CN108941919A - 镭雕方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种镭雕方法。包括以下步骤：S100、提供基材，对所述基材进行加工以形成中间产品；S200、确定镭雕面和加工面，所述加工面为所述镭雕面相对的一面，确定位于镭雕面上的镭雕区域，确定位于所述加工面上的加工区域，所述加工区域对应所述镭雕区域；S300、在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度；S400、在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕。对中框进行镭雕后，不影响后续装配显示屏的工序，对具有射胶注塑的中框进行镭雕时，避免了平面度整形时铝塑结合处开裂造成中框防水性能降低，提高了良品率，大大降低了生产成本，在实际生产中具有显著意义。此外，不需要整形工序，节约了时间成本和加工成本。

Description

镭雕方法

技术领域

本发明涉及金属加工技术领域，特别是涉及一种镭雕方法。

背景技术

智能手机随着超薄化、大屏化的趋势，为加强手机的整体强度、提升用户触感体验，智能手机已经大规模地采用金属中框作为机身。

目前，金属中框一般包括以下加工步骤，通过CNC加工铣床对毛坯件进行加工，将CNC加工后的零件放入塑胶模具中进行射胶注塑，然后镭雕手机中框内腔的导电位。手机中框在经过镭雕后，会往镭雕面的另一面拱起变形，当拱起变形达到一定的程度将会影响后续装配显示屏的工序，导致显示屏不能正常装配。为了防止该拱起变形影响后续装配显示屏的工序，通常需要用铆压整形治具将手机中框进行整平，即通过铆压整形治具压在拱起变形侧，使拱起变形一定程度上回缩。

但是，现有的整平工艺中往往导致手机中框的部分CNC加工部位与射胶注塑部位裂开，降低最终产品的防水性能。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种镭雕方法，对中框进行镭雕后，不影响后续装配显示屏的工序，对具有射胶注塑的中框进行镭雕时，不易使中框的CNC加工部位与射胶注塑部位裂开。

一种镭雕方法，包括以下步骤：

S100、提供基材，对所述基材进行加工以形成中间产品；

S200、确定镭雕面和加工面，所述加工面为所述镭雕面相对的一面，确定位于镭雕面上的镭雕区域，确定位于所述加工面上的加工区域，所述加工区域对应所述镭雕区域；

S300、在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度；

S400、在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕。

在其中一个实施例中，在所述S100中，还包括纳米注塑的步骤。

在其中一个实施例中，在所述S300中，在所述加工面进行加工是采用CNC加工铣床进行铣削加工。

在其中一个实施例中，在所述S400中，在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕的变形量为0.03mm-0.08mm。

在其中一个实施例中，在所述S400中，在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕的变形量为0.05mm。

在其中一个实施例中，在所述S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，所述凹陷一定的深度大于或等于0.03mm，且小于或等于0.23mm。

在其中一个实施例中，所述凹陷一定的深度为0.1mm。

在其中一个实施例中，在所述S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，凹陷区域部位采用弧形过渡。

在其中一个实施例中，所述镭雕方法用于对中框进行镭雕，所述中框的所述加工面侧用于安装显示装置。

在其中一个实施例中，当在所述加工面加工的凹陷深度值大于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面和镭雕面均呈凹陷状态，所述加工面和所述镭雕面的平面度均小于或等于0.2mm；

当在所述加工面加工的凹陷深度值小于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面在所述镭雕区域对应的部分凸起，所述中框的平面度小于或等于0.05mm。

采用上述技术方案，较包括平面度整形步骤的中框加工方法具有以下优点：对中框进行镭雕后，不影响后续装配显示屏的工序，对具有射胶注塑的中框进行镭雕时，避免了平面度整形时铝塑结合处开裂造成中框防水性能降低，提高了良品率，大大降低了生产成本，在实际生产中具有显著意义。此外，不需要整形工序，节约了时间成本和加工成本。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的一种镭雕方法的步骤示意图；

图2为本发明一实施例提供的采用镭雕方法得到的中框的结构示意图；

图3为本发明又一实施例提供的采用镭雕方法得到的中框的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明公开内容的理解更佳透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

例如，一种镭雕方法，主要包括以下步骤：

S100、提供基材，对所述基材进行加工以形成中间产品；

S200、确定镭雕面和加工面，所述加工面为所述镭雕面相对的一面，确定位于镭雕面上的镭雕区域，确定位于所述加工面上的加工区域，所述加工区域对应所述镭雕区域；

S300、在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度；

S400、在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕。

该镭雕方法例如可以在手机中框上进行镭雕，也可以在平板电脑外壳上进行镭雕，也可以在其他的需要进行镭雕的产品上进行镭雕。

下面以中框为例进行说明。

在S100中，首先需要经过落料，在其中一个实施例中，利用压力机从板类母材上分离出基材，该板类母材例如可以为铝合金板材，也就是说利用冲裁取得一定外形的基材。然后利用锻压机的锤头对上述的具有一定外形的基材进行锤压，使基材产生塑性变形，通过锤压一方面可以使基材被压的比较紧实，增加基材的密度，另一方面可以通过锤压得到后续加工的初始形状。在一些实施例中，可以通过锤压代替后续步骤中的CNC加工铣床粗加工。在经过上述的锻压之后，基材的结构性能发生了改变，由此基材也会产生一些水口，此时，需要用CNC加工铣床铣去水口，方便后续的加工。在其他实施例中，在S100中，也可以采用压铸的方式得到基材。

在其中一个实施例中，在S100中，通过CNC加工铣床铣去水口之后还需要对中间产品(为了表述方便，将被加工产品位于基材与中框之间的形态称为中间产品)进行喷砂。即利用压缩空气为动力使砂料形成高速喷射束，利用高速喷射束的冲击作用清理和粗化基体表面，以去除中间产品的毛刺，利用高速喷射束类似打磨原理将中间产品的外表面进行打磨。由于在喷砂过程中，高速喷射束与中间产品外表面高速摩擦，导致中间产品的温度升高，一定程度上使中间产品发生微小的变形，从而导致中间产品表面发生微量扭曲、微量翘起或微量凹陷。为了改善上述微小的变形，可以采用整形机进行修复，整形机采用液压驱动形成较高的压力并作用于需要整形的部位，将被整形的部位的扭曲、翘起或凹陷变形恢复成平面状态。

在其中一个实施例中，在整形之后还包括钻孔攻牙的步骤。即在中间产品上钻出螺纹孔，或其他功能孔，然后将中间产品浸在碱液中清洗，除去中间产品表面的油渍。

在其中一个实施例中，在S100中，通过CNC加工铣床进行粗加工，在粗加工中留有一定的设计加工余料，方便后续步骤中进行CNC精加工。

在其中一个实施例中，在CNC粗加工后进行纳米注塑。纳米注塑是金属与塑料以纳米技术进行结合，即先将金属表面经过纳米化处理后，将上述经过CNC粗加工的中间产品放入塑胶模具中进行射胶注塑，塑料直接射出成型在金属表面，让金属与塑料可以一体成形。由于纳米注塑后部分塑料水口需要去除，通过CNC加工铣床进行精加工，去除塑料水口，保证侧孔等部位满足要求，以及通过CNC加工铣床进行精加工，铣去在CNC粗加工中留有的加工余料。

在其中一个实施例中，CNC精加工之后还包括表面处理的工序，例如对中间产品进行阳极氧化使中间产品表面形成规整的氧化铝纳米孔，再将颜料注入纳米孔内，封孔处理即得到色彩多样的手机中框。

在S200中，确定镭雕面和加工面，镭雕面为需要进行镭雕的表面，加工面为所述镭雕面相对的一面；确定位于镭雕面的镭雕区域，镭雕区域例如可以为需要镭射的图案，也可以为容纳需要镭射图案的区域。

在S300中，例如可以利用CNC加工铣床在加工面进行加工，加工区域对应上述的镭雕区域，使加工区域铣去一设定的深度。也可以利用其他机械加工方法或化学腐蚀法使加工区域凹陷一定的深度。

在其中一个实施例中，镭雕的变形量为0.03mm-0.08mm。若直接在镭雕面进行镭雕时，镭雕区域会向背离镭雕面(加工面)的一侧凸出0.03mm-0.08mm。进而影响后续中框与显示屏的装配过程。通过在加工区域先形成一定深度的凹陷，可避免在后续的镭雕步骤中发生加工区域变形的问题。当在所述加工面加工的凹陷深度值大于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面和镭雕面均呈凹陷状态，所述加工面和所述镭雕面的平面度均小于或等于0.2mm；当在所述加工面加工的凹陷深度值小于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面在所述镭雕区域对应的部分凸起，所述中框的平面度小于或等于0.05mm。上述的平面度指的是凹陷部分的最大凹陷深度与基准面的距离值，或凸出部分的最大凸出值与基准平面的距离值。所述的基准平面指的是凹陷部分的起始位置所在的平面，或凸出的起始位置所在的平面。

为了得到上述中框，在S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，所述凹陷一定的深度大于或等于0.03mm，且小于或等于0.23mm。

在其中一个实施例中，参见图2，图2为一种镭雕后的中框130，其中下表面为镭雕面110，上表面为加工面120，在S300中，通过CNC加工铣床在加工面120进行铣削加工的深度为0.1mm，在S400中，在镭雕面110对所述镭雕区域进行镭雕的深度为0.05mm，如此得到的中框130的加工面120和镭雕面110的表面平面度均为0.05mm，即最终中框130在加工面120表面凹陷0.05mm左右，且在镭雕面110表面也凹陷0.05mm左右。本实施中的中框130，既能满足加工要求，即不影响手机屏幕的正常安装，又具有较好的触摸感。此外，由于镭雕面110与加工面120的两侧凹陷的距离相当，中框130的镭雕面110和加工面120的力学性能相当，即不容易出现向任意一侧凸出或凹陷的现象，提高了中框130的稳定性。

在其中一个实施例中，参见图3，图3为一种镭雕后的中框230，其中下表面为镭雕面210，上表面为加工面220，在S300中，通过CNC加工铣床在加工面220进行铣削加工的深度为0.08mm，在S400中，在镭雕面210对所述镭雕区域进行镭雕的深度为0.03mm，如此得到的中框230的加工面220的表面平面度为0.05mm，中框230的镭雕面210的表面平面度为0.08mm，即最终中框230在加工面220凸出0.05mm左右，且在镭雕面210表面凹陷0.08mm左右。

在其中一个实施例中，所述S120中，在所述S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，凹陷区域部位采用弧形过渡。通过设置弧形的过渡，使之与平面处不会产生台阶，从而使中框的触摸感更好。

在S400中，镭雕是利用高能量密度的激光对被加工件进行局部照射，使表层材料汽化或发生颜色变化的化学反应，从而留下永久性标记的一种打标方法。

在其中一个实施例中，还可以包括对中框进行倒角的步骤，例如，可以在镭雕步骤之后进行倒角，再例如，也可以在镭雕步骤之前进行倒角。

采用上述中框加工方法加工的中框，较包括平面度整形步骤的中框加工方法具有以下优点：避免了平面度整形时铝塑结合处开裂造成中框防水性能降低，提高了良品率。据统计与包括平面度整形步骤的中框加工方法相比，产品的不良率降低了8％，采用本发明的加工方法基本上不产生不良产品，大大降低了生产成本，在实际生产中具有显著意义。此外，通过优化的加工方法，不需要整形工序，节约了时间成本和加工成本。

在其中一个实施例中，提供了一种终端设备，包括上述的加工方法加工而成的中框，从而具有较高的生产合格率，降低了生产成本，从而具有较高的市场竞争力。

在其中一个实施例中，还提供一种中框加工方法，包括以下步骤：

提供基材，采用压铸、CNC加工铣床加工、打磨、钻孔攻牙及纳米注塑的步骤对基材进行处理，通过CNC加工铣床加工所述基材形成中框；

确定镭雕面和加工面，所述加工面为所述镭雕面相对的一面，确定位于镭雕面上的镭雕区域，确定位于所述加工面上的加工区域，所述加工区域对应所述镭雕区域；

在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度；

在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕，例如可以利用二氧化碳激光镭雕机或光纤激光镭雕机进行镭雕。

上述的镭雕方法对于手机、电子产品等对内部空间具有较高要求的产品具有显著的技术进步。尤其在手机领域，新一代手机可能比老一代手机的厚度薄不到一毫米，手机内部的空间有限，由于手机的功能越来越多，因此手机内部需要集成更多的电子元器件，通过上述镭雕方法加工的手机中框、手机外壳、平板外壳等能提升电子产品内部的有效利用体积，使产品更薄，或有更多的空间容纳必要的电子元器件，提升电子产品的性能。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种镭雕方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、提供基材，对所述基材进行加工以形成中间产品；

S200、确定镭雕面和加工面，所述加工面为所述镭雕面相对的一面，确定位于镭雕面上的镭雕区域，确定位于所述加工面上的加工区域，所述加工区域对应所述镭雕区域；

S300、在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度；

S400、在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕。

2.根据权利要求1所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S100中，还包括纳米注塑的步骤。

3.根据权利要求1所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S300中，在所述加工面进行加工是采用CNC加工铣床进行铣削加工。

4.根据权利要求1所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S400中，在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕的变形量为0.03mm-0.08mm。

5.根据权利要求4所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S400中，在所述镭雕面对所述镭雕区域进行镭雕的变形量为0.05mm。

6.根据权利要求1所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，所述凹陷一定的深度大于或等于0.03mm，且小于或等于0.23mm。

7.根据权利要求6所述的镭雕方法，其特征在于，所述凹陷一定的深度为0.1mm。

8.根据权利要求1所述的镭雕方法，其特征在于，在所述S300中，在所述加工面进行加工以使所述加工区域凹陷一定的深度，凹陷区域部位采用弧形过渡。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的镭雕方法，其特征在于，所述镭雕方法用于对中框进行镭雕，所述中框的所述加工面侧用于安装显示装置。

10.根据权利要求9所述的镭雕方法，其特征在于，当在所述加工面加工的凹陷深度值大于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面和镭雕面均呈凹陷状态，所述加工面和所述镭雕面的平面度均小于或等于0.2mm；

当在所述加工面加工的凹陷深度值小于在所述镭雕面进行镭雕的变形量值时，所述中框的加工面在所述镭雕区域对应的部分凸起，所述中框的平面度小于或等于0.05mm。