CN108811370B - 高频多层电路板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的高频多层电路板的制造方法通过将第一压侧最靠近第二压侧的第一电路基板和第二压侧最靠近第一压侧的第二电路基板采用相同的基板材料,使得组成复杂之区域的交界面在热压合后受热应力的结合力较佳,多层电路板结构不易产生爆板分层,故能够改善传统的高频多层电路板容易产生爆板分层的问题。
Description
技术领域
本发明是关于一种电路板的制造方法,特别涉及一种高频多层电路板的制造方法。
背景技术
为了提升信号品质,高频多层电路板(high-frequency multi-layer circuitboard)中各个电路基板降低了介电常数(Dielectric Constant,Dk)和损耗因数(Dissipation Factor,Df),也同时降低了热膨胀因数(Coefficient of ThermalExpansion,CTE),此往往藉由于材料中添加较多的填充物或其他添加剂来达成,虽然提升了电性与热应力,但也使得电路基板之胶片的结合力变差,部分材料用于多压制程时,受热应力后易在二次热压合交界处的密集孔区域发生爆板分层现象。如图1所示,若干个电路基板1在热压合后形成高频多层电路板,在密集孔区域2容易发生爆板分层(图1中圈选处)。也因材料先天的不良,使一些特殊高频材料不适用于多压制程,因此在布线上会受到限制,必须选择其他材料或选用其他设计,使得制作产生困难或增加制造成本。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种高频多层电路板的制造方法,以解决传统的高频多层电路板容易产生爆板分层的问题。
为达成上述目的,本发明一方面提供一种高频多层电路板的制造方法,包含如下步骤:对若干个第一电路基板进行对位;对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成一电路基板迭构;对该电路基板迭构与若干个第二电路基板进行对位;以及对该电路基板迭构与这些第二电路基板进行一次第二热压合动作,以形成该高频多层电路板;其中这些第一电路基板中最靠近这些第二电路基板之电路基板以及这些第二电路基板中最靠近这些第一电路基板之电路基板由相同的材料制成。
本发明另一方面提供一种高频多层电路板的制造方法,包含如下步骤:对若干个贴附有胶片的第一电路基板进行对位;对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成一电路基板迭构;对该电路基板迭构与若干个贴附有胶片的第二电路基板进行对位;以及对该电路基板迭构与这些第二电路基板进行一次第二热压合动作,以形成该高频多层电路板;其中这些第一电路基板中最靠近这些第二电路基板之电路基板最外侧所贴附的胶片以及这些第二电路基板中最靠近这些第一电路基板之电路基板最外侧所贴附的胶片由相同的材料制成。
本发明的高频多层电路板的制造方法通过将第一压侧最靠近第二压侧的第一电路基板和第二压侧最靠近第一压侧的第二电路基板采用相同的基板材料,使得组成复杂之区域的交界面在热压合后受热应力的结合力较佳,多层电路板结构不易产生爆板分层,故能够改善传统的高频多层电路板容易产生爆板分层的问题,布线设计更具弹性。另外,也能舍弃传统的高频多层电路板必须使用的昂贵的基板材料,改采便宜的材料,增加材料的可用性。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1显示传统的高频多层电路板的示意图。
图2显示本发明的高频多层电路板的制造方法的流程示意图。
图3A至图3D显示本发明的高频多层电路板的制造方法的具体流程图。
图4A显示测试1中各个电路基板的组成示意图。
图4B显示测试2中各个电路基板的组成示意图。
1 电路基板
2 密集孔区域
10 电路基板迭构
11 第一电路基板
12 密集孔区域
21 第二电路基板
S10~S16 步骤
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。
本发明说明书和所附权利要求书中所使用的冠词「一」一般地可以被解释为意指「一个或多个」,除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明提供一种高频多层电路板的制造方法,其在容易产生爆板分层的介面作了迭合结构改良,使得多压制程中,多层电路板结构不会在热应力后产生爆板分层问题,能够改善传统的高频多层电路板容易产生爆板分层的问题,也使得布线设计更具弹性。
图2显示本发明的高频多层电路板的制造方法的流程示意图。图3A至图3D显示本发明的高频多层电路板的制造方法的具体流程图。以下将参照图2以及图3A至图3D,来说明本发明的高频多层电路板的制造方法的具体细节。
本发明是采用多压制程,将若干个电路基板热压合,以形成多层电路板。如下以进行了两次热压合动作为例来进行说明,可以理解的是,也可以采用两次以上的热压合动作对构成多层电路板的电路基板进行压合动作。
具体地,请参阅图3A,首先对若干个第一电路基板11进行对位(步骤S10)。在对这些第一电路基板11进行热压合之前必须对这些第一电路基板11作对位的动作,使得各个第一电路基板11的导通通孔或贯通孔可以依预定的设计对齐排列。
请参阅图3B,对这些第一电路基板11进行一次第一热压合动作,以形成一电路基板迭构10(步骤S12)。这些第一电路基板11在热压合后形成电路基板迭构10,电路基板迭构10中密集的导通通孔或贯通孔分布形成一密集孔区域12。在高频讯号的应用产品中,高频多层电路板之密集孔区域12的通孔间距(Pitch)通常小于0.8mm,此密集孔区域12为爆板分层时常发生的区域。
请参阅图3C,对电路基板迭构10与若干个第二电路基板21进行对位(步骤S14)。与第一电路基板11的对位类似的,在进行热压合之前,需依预定的设计将这些第二电路基板21和电路基板迭构10对齐排列。
请参阅图3D,对电路基板迭构10与这些第二电路基板21进行一次第二热压合动作,以形成高频多层电路板。在此热压合过程中,这些第二电路基板21是与电路基板迭构10一起进行一次热压合,压合完成后,相邻的第二电路基板21彼此黏合,最外侧的第二电路基板21也与电路基板迭构10中最外层的第一电路基板11黏合。
在本发明中,这些第一电路基板11中最靠近这些第二电路基板21之电路基板以及这些第二电路基板21中最靠近这些第一电路基板11之电路基板是由相同的材料制成。也就是说,在电路基板迭构10中最靠近第二压侧的第一电路基板11与第二压侧最靠近第一压侧的第二电路基板21由交界面组合材料组成,交界面组合材质为不易产生分层爆板的材料,且材料必须相同,物理特性相同或类似。这样,交界面组合材料受热应力结合力较佳而不易产生爆板分层。
在高频讯号的应用产品中,高频多层电路板中各层的损耗因数(DissipationFactor,Df)通常小于0.01,也就是这些第一电路基板11和这些第二电路基板21的损耗因数小于0.01。
本发明的高频多层电路板的制造方法通过将第一压侧最靠近第二压侧的第一电路基板11和第二压侧最靠近第一压侧的第二电路基板21采用相同的基板材料,使得组成复杂之区域的交界面在热压合后受热应力的结合力较佳,多层电路板结构不易产生爆板分层,故能够改善传统的高频多层电路板容易产生爆板分层的问题,布线设计更具弹性。另外,也能舍弃传统的高频多层电路板必须使用的昂贵的基板材料,改采便宜的材料,增加材料的可用性。
本发明其他实施例中,高频多层电路板中的各个电路基板(即第一电路基板11和第二电路基板21)可以贴附有胶片,其在热压合后受热熔融而能够结合相邻的电路基板,特别是,这些第一电路基板11中最靠近这些第二电路基板21之电路基板最外侧所贴附的胶片以及这些第二电路基板21中最靠近这些第一电路基板11之电路基板最外侧所贴附的胶片由相同的材料制成,这样第一压侧最靠近第二压侧的第一电路基板11所贴附的胶片和第二压侧最靠近第一压侧的第二电路基板21所贴附的胶片受热熔融后产生更佳的结合力,从而避免爆板分层的问题。在此例中,这些第一电路基板11、这些第二电路基板21以及贴附于这些第一电路基板11和这些第二电路基板21之胶片的损耗因数小于0.01。
下表为本发明之发明人对于爆板分层所进行的测试数据,图4A显示测试1中各个电路基板的组成示意图,图4B显示测试2中各个电路基板的组成示意图,在第一压侧与第二压侧之交界面所采用的材料皆为FR4_HTG,测试结果显示均无爆板分层的问题。
项目 | 测试1 | 测试2 |
第一压板厚 | 4.0mm | 2.4mm |
Pitch | 0.35mm | 0.4/0.5/0.65mm |
BGA pin count | 1404 | 2450/3200/4050 |
最小钻径 | 5mil | 6/8/10mil |
纵横比 | 32 | 15.7/11.8/9.5 |
reflow温度 | 285℃ | 285℃ |
reflow次数 | 3 | 3 |
O/S测试 | PASS | PASS |
爆板异常 | 无 | 无 |
本发明已用较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,本领域技术人员在不脱离本发明之精神和范围内,当可作各种之更动与润饰,因此本发明之保护范围当视后附之权利要求书所界定者为准。
Claims (7)
1.一种高频多层电路板的制造方法,其特征在于,所述方法包含如下步骤:
对若干个第一电路基板进行对位;
对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成一电路基板迭构;
对该电路基板迭构与若干个第二电路基板进行对位;以及
对该电路基板迭构与这些第二电路基板进行一次第二热压合动作,以形成该高频多层电路板;
其中这些第一电路基板中最靠近这些第二电路基板之电路基板以及这些第二电路基板中最靠近这些第一电路基板之电路基板由相同的材料制成。
2.根据权利要求1所述的高频多层电路板的制造方法,其特征在于:于对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成该电路基板迭构的步骤中,该电路基板迭构中形成有一密集孔区域。
3.根据权利要求2所述的高频多层电路板的制造方法,其特征在于:该密集孔区域的通孔间距小于0.8mm。
4.根据权利要求1所述的高频多层电路板的制造方法,其特征在于:这些第一电路基板和这些第二电路基板的损耗因数小于0.01。
5.一种高频多层电路板的制造方法,其特征在于,所述方法包含如下步骤:
对若干个贴附有胶片的第一电路基板进行对位;
对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成一电路基板迭构;
对该电路基板迭构与若干个贴附有胶片的第二电路基板进行对位;以及
对该电路基板迭构与这些第二电路基板进行一次第二热压合动作,以形成该高频多层电路板;
其中这些第一电路基板中最靠近这些第二电路基板之电路基板最外侧所贴附的胶片以及这些第二电路基板中最靠近这些第一电路基板之电路基板最外侧所贴附的胶片由相同的材料制成,并且这些第一电路基板、这些第二电路基板以及贴附于这些第一电路基板和这些第二电路基板之胶片的损耗因数小于0.01。
6.根据权利要求5所述的高频多层电路板的制造方法,其特征在于:于对这些第一电路基板进行一次第一热压合动作,以形成该电路基板迭构的步骤中,该电路基板迭构中形成有一密集孔区域。
7.根据权利要求6所述的高频多层电路板的制造方法,其特征在于:该密集孔区域的通孔间距小于0.8mm。
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