CN108923622A - Mos管快速驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种MOS管快速驱动电路，其中控制信号经放大后，由变压器初级传至次级，驱动MOS管工作；设置电容器C3，提供MOS管导通瞬间的大电流，实现MOS管的快速驱动导通；设置二级管D2，提供了一个尽可能低阻抗的通路供MOS管栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断，且关断期间驱动电路提供了一定的负电压避免受到干扰产生误导通。
Description
技术领域
本发明涉及MOS管技术领域，尤其涉及一种MOS管快速驱动电路。
背景技术
MOSFET由于开关频率高、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。功率MOS管属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阈值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度虽快，但不能提供负压，故其抗干扰性较差。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种能实现快速导通、栅源极间电容电压快速泄放的MOS管快速驱动电路。
本发明提出的MOS管快速驱动电路，包括脉冲变压器U1、电容器C3、电阻器R2和二级管D2，脉冲变压器U1外接脉冲电源且依次与电容器C3、电阻器R2、NMOS管栅极G、NMOS管源极S电性连接形成电回路，二级管D2正极电性连接NMOS管源极S，二级管D2负极电性连接NMOS管漏极D。
在此基础上，优选的，还包括电阻器R1、二级管D1、电容器C1、击穿二极管D3、三极管T1和电容器C2，其中，电阻器R1、二级管D1相互并联后与电容器C1串联，电阻器R1、二级管D1分别与电容器C3、电阻器R2之间的节点电性连接，电容器C1与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接，击穿二极管D3负极与二级管D1、电容器C1之间的节点电性连接、正极与三极管T1基极电性连接，三极管T1集电极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、三极管T1发射极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
进一步优选的，还包括击穿二极管D4和击穿二极管D5，穿二极管D4负极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接，穿二极管D4正极与击穿二极管D5正极电性连接，击穿二极管D5负极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
更进一步优选的，还包括电阻R3，其一端分别与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、另一端与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
本发明的MOS管快速驱动电路相对于现有技术具有以下有益效果：
(1)其中控制信号经放大后，由变压器初级传至次级，，产生相应脉冲信号，驱动MOS管工作；
(2)设置电容器C3，提供MOS管导通瞬间的大电流，实现MOS管的快速驱动导通；
(3)设置二级管D2，提供了一个尽可能低阻抗的通路供MOS管栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断，且关断期间驱动电路提供了一定的负电压避免受到干扰产生误导通。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明MOS管快速驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明的MOS管快速驱动电路，包括脉冲变压器U1、电容器C3、电阻器R2、二级管D2、电阻器R1、二级管D1、电容器C1、击穿二极管D3、三极管T1、电容器C2、击穿二极管D4、击穿二极管D5和电阻R3。
脉冲变压器U1外接脉冲电源，由此在次级产生相应脉冲信号，驱动NMOS管工作。其依次与电容器C3、电阻器R2、NMOS管栅极G、NMOS管源极S电性连接形成电回路，二级管D2正极电性连接NMOS管源极S，二级管D2负极电性连接NMOS管漏极D。如此，电容器C3可提供NMOS管导通瞬间的大电流，实现NMOS管的快速驱动导通；二级管D2提供了一个尽可能低阻抗的通路供NMOS管栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断，且关断期间驱动电路提供了一定的负电压避免受到干扰产生误导通。
电阻器R1、二级管D1相互并联后与电容器C1串联，电阻器R1、二级管D1分别与电容器C3、电阻器R2之间的节点电性连接，电容器C1与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接，击穿二极管D3负极与二级管D1、电容器C1之间的节点电性连接、正极与三极管T1基极电性连接，三极管T1集电极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、三极管T1发射极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。如此，在正常工作时，由于R1和C1的作用，电压几乎全部加载在NMOS管上，快速导通。
具体的，还包括击穿二极管D4和击穿二极管D5，穿二极管D4负极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接，穿二极管D4正极与击穿二极管D5正极电性连接，击穿二极管D5负极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
具体的，还包括电阻R3，其一端分别与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、另一端与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种MOS管快速驱动电路，其特征在于：包括脉冲变压器U1、电容器C3、电阻器R2和二级管D2，脉冲变压器U1外接脉冲电源且依次与电容器C3、电阻器R2、NMOS管栅极G、NMOS管源极S电性连接形成电回路，二级管D2正极电性连接NMOS管源极S，二级管D2负极电性连接NMOS管漏极D。
2.如权利要求1所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括电阻器R1、二级管D1、电容器C1、击穿二极管D3、三极管T1和电容器C2，其中，电阻器R1、二级管D1相互并联后与电容器C1串联，电阻器R1、二级管D1分别与电容器C3、电阻器R2之间的节点电性连接，电容器C1与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接，击穿二极管D3负极与二级管D1、电容器C1之间的节点电性连接、正极与三极管T1基极电性连接，三极管T1集电极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、三极管T1发射极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
3.如权利要求2所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括击穿二极管D4和击穿二极管D5，穿二极管D4负极与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接，穿二极管D4正极与击穿二极管D5正极电性连接，击穿二极管D5负极与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
4.如权利要求3所述的MOS管快速驱动电路，其特征在于：还包括电阻R3，其一端分别与电阻器R2、NMOS管栅极G之间的节点电性连接、另一端与脉冲变压器U1、NMOS管源极S之间的节点电性连接。
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