操作期间，可使用载送气体对清洗气体的可变流动比例来控制排放***内的温度。例如，当启动清洗操作时，可使用约2:1至约4:1的流动比例在RPS 106中离子化氩及NF3。在特定方面中，提供约1每分钟标准公升(slm)的氩至RPS 106，同时提供250sccm的NF3至RPS。随着持续的清洗操作，可增加NF3的流动率直至温度允许下达到氩对NF3 1:1的比例。只要处理参数安全允许，流动比例中的改变允许促进清洗处理。
在另一实施例中，可根据所需占空比(duty cycle)发出NF3气体流动的脉冲。设想发出NF3气体的脉冲可减缓排放***102内的温度增加率。作为另一选择，并非在达到温度临界值时减少或暂停清洗气体的流动，而是设想可扑灭RPS 106中的等离子。在该方面中，可允许清洗气体的流动以持续流动，因为清洗气体在未被RPS 106离子化时反应性较低。或者，当等离子被扑灭时亦可暂停NF3气体的流动。
图2为图示清洗周期期间的排放***的温度回应的图形。图示在每一感测器112b至112g(例如，压力控制阀113下游的感测器)处所量测的温度。温度中的相对尖波指示由于离子化清洗气体与沉积材料反应时的放热反应导致的温度增加、以及由于回应于达到临界值温度而减少或暂停清洗气体的流动导致的温度减少。一旦温度减少至预先决定设定点，恢复清洗气体的流动，如后续温度中的增加所指示。如图2中所展示，在感测器112c处在约500秒时达到约摄氏100度的临界值温度，触发清洗气体流动率中的减少。当感测器112c处的温度接近摄氏30度时，恢复清洗气体的流动率。后续地，在感测器112d处在约1100秒时达到约摄氏120度的临界值温度，触发清洗气体流动中的减少。在约1900秒、2500秒、3200秒、4000秒、5000秒、及6000秒处图示相似的尖峰事件。
如上述，持续清洗气体流动的循环直至充分地清洗排放***。尖峰幅度中的持续减少指示排放***内沉积材料中的减少，例如，反应物(例如，氯硅烷)中的减少。如所图示，在约7000秒处，所有感测器的排放***内的温度接近大气温度，指示处理终点。
在如上述清洗排放***102后，可冲洗排放***102以移除任何清洗气体或来自排放***102的反应副产物。在一个实例中，可使用来自清洗处理的载送气体(例如，氩)来冲净排放***102。在另一方面中，可使用氮来回填及冲净排放***102，同时隔绝阀109及111位于关闭位置中。可回填及冲净排放***102多次，例如约5至10次。
图3根据于此描述的各方面图示清洗之后排放***的分区的内视图。特定地，图3图示压力控制阀113的内视图。如所图示，于此描述的各方面充分地清洗压力控制阀113，没有展示出沉积。进行清洗而无对压力控制阀113的热损坏。
于此描述的各方面的益处包含更安全及更快的排放***清洗。于此描述的各方面可将清洗时间从高至一个月减少至与100分钟一样少或更少。此外，可延长频繁及昂贵的预防性维护之间的持续时间。此外，于此描述的各方面减少或消除拆卸排放***的需求，否则会暴露氯硅烷至大气的氧而形成氯代硅氧烷。即便需要拆卸，根据本公开案的各方面，在清洗之后暴露的部件具有远远较少呈现于上的氯硅烷。
在一个实例中，根据于此描述的各方面清洗排放***。拆卸后，在大气环境中量测到百万分之1.5(ppm)的浓度(低于5ppm的临界值)的盐酸(随着氯硅烷与大气的氧反应而排出盐酸)。相对比下，拆卸以进行清洗的传统排放***在暴露于大气环境时可能超过5ppm的HCl浓度。
前述是实施例的各方面，可修改本公开案其他及进一步的方面而不远离其基本范围，且该范围由随后的权利要求所决定。

Claims (15)

1.一种处理***，包括：
处理腔室；及
排放***，所述排放***耦合至所述处理腔室，所述排放***包括：
远端等离子来源，所述远端等离子来源用于供应离子化清洗气体至所述处理腔室下游的所述排放***；及
一或更多个感测器，所述一或更多个感测器用于量测所述排放***的一或更多个位置处的所述排放***的温度。
2.如权利要求1所述的处理***，进一步包括：第一隔绝阀，所述第一隔绝阀位于所述一或更多个感测器的上游及所述处理腔室的下游。
3.如权利要求2所述的处理***，进一步包括：
第二隔绝阀，所述第二隔绝阀位于所述一或更多个感测器的上游及所述远端等离子来源的下游；和
压力控制阀，所述压力控制阀位于所述第一隔绝阀及所述第二隔绝阀的下游，其中所述压力控制阀位于所述一或更多个感测器的其中至少一个感测器的下游及所述一或更多个感测器的其中至少另一感测器的上游。
4.如权利要求1所述的处理***，其中所述一或更多个感测器位于所述远端等离子来源的下游。
5.如权利要求1所述的处理***，进一步包括：
终点侦测***，所述终点侦测***位于所述一或更多个感测器的下游；和
真空泵，所述真空泵位于所述终点侦测***的下游。
6.如权利要求1所述的处理***，其中所述一或更多个感测器为多个感测器。
7.如权利要求1所述的处理***，其中所述一或更多个感测器的子集合耦合至排放线中的T形接头。
8.一种处理***，包括：
处理腔室；及
排放***，所述排放***耦合至所述处理腔室，所述排放***包括：
远端等离子来源，所述远端等离子来源用于供应离子化清洗气体至所述处理腔室下游的所述排放***；
一或更多个感测器，所述一或更多个感测器位于所述远端等离子来源的下游，用于量测所述排放***的一或更多个位置处的所述排放***的温度；及
终点侦测***，所述终点侦测***位于所述一或更多个感测器的下游；及
真空泵，所述真空泵位于所述终点侦测***的下游。
9.如权利要求8所述的处理***，进一步包括：第一隔绝阀，所述第一隔绝阀位于所述一或更多个感测器的上游及所述处理腔室的下游。
10.如权利要求9所述的处理***，进一步包括：第二隔绝阀，所述第二隔绝阀位于所述一或更多个感测器的上游及所述远端等离子来源的下游。
11.如权利要求10所述的处理***，进一步包括：压力控制阀，所述压力控制阀位于所述第一隔绝阀及所述第二隔绝阀的下游，其中所述压力控制阀位于所述一或更多个感测器的其中至少一个感测器的下游及所述一或更多个感测器的其中至少另一感测器的上游。
12.如权利要求8所述的处理***，其中所述一或更多个感测器为多个感测器。
13.如权利要求8所述的处理***，其中所述一或更多个感测器的子集合耦合至排放线中的T形接头。
14.一种用于清洗排放***的工艺，包括以下步骤：
将一或更多个离子化气体导入处理腔室下游的所述排放***；
监视所述排放***内的温度；及
基于所监视的所述温度，调整所述一或更多个离子化气体的流动率。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述一或更多个离子化气体由远端等离子来源所产生，其中所述一或更多个离子化气体以脉冲流动导入所述排放***。
CN201780025125.1A 2016-04-26 2017-04-04 用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗 Active CN109069990B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662327870P 2016-04-26 2016-04-26
US62/327,870 2016-04-26
PCT/US2017/025999 WO2017189194A1 (en) 2016-04-26 2017-04-04 Temperature controlled remote plasma clean for exhaust deposit removal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109069990A true CN109069990A (zh) 2018-12-21
CN109069990B CN109069990B (zh) 2021-11-16

Family

ID=60089372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780025125.1A Active CN109069990B (zh) 2016-04-26 2017-04-04 用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10500614B2 (zh)
JP (1) JP6924775B2 (zh)
KR (1) KR102194085B1 (zh)
CN (1) CN109069990B (zh)
TW (1) TWI702093B (zh)
WO (1) WO2017189194A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11332824B2 (en) * 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
WO2019241405A1 (en) * 2018-06-14 2019-12-19 Mks Instruments, Inc. Radical output monitor for a remote plasma source and method of use
JP7374158B2 (ja) * 2021-10-15 2023-11-06 株式会社荏原製作所 生成物除去装置、処理システム及び生成物除去方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1323917A (zh) * 2000-04-28 2001-11-28 佳能株式会社 薄膜淀积设备、薄膜淀积工艺、真空***以及判漏方法
US6872365B1 (en) * 1999-05-19 2005-03-29 Daimlerchrysler Ag Exhaust gas cleaning system having internal ammonia production for reducing nitrogen oxides
JP2006004962A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Canon Inc 堆積膜形成装置およびそのクリーニング方法
JP2007165805A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 National Univ Corp Shizuoka Univ 結晶成長方法及び結晶成長装置
US20070286766A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 Teratech Co., Ltd. Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment
CN101427352A (zh) * 2005-03-16 2009-05-06 高级技术材料公司 监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置
CN101437629A (zh) * 2004-10-26 2009-05-20 高级技术材料公司 用于清洗离子注入机元件的新方法
CN102758669A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 陈温乐 车辆排放废气中和降温处理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6592817B1 (en) * 2000-03-31 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Monitoring an effluent from a chamber
JP2006086156A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Canon Inc 生成物の除去方法
TWI279260B (en) * 2004-10-12 2007-04-21 Applied Materials Inc Endpoint detector and particle monitor
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
US7210338B2 (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Honda Motor Co., Ltd. Valve testing device having integrated purge circuit and method of valve testing
TW200725686A (en) * 2005-10-03 2007-07-01 Advanced Tech Materials Systems and methods for determination of endpoint of chamber cleaning processes
JP2011111655A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法、半導体薄膜の成膜方法、光電変換素子の製造方法およびプラズマｃｖｄ装置
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6872365B1 (en) * 1999-05-19 2005-03-29 Daimlerchrysler Ag Exhaust gas cleaning system having internal ammonia production for reducing nitrogen oxides
CN1323917A (zh) * 2000-04-28 2001-11-28 佳能株式会社 薄膜淀积设备、薄膜淀积工艺、真空***以及判漏方法
JP2006004962A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Canon Inc 堆積膜形成装置およびそのクリーニング方法
CN101437629A (zh) * 2004-10-26 2009-05-20 高级技术材料公司 用于清洗离子注入机元件的新方法
CN101427352A (zh) * 2005-03-16 2009-05-06 高级技术材料公司 监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置
JP2007165805A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 National Univ Corp Shizuoka Univ 結晶成長方法及び結晶成長装置
US20070286766A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 Teratech Co., Ltd. Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment
CN102758669A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 陈温乐 车辆排放废气中和降温处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201801813A (zh) 2018-01-16
CN109069990B (zh) 2021-11-16
TWI702093B (zh) 2020-08-21
JP2019518327A (ja) 2019-06-27
WO2017189194A1 (en) 2017-11-02
US10500614B2 (en) 2019-12-10
KR102194085B1 (ko) 2020-12-22
US20170304877A1 (en) 2017-10-26
KR20180128082A (ko) 2018-11-30
JP6924775B2 (ja) 2021-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109069990A (zh) 用于排放沉积移除的温度控制远端等离子清洗
US9970112B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US8026113B2 (en) Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network
CN102339731B (zh) 薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置
JP6403577B2 (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム並びにクリーニング終了判定方法
JP2002334869A (ja) シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
TW577105B (en) Dry cleaning time determining system, dry cleaning method, and dry cleaning system of semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
TWI741480B (zh) 含有矽之物質形成裝置
WO2007112180A2 (en) Semiconductor processing system with wireless sensor network monitoring system incorporated therewith
KR100680863B1 (ko) 처리시스템 및 이 처리시스템의 가동방법
US11860973B2 (en) Method and system for foreline deposition diagnostics and control
JPH11345778A (ja) 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構
TW201727073A (zh) 真空泵之判斷系統及真空泵
JP2010016106A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP2011058033A (ja) 排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法
JP2001284264A (ja) 気相成長方法
JP2006005118A (ja) 半導体製造装置
JP2933074B2 (ja) 気相成長装置及びクリーニング方法
JP2005108932A (ja) 半導体製造装置
JPH10176272A (ja) クリーニング方法及びクリーニング装置
US10669626B2 (en) Processing system and processing method
JP2007287935A (ja) 気相成長装置とそれを用いた半導体装置の製造方法
KR200248849Y1 (ko) 반도체 공정 챔버의 히팅 장치
JPH0878339A (ja) 半導体製造装置
US20230366081A1 (en) Semiconductor processing tool and methods of operation

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant