CN108893118B - 量子点的制备方法及量子点 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种量子点的制备方法,包括步骤:S1、向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源,制备CdZnSeS核,其中,以物质的量计,硒源的投料量大于硫源的投料量;S2、向S1的反应体系中加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层;S3、向S2的反应体系中加入硫源和锌源,以进一步在CdS过渡层的表面形成ZnS壳层,反应得到量子点。通过本发明的方法,可以获得荧光发射波长在650nm以上的量子点。
Description
技术领域
本申请属于纳米技术领域,具体涉及一种量子点的制备方法及量子点。
背景技术
量子点由于具有荧光量子效率高、发射峰位置可调、半峰宽窄、光谱色纯等出色的光学特性,在显示技术领域中表现出良好的应用前景。通过在LED上使用量子点,可以有效提高色域值,为终端客户提供更好的色彩表现。
现有技术中,镉系量子点的发射波长一般在450~630nm,限制了其在630nm以上波长范围的应用。
发明内容
针对上述技术问题,本申请提供一种大波长量子点的制备方法及量子点。
本申请首先提供一种量子点的制备方法,包括以下步骤:
S1、向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源,制备CdZnSeS核,以物质的量计,硒源的投料量大于硫源的投料量;
S2、向S1的反应体系中加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层;
S3、向S2的反应体系中加入硫源和锌源,以进一步在CdS过渡层的表面形成ZnS壳层,反应得到CdZnSeS/CdS/ZnS量子点。
在本发明一些优选实施例中,镉源包括氧化镉、氯化镉、草酸镉、醋酸镉、碳酸镉、硬脂酸镉、乙酰丙酮镉、二乙基镉、十四酸镉、油酸镉中的至少一种;锌源包括氧化锌、氯化锌、草酸锌、醋酸锌、碳酸锌、硬脂酸锌、乙酰丙酮锌、二乙基锌、十一烯酸锌、十四酸锌、油酸锌中的至少一种;硒源包括硒单质、二氧化硒、硒的有机膦配合物、硒的脂肪胺化合物、有机硒化合物、有机硒醇化合物中的至少一种;硫源包括硫单质、硫的有机膦配合物、硫的脂肪胺化合物、有机硫化合物、有机硫醇化合物中的至少一种。
在本发明一些较为优选实施例中,硒源包括硒粉、二氧化硒、三辛基膦硒、三丁基膦硒、硒的十四烯溶液、硒的十五烯溶液、硒的十六烯溶液、硒的十七烯溶液、硒的十八烯溶液、硒醇、二硒化物、硒醚、硒代酸酯、硒代酰胺、硒吩、硒唑中的至少一种;硫源包括硫粉、硫的十四烯溶液、硫的十五烯溶液、硫的十六烯溶液、硫的十七烯溶液、硫的十八烯溶液、硫的正辛胺溶液、硫的三正辛胺溶液、三辛基膦硫、三丁基膦硫、1-辛硫醇、1-十二硫醇、1-辛硫醇与三正辛胺的混合物、1-辛硫醇与三丁基膦的混合物中的至少一种。
在本发明一些优选实施例中,在步骤S1中,首先,将镉源、锌源、配体和有机溶剂混合,制备镉源和锌源的混合前体,接着,加入硒源和硫源,制备CdZnSeS核。
在本发明一些较为优选实施例中,配体包括C6~C18的饱和或者不饱和胺、饱和或者不饱和酸中的至少一种。
具体来说,配体为C14-C18的饱和或者不饱和酸中的至少一种,包括十四酸、十五酸、十六酸、十七酸、十八酸、十四烯酸、十五烯酸、十六烯酸、十七烯酸、十八烯酸中的至少一种。
在本发明一些较为优选实施例中,有机溶剂包括C10~C22的烷烃、烯烃、卤代烃、芳香烃、醚类、胺类、酮类、酯类中的至少一种。
具体来说,有机溶剂为C14-C22的脂肪族烃类化合物,包括十四烯、十五烯、十六烯、十七烯、十八烯、十四烷、十五烷、十六烷、十七烷、十八烷、十九烷、二十烷、二十一烷、二十二烷、二十三烷、二十四烷、石蜡油中的至少一种。
在本发明一些优选实施例中,在步骤S1中,以物质的量计,硒源的投料量是硫源的投料量的1.5~9倍,镉源和锌源的总投料量是硒源和硫源的总投料量的1~10倍。
在本发明一些较为优选实施例中,在步骤S1中,以物质的量计,镉源的投料量是锌源的投料量的0.2~1倍,硒源的投料量是硫源的投料量的5~9倍,镉源和锌源的总投料量是硒源和硫源的总投料量的5~10倍。
本发明在制备量子点的核的过程中,由于镉离子的活性比锌离子的活性高,因此,在加入硒源和硫源后,硒和硫会优先和镉结合,当镉与硒和硫结合到一定程度,镉浓度下降,转变为锌与硒和硫结合,从而形成具有梯度核心结构的CdZnSeS核。
在本发明一些优选实施例中,在步骤S1中,将硒源和硫源混合,制备成硒源和硫源的混合前体,再加入到镉源和锌源的混合前体中,制备CdZnSeS核。
在本发明一些优选实施例中,向S1的反应体系中同时加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层。
在本发明一些较为优选实施例中,预先将硫源和镉源混合,制备成硫源和镉源的混合前体,再加入到S1的反应体系中,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层。
在本发明一些较为优选实施例中,向S1的反应体系中分别并同时加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层。
在本发明一些优选实施例中,在步骤S2中,以物质的量计,硫源的投料量是镉源的投料量的1~2倍。
在本发明一些优选实施例中,在步骤S1中,在280~340℃下,向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源,制备CdZnSeS核;在步骤S2中,在240~280℃下,向S1的反应体系中加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层。
在本发明一些较为优选实施例中,量子点的制备方法还包括采用提纯剂对步骤S3制得的量子点进行沉淀、纯化的步骤。这些步骤是本领域的公知方法,这里不再赘述。
本申请中,量子点的制备过程均在惰性气体气氛下进行。在本发明一些优选实施例中,惰性气体包括氮气、氩气中的至少一种。
本申请对“原料投料顺序、原料投料配比”进行了有机结合,首先通过步骤S1合成了量子点的核CdZnSeS,接着通过步骤S2在量子点的核上生长CdS过渡层,进一步调控量子点的发射波长,最后再包覆ZnS壳层,从而最终制备出了发射波长在650~670nm的量子点。
此外,本申请直接采用原位反应法为量子点包覆过渡层和壳层,不需要对量子点的核进行分离和纯化,减少了溶剂消耗,简化了实验操作步骤,缩短了反应时间。
本申请还提供一种量子点,包括核、过渡层和壳层,核为CdZnSeS,过渡层为CdS,壳层为ZnS。这种量子点由本申请制备方法制得。
本申请与现有技术相比,至少具有如下优点:
本申请以CdZnSeS为量子点的核,通过在其表面包覆CdS过渡层和ZnS壳层,获得了荧光发射波长在650nm以上的量子点,量子点的荧光发射半峰宽窄(≤30nm)、量子效率高(≥75%),可以在多领域进行应用。
此外,本申请的制备方法操作简便、反应所需时间短、效率高,满足量子点规模化生产的需要。
附图说明
图1是实施例1中的量子点的荧光发射图谱;
图2是实施例2中的量子点的荧光发射图谱;
图3是实施例3中的量子点的荧光发射图谱。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式,对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部实施方式。
【实施例1】
步骤1:
硫源和硒源混合前体的制备
分别取9mmol硒粉和1mmol硫粉,使其与5mL三丁基膦充分混合,得到硒源和硫源的混合前体(S/Se-TBP,2M);
步骤2:
量子点的制备
将12mmol油酸锌、12mmol油酸镉混合,加热至320℃,加入4ml步骤1中制备的S/Se-TOP,反应20min。接着,降温至270℃,向上述反应体系中同时滴加6mLS-TOP溶液(2M,硫粉溶解于三辛基膦形成的硫前体溶液)和80mL油酸镉(0.2M),反应20min。最后,滴加2mL十二硫醇和10mL二乙基锌(1M),反应10min。降温至室温,使用常规方法沉淀和纯化产物,最终获得CdZnSeS/CdS/ZnS量子点。
【实施例2】
步骤1:
硫源和硒源混合前体的制备
分别取9mmol硒粉和1mmol硫粉,使其与5mL三丁基膦充分混合,得到硒源和硫源的混合前体(S/Se-TBP,2M);
步骤2:
量子点的制备
将12mmol油酸锌、12mmol油酸镉混合,加热至320℃,加入4ml步骤1中制备的S/Se-TOP,反应20min。接着,降温至270℃,向上述反应体系中同时滴加8mL S-TOP溶液(2M,硫粉溶解于三辛基膦形成的硫前体溶液)和80mL油酸镉(0.2M),反应20min。最后,滴加2mL十二硫醇和10mL二乙基锌(1M),反应10min。降温至室温,使用常规方法沉淀和纯化产物,最终获得CdZnSeS/CdS/ZnS量子点。
【实施例3】
步骤1:
硫源和硒源混合前体的制备
分别取9mmol硒粉和1mmol硫粉,使其与5mL三丁基膦充分混合,得到硒源和硫源的混合前体(S/Se-TBP,2M);
步骤2:
量子点的制备
将12mmol油酸锌、12mmol油酸镉混合,加热至320℃,加入8ml步骤1中制备的S/Se-TOP,反应20min。接着,降温至270℃,向上述反应体系中同时滴加4mL S-TOP溶液(2M,硫粉溶解于三辛基膦形成的硫前体溶液)和80mL油酸镉(0.2M),反应20min。最后,滴加2mL十二硫醇和10mL二乙基锌(1M),反应10min。降温至室温,使用常规方法沉淀和纯化产物,最终获得CdZnSeS/CdS/ZnS量子点。
实施例1到实施例3的原料投料量及实验测试数据如表1所示。
表1
实施例1的量子点的荧光发射图谱如图1所示,实施例2的量子点的荧光发射图谱如图2所示,实施例3的量子点的荧光发射图谱如图3所示。从图中可以看到,量子点的荧光发射波长均在650nm以上,半峰宽小于30nm。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举,应当理解,对于本领域技术人员来说,对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的,都不能脱离本申请精神的实质,本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解,并不能构成对本申请的限制。
Claims (5)
1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在280~340℃下,向镉源和锌源的混合前体中加入硒源和硫源,制备CdZnSeS核,以物质的量计,所述硒源的投料量是所述硫源的投料量的1.5~9倍,所述镉源和锌源的总投料量是所述硒源和硫源的总投料量的1~10倍;
S2、在240~280℃下,向S1的反应体系中加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层,以物质的量计,所述硫源的投料量是所述镉源的投料量的1~2倍;
S3、向S2的反应体系中加入硫源和锌源,以进一步在CdS过渡层的表面形成ZnS壳层,反应得到CdZnSeS/CdS/ZnS量子点,所述CdZnSeS/CdS/ZnS量子点的发射波长在650nm以上。
2.根据权利要求1中所述的量子点的制备方法,其特征在于:在所述步骤S1中,将硒源和硫源混合,制备成硒源和硫源的混合前体,再加入到镉源和锌源的混合前体中,制备CdZnSeS核。
3.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于:在所述步骤S2中,向S1的反应体系中同时加入硫源和镉源,以在CdZnSeS核的表面形成CdS过渡层。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的量子点的制备方法,其特征在于:所述镉源包括氧化镉、氯化镉、草酸镉、醋酸镉、碳酸镉、硬脂酸镉、乙酰丙酮镉、二乙基镉、十四酸镉、油酸镉中的至少一种;
所述锌源包括氧化锌、氯化锌、草酸锌、醋酸锌、碳酸锌、硬脂酸锌、乙酰丙酮锌、二乙基锌、十一烯酸锌、十四酸锌、油酸锌中的至少一种;
所述硒源包括硒单质、二氧化硒、硒的有机膦配合物、硒的脂肪胺化合物、有机硒化合物、有机硒醇化合物中的至少一种;
所述硫源包括硫单质、硫的有机膦配合物、硫的脂肪胺化合物、有机硫化合物、有机硫醇化合物中的至少一种。
5.一种量子点,其特征在于:包括核、过渡层和壳层,所述核为CdZnSeS,所述过渡层为CdS,所述壳层为ZnS,所述CdZnSeS/CdS/ZnS量子点的发射波长在650nm以上,所述量子点由权利要求1-4中任一所述的制备方法制得。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105295921A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-02-03 | 北京北达聚邦科技有限公司 | 四元量子点CdSe@ZnS制备方法 |
CN107760307A (zh) * | 2016-08-17 | 2018-03-06 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种量子点及其制备方法、背光模组和显示装置 |
Non-Patent Citations (4)
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Band Gap Engineering of Quaternary-Alloyed ZnCdSSe Quantum Dots via a Facile Phosphine-Free Colloidal Method;Zhengtao Deng et al.;《J. AM. CHEM. SOC.》;20091123;第131卷;第17744-17745页 * |
Bright and Stable Alloy Core/Multishell Quantum Dots;Shinae Jun et al.;《Angew. Chem. Int. Ed.》;20121120;第52卷;第679-682页 * |
Facile preparation of yellow and red emitting ZnCdSeS quantum dots and their third-order nonlinear optical properties;Z. Moslemi et al.;《Journal of Physics and Chemistry of Solids》;20180417;第120卷;第64-70页 * |
Single-Step Synthesis of Quantum Dots with Chemical Composition Gradients;Wan Ki Bae et al.;《Chem. Mater.》;20080101;第20卷;第531-539页 * |
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