CN108983516A - Tft阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板。该TFT阵列基板通过在钝化层中设置对应像素电极的凹槽，将像素电极的主干及多个像素电极分支设置于凹槽中，使像素电极的主干及多个像素电极分支完全嵌入钝化层中，或者，通过在钝化层上设置与像素电极处于同一层的平坦层，该像素电极的上表面与平坦层的上表面处于同一水平面，使像素电极完全嵌入平坦层中，提高像素电极分支的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。
就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。
现有的VA型液晶显示面板将导电薄膜制作于钝化(Passivation)层的表面，后续进行图案化导电薄膜形成像素电极，接着再进行配向膜涂布及配向制程。通常现有的像素电极为“米”字型图案，包括“十”字型的主干以及相对于“十”字型的主干呈45°方向延伸的的多个像素电极分支，而相邻两个像素电极分支的边缘存在较强的边缘电场，在水平方向距离像素电极较远的电场，其方向并没有很好地倾斜到45°，并且在像素电极分支的边缘，电场较为不稳定，强度较高；此外，相邻两个像素电极分支之间的中心区域，电场方向倾向于水平并且强度较低。因此，像素电极分支的高度会在一定程度影响多个像素电极分支之间的液晶排布，继而影响液晶显示面板的透过率与暗态漏光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极；
所述钝化层中对应像素电极设有凹槽，该像素电极位于所述凹槽中。
所述像素电极包括：呈十字形的主干、连接所述主干并沿不同方向延伸的多个像素电极分支以及连接所有像素电极分支的末端和主干的封闭框。
所述凹槽的形状与像素电极的主干及多个像素电极分支的形状相同；所述像素电极的主干及多个像素电极分支位于所述凹槽中，所述像素电极的封闭框位于钝化层上。
所述像素电极的主干及多个像素电极分支的上表面均与钝化层的上表面处于同一水平面。
多个像素电极分支分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
所述像素电极经由一贯穿钝化层的过孔与所述TFT层的漏极接触；所述过孔与凹槽通过同一道黄光制程制作。
本发明还提供一种TFT阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的钝化层、设于所述钝化层上的像素电极以及设于所述钝化层上的平坦层；
所述平坦层的上表面与像素电极的上表面处于同一水平面。
所述像素电极包括：呈十字形的主干、连接所述主干并沿不同方向延伸的多个像素电极分支以及连接所有像素电极分支的末端和主干的封闭框。
所述像素电极的主干、多个像素电极分支及封闭框的上表面均与平坦层的上表面处于同一水平面。
多个像素电极分支分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
本发明的有益效果：本发明的TFT阵列基板，通过在钝化层中设置对应像素电极的凹槽，将像素电极的主干及多个像素电极分支设置于凹槽中，使像素电极的主干及多个像素电极分支完全嵌入钝化层中，或者，通过在钝化层上设置与像素电极处于同一层的平坦层，该像素电极的上表面与平坦层的上表面处于同一水平面，使像素电极完全嵌入平坦层中，提高像素电极分支的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的TFT阵列基板的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的TFT阵列基板的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的TFT阵列基板的第一实施例和第二实施例的像素电极的示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板的第一实施例和第二实施例的俯视图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种TFT阵列基板的第一实施例，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的TFT层20、设于所述TFT层20上的钝化层30以及设于所述钝化层30上的像素电极40；
所述钝化层30对应像素电极40设有凹槽31，该像素电极40位于所述凹槽31中。
具体的，请参阅图3，所述像素电极40包括：呈十字形的主干41、连接所述主干41并沿不同方向延伸的多个像素电极分支42以及连接所有像素电极分支42的末端(以像素电极分支42远离主干41的一端为末端)和主干41的封闭框43；
进一步的，所述凹槽31的形状与像素电极40的主干41及多个像素电极分支42的形状相同；所述像素电极40的主干41及多个像素电极分支42位于所述凹槽31中，而像素电极40的封闭框43位于钝化层30上，用于保证多个像素电极分支42的连通。
进一步的，所述像素电极40的主干41及多个像素电极分支42的上表面与钝化层30的上表面处于同一水平面，即像素电极40的主干41及多个像素电极分支42完全嵌入钝化层30中。
具体的，该TFT阵列基板的制作方法为：首先在所述衬底基板10上形成TFT层20，接着在所述TFT层20上形成钝化层30，通过曝光显影制程在钝化层30中形成凹槽31，然后在所述钝化层30上沉积一层导电薄膜，对该导电薄膜通过曝光显影制程进行图案化形成像素电极40，该像素电极40的主干41及多个像素电极分支42位于凹槽31中，像素电极40的封闭框43位于钝化层30上。
具体的，所述像素电极40的材料为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述TFT阵列基板应用于垂直配向型液晶显示面板。
进一步的，在垂直配向型液晶显示面板中，透过率 其中，T为透过率，为液晶的方位角，n为折射率，d为盒厚，λ为波长；当液晶的方位角偏转到45°的位置，此时入射光经过液晶层后偏振方向发生90°偏转，透过率T极大。因此多个像素电极分支42分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸，使多个像素电极分支42与主干41配合起来呈“米”字型图案，即多个像素电极分支42与主干41均呈45°排列，使得VA型液晶显示面板在施加电压驱动时，液晶的方位角均能够沿着45°方向排列。
具体的，请参阅图4，所述TFT层20包括设于衬底基板10上的第一金属层M1，以及设于第一金属层M1上并与第一金属层M1绝缘的第二金属层M2；所述第一金属层M1包括沿水平方向延伸的多条栅极线21以及与栅极线21连接的栅极22；所述第二金属层M2包括沿竖直方向延伸的多条数据线23、与数据线23连接的源极24以及与源极24间隔设置的漏极25。
进一步的，所述多条栅极线21与多条数据线23围成多个透光区11，所述像素电极40位于透光区11中；所述像素电极40经由一贯穿钝化层30的过孔VH与所述漏极25接触。
具体的，所述过孔VH与凹槽31通过同一道黄光制程制作，以节约工艺流程，降低制作成本。
需要说明的是，本发明在钝化层30中设置对应像素电极40的凹槽31，将像素电极40的主干41及多个像素电极分支42设置于凹槽31中，使像素电极40的主干41及多个像素电极分支42完全嵌入钝化层30中，提高像素电极分支42的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支42之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
请参阅图2，本发明提供一种TFT阵列基板的第二实施例，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的TFT层20、设于所述TFT层20上的钝化层30’、设于所述钝化层30’上的像素电极40以及设于所述钝化层30’上的平坦层50；
所述平坦层50的上表面与像素电极40的上表面处于同一水平面。
具体的，请参阅图3，所述像素电极40包括：呈十字形的主干41、连接所述主干41并沿不同方向延伸的多个像素电极分支42以及连接所有像素电极分支42的末端(以像素电极分支42远离主干41的一端为末端)和主干41的封闭框43；
进一步的，所述像素电极40的主干41、多个像素电极分支42及封闭框43的上表面与平坦层50的上表面处于同一水平面，即像素电极40完全嵌入平坦层50中。
具体的，该TFT阵列基板的制作方法为：首先在所述衬底基板10上形成TFT层20，接着在所述TFT层20上形成钝化层30’，然后在所述钝化层30’上沉积一层导电薄膜，对该导电薄膜通过曝光显影制程进行图案化形成像素电极40，最后再在所述钝化层30’上形成一层平坦层50，使该平坦层50的上表面与像素电极40的上表面处于同一水平面。
具体的，所述像素电极40的材料为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述TFT阵列基板应用于垂直配向型液晶显示面板。
进一步的，在垂直配向型液晶显示面板中，透过率 其中，T为透过率，为液晶的方位角，n为折射率，d为盒厚，λ为波长；当液晶的方位角偏转到45°的位置，此时入射光经过液晶层后偏振方向发生90°偏转，透过率T极大。因此多个像素电极分支42分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸，使多个像素电极分支42与主干41配合起来呈“米”字型图案，即多个像素电极分支42与主干41均呈45°排列，使得VA型液晶显示面板在施加电压驱动时，液晶的方位角均能够沿着45°方向排列。
具体的，请参阅图4，所述TFT层20包括设于衬底基板10上的第一金属层M1，以及设于第一金属层M1上并与第一金属层M1绝缘的第二金属层M2；所述第一金属层M1包括沿水平方向延伸的多条栅极线21以及与栅极线21连接的栅极22；所述第二金属层M2包括沿竖直方向延伸的多条数据线23、与数据线23连接的源极24以及与源极24间隔设置的漏极25。
进一步的，所述多条栅极线21与多条数据线23围成多个透光区11，所述像素电极40位于透光区11中；所述像素电极40经由一贯穿钝化层30’的过孔VH与所述漏极25接触。
需要说明的是，本发明在钝化层30’上设置与像素电极40处于同一层的平坦层50，该像素电极40的上表面与平坦层50的上表面处于同一水平面，使像素电极40完全嵌入平坦层50中，提高像素电极分支42的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支42之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
综上所述，本发明的TFT阵列基板，通过在钝化层中设置对应像素电极的凹槽，将像素电极的主干及多个像素电极分支设置于凹槽中，使像素电极的主干及多个像素电极分支完全嵌入钝化层中，或者，通过在钝化层上设置与像素电极处于同一层的平坦层，该像素电极的上表面与平坦层的上表面处于同一水平面，使像素电极完全嵌入平坦层中，提高像素电极分支的边缘电场的稳定性，以及提高相邻两个像素电极分支之间的中心区域电场的稳定性，稳定电场方向的倾斜角度，从而提高液晶显示面板的透过率，并降低液晶显示面板的暗态漏光。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30)以及设于所述钝化层(30)上的像素电极(40)；
所述钝化层(30)中对应像素电极(40)设有凹槽(31)，该像素电极(40)位于所述凹槽(31)中。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)包括：呈十字形的主干(41)、连接所述主干(41)并沿不同方向延伸的多个像素电极分支(42)以及连接所有像素电极分支(42)的末端和主干(41)的封闭框(43)。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽(31)的形状与像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)的形状相同；所述像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)位于所述凹槽(31)中，所述像素电极(40)的封闭框(43)位于钝化层(30)上。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)的主干(41)及多个像素电极分支(42)的上表面均与钝化层(30)的上表面处于同一水平面。
5.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，多个像素电极分支(42)分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)经由一贯穿钝化层(30)的过孔(VH)与所述TFT层(20)的漏极(25)接触；所述过孔(VH)与凹槽(31)通过同一道黄光制程制作。
7.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的钝化层(30’)、设于所述钝化层(30’)上的像素电极(40)以及设于所述钝化层(30’)上的平坦层(50)；
所述平坦层(50)的上表面与像素电极(40)的上表面处于同一水平面。
8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)包括：呈十字形的主干(41)、连接所述主干(41)并沿不同方向延伸的多个像素电极分支(42)以及连接所有像素电极分支(42)的末端和主干(41)的封闭框(43)。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极(40)的主干(41)、多个像素电极分支(42)及封闭框(43)的上表面均与平坦层(50)的上表面处于同一水平面。
10.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，多个像素电极分支(42)分别沿与水平方向呈45°、135°、-135°、及-45°夹角的方向延伸。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 518132 No. 9-2 Ming Avenue, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 518132 No. 9-2 Ming Avenue, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |