CN108962965B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有第一电极层，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案，所述第一电极层和所述辅助电极图案之间设置有隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接。本发明所提供的显示面板及其制备方法、显示装置，能够有效提升透明阴极的导电率，改善IR Drop现象。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示器件以其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度和可柔性显示等一系列优点，成为极具竞争力和发展前景的下一代显示器件。

相较于底发射型OLED显示器件，顶发射型OLED显示器件具有更大的开口率和更低的功耗等优点，广泛应用于手机等小尺寸屏幕显示。对于顶发射型OLED显示器件，由于需要兼顾透光率，因此透明阴极的厚度往往较薄，使得透明阴极的导电能力较差；且在大尺寸屏幕显示领域中，通常采用白光OLED(WOLED)、CF路线及开放式掩膜板(OPEN MASK)等技术制作顶发射型OLED显示器件，但由于透明阴极的大尺寸化制作工艺难度较大等工艺特性的存在，使得制作出的顶发射型OLED显示器件的中心区域和边缘区域的厚度存在差别，容易造成屏幕中心和边缘存在电压降(IR Drop)的问题，极大地影响了顶发射型OLED显示器件的效能和寿命。

因此，现有技术中的顶发射型OLED显示器件，透明阴极的导电能力较差，且容易产生IR Drop的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，用于有效提升透明阴极的导电率，改善IR Drop现象。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有第一电极层，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案，所述第一电极层和所述辅助电极图案之间设置有隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接。

可选地，所述导电结构包括带电纳米粒子。

可选地，所述显示面板为顶发射型OLED显示面板。

可选地，所述第一基底包括像素区域和非像素区域，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧还设置有第二电极层、多个像素界定图案和有机发光层，所述像素界定图案对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述像素界定图案之间限定出所述像素区域，所述有机发光层位于所述第二电极层和所述第一电极层之间，所述第二电极层和所述有机发光层位于所述像素区域。

可选地，所述有机发光层位于所述第二电极层的远离所述第一基底的一侧，所述第一电极层位于所述像素界定图案和所述有机发光层的远离所述第一基底的一侧且至少覆盖所述像素界定图案和所述有机发光层。

可选地，所述第二基底包括像素区域和非像素区域，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧还设置有彩色色阻和多个黑矩阵，所述黑矩阵对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述黑矩阵之间限定出所述像素区域，所述彩色色阻位于所述像素区域。

可选地，所述辅助电极图案对应位于所述黑矩阵的远离所述第二基底的一侧，且所述黑矩阵在所述第二基底上的投影至少覆盖对应的辅助电极图案在所述第二基底上的投影。

为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板的制备方法，该显示面板的制备方法包括：

在第一基底上形成第一电极层；

在第二基底上形成辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案；

将第一基底和第二基底进行压合，所述第一电极层位于所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧，所述辅助电极图案位于所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧；

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与所述辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接。

可选地，所述导电结构包括带电纳米粒子，所述将第一基底和第二基底进行压合之前还包括：

在所述第一电极层的远离所述第一基底的一侧上涂布隔垫物材料层，或者，在所述辅助电极图案的远离所述第二基底的一侧上涂布隔垫物材料层，所述隔垫物材料层中掺杂有所述带电纳米粒子；

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成隔垫物层包括：

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成电场，以使所述隔垫物材料层中的带电纳米粒子在所述电场的作用下向辅助电极图案对应的区域中移动，以在所述隔垫物材料层的辅助电极图案对应的区域中形成所述导电结构；

对所述隔垫物材料层进行固化，形成所述隔垫物层。

本发明的有益效果：

本发明所提供的显示面板及其制备方法、显示装置的技术方案中，第一电极层和辅助电极图案之间设置有隔垫物层，隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，第一电极层和所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构连接。从而提高了第一电极层的导电率，改善了显示面板的IR Drop的问题。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例三提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图3为涂布隔垫物材料层的示意图；

图4为涂布第一隔垫物材料层和第二隔垫物材料层的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示面板及其制备方法、显示装置进行详细描述。

图1为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，该显示面板包括相对设置的第一基底1和第二基底2，第一基底1的靠近第二基底2的一侧设置有第一电极层3，第二基底2的靠近第一基底1的一侧设置有辅助电极层，辅助电极层包括至少一个辅助电极图案4，第一电极层3和辅助电极图案4之间设置有隔垫物层5，隔垫物层5中设置有与辅助电极图案4对应的导电结构6，辅助电极图案4通过对应的导电结构6与第一电极层3连接。

本实施例中，显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板包括第一基底1和第一电极层3，第二基板包括第二基底2和辅助电极层。通过在第二基底2上设置辅助电极图案4，并通过导电结构6使对应的辅助电极图案4与第一基底1上的第一电极层3连接，从而提高了第一电极层3的导电率，改善了显示面板的IR Drop的问题，以保证显示面板的效能和寿命。同时，隔垫物层5的设置，能够有效支撑第一基板和第二基板。优选地，第一基板为阵列基板，第二基板为彩膜基板。

本实施例中，如图1所示，优选地，辅助电极图案4的数量为多个，导电结构6与辅助电极图案4一一对应设置。其中，导电结构6包括带电纳米粒子。

本实施例中，如图1所示，第一基底1包括像素区域A和非像素区域B，第二基底2包括像素区域A和非像素区域B。具体地，如图1所示，辅助电极图案4和对应的导电结构6均位于非像素区域B中。

本实施例中，如图1所示，第一基板还包括多个像素界定图案7，像素界定图案7设置于第一基底1的靠近第二基底2的一侧，像素界定图案7对应的区域即为第一基底1的非像素区域B，相邻的像素界定图案7之间限定出第一基底1的像素区域A。

本实施例中，如图1所示，第一基板还包括第二电极层8和有机发光层9，第二电极层8和有机发光层9均位于第一基底1的靠近第二基底2的一侧且均位于第一基底1的像素区域A，有机发光层9位于第一电极层3和第二电极层8之间。

具体地，如图1所示，第二电极层8位于第一基底1的靠近第二基底2的一侧，有机发光层9位于第二电极层8的远离第一基底1的一侧，第一电极层3位于像素界定图案7和有机发光层9的远离第一基底1的一侧且至少覆盖像素界定图案7和有机发光层9。

本实施例中，有机发光层9包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电致发光层、电子传输层以及电子注入层(图中未示出)，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电致发光层、电子传输层以及电子注入层从下至上依次设置。本实施例中，优选地，电致发光层为白光电致发光层，即有机发光层9为白光有机发光层。

本实施例中，第一基板还包括薄膜晶体管层(图中未示出)，第二电极层8与薄膜晶体管层连接。

本实施例中，如图1所示，第二基板还包括黑矩阵10，黑矩阵10位于第二基底2的靠近第一基底1的一侧，黑矩阵10对应的区域即为第二基底2的非像素区域B。具体地，辅助电极图案4对应位于黑矩阵10的远离第二基底2的一侧。本实施例中，黑矩阵10的数量为多个，黑矩阵10与辅助电极图案4对应设置，且黑矩阵10在第二基底2上的投影至少覆盖对应的辅助电极图案4在第二基底2上的投影。

本实施例中，如图1所示，相邻的黑矩阵10之间限定出第二基底2的像素区域A，第二基板还包括彩色色阻11，彩色色阻11位于第二基底2的靠近第一基底1的一侧且位于第二基底2的像素区域A。具体地，彩色色阻11包括红色色阻、绿色色阻或者蓝色色阻，从而实现彩色显示。

本实施例中，如图1所示，第一基板还包括隔垫物层5，隔垫物层5位于第一电极层3的远离第一基底1的一侧且覆盖第一电极层3；或者，第二基板还包括隔垫物层5，隔垫物层5位于辅助电极图案4、黑矩阵10和彩色色阻11的远离第二基底2的一侧且至少覆盖辅助电极图案4、黑矩阵10和彩色色阻11。

可选地，第一基板还包括隔垫物层5时，辅助电极图案4和对应的黑矩阵10还可以设置于隔垫物层5的远离第一基底1的一侧，且辅助电极图案4和对应的黑矩阵10位于第一基底1的非像素区域B。换言之，本实施例中，辅助电极图案4和对应的黑矩阵10可以设置于第二基底2上，也可以设置于第一基底1上，具体可根据实际需要进行设置。

本实施例中，优选地，第一基底1为玻璃基底或者柔性基底，第二基底2为玻璃基底或者柔性基底。

本实施例中，第一电极层3为透明电极层，第二电极层8为反射电极层。优选地，第一电极层3为透明阴极层，第二电极层8为反射阳极层。

其中，第一电极层3的材料为铟锌氧化物(IZO)或者金属合金材料，例如，金属合金材料为镁银合金(Mg/Ag)材料。

第二电极层8包括多层电极结构，优选地，第二电极层8包括第一电极结构、第二电极结构和第三电极结构(图中未示出)，第二电极结构位于第一电极结构和第三电极结构之间。其中，第一电极结构和第三电极结构的材料均为透明导电材料，例如，ITO，第二电极结构的材料为Ag。

本实施例中，优选地，隔垫物层5的材料为低粘度的环氧类、聚亚酰胺或者有机硅氧化合物。

本实施例中，优选地，辅助电极图案4的材料包括金属导电材料，例如，ITO。本实施例中，显示面板的空闲(Dummy)区域中导电垫(pad)与辅助电极图案4同材料同层形成。

本实施例中，优选地，像素界定图案7的颜色为黑色。

本实施例中，优选地，显示面板为顶发射型OLED显示面板。进一步优选地，显示面板为顶发射白光OLED显示面板。

本实施例所提供的显示面板的技术方案中，第一电极层和辅助电极图案之间设置有隔垫物层，隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，第一电极层和所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构连接。从而提高了第一电极层的导电率，改善了显示面板的IR Drop的问题。

本发明实施例二提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括上述实施例一提供的显示面板，关于该显示面板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。

本实施例所提供的显示装置的技术方案中，第一电极层和辅助电极图案之间设置有隔垫物层，隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，第一电极层和所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构连接。从而提高了第一电极层的导电率，改善了显示面板的IR Drop的问题。

图2为本发明实施例三提供的一种显示面板的制备方法的流程图，如图2所示，该显示面板的制备方法包括：

步骤301、在第一基底上形成像素界定图案。

如图1所示，在第一基底1上形成像素界定图案7。

具体地，步骤301包括：

步骤3011、在第一基底上沉积像素界定材料层。

其中，像素界定材料层的材料可以是聚亚酰胺，还可以是其他适合的材料，此处不再赘述。

步骤3012、对像素界定材料层进行构图工艺，形成像素界定图案。

如图1所示，对像素界定材料层(图中未示出)进行构图工艺，在第一基底1上形成像素界定图案7，像素界定图案7的数量为多个，像素界定图案7对应的区域为非像素区域B，相邻的像素界定图案7之间限定出像素区域A。其中，对像素界定材料层进行的构图工艺包括涂布、曝光和刻蚀等工艺。

步骤302、在第一基底上形成第二电极层。

如图1所示，在第一基底1上形成第二电极层8。具体地，采用溅射(Sputter)方式在第一基底1上形成第二电极层8，第二电极层8位于相邻的像素界定图案7之间。

步骤303、在第二电极层的远离第一基底的一侧形成有机发光层。

如图1所示，采用有机蒸镀方式，在第二电极层8的远离第一基底1的一侧形成有机发光层9。

步骤304、在第一基底上形成第一电极层。

具体地，如图1所示，通过蒸镀或溅射的方式，在有机发光层9和像素界定图案7的远离第一基底1的一侧形成第一电极层3。

步骤305、在第二基底上形成黑矩阵。

如图1所示，在第二基底2上形成黑矩阵10。

具体地，步骤305包括：

步骤3051、在第二基底上沉积黑矩阵材料层。

步骤3052、对黑矩阵材料层进行构图工艺，形成黑矩阵。

如图1所示，对黑矩阵材料层(图中未示出)进行构图工艺，在第二基底2上形成黑矩阵10，黑矩阵10的数量为多个，黑矩阵10对应的区域为非像素区域B，相邻的黑矩阵10之间限定出像素区域A。其中，对黑矩阵材料层进行的构图工艺包括涂布、曝光和刻蚀等工艺。

步骤306、在第二基底上形成辅助电极层，辅助电极层包括至少一个辅助电极图案。

具体地，如图1所示，采用溅射地方式，在黑矩阵10的远离第二基底2的一侧形成辅助电极层，辅助电极层包括至少一个辅助电极图案4，辅助电极图案4位于非像素区域B。

步骤307、在第二基底上形成彩色色阻。

如图1所示，在第二基底2上形成彩色色阻11，彩色色阻位于像素区域A。

具体地，步骤307包括：

步骤3071、在第二基底上沉积彩色色阻材料层。

步骤3072、对彩色色阻材料进行构图工艺，形成彩色色阻。

如图1所示，对彩色色阻材料层(图中未示出)进行构图工艺，在第二基底2上形成彩色色阻11。其中，对彩色色阻材料层进行的构图工艺包括涂布、曝光和刻蚀等工艺。

步骤308、在第一电极层的远离第一基底的一侧涂布隔垫物材料层，或者，在辅助电极图案的远离第二基底的一侧涂布隔垫物材料层，隔垫物材料层中掺杂有带电纳米粒子。

如图3所示，采用点胶机(Dispenser)或者喷墨印刷(Ink Jet Printing，简称：IJP)等设备，在第一电极层3的远离第一基底1的一侧涂布隔垫物材料层5，或者，在辅助电极图案4的远离第二基底2的一侧涂布隔垫物材料层5，隔垫物材料层5中掺杂有带电纳米粒子61。如图3所示，带电纳米粒子61均匀设置于隔垫物材料层5中。本实施例中，优选地，隔垫物材料层5的材料为低粘度的环氧类、聚亚酰胺或者有机硅氧化合物，隔垫物材料层5的材料在常温下为低粘度材料，具有流动性。

可选地，如图4所示，还可以在第一电极层3上对应像素界定图案7的区域涂布第一隔垫物材料层51，第一隔垫物材料层51中掺杂有带电纳米粒子61，在第一电极层3上对应有机发光层9的区域涂布第二隔垫物材料层52，第二隔垫物材料层52中未掺杂带电纳米粒子61。其中，第一隔垫物材料层51的材料和第二隔垫物材料层52的材料相同，二者均可以为低粘度的环氧类、聚亚酰胺或者有机硅氧化合物。

可选地，如图4所示，还可以在辅助电极图案4上涂布第一隔垫物材料层51，在彩色色阻10对应的区域涂布第二隔垫物材料层52，第二隔垫物材料层52中未掺杂带电纳米粒子61。

步骤309、将第一基底和第二基底进行压合，第一电极层位于第一基底的靠近所述第二基底的一侧，辅助电极图案位于第二基底的靠近第一基底的一侧。

具体地，如图3或图4所示，将第一基底1和第二基底2进行对位并压合。

步骤310、在第一电极层和辅助电极图案之间形成隔垫物层，隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，辅助电极图案通过对应的导电结构与第一电极层连接。

具体地，如图1所示，在第一电极层3和辅助电极图案4之间形成隔垫物层5，隔垫物层5中设置有与辅助电极图案4对应的导电结构6，辅助电极图案4通过对应的导电结构6与第一电极层3连接。

具体地，在第一电极层和辅助电极图案之间形成隔垫物层包括：

步骤3101a、在第一电极层和辅助电极图案之间形成电场，以使隔垫物材料层中的带电纳米粒子在电场的作用下向靠近辅助电极图案的方向移动，以在隔垫物材料层的辅助电极图案对应的区域中形成导电结构。

具体地，如图3和图1所示，通过在空闲(Dummy)区域的导电垫(pad)上加电，以使辅助电极图案4上加载第一电压，第一电极层3上加载第二电压，从而在辅助电极图案4和第一电极层3之间形成电场，隔垫物材料层5中的带电纳米粒子61在电场的诱导作用下移动靠近辅助电极图案4的方向移动，即向辅助电极图案4对应的区域中移动，以在隔垫物材料层5的辅助电极图案4对应的区域中形成导电结构6。

步骤3102a、对隔垫物材料层进行固化，形成隔垫物层。

如图1所示，采用UV光照射方式对隔垫物材料层5进行固化，最终在第一电极层3和辅助电极图案4之间形成如图1所示的隔垫物层5，隔垫物层5中对应于辅助电极图案4的区域中设置有导电结构6，导电结构6包括多个带电纳米粒子61，导电结构6用于连接辅助电极图案4和第一电极层3，从而提高了第一电极层3的导电率。

可选地，在第一电极层和辅助电极图案之间形成隔垫物层包括：

步骤3101b、在第一电极层和辅助电极图案之间形成电场，以使第一隔垫物材料层中的带电纳米粒子在电场的作用下向靠近辅助电极图案的方向移动，以在第一隔垫物材料层的辅助电极图案对应的区域中形成导电结构。

具体地，如图4和图1所示，通过在空闲(Dummy)区域的导电垫(pad)上加电，以使辅助电极图案4上加载第一电压，第一电极层3上加载第二电压，从而在辅助电极图案4和第一电极层3之间形成电场，第一隔垫物材料层51中的带电纳米粒子61在电场的诱导作用下移动靠近辅助电极图案4的方向移动，即向辅助电极图案4对应的区域中移动，以在第一隔垫物材料层51的辅助电极图案4对应的区域中形成导电结构6。

步骤3102b、对第一隔垫物材料层和第二隔垫物材料层进行固化，形成隔垫物层。

具体地，如图4和图1所示，采用UV光照射方式对第一隔垫物材料层51和第二隔垫物材料层52进行固化，最终在第一电极层3和辅助电极图案4之间形成如图1所示的隔垫物层5，隔垫物层5中对应于辅助电极图案4的区域中设置有导电结构6，导电结构6包括多个带电纳米粒子61，导电结构6用于连接辅助电极图案4和第一电极层3，从而提高了第一电极层3的导电率。

本实施例中，可通过控制辅助电极图案4和第一电极层3之间的电场的大小，控制辅助电极图案4对应的隔垫物层5中的带电纳米粒子61的浓度，从而控制辅助电极图案4对应的隔垫物层5的高度。换言之，辅助电极图案4对应的隔垫物层5的高度可调。

本实施例中，步骤309和步骤310可同时进行，即在压合过程中，同时进行形成隔垫物层5的步骤。

本实施例形成隔垫物层5的方法，通过利用光刻工艺和高精度工艺制作辅助电极图案4，结合带电纳米粒子在电场作用下的诱导效应，以在辅助电极图案4对应的位置制作隔垫物层5和隔垫物层5中的导电结构，从而可以减少封装端设备的高精度对位的要求。同时，还能够有效地在辅助电极图案4对应位置构造合适高度的隔垫物层5，以避免压合过程中隔垫物层5的高度过高时容易造成的压伤、隔垫物层5的高度过低时辅助电极图案4和第一电极层3无法有效接触连接等不良现象。

步骤311、对第一基底和第二基底进行坝封装，形成坝封装结构。

如图1所示，具体地，对压合完成的第一基底1和第二基底2的边缘区域进行坝(Dam)封装，形成坝封装结构12。

本实施例所提供的显示面板的制备方法，用于实现制备上述实施例一提供的显示面板，关于该显示面板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。

本实施例所提供的显示面板的制备方法的技术方案中，第一电极层和辅助电极图案之间设置有隔垫物层，隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，第一电极层和所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构连接。从而提高了第一电极层的导电率，改善了显示面板的IR Drop的问题。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有第一电极层，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案，所述第一电极层和所述辅助电极图案之间设置有隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接；

所述导电结构包括带电纳米粒子；

所述隔垫物层包括多个第一隔垫物材料层和位于相邻两个所述第一隔垫物材料层之间的第二隔垫物材料层，所述第一隔垫物材料层和所述第二隔垫物材料层同层设置，所述第一隔垫物材料层与所述辅助电极图案对应设置，所述导电结构设置于所述第一隔垫物材料层中。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为顶发射型OLED显示面板。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基底包括像素区域和非像素区域，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧还设置有第二电极层、多个像素界定图案和有机发光层，所述像素界定图案对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述像素界定图案之间限定出所述像素区域，所述有机发光层位于所述第二电极层和所述第一电极层之间，所述第二电极层和所述有机发光层位于所述像素区域。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光层位于所述第二电极层的远离所述第一基底的一侧，所述第一电极层位于所述像素界定图案和所述有机发光层的远离所述第一基底的一侧且至少覆盖所述像素界定图案和所述有机发光层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二基底包括像素区域和非像素区域，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧还设置有彩色色阻和多个黑矩阵，所述黑矩阵对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述黑矩阵之间限定出所述像素区域，所述彩色色阻位于所述像素区域。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极图案对应位于所述黑矩阵的远离所述第二基底的一侧，且所述黑矩阵在所述第二基底上的投影至少覆盖对应的辅助电极图案在所述第二基底上的投影。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6任一所述的显示面板。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

在第一基底上形成第一电极层；

在第二基底上形成辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案；

将第一基底和第二基底进行压合，所述第一电极层位于所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧，所述辅助电极图案位于所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧；

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与所述辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接；

所述导电结构包括带电纳米粒子，所述将第一基底和第二基底进行压合之前还包括：

在所述第一电极层的远离所述第一基底的一侧上涂布隔垫物材料层，或者，在所述辅助电极图案的远离所述第二基底的一侧上涂布隔垫物材料层，所述隔垫物材料层中掺杂有所述带电纳米粒子；

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成隔垫物层包括：

在所述第一电极层和所述辅助电极图案之间形成电场，以使所述隔垫物材料层中的带电纳米粒子在所述电场的作用下向辅助电极图案对应的区域中移动，以在所述隔垫物材料层的辅助电极图案对应的区域中形成所述导电结构；

对所述隔垫物材料层进行固化，形成所述隔垫物层。

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