CN108807638A - 发光装置封装件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光装置封装件。该发光装置封装件包括引线框架、发光装置芯片、模制结构和多个槽。引线框架包括包含金属并且彼此分隔开的第一引线和第二引线。发光装置芯片安装在引线框架的包括第一引线的一部分和第二引线的一部分的第一区域上。模制结构包括围绕引线框架的外部的外阻挡件以及内阻挡件。多个槽形成在第一引线和第二引线中的每条中。内阻挡件将引线框架分成第一区域和第二区域。内阻挡件填充在第一引线与第二引线之间。第二区域位于第一区域的外部。多个槽由模制结构填充。

Description

发光装置封装件
本申请要求于2017年4月26日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0053563号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思涉及一种发光装置封装件，更具体地，涉及一种包括金属引线框架和塑料模制材料的发光装置封装件。
背景技术
诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的半导体发光装置使用电致发光现象(即，可以通过施加电流或电压从材料(例如，半导体材料)发射光的现象)，并且可以基于化合物半导体形成。例如，氮化镓基发光装置可以广泛地用作具有高效率和高亮度的装置。诸如LED的发光装置具有诸如寿命长、功耗低、响应速度快、环境友好等优点，并且可以用作各种产品中的光源(诸如照明装置和显示装置的背光)。
发明内容
发明构思提供了一种具有提高的光提取效率的发光装置封装件。该发光装置封装件可以改善引线框架与模制材料之间的性质差异。
根据发明构思的方面，可以提供一种发光装置封装件，该发光装置封装件包括：引线框架，包括包含金属并且彼此分隔开的第一引线和第二引线；发光装置芯片，安装在引线框架的第一区域上，引线框架的第一区域包括第一引线的一部分和第二引线的一部分；模制结构，包括围绕引线框架的外部的外阻挡件以及内阻挡件；以及多个槽，形成在第一引线和第二引线中的每条中。内阻挡件将引线框架分成第一区域和第二区域。内阻挡件填充在第一引线与第二引线之间。第二区域位于第一区域的外部。多个槽由模制结构填充。
根据发明构思的另一方面，可以提供一种发光装置封装件，该发光装置封装件包括：引线框架，包括彼此电分离并且包含金属的第一引线和第二引线；模制结构；发光装置芯片，以倒装芯片结构安装在引线框架的第一区域上；以及多个槽，形成在第一引线和第二引线中的每条中，并且由模制结构填充。模制结构包括围绕引线框架的外部的外阻挡件、内阻挡件以及通过填充在第一引线与第二引线之间来将第一引线和第二引线电分离的电极分隔件。内阻挡件将引线框架分成第一区域和第二区域。第二区域设置在第一区域外部。
根据发明构思的另一方面，可以提供一种发光装置封装件，该发光装置封装件包括：第一引线；第二引线，与第一引线分隔开；发光装置芯片，安装在包括第一引线的一部分和第二引线的一部分的第一区域上；模制结构，包括外阻挡件、内阻挡件和电极分隔件；以及多个槽，形成在第一引线和第二引线中，并且由模制结构填充。内阻挡件将第一引线分成第一部分和第二部分。第二部分位于第一部分的外部。内阻挡件将第二引线分成第三部分和第四部分。第四部分位于第三部分的外部。第一引线的第一部分包括在第一区域中。第二引线的第三部分包括在第一区域中。第一引线和第二引线被外阻挡件围绕。电极分隔件设置在第一引线与第二引线之间，并且将第一引线和第二引线电分离。第一沟槽设置在第一引线的第一部分中。第二沟槽设置在第二引线的第三部分中。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解发明构思的实施例，在附图中：
图1是根据实施例的发光装置封装件的透视图；
图2是仅示出图1的发光装置封装件的引线框架和模制结构并且不包括发光装置芯片的透视图；
图3A是图2的发光装置封装件的平面图；
图3B是仅示出图2的发光装置封装件的引线框架的平面图；
图3C是沿图3A的发光装置封装件的线I-I'截取的剖视图；
图4和图5分别是沿线II-II'和线III-III'截取的图3A的发光装置封装件的剖视图，并且是包括发光装置芯片的剖视图；
图6A是根据实施例的发光装置封装件的平面图并且是与图3A对应的平面图；
图6B是沿线IV-IV'截取的图6A的发光装置封装件的剖视图并且包括发光装置芯片；
图7是根据实施例的发光装置封装件的剖视图，并且与图6B对应；
图8A至图11B是根据实施例的发光装置封装件的平面图并且示出了包括在发光装置封装件中的引线框架的结构；
图12是根据实施例的发光装置封装件的平面图，并且与图3A对应；以及
图13A和图13B分别是发光装置封装件的剖视图和示出了包括在根据实施例的发光装置封装件中的引线框架的结构的平面图。
具体实施方式
图1是根据实施例的发光装置封装件100的透视图。图2是仅示出不包括发光装置芯片130的图1的发光装置封装件100的引线框架110和模制结构120的透视图。图3A是图2的发光装置封装件100的平面图。图3B是仅示出图2的发光装置封装件100的引线框架110的平面图。图3C是沿图3A的发光装置封装件100的线I-I'截取的剖视图。作为参考，在图1至图3C的发光装置封装件100中可以省略荧光层。
参照图1至图3C，本实施例的发光装置封装件100可以包括引线框架110、模制结构120和发光装置芯片130。
引线框架110可以如图3B中所示地以金属板形状形成，并且可以包括第一引线110-1和第二引线110-2。例如，引线框架110可以由诸如镍-铁合金、铜或铜合金等的金属形成。在引线框架110的上表面上，可以执行诸如银(Ag)的高反射性材料的电镀。引线框架110的上表面上的具有高反射性材料的镀层可以反射从发光装置芯片130产生的光，以增加光提取效率和亮度。关于发光装置封装件100的结构方面，具有高反射性材料的镀层可以形成在引线框架110的整个上表面上，或仅形成在引线框架110的上表面的一部分上。
第一引线110-1和第二引线110-2可以在发光装置封装件100中彼此分隔开，并且可以具有相对于位于中心处的参考线RL的对称结构。因此，为了便于解释，下面将仅描述第一引线110-1。
第一引线110-1可以包括由模制结构120围绕的内引线110in和从模制结构120突出的外引线110out。第一引线110-1可以形成有可以从与参考线RL相邻的内侧向内凹进的内槽SLin和可以从外侧向内凹进的外槽SLout。当参考线RL在第二方向(例如，y轴方向)上延伸时，内槽SLin和外槽SLout在与第二方向(例如，y轴方向)垂直的第一方向(例如，x轴方向)上延伸。
内槽SLin可以形成在安装有发光装置芯片130的第一区域Ain的在第二方向(例如，y轴方向)上的两端处。在对模制结构120的描述中将更详细地描述第一区域Ain。两个内槽SLin可以形成在第一引线110-1和第二引线110-2中的每条中。相对于参考线RL对称的两个内槽SLin可以形成为一对。例如，第一引线110-1和第二引线110-2的位于第一区域Ain的在第二方向(例如，y轴方向)上的上部上的内槽SLin可以构成第一内槽对SLin1，第一引线110-1和第二引线110-2的位于第一区域Ain的在第二方向(例如，y轴方向)上的下部上的内槽SLin可以构成第二内槽对SLin2。
外槽SLout可以形成在第一区域Ain的在第一方向(例如，x轴方向)上的两端处。外槽SLout可以形成在第一引线110-1和第二引线110-2中的每条中，从而相对于参考线RL对称的两个外槽SLout可以构成一对。如图3B中所示，外槽SLout可以具有在入口侧上的宽的宽度和在内侧上的窄的宽度，但是外槽SLout不限于此。外槽SLout可以具有其中入口侧和内侧的宽度基本相同的结构。
如图3A和图3C中所示，在发光装置封装件100的状态下，内槽SLin和外槽SLout可以填充有模制结构120。如上所述，槽SLin和SLout可以分别形成在引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2中。槽SLin和SLout的部分可以被模制结构120填充，因此引线框架110与模制结构120之间的结合可以变强，从而改善发光装置封装件100的可靠性。例如，在传统的发光装置封装件中，由于由金属制成的引线框架与由塑料材料制成的模制结构之间的物理性质的差异，会产生应力。结果，会发生引线框架与模制结构之间的不稳定结合(诸如变宽)或引线框架的弯曲，这导致发光装置封装件的可靠性劣化。然而，因为在发明构思的发光装置封装件100中，槽SLin和SLout形成在引线框架110中，所以可以减轻由于引线框架110与模制结构120之间的物理性质的差异而产生的应力，因此可以使引线框架110和模制结构120之间的结合变牢固。因此，可以改善发光装置封装件100的可靠性。
在用于形成模制结构120的模制工艺中，引线框架110的槽SLin和SLout可以用于扩大流体状态下的模制材料流动所通过的通道，因此可以改善模制工艺的注射性质。在对模制结构120的内阻挡件124的描述中将更详细地描述模制工艺的注射性质。
凹坑或沟槽112可以形成在第一引线110-1的第一区域Ain中。沟槽112可以包括第一沟槽112a和第二沟槽112b。当发光装置芯片130通过图4中的焊球135以倒装芯片结构安装在引线框架110的第一区域Ain中时，第一沟槽112a可以形成在设置有焊球135的部分中。因此，第一沟槽112a的数量可以与焊球135的数量相等。在对图4的描述中将更详细地描述第一沟槽112a。
第二沟槽112b可以是用于将焊球135彼此分离的沟槽。例如，第二沟槽112b可以容纳可以在诸如对焊球135的助熔工艺或回焊工艺中以流体状态流动的焊球135的一部分，从而用于防止焊球135粘附于相邻的焊球135。在一些实施例中，可以省略第二沟槽112b。
模制结构120可以由具有优异的光反射率的白色模制材料形成。根据结构和功能，模制结构120可以由黑色或其它着色的模制材料与白色模制材料形成。例如，当模制结构120不执行高反射功能时，模制结构120可以由与反射性质无关的黑色或其它着色的模制材料形成。模制结构120可以通过使用模具的模制工艺(例如，注射模制工艺)形成。
模制结构120可以包括模制树脂和分散在模制树脂中的高反射性粉末。例如，模制树脂可以由具有高反射率的环氧树脂、硅氧烷树脂或聚酯树脂等形成。高反射性粉末可以包括例如具有高反射率的金属粉末(例如，以Al或Ag为例的金属粉末)。可以在使模制结构120保持为绝缘体的范围内适当地包含金属粉末。此外，高反射性粉末可以包括具有高反射率的陶瓷粉末，例如，以TiO2、Al2O3、Nb2O5或ZnO为例的陶瓷粉末。高反射性粉末可以反射从发光装置芯片130产生的光，从而使从发光装置芯片130的侧表面产生的光的损失最小化并且提高光提取效率。
模制结构120可以包括外阻挡件122、内阻挡件124和电极分隔件126。
外阻挡件122可以具有矩形环结构并且围绕引线框架110的外部。此外，从外阻挡件122延伸的部分可以覆盖引线框架110的外侧表面。外阻挡件122可以具有距引线框架110的上表面的预定高度。可以通过将发光装置芯片130的厚度、图4的荧光层140的厚度和光提取效率等作为整体考虑来确定作为外阻挡件122的外分隔件122的高度。
外阻挡件122可以具有可以使从发光装置芯片130发射的光的提取效率最大化的内表面结构。例如，如图1至图3C中所示，外阻挡件122的内表面可以以具有两台阶倾斜表面的结构形成。两台阶倾斜表面的各个角度可以形成为使光的提取效率最大化。当然，作为外阻挡件122的外分隔件122的内表面可以以具有一个倾斜表面而不是两台阶倾斜表面的结构或者以具有三个或更多个台阶倾斜表面的结构形成。
在本实施例的发光装置封装件100中，外阻挡件122具有矩形环结构，但是外阻挡件122不限于矩形环结构。例如，在本实施例的发光装置封装件100中，外阻挡件122可以具有诸如圆形环、椭圆形环、除了矩形环之外的多边形环的各种结构。
内阻挡件124可以将引线框架110的上表面的位于外阻挡件122内的区域划分为第一区域Ain和第二区域Aout。在这方面，第一区域Ain可以位于引线框架110的中心部分处作为安装发光装置芯片130的区域。第二区域Aout可以围绕第一区域Ain并且可以位于引线框架110的外部分处。第一区域Ain位于两对内槽SLin1、SLin2中的一对与两对内槽SLin1、SLin2中的另一对之间。齐纳二极管等可以布置在第二区域Aout中。齐纳二极管是具有当在相反方向上施加等于或高于齐纳电压的电压时在相反方向上被电导通的特性的二极管。齐纳二极管可以并联地连接到发光装置芯片130。当发生过电压时，电流流过齐纳二极管，从而保护发光装置芯片130免受过电压。
内阻挡件124可以具有如图3A等中所示的矩形环形状。作为内阻挡件124的内分隔件124的形状不限于矩形环形状。例如，基于发光装置芯片130的形状、第一区域Ain的形状、发光装置芯片130的倒装芯片键合结构或光提取效率等，内阻挡件124可以以各种形状形成。此外，内阻挡件124可以形成为如图3A中所示的闭环结构。然而，内阻挡件124不限于闭环结构，而是可以形成为开环结构。在对图12的描述中将更详细地描述内阻挡件124的开环结构。
内阻挡件124可以形成为具有距引线框架110的上表面的非常薄的厚度。例如，内阻挡件124可以形成为具有在将第一区域Ain和第二区域Aout物理分离的同时允许模制工艺顺利地进行的厚度。
如图3C、图4和图5中所见，内阻挡件124可以一体地连接到模制结构120的填充内槽SLin和外槽SLout的部分。在使用模具形成模制结构120的模制工艺中，可以首先用具有流动性的模制材料填充电极分隔件126、引线框架110的内槽SLin和外槽SLout。然后，可用模制材料填充引线框架110的上表面上的通道的一部分，从而可以形成内阻挡件124。因此，内阻挡件124可以相对容易地形成为期望的形状。例如，槽SLin和SLout的存在可以大大改善内阻挡件124的部分的可挤压性。
更具体地，如果引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2中不存在槽SLin和SLout，则具有流动性的模制材料可以流过与位于第一引线110-1与第二引线110-2之间的电极分隔件126对应的通道，从而电极分隔件126可以首先填充有模制材料。此外，引线框架110的顶表面上的薄矩形环通道可以填充有模制材料，从而可以形成内阻挡件124。然而，会不易于用模制材料完全填充薄矩形环通道。即，会降低与内阻挡件124对应的部分处的可挤压性，因此内阻挡件124不会具有期望的形状和刚性。另一方面，如果引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2中如本实施例的发光装置封装件100中一样存在槽SLin和SLout，则槽SLin和SLout的一部分可以用作模制材料流动所通过的通道，填充槽SLin和SLout的模制材料的上部可以构成内阻挡件124的一部分。因此，内阻挡件124可以容易地形成为期望的形状，并且也可以具有相对高的刚性。例如，薄环通道可以是内槽SLin与外槽SLout之间的非常短的部分，并且可以对应于与内阻挡件124的边缘部分相邻的部分。
电极分隔件126可以是填充第一引线110-1与第二引线110-2之间的间隙的部分，并且可以将第一引线110-1和第二引线110-2彼此电分离和物理分离。如从图3A和图3B所见，电极分隔件126可以在与第二区域Aout对应的外部分处具有宽的宽度，并且在与第一区域Ain对应的内部分处具有窄的宽度。因为电极分隔件126的外部分的宽度被设计得宽，所以可以顺利地进行模制工艺。此外，因为电极分隔件126的内部分的宽度被设计得窄，所以可以根据正在被小型化的发光装置芯片130的尺寸顺利地执行倒装芯片键合工艺。
如从图3C和图5所见，电极分隔件126可以一体地连接到模制结构120的填充内槽SLin的内槽模制部125in。此外，内槽模制部125in可以一体地连接到内阻挡件124。可以用外槽模制部125out填充外槽SLout。外槽模制部125out可以一体地连接到位于引线框架110的外部分处的外阻挡件122，并且可以一体地连接到与第一区域Ain相邻的内阻挡件124。
如从图3C所见，电极分隔件126、内槽模制部125in和外槽模制部125out可以具有比上表面的宽度大的下表面的宽度。然而，在一些实施例中，电极分隔件126、内槽模制部125in和外槽模制部125out可以形成为在下表面和上表面上具有基本相同的宽度。在其它实施例中，电极分隔件126、内槽模制部125in和外槽模制部125out的宽度可以从上表面朝向下表面逐渐变宽。
发光装置芯片130可以以倒装芯片结构安装在引线框架110的第一区域Ain上。发光装置芯片130可以是例如发光二极管(LED)芯片。发光装置芯片130可以包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层。在本实施例的发光装置封装件100中，发光装置芯片130可以包括可以以倒装芯片结构安装在引线框架110上的所有结构。发光装置芯片130的各种结构和特性等是已知的，省略对其的详细描述。在对图4和图5的描述中，将更详细地描述发光装置芯片130的倒装芯片结构。
图4和图5分别是沿线II-II'和线III-III'截取的图3A的发光装置封装件100的剖视图，并且是包括发光装置芯片的剖视图。为了便于理解，将参照图1至图3C一起进行描述。
参照图4和图5，在本实施例的发光装置封装件100中，发光装置芯片130可以以倒装芯片结构安装在引线框架110的第一区域Ain上。倒装芯片结构可以表示将发光装置芯片130安装在引线框架110上使得发光装置芯片130的活性表面面对引线框架110的顶表面的结构。在本实施例的发光装置封装件100中，发光装置芯片130可以使用焊球135以倒装芯片结构安装在引线框架110的第一区域Ain上。
如上所述，沟槽112可以形成在引线框架110的第一区域Ain中，并且可以包括第一沟槽112a和第二沟槽112b。焊球135可以位于第一沟槽112a中，并且可以用于将发光装置芯片130安装在引线框架110的第一区域Ain上。发光装置芯片130可以通过使用位于第一沟槽112a中的焊球135以倒装芯片结构结合到引线框架110。因此，可以增强发光装置芯片130与引线框架110之间的结合。
更具体地，焊球135可以设置为填充第一沟槽112a的内部。因此，与焊球135直接位于不具有第一沟槽112a的引线框架110上的情况相比，焊球135与引线框架110之间的接触面积可以相对增加。焊球135与引线框架110之间的接触面积的增加可以有助于增强发光装置芯片130与引线框架110之间的通过焊球135的结合。由于由发光装置芯片130与引线框架110之间的物理性质的差异引起的应力，会在焊球135中产生裂纹。裂纹会扩展，以导致焊球135与引线框架110分离。然而，在本实施例的发光装置封装件100中，因为焊球135位于第一沟槽112a中，所以可以增加焊球135与引线框架110之间的接触面积。当发生裂纹时，通过防止裂纹在第一沟槽112a中扩展，焊球135可以不与引线框架110分离。因此，在本实施例的发光装置封装件100中，可以改善发光装置芯片130与引线框架110之间的连接故障，并且可以改善发光装置封装件100的可靠性。
如图4和图5中所示，外阻挡件122可以具有距引线框架110的顶表面的第一高度H1，内阻挡件124可以具有距引线框架110的顶表面的第二高度H2。内阻挡件124的上表面是平坦的。如图4和图5中所示，外分隔件122的第一高度H1可以比内分隔件124的第二高度H2大得多。
可以通过将发光装置芯片130的厚度、图4的荧光层140的厚度和光提取效率等作为整体考虑来确定外阻挡件122的第一高度H1。例如，外阻挡件122的第一高度H1可以是400μm或更大。
内阻挡件124的第二高度H2可足以将第一区域Ain和第二区域Aout物理地分离。可以考虑仅存在于引线框架110的上表面上的部分的模制工艺的可挤压性来确定内阻挡件124的第二高度H2。例如，内阻挡件124的第二高度H2可以是几十微米。
发光装置芯片130可以以发光装置芯片130的一部分在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上与内阻挡件124叠置的方式安装在引线框架110的第一区域Ain上。换言之，发光装置芯片130的水平截面可以大于由内阻挡件124围绕的第一区域Ain。同时，如图4中所示，可以在发光装置芯片130与内阻挡件124之间保持第一空间S。例如，第一空间S可以是非常细小的几微米。如上所述，因为可以使发光装置芯片130与内阻挡件124之间的空间保持非常窄，因此可以防止光在发光装置芯片130与引线框架110之间流动，从而使光的通过焊球的吸收最小化，并且增大光提取效率。同时，在一些实施例中，发光装置芯片130可以安装在引线框架110的第一区域Ain上，以与内阻挡件124接触，因此可以不存在发光装置芯片130与内阻挡件124之间的空间。
覆盖发光装置芯片130的荧光层140可以布置在外阻挡件122中。荧光层140可以是电绝缘的，并且可以由包含波长转换材料的树脂形成。例如，波长转换材料可以是荧光材料，树脂可以是硅氧烷树脂、环氧树脂或其混合树脂。
荧光层140可以包括提供不同波长的光的两种或更多种材料。在一些实施例中，荧光层140可以由绿色荧光粉和红色荧光粉的混合物形成。此外，在一些其它实施例中，荧光层140可以具有其中堆叠有多个波长转换层的结构。例如，荧光层140可以具有其中堆叠有输出绿光的第一波长转换层和输出红光的第二波长转换层的结构。荧光层140可以将发光装置芯片130中产生的光转换成白光或具有特定波长的光。
另一方面，在一些实施例中，可以省略荧光层140。此外，在一些其它实施例中，微透镜可以布置在荧光层140上。
在本实施例的发光装置封装件100中，因为槽SLin和SLout形成在引线框架110中，所以可以减轻由于引线框架110与模制结构120之间的物理性质的差异而产生的应力，引线框架110与模制结构120之间的结合可以制成刚性的。因此，可以改善发光装置封装件100的可靠性。
此外，在用于形成模制结构120的模制工艺中，引线框架110的槽SLin和SLout可以用于扩大流体状态下的模制材料流动所通过的通道，从而可以改善模制工艺的可挤压性。因此，可以提高模制结构120的刚性，从而有助于改善发光装置封装件100的可靠性。
此外，在本实施例的发光装置封装件100中，沟槽112可以形成在引线框架110的第一区域Ain中，焊球135可以位于沟槽112中，以将发光装置芯片130以倒装芯片结构安装在引线框架110上。因此，可以增强发光装置芯片130与引线框架110之间的结合。因此，可以改善发光装置封装件100的可靠性。
图6A是根据实施例的发光装置封装件100a的平面图，并且是与图3A对应的平面图。图6B是沿线IV-IV'截取的图6A的发光装置封装件100a的剖视图，并且包括发光装置芯片130。
参照图6A和图6B，本实施例的发光装置封装件100a可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图6A和图6B中的模制结构120a的内阻挡件124a与图1中的模制结构120的内阻挡件124不同。具体地，在本实施例的发光装置封装件100a中，模制结构120a的内阻挡件124a可以在其上表面上具有台阶。例如，内阻挡件124a可以分成与第一区域Ain相邻的内部分124in和位于内部分124in外部的外部分124out。内部分124in的上表面可以比外部分124out的上表面低。因此，内阻挡件124a的上表面可以具有内部分124in的较低台阶上表面和外部分124out的较高台阶上表面。
同时，发光装置芯片130可以在第一方向(例如，x轴方向)和第二方向(例如，y轴方向)上与内阻挡件124a的内部分124in叠置。内阻挡件124a的外部分124out可以位于发光装置芯片130外部并且可以不与发光装置芯片130叠置。内阻挡件124a的外部分124out的上表面可以比发光装置芯片130的下表面高。例如，内阻挡件124a的外部分124out的上表面可以具有距引线框架110的上表面的第三高度H3。第三高度H3可以比发光装置芯片130与引线框架110之间的距离(即，焊球135的在引线框架110的上表面上的高度)大。
然而，在一些实施例中，内阻挡件124a的外部分124out的上表面可以与发光装置芯片130的下表面位于同一水平处，或者可以比发光装置芯片130的下表面低。
图7是根据实施例的发光装置封装件100b的剖视图，并且是与图6B对应的剖视图。
参照图7，本实施例的发光装置封装件100b可以与图6B的发光装置封装件100a不同，不同之处在于发光装置封装件100b还包括反射层150。具体地，在本实施例的发光装置封装件100b中，反射层150可以形成在外阻挡件122的内壁与内阻挡件124a之间。在例如通过模制工艺形成模制结构120a之后，反射层150可以通过点胶工艺(dispensing process)以合适的结构和尺寸形成在外阻挡件122的内壁与内阻挡件124a之间。
反射层150可以由诸如上述的模制结构120的具有高反射率的材料形成。例如，反射层150可以在诸如白色硅树脂的树脂中包括诸如Al或Ag的高反射性金属粉末或诸如TiO2、Al2O3、Nb2O5或ZnO的高反射性陶瓷粉末。此外，反射层150可以形成为使得内表面具有用于使光反射效率最大化的倾角。例如，反射层150的内表面可以具有大约45度至大约55度的倾角。
当如本实施例的发光装置封装件100b中一样，反射层150形成在外阻挡件122的内壁上时，模制结构120a可以由诸如环氧树脂的普通模制树脂形成。换言之，因为反射层150用于反射发光装置芯片130中产生的光，所以模制结构120a的外阻挡件122不需要执行用于反射光的功能。因为引线框架110的上表面被反射层150覆盖，所以可以在引线框架110的上表面的一部分或全部上省略诸如银镀层的高反射性材料的镀层。
在本实施例的发光装置封装件100b中，反射层150可以形成在外阻挡件122与上表面上具有台阶的内阻挡件124a之间。然而，反射层150可以不仅仅形成在外阻挡件122与上表面上具有台阶的内阻挡件124a之间。例如，如在图3A的发光装置封装件100中，反射层150可以形成在外阻挡件122与不具有台阶的内阻挡件124之间。
图8A至图11B是根据实施例的发光装置封装件100c、100d、100e和100f的平面图以及示出包括在发光装置封装件中的引线框架的结构的平面图。在图8A、图9A、图10A和图11A中，为了便于理解，省略了发光装置芯片。
参照图8A和图8B，本实施例的发光装置封装件100c可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图8A和图8B中的引线框架110a与图1中的引线框架110不同。具体地，图1的发光装置封装件100可以包括位于引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2中的两对内槽SLin1、SLin2和一对外槽SLout。然而，在本实施例的发光装置封装件100c中，在引线框架110a的第一引线110a-1和第二引线110a-2中可以不形成外槽，在引线框架110a的第一引线110a-1和第二引线110a-2中可以形成两对内槽SLin1、SLin2。
由于引线框架110a的结构差异，本实施例的发光装置封装件100c的模制结构120b的结构也可以与图1的发光装置封装件100的模制结构120的结构不同。例如，在本实施例的发光装置封装件100c中，因为在引线框架110a中没有形成外槽，所以模制结构120b可以不包括外槽模制部。此外，由于不存在外槽，内阻挡件124b的在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的两侧可以在引线框架110a上形成为薄的。换言之，在图1的发光装置封装件100的情况下，图3A的外槽模制部125out与内阻挡件124的在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的两侧可以在中心部分处一体地连接，内阻挡件124的在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的两侧可以通过外槽模制部125out延伸到引线框架110的下表面。然而，在本实施例的发光装置封装件100c中，因为不存在外槽模制部，所以内阻挡件124b的在第二方向(例如，y轴方向)上延伸的两侧可以仅形成在引线框架110a的上表面上，而不扩大到引线框架110a的下表面。
另一方面，在本实施例的发光装置封装件100c中，外阻挡件122内的引线框架110a可以被内阻挡件124b分成第一区域Ain和第二区域Aout。发光装置芯片130可以以倒装芯片结构安装在引线框架110a的第一区域Ain上。发光装置芯片130可以通过使用位于在引线框架110a中形成的沟槽112(即，第一沟槽112a)中的焊球135以倒装芯片结构安装在引线框架110a的第一区域Ain中。
参照图9A和图9B，本实施例的发光装置封装件100d可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图9A和图9B中的引线框架110b与图1中的引线框架110不同。具体地，图1的发光装置封装件100可以具有如下结构：引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2在与第一区域Ain对应的内部分中以窄的间隔分隔开并且在与第二区域Aout对应的外部分中以宽的间隔分隔开。另一方面，本实施例的发光装置封装件100d可以具有其中引线框架110b的第一引线110b-1和第二引线110b-2可以与内部分或外部分无关地以相等的间隔分隔开的结构。
由于引线框架110b的结构差异，本实施例的发光装置封装件100d的模制结构120c的结构可以与图1的发光装置封装件100的模制结构120的结构不同。例如，在本实施例的发光装置封装件100d中，因为引线框架110b的第一引线110b-1和第二引线110b-2与它们的位置无关地以相等的间隔分隔开，所以模制结构120c的电极分隔件126a也可以具有对应相同的宽度并且在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。
此外，引线框架110b的通过内阻挡件124的区域划分和内阻挡件124、内槽模制部125in、外槽模制部125out、引线框架110b的第一区域Ain中的沟槽112的结构以及发光装置芯片130的通过使用位于沟槽112中的焊球135的倒装芯片结构的安装与参照图1至图5描述的相同。
参照图10A和图10B，本实施例的发光装置封装件100e可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图10A和图10B中的引线框架110c与图1中的引线框架110不同。具体地，在图1的发光装置封装件100中，沟槽112可以形成在引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2的第一区域Ain中。发光装置芯片130可以通过使用位于沟槽112(例如，第一沟槽112a)中的焊球135以倒装芯片结构安装在引线框架110上。相反，在本实施例的发光装置封装件100e中，在引线框架110c的第一引线110c-1和第二引线110c-2的第一区域Ain中可以不形成单独的沟槽。因此，在本实施例的发光装置封装件100e中，发光装置芯片130可以通过使用位于引线框架110c的第一区域Ain的平坦上表面上的焊球以倒装芯片结构安装。
此外，引线框架110c的通过内阻挡件124的区域划分以及内阻挡件124、电极分隔件126、内槽模制部125in、外槽模制部125out等的结构可以与参照图1至图5描述的相同。
参照图11A和图11B，本实施例的发光装置封装件100f可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图11A和图11B中的引线框架110d与图1中的引线框架110不同。具体地，在图1的发光装置封装件100中，两对内槽SLin1和SLin2以及一对外槽SLout可以形成在引线框架110的第一引线110-1和第二引线110-2中。然而，在本实施例的发光装置封装件100f中，一个内槽SLin-1、一个内槽SLin-2和一对外槽SLout可以分别形成在引线框架110d的第一引线110d-1和第二引线110d-2中。
形成在第一引线110d-1中的内槽SLin-1和形成在第二引线110d-2中的内槽SLin-2可以以相对于中心点CP的点对称结构形成。换言之，本实施例的发光装置封装件100f可以具有相对于中心点CP点对称的一对内槽SLin-1和SLin-2以及相对于参考线RL线对称的一对外槽SLout。
由于引线框架110d的结构差异，本实施例的发光装置封装件100f的模制结构120d的结构可以与图1的发光装置封装件100的模制结构120的结构不同。例如，在本实施例的发光装置封装件100f中，在第一引线110d-1和第二引线110d-2中的每条中可以仅形成一个内槽。模制结构120d的图3的内槽模制部125可以仅形成在第一引线110d-1和第二引线110d-2中的每条的与内槽的位置对应的一个部分中。
此外，内阻挡件124c的在不具有内槽的部分中的在第一方向(例如，x轴方向)上延伸的侧部可以形成为在引线框架110d上具有薄的厚度。换言之，因为在没有内槽的部分中不存在内槽模制部，所以内阻挡件124c的在第一方向(例如，x轴方向)上的侧部可以不延伸到引线框架110d的下表面并且可以形成在引线框架110d的上表面上。
此外，引线框架110d的通过内阻挡件124c的区域划分、电极分隔件126、外槽模制部125out、引线框架110d的第一区域Ain中的沟槽112以及发光装置芯片130的通过使用位于沟槽112中的焊球135的倒装芯片结构的安装与参照图1至图5描述的相同。
图12是根据实施例的发光装置封装件100g的平面图，并且是与图3A对应的平面图。
参照图12，本实施例的发光装置封装件100g可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图12中的模制结构120e的内阻挡件124d与图1中的内阻挡件124不同。具体地，在图1的发光装置封装件100中，模制结构120的内阻挡件124可以具有矩形闭环形状。因此，当从上方观察时，引线框架110的第一区域Ain和第二区域Aout可以通过内阻挡件124彼此完全分离。相反，在本实施例的发光装置封装件100g中，模制结构120e的内阻挡件124d可以具有其中开口Op布置在内阻挡件124d的侧的部分中的矩形开环形状。因此，引线框架110e的第一区域Ain和第二区域Aout可以具有其中第一区域Ain和第二区域Aout通过开口Op彼此连接的结构。
本实施例的发光装置封装件100g的引线框架110的结构可以与图1的发光装置封装件100的引线框架110的结构基本相同。然而，因为内阻挡件124d仅形成在内槽SLin和外槽SLout中的相邻部分中，因此可以改善模制工艺中的可挤压性。例如，在本实施例的发光装置封装件100g中，内阻挡件124d可以仅形成在与内槽SLin和外槽SLout对应的部分的上部上，并且可以不形成在引线框架110的与开口Op对应的部分的上表面上。因为与开口Op对应的部分中的内阻挡件可以仅形成在图1的发光装置封装件100中的引线框架110的上表面上，所以当内阻挡件的厚度小时，该部分在模制工艺中不会完全被模制材料填充。因此，会降低模制工艺的可挤压性。然而，在本实施例的发光装置封装件100g中，因为在与开口Op对应的部分中没有形成内阻挡件，所以可以不必用模制材料填充该部分。因此，可以改善模制工艺的可挤压性。
图13A和图13B分别是发光装置封装件100h的剖视图和示出了包括在根据实施例的发光装置封装件110h中的引线框架110e的结构的平面图。图13A是与图5对应的剖视图。
参照图13A和图13B，本实施例的发光装置封装件100h可以与图1的发光装置封装件100不同。特别地，图13A和图13B中的引线框架110e的内槽SLin'与图1中的内槽SLin不同。具体地，在图1的发光装置封装件100中，引线框架110的内槽SLin可以形成为从引线框架110的顶表面穿透到引线框架110的底表面。相反，在本实施例的发光装置封装件100h中，引线框架110e的内槽SLin'可以仅在引线框架110e的上部中以沟槽结构形成。因此，如从图13A和图13B所见，引线框架110e可以存在于内槽SLin'的下部处。内槽SLin'的下部可以具有被引线框架110e阻挡的结构。
由于引线框架110e的结构差异，本实施例的发光装置封装件100h的模制结构120f的结构可以与图1的发光装置封装件100的模制结构120的结构不同。例如，在本实施例的发光装置封装件100h中，因为引线框架110e的内槽SLin'具有如图13A中所示的沟槽结构，所以内槽模制部125in'可以形成为填充沟槽的结构而不是穿过引线框架110e的结构。换言之，内槽模制部125in'可以不暴露于引线框架110e的下表面，因此，内槽模制部125in'的厚度可以小于引线框架110e的厚度。
此外，引线框架110e的通过内阻挡件124的区域划分和内阻挡件124、外槽模制部125out、引线框架110e的第一区域Ain中的沟槽112的结构以及发光装置芯片130的通过使用位于沟槽112中的焊球135的倒装芯片结构的安装与参照图1至图5描述的相同。
此外，在本实施例的发光装置封装件100h中，引线框架110e的外槽SLout可以形成为通孔，但是外槽SLout的结构不限于此。例如，外槽SLout也可以以其下部封闭的沟槽结构形成。在这样的情况下，外槽模制部125out可以以填充外槽SLout的沟槽的结构形成并且可以不暴露于引线框架110e的下表面。
虽然已经参照发明构思的实施例具体地示出并描述了发明构思，但是将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
引线框架，包括包含金属并且彼此分隔开的第一引线和第二引线；
发光装置芯片，安装在引线框架的第一区域上，引线框架的第一区域包括第一引线的一部分和第二引线的一部分；
模制结构，包括围绕引线框架的外部的外阻挡件以及内阻挡件；以及
多个槽，形成在第一引线和第二引线中的每条中，
其中，内阻挡件将引线框架分成第一区域和第二区域，并且填充在第一引线与第二引线之间，第二区域位于第一区域的外部，并且
所述多个槽由模制结构填充。
2.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述多个槽包括在第一引线和第二引线内部凹进的两对内槽。
3.根据权利要求2所述的发光装置封装件，其中，模制结构通过所述两对内槽从内阻挡件扩大至引线框架的下表面。
4.根据权利要求2所述的发光装置封装件，其中，第一区域位于所述两对内槽中的一对与所述两对内槽中的另一对之间。
5.根据权利要求2所述的发光装置封装件，其中，所述多个槽包括在第一引线和第二引线外部凹进的一对外槽。
6.根据权利要求5所述的发光装置封装件，其中，模制结构填充所述一对外槽，并且覆盖第一引线和第二引线的外侧。
7.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，内阻挡件的上表面是平坦的。
8.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，内阻挡件的上表面的一部分与发光装置芯片叠置。
9.根据权利要求1所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括在外阻挡件与内阻挡件之间形成为相对于引线框架具有倾角的反射层。
10.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，发光装置芯片通过使用焊球以倒装芯片结构安装在第一区域上，
至少一个沟槽形成在第一引线和第二引线中的每条中，并且设置在第一区域中，并且
焊球位于所述至少一个沟槽中。
11.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
引线框架，包括彼此电分离并且包含金属的第一引线和第二引线；
模制结构，包括：外阻挡件，围绕引线框架的外部；内阻挡件，将引线框架分成第一区域和设置在第一区域外部的第二区域；以及电极分隔件，通过填充在第一引线与第二引线之间来将第一引线和第二引线电分离；
发光装置芯片，以倒装芯片结构安装在引线框架的第一区域上；以及
多个槽，形成在第一引线和第二引线中的每条中，并且由模制结构填充。
12.根据权利要求11所述的发光装置封装件，其中，电极分隔件在第一方向上延伸，并且
所述多个槽包括在与第一方向交叉的第二方向上在第一引线和第二引线内部凹进的两对内槽以及在第二方向上在第一引线和第二引线外部凹进的一对外槽。
13.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，模制结构通过所述两对内槽从内阻挡件扩大至引线框架的下表面，填充所述一对外槽，并且从外阻挡件延伸以覆盖第一引线和第二引线的外侧表面。
14.根据权利要求11所述的发光装置封装件，其中，内阻挡件的上表面不具有台阶或者具有内部比外部低的台阶。
15.根据权利要求11所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括：
反射层，在外阻挡件与内阻挡件之间形成为相对于引线框架具有倾角；以及
焊球，
其中，至少一个沟槽形成在第一引线和第二引线中的每条中，并且设置在第一区域中，并且
焊球形成在所述至少一个沟槽中。
16.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括：
第一引线；
第二引线，与第一引线分隔开；
发光装置芯片，安装在包括第一引线的一部分和第二引线的一部分的第一区域上；
模制结构，包括外阻挡件、内阻挡件和电极分隔件；以及
多个槽，形成在第一引线和第二引线中，并且由模制结构填充，
其中，内阻挡件将第一引线分成第一部分和位于第一部分的外部的第二部分，并且将第二引线分成第三部分和位于第三部分的外部的第四部分，第一引线的第一部分包括在第一区域中，第二引线的第三部分包括在第一区域中，
第一引线和第二引线被外阻挡件围绕，
电极分隔件设置在第一引线与第二引线之间，并且将第一引线和第二引线电分离，
第一沟槽设置在第一引线的第一部分中，并且
第二沟槽设置在第二引线的第三部分中。
17.根据权利要求16所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括：
第一焊球，设置在第一沟槽中；以及
第二焊球，设置在第二沟槽中，
其中，发光装置芯片经由第一焊球和第二焊球安装在第一区域上。
18.根据权利要求16所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括设置在外阻挡件中并且覆盖发光装置芯片的荧光层。
19.根据权利要求16所述的发光装置封装件，其中，内阻挡件的上表面是不平坦的。
20.根据权利要求16所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括设置在外阻挡件与内阻挡件之间并且被构造为反射发光装置芯片中产生的光的反射层。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713107A (zh) * 2018-12-13 2019-05-03 佛山市国星光电股份有限公司 支架结构、led器件和灯组阵列
CN114512591A (zh) * 2021-12-31 2022-05-17 佛山市国星光电股份有限公司 支架及led器件
CN114512590A (zh) * 2021-12-31 2022-05-17 佛山市国星光电股份有限公司 Led器件
CN114520284A (zh) * 2021-12-31 2022-05-20 佛山市国星光电股份有限公司 框架及发光器件

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
JP6806042B2 (ja) * 2017-11-28 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019132386A1 (ko) * 2017-12-26 2019-07-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP6760324B2 (ja) * 2018-03-27 2020-09-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7082280B2 (ja) * 2018-03-30 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20200135627A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Texas Instruments Incorporated Substrates with solder barriers on leads
JP7364858B2 (ja) * 2019-06-13 2023-10-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113035723B (zh) * 2021-02-01 2021-10-29 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种碳化硅二极管的耐高温封装方法
JP7389363B2 (ja) * 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN114335288A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 广东良友科技有限公司 一种多层引线框的led封装器件及其制备方法
US20240027038A1 (en) * 2022-07-21 2024-01-25 Hangzhou Hpwinner Opto Corporation Light emitting diode assembly and plant lighting fixture

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024228A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR20070098178A (ko) * 2006-03-31 2007-10-05 서울반도체 주식회사 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드패키지
KR20100035754A (ko) * 2008-09-29 2010-04-07 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 패키지
CN102299240A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 乐金显示有限公司 发光二极管以及包括其的背光单元和液晶显示器件
US20120074451A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Lite-On Technology Corpration Lead frame structure, a packaging structure and a lighting unit thereof
US20150349225A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69737086T2 (de) 1996-08-27 2007-05-16 Seiko Epson Corp. Trennverfahren, verfahren zur übertragung eines dünnfilmbauelements, und unter verwendung des übertragungsverfahrens hergestelltes flüssigkristall-anzeigebauelement
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR100353557B1 (ko) * 2000-12-05 2002-09-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 제조방법
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
CN1241272C (zh) 2001-08-22 2006-02-08 索尼公司 氮化物半导体器件及其制造方法
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP4029843B2 (ja) * 2004-01-19 2008-01-09 豊田合成株式会社 発光装置
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
GT200600207A (es) 2005-06-09 2007-01-15 Novartis Ag Proceso para la síntesis de compuestos orgánicos
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101367381B1 (ko) 2007-09-12 2014-02-26 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101503497B1 (ko) 2008-03-31 2015-03-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101476423B1 (ko) 2008-05-23 2014-12-26 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP4403199B2 (ja) 2008-11-17 2010-01-20 株式会社東芝 発光装置
TWM401871U (en) * 2010-09-14 2011-04-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode lead frame
EP2641279B1 (en) 2010-11-19 2017-09-27 Koninklijke Philips N.V. Islanded carrier for light emitting device
KR20120062302A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20120093679A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
US8513693B2 (en) * 2011-08-08 2013-08-20 Intellectual Discovery Co., Ltd. Miniature leadless surface mount lamp with dome and reflector cup
JP2013041950A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sharp Corp 発光装置
JP5938912B2 (ja) 2012-01-13 2016-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及び照明装置
KR101944794B1 (ko) 2012-02-21 2019-02-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2013187276A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR20140004351A (ko) 2012-07-02 2014-01-13 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP6499387B2 (ja) 2013-03-05 2019-04-10 日亜化学工業株式会社 リードフレーム及び発光装置
US9748164B2 (en) 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
US9548261B2 (en) 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device
JP6476567B2 (ja) 2013-03-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013206186A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102013207906A1 (de) 2013-04-30 2014-10-30 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Geführte Fahrzeugpositionierung für induktives Laden mit Hilfe einer Fahrzeugkamera
KR20150042954A (ko) * 2013-10-14 2015-04-22 서울바이오시스 주식회사 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102178587B1 (ko) * 2014-03-27 2020-11-13 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
US9947636B2 (en) * 2014-06-02 2018-04-17 Stmicroelectronics, Inc. Method for making semiconductor device with lead frame made from top and bottom components and related devices
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6413412B2 (ja) 2014-07-11 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP6374723B2 (ja) * 2014-07-25 2018-08-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101592751B1 (ko) 2014-08-13 2016-02-05 현대자동차주식회사 완속충전 초기 오버 슈트 방지 장치 및 방법
KR20160023011A (ko) * 2014-08-20 2016-03-03 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
EP2988341B1 (en) 2014-08-22 2017-04-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US20160079217A1 (en) 2014-09-12 2016-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and lead frame
EP3000579B1 (en) * 2014-09-29 2019-04-17 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
KR20160037471A (ko) * 2014-09-29 2016-04-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR102301869B1 (ko) 2014-10-20 2021-09-15 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
DE102014116133B4 (de) 2014-11-05 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung
JP6387824B2 (ja) 2014-12-25 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
CN108633317B (zh) * 2016-02-12 2021-07-09 Lg 伊诺特有限公司 发光器件封装和包括该发光器件封装的照明设备
DE102016103354A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit einem leiterrahmen
US20170286103A1 (en) 2016-03-31 2017-10-05 Ca, Inc. Identifying and correlating semantic bias for code evaluation
JP6394634B2 (ja) * 2016-03-31 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024228A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
KR20070098178A (ko) * 2006-03-31 2007-10-05 서울반도체 주식회사 방열부를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드패키지
KR20100035754A (ko) * 2008-09-29 2010-04-07 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 패키지
CN102299240A (zh) * 2010-06-28 2011-12-28 乐金显示有限公司 发光二极管以及包括其的背光单元和液晶显示器件
US20120074451A1 (en) * 2010-09-27 2012-03-29 Lite-On Technology Corpration Lead frame structure, a packaging structure and a lighting unit thereof
US20150349225A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713107A (zh) * 2018-12-13 2019-05-03 佛山市国星光电股份有限公司 支架结构、led器件和灯组阵列
CN114512591A (zh) * 2021-12-31 2022-05-17 佛山市国星光电股份有限公司 支架及led器件
CN114512590A (zh) * 2021-12-31 2022-05-17 佛山市国星光电股份有限公司 Led器件
CN114520284A (zh) * 2021-12-31 2022-05-20 佛山市国星光电股份有限公司 框架及发光器件

Also Published As

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