CN109031820A - 一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板的制作方法包括：步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区；步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件；步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。本发明通过在阵列基板中的静电释放器件的上方增加金属层，使得金属层和静电释放器件构成电容，从而具备一定的抗静电作用的同时均衡金属层上下多晶硅层的应力；此外，通过在金属层的上方设置绝缘层通孔，减小金属层上方的氮化硅层的厚度，进一步降低非金属层叠加应力大的影响。

Description

一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板
技术领域
本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种显示器件的阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。
背景技术
小尺寸显示器生产制造过程中，很多制程容易产生静电，导致线路炸伤，电路异常，从而导致显示异常；为降低静电对产品的影响，光罩制作时会增加很多防静电放电（ESD）的器件；金属防护线路（Guard Ring）制作将相邻两阵列基板的地相连，两个面板通过金属防护线路将两者的地进行连接，因而在各制程产生的静电可在相邻面板之间传导，可起到更好的分散静电防炸伤的作用；金属防护线路制作在阵列基板上，利用掺杂离子植入导通两边地；多晶硅上方无金属图案，后层氧化硅或氮化硅约11200um，生产过程静电和膜层应力双重作用，极易产生膜层裂纹，并逐步恶化至膜层剥落：氧化硅或氮化硅断裂一直延伸至静电释放器件、缓冲层，严重情况阵列基板上膜层整层掀起，裂纹和膜层缺失使金属防护线路在阵列段发生断裂，对后端液晶制程无法起到防静电作用；且裂纹增加水汽入侵几率，产品可靠性风险增加；另外，阵列段金属防护线路处制作，在阵列基板和彩膜基板合板后，因单元切割线附近有制作隔离子层支撑，此处因多晶硅垫层地势高，应力不均情况更显著，更易发生膜层裂纹，增加后端风险。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，可以通过在阵列基板的静电释放器件的上方增加一层金属层，使之与静电释放器件构成电容，并在金属层的上方设置绝缘层孔，进一步降低非金属层叠加应力。
本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区；
步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件；
步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。
其中，所述步骤S2具体包括：
在所述玻璃基板的非显示区依次制作缓冲层和所述静电释放器件。
其中，所述步骤S3具体包括：
在所述静电释放器件上依次制作栅绝缘层和层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上制作所述金属层。
其中，所述方法还包括：
步骤S4、在所述金属层上方依次制作绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置有过孔。
本发明还提供一种阵列基板，至少包括：
玻璃基板，具有显示区和非显示区；
静电释放器件，设置在所述玻璃基板的非显示区；
金属层，设置在所述静电释放器件的上方，与所述静电释放器件构成电容。
其中，还包括：
形成在所述玻璃基板上的缓冲层，所述静电释放器件设置于所述非显示区的缓冲层上。
其中，还包括：
依次形成在所述静电释放器件上的栅绝缘层和层间绝缘层，所述金属层形成于所述层间绝缘层上。
其中，还包括：
依次形成在所述金属层上方的绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置有过孔。
本发明还提供一种显示面板，包括前述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
本发明通过在阵列基板中的静电释放器件的上方增加金属层，使得金属层和静电释放器件构成电容，从而具备一定的抗静电作用的同时均衡金属层上下多晶硅层的应力；此外，通过在金属层的上方设置绝缘层通孔，减小金属层上方的氮化硅层的厚度，进一步降低非金属层叠加应力大的影响，降低了切割过程中基板形变时重掺杂多晶硅释放器件区域的应力，防止切割导致的膜裂，提高显示器件制程的稳定性和切割良率，从而提高了显示器件的制作优良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中具备静电释放器件的显示母板的平面示意图。
图2是现有技术中显示面板的构造示意图。
图3是本发明实施例中的显示面板的构造示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附图，用以示例本发明可以用以实施的特定实施例。
图1示出了现有技术中具备静电释放器件的显示母板的示意图，该显示母板包括显示面板1和显示面板2，显示面板1包括金属防护线路11，显示面板2包括金属防护线路22，从图中可以看出，金属防护线路11和金属防护线路22连通。
图2示出了现有技术中显示面板的工艺结构图，显示面板包括阵列基板3和彩膜基板4，以及设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层（图中未示出），其中，彩膜基板4包括第一玻璃基板41和隔离子层42，阵列基板3包括第二玻璃基板31，第二玻璃基板31包括显示区域和非显示区域，在第二玻璃基板31的非显示区域上依次形成的缓冲层32、静电释放器件33、栅绝缘层34和层间绝缘层35，形成在层间绝缘层35上的第一绝缘层36、第二绝缘层37和钝化层38，其中，该静电释放器件为一重掺杂多晶硅层，由于在阵列基板的非显示区域增加了静电释放器件33，因而在阵列基板3与彩膜基板4相对的一面，在非显示区域会形成突出部分，因而在将彩膜基板4与阵列基板3组立切割时，会导致受力不均，阵列基板3膜层破裂。
本发明实施例一提供一种阵列基板的制作方法，其包括如下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区。
步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件。
其中，步骤S2具体包括：
在玻璃基板的非显示区依次制作缓冲层和静电释放器件，具体的静电释放器件为一重掺杂多晶硅层。
步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。
其中步骤S3具体包括：
在所述静电释放器件的上方依次制作栅绝缘层和层间绝缘层，该金属层形成于层间绝缘层的上方。
该制作方法还包括步骤S4：
在所述金属层的上方依次制作绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置有过孔。
其中，通过在金属层的上方设置绝缘层过孔，使得金属层上方的4000um SiN厚度降低为1000um（PV），进一步降低非金属层叠加应力大的影响。
本发明实施例二提供一种阵列基板，该阵列基板至少包括：
玻璃基板，具有显示区和非显示区；
静电释放器件，设置在所述玻璃基板的非显示区；
金属层，设置在所述静电释放器件的上方，与所述静电释放器件构成电容。
具体地，该静电释放器件为一重掺杂多晶硅层。
具体地，该阵列基板还包括：形成在所述玻璃基板上的缓冲层，所述静电释放器件设置于所述非显示区的缓冲层上。
具体地，该阵列基板还包括：形成在静电释放器件与金属层之间的栅绝缘层和层间绝缘层，金属层位于层间绝缘层上。
具体地，该阵列基板还包括：
依次形成在金属层上方绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置绝缘层过孔。
本发明实施例三提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置在两者之间的液晶层，
彩膜基板包括基板，在所述基板的非显示区域设置有隔离子层，
阵列基板，在所述阵列基板的玻璃基板的非显示区域设置有静电释放器件和设置在所述静电释放器件上方与所述静电释放器件构成电容的金属层。
具体地，该阵列基板还包括：形成在玻璃基板与静电释放器件之间的缓冲层，静电释放器件设置于所述缓冲层上。
具体地，该阵列基板还包括：形成在所述静电释放器件与所述金属层之间的栅绝缘层和层间绝缘层，所述金属层形成于所述层间绝缘层上。
具体地，阵列基板还包括：依次形成在金属层上方的绝缘层和钝化层，在绝缘层上设置绝缘层过孔。
以下参照图3具体说明， 在本实施例中，本发明的显示面板包括相对设置的彩膜基板4、阵列基板5和设置在彩膜基板4和阵列基板5之间的液晶层（图中未示出），彩膜基板包括第一玻璃基板41和隔离子层42，其中隔离子层42包括多个隔离子，阵列基板5包括第二玻璃基板31，以及依次在第二玻璃基板31上形成的缓冲层32、静电释放器件33、栅绝缘层34、层间绝缘层35、金属层39、绝缘层过孔40和钝化层38。其中，静电释放器件33为一重掺杂多晶硅层，由于静电释放器件33和金属层39之间只存在多晶硅，因而静电释放器件33和金属层39之间形成了电容，该电容可存储一定的静电，具有一定的抗静电释放的作用，同时，该金属层39还能均衡上下非金属层的应力。在金属层39的上方，将原有的第一绝缘层37和第二绝缘层38设置成绝缘层过孔，使得金属层39上方的4000um SiN厚度降低为1000um，进一步降低非金属层叠加应力大的影响。
本发明通过在阵列基板中的静电释放器件的上方增加金属层，使得金属层和静电释放器件构成电容，从而具备一定的抗静电作用的同时均衡金属层上下多晶硅层的应力；此外，通过在金属层的上方设置绝缘层通孔，减小金属层上方的氮化硅层的厚度，进一步降低非金属层叠加应力大的影响，降低了切割过程中基板形变时重掺杂多晶硅释放器件区域的应力，防止切割导致的膜裂，提高显示器件制程的稳定性和切割良率，从而提高了显示器件的制作优良率。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一玻璃基板，所述玻璃基板包括显示区和非显示区；
步骤S2、在所述玻璃基板的非显示区制作静电释放器件；
步骤S3、在所述静电释放器件上方制作金属层，使所述金属层与所述静电释放器件构成电容。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
在所述玻璃基板的非显示区依次制作缓冲层和所述静电释放器件。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：
在所述静电释放器件上依次制作栅绝缘层和层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上制作所述金属层。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S4、在所述金属层上方依次制作绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置有过孔。
5.一种阵列基板，其特征在于，至少包括：
玻璃基板，具有显示区和非显示区；
静电释放器件，设置在所述玻璃基板的非显示区；
金属层，设置在所述静电释放器件的上方，与所述静电释放器件构成电容。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
形成在所述玻璃基板上的缓冲层，所述静电释放器件设置于所述非显示区的缓冲层上。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
依次形成在所述静电释放器件上的栅绝缘层和层间绝缘层，所述金属层形成于所述层间绝缘层上。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
依次形成在所述金属层上方的绝缘层和钝化层，在所述绝缘层上设置有过孔。
9.一种显示面板，其特征在于：
包括权利要求5-8任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
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