CN108807511A - 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 - Google Patents
一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108807511A CN108807511A CN201810801124.8A CN201810801124A CN108807511A CN 108807511 A CN108807511 A CN 108807511A CN 201810801124 A CN201810801124 A CN 201810801124A CN 108807511 A CN108807511 A CN 108807511A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- layer
- polyethylene terephthalate
- minutes
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 67
- -1 poly- polyethylene terephthalate Polymers 0.000 title claims abstract description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 77
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 108
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 97
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 73
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 73
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 17
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 claims description 11
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 7
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 7
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 7
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
- H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
- H01L21/443—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。
Description
技术领域
本发明属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域，特别是涉及一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法。
背景技术
二氧化钒(VO2)在341K的临界温度(Tc)下发生温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变，并伴随着晶体对称性的改变。在低于Tc的温度下，VO2处于单斜晶相(P21/c)的半导体态，其中V原子对的能量间隙为0.6eV。在高于Tc的温度下，VO2处于四方晶系(P42/mnm)金属态，其中在费米能级和V3d带之间的重叠消除了上述带隙。这种晶体对称性和电子带结构的跃迁通常伴随着其电阻率和近红外传输的突然变化。因此，VO2长期以来被认为是智能材料中的关键材料，凭借这些独特的性能，VO2薄膜已被广泛研究。众所周知，衬底的选择对所生长的薄膜的电学和光学性质有重要的影响。然而，由于其价格问题的存在以及柔性器件的研制问题，很难在柔性PET基片上制备出高品质廉价的VO2薄膜材料质结构。所以在柔性PET上制备出高质量廉价的VO2材料是丞待解决的问题。
发明内容
针对上述存在的技术问题，本发明提供一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
本发明一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。
优选地，所述第一导电层和第二导电层均为AZO透明导电薄膜。
优选地，所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。
优选地，所述聚苯二甲酸乙二酯衬底层的厚度为0.4～1.2mm。
本发明所述聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件的制备方法，在聚苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。
优选地，在所述聚苯二甲酸乙二酯衬底层上制备第一AZO透明导电层：将聚苯二甲酸乙二酯基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间为60分钟。
优选地，采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间30分钟至180分钟。
优选地，采用磁控溅射沉积制备VO2材料层，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为180～220分钟。
优选地，采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为20～30分钟。
优选地，采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为30～80sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃～400℃，制备时间为15-25分钟。
本发明的有益效果为：
1.本发明采用聚苯二甲酸乙二酯(PET)材料作为衬底基片，相对于其他衬底材料，聚苯二甲酸乙二酯(PET)的价格是最廉价的，而且批量大，柔性好，可制备柔性器件。采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合聚苯二甲酸乙二酯(PET)材料作为衬底，可以制备出高质量廉价柔性结构的器件。采用SnO2作为缓冲层，一方面可以缓解柔性PET与VO2材料晶格失配大的难题，可以制备出高质量的VO2材料，一方面SnO2作为缓冲层价格廉价，对环境友好。而后采用AZO作为器件的导电电极，可以作为透明导电电极使用也可以减少薄膜之间的晶格失配。然后最后蒸镀其TiN材料，TiN材料硬度大，耐腐蚀，有效解决了器件的腐蚀问题，进一步提高了器件的使用寿命。该制备工艺简单，可实现规模生产。
2.本发明采用聚苯二甲酸乙二酯(PET)作为衬底层，由于其为柔性衬底，可以制备出高质量的柔性器件，在其表面制备AZO导电薄膜，AZO导电薄膜作为电极使用，起到器件电极连接的作用，SnO2材料层作为P型材料，一方面与n型VO2材料层形成PN结，组成器件，其次SnO2材料可以作为缓冲层，减小VO2材料与衬底聚苯二甲酸乙二酯(PET)晶格适配，可以制备出高质量的VO2材料，之后继续制备AZO导电薄膜，作为器件电极使用，最后制备抗腐蚀保护层，保护器件不被腐蚀，增强其使用寿命。
附图说明
图1为本发明异质结构器件的示意图。
图2为本发明实施例1～3样品VO2/SnO2异质结构的表面SEM形貌。
图3为本发明实施例1～3样品结合能在0-1100eV范围内的XPS测量光谱。
图中：1.聚苯二甲酸乙二酯衬底层，2.第一导电层，3.SnO2材料层，4.VO2材料层，5.第二导电层，6.抗腐蚀保护层。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
本发明中XPS使用的是Thermo Scientific ESCALAB 250XiX射线光电子能谱仪，该设备使用的是Aka 1486.8eV射线源，可以达到3x10-8Pa的真空腔室。
本发明利用的样品测试所用的SEM的型号是JSM-6360LV，生产于日本。设备参数为0.5-30kV的加速电压，8-30万倍的放大倍数，高低真空的条件下的二次电子分辨率分别是3nm和4nm。
如图1所示，本发明一种聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底异质结构，从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1、第一导电层2、SnO2材料层3、VO2材料层4、第二导电层5、抗腐蚀保护层6。
所述第一导电层2和第二导电层5均为AZO透明导电薄膜，厚度为100nm至800nm。所述抗腐蚀保护层6为TiN抗腐蚀保护层，厚度为500nm至900nm。所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1的厚度为0.4～1.2mm。所述SnO2材料层厚度为500nm至900nm。所述VO2材料层厚度为400nm至900nm。
本发明是在聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上依次制备第一AZO透明导电层、SnO2材料层3、VO2材料层4、第二AZO透明导电层及抗腐蚀保护层6。
实施例1：本例所述第一导电层2和第二导电层5均为AZO透明导电薄膜，其厚度均为100nm。所述抗腐蚀保护层6为TiN抗腐蚀保护层，厚度为500nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1的厚度为0.4；SnO2材料层3厚度为500nm；VO2材料层4厚度为400nm。
本例的制备方法，按如下步骤进行：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃，制备时间为60分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃，制备时间30分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层4，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为
100℃，制备时间为200分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃，制备时间为30分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为30sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃，制备时间为20分钟。
实施例2：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为800nm，第二导电层5厚度为600nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为600nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为0.5mm；SnO2材料层3厚度为700nm；VO2材料层4厚度为500nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为250℃，制备时间为60分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为90sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为250℃，制备时间60分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层4，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为250℃，制备时间为200分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，继续制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃，制备时间为30分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为50sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为300℃，制备时间为20分钟。
实施例3：本例与实施例1不同的是：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为300nm，第二导电层5厚度为200nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为900nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为1.2mm；SnO2材料层3厚度为900nm；VO2材料层4厚度为800nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间为60分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为100sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间90分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层4，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间为200分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，继续制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为240℃，制备时间为30分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为70sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为250℃，制备时间为20分钟。
实施例4：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为400nm，第二导电层5厚度为600nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为800nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为1.0mm；SnO2材料层3厚度为600nm；VO2材料层4厚度为600nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为350℃，制备时间为60分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为350℃，制备时间150分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层4，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间为200分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，继续制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为250℃，制备时间为30分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为65sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为350℃，制备时间为20分钟。
实施例5：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为600nm，第二导电层5厚度为700nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为550nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为0.6mm；SnO2材料层3厚度为650nm；VO2材料层4厚度为700nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为400℃，制备时间为60分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为400℃，制备时间180分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层4，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间为200分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，继续制备AZO透明导电电极。其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为300℃，制备时间为30分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为80sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为400℃，制备时间为20分钟。
实施例6：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为500nm，第二导电层5厚度为400nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为750nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为0.8mm；SnO2材料层3厚度为800nm；VO2材料层4厚度为550nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为400℃，制备时间为40分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层2，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为400℃，制备时间180分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为120℃，制备时间为220分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃，制备时间为20分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层6为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为30～80sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为400℃，制备时间为15分钟。
实施例7：本例与实施例1不同的是：本例采用的所述第一导电层2厚度为650nm，第二导电层5厚度为550nm。所述抗腐蚀保护层6厚度为550nm。所述聚对苯二甲酸乙二酯衬底层1的厚度为1.2mm；SnO2材料层3厚度为700nm；VO2材料层4厚度为600nm。本例制备方法为：
1.在所述聚苯二甲酸乙二酯(PET)衬底层1上制备第一AZO透明导电薄膜：将聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其聚苯二甲酸乙二酯(PET)基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃，制备时间为50分钟。
2.采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层2，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为280℃，制备时间100分钟。
3.采用磁控溅射沉积制备VO2材料层3，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为150℃，制备时间为180分钟。
4.采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为25分钟。
5.采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层6，该抗腐蚀保护层6为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为30～80sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃～400℃，制备时间为25分钟。
实验结束后采用扫描电子显微镜显微镜(SEM)分析设备对VO2/SnO2苯二甲酸乙二酯(PET)异质结构的表面形貌进行了测试分析。其结果如图2所示，由图2可以制备的薄膜材料形貌很平整，晶粒分布很均匀，满足器件的要求。之后采用XPS对VO2/SnO2苯二甲酸乙二酯(PET)异质结构进行了测试分析，如图3所示，在XPS测量谱中可以很好地识别组合物中的所有元素。我们检测到所有样品中存在VO2的信号。
Claims (10)
1.一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。
2.根据权利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述第一导电层和第二导电层均为AZO透明导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。
4.根据权利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述聚苯二甲酸乙二酯衬底层的厚度为0.4～1.2mm。
5.一种如权利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件的制备方法，其特征在于：在聚苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在所述苯二甲酸乙二酯衬底层上制备第一AZO透明导电层：将苯二甲酸乙二酯基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其苯二甲酸乙二酯基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间为60分钟。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射沉积制备SnO2材料层，在1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氧气作为气体反应源，其氧气流量为80～120sccm，反应溅射二氧化锡靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间30分钟至180分钟。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射沉积制备VO2材料层，在1.0×10-3Pa真空的条件下，制备VO2薄膜材料，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为180～220分钟。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射制备第二AZO透明导电薄膜：将真空抽到1.0×10-3Pa真空的条件下，其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比5:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为20～30分钟。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射制备抗腐蚀保护层，该抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护涂层，其工艺参数条件是：氮气作为气体反应源，其氮气流量为30～80sccm，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃～400℃，制备时间为15-25分钟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810133499.1A CN108376700A (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 |
| CN2018101334991 | 2018-02-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108807511A true CN108807511A (zh) | 2018-11-13 |
| CN108807511B CN108807511B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=63017507
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810133499.1A Pending CN108376700A (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 |
| CN201821151831.9U Expired - Fee Related CN208478342U (zh) | 2018-02-09 | 2018-07-20 | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构 |
| CN201810801124.8A Active CN108807511B (zh) | 2018-02-09 | 2018-07-20 | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810133499.1A Pending CN108376700A (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 |
| CN201821151831.9U Expired - Fee Related CN208478342U (zh) | 2018-02-09 | 2018-07-20 | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (3) | CN108376700A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108376700A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-08-07 | 沈阳工程学院 | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058903A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Canon Inc | 位置検出素子およびその製造方法 |
| JP2004172167A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Zenji Hiroi | 遷移金属酸化物太陽電池 |
| WO2008052067A2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Applied Quantum Technology Llc | Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells |
| WO2011118700A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光学用二酸化バナジウム薄膜の製造方法 |
| CN104569061A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-04-29 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 |
| CN208478342U (zh) * | 2018-02-09 | 2019-02-05 | 沈阳工程学院 | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构 |
-
2018
- 2018-02-09 CN CN201810133499.1A patent/CN108376700A/zh active Pending
- 2018-07-20 CN CN201821151831.9U patent/CN208478342U/zh not_active Expired - Fee Related
- 2018-07-20 CN CN201810801124.8A patent/CN108807511B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058903A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Canon Inc | 位置検出素子およびその製造方法 |
| JP2004172167A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Zenji Hiroi | 遷移金属酸化物太陽電池 |
| WO2008052067A2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Applied Quantum Technology Llc | Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells |
| WO2011118700A1 (ja) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光学用二酸化バナジウム薄膜の製造方法 |
| CN104569061A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-04-29 | 苏州纳格光电科技有限公司 | 金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 |
| CN208478342U (zh) * | 2018-02-09 | 2019-02-05 | 沈阳工程学院 | 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 徐婷婷: "基于AZO/VO2/AZO结构的电压诱导相变红外光调制器", 物理学报, vol. 65, no. 24, pages 248102 - 1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN208478342U (zh) | 2019-02-05 |
| CN108807511B (zh) | 2024-02-02 |
| CN108376700A (zh) | 2018-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9966495B2 (en) | Transparent conductive layer and transparent electrode comprising the same | |
| Windisch Jr et al. | Mott–Schottky analysis of thin ZnO films | |
| Rezugina et al. | Ni-YSZ films deposited by reactive magnetron sputtering for SOFC applications | |
| Bouderbala et al. | Annealing effect on properties of transparent and conducting ZnO thin films | |
| Lansåker et al. | Thin sputter deposited gold films on In2O3: Sn, SnO2: In, TiO2 and glass: Optical, electrical and structural effects | |
| Zhang et al. | Effects of Mo content on microstructure and corrosion resistance of arc ion plated Ti–Mo–N films on 316L stainless steel as bipolar plates for polymer exchange membrane fuel cells | |
| Ma et al. | Balancing the corrosion resistance and conductivity of Cr-Al-C coatings via annealing treatment for metal bipolar plates | |
| Meng et al. | Face–centered cubic p–type NiO films room–temperature prepared via direct-current reactive magnetron sputtering–Influence of sputtering power on microstructure, optical and electrical behaviors | |
| CN108231910A (zh) | 一种柔性基片衬底的异质结构薄膜及其制备方法 | |
| Zhu et al. | Aluminium doped zinc oxide sputtered from rotatable dual magnetrons for thin film silicon solar cells | |
| Wu et al. | High haze Ga and Zr co-doped zinc oxide transparent electrodes for photovoltaic applications | |
| JPWO2004065656A1 (ja) | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| Wang et al. | Deposition, Structure, and Properties of Cermet Thin Films Composed of Ag and Y‐Stabilized Zirconia | |
| Le et al. | Synthesis and characterization of single-crystalline δ-Ta2O5 epitaxial films on Y-stabilized ZrO2 (111) substrates | |
| CN108807511A (zh) | 一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法 | |
| Shturman et al. | Effect of LaNiO3 electrodes and lead oxide excess on chemical solution deposition derived Pb (Zrx, Ti1− x) O3 films | |
| Kuo et al. | Growth of 20 mol% Gd-doped ceria thin films by RF reactive sputtering: the O2/Ar flow ratio effect | |
| Kim et al. | Characteristics of RuO2–SnO2 nanocrystalline-embedded amorphous electrode for thin film microsupercapacitors | |
| Solovyev et al. | Magnetron-sputtered La 0.6 Sr 0.4 Co 0.2 Fe 0.8 O 3 nanocomposite interlayer for solid oxide fuel cells | |
| CN103014705B (zh) | Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法 | |
| Götsch et al. | Substoichiometric zirconia thin films prepared by reactive sputtering of metallic zirconium using a direct current ion beam source | |
| Briois et al. | Structural and electrical characterisation of lanthanum nickelate reactively sputter-deposited thin films | |
| US11223052B2 (en) | Fuel-cell separator | |
| US7754352B2 (en) | Amorphous semiconducting and conducting transparent metal oxide thin films and production thereof | |
| Kment et al. | Role of ion bombardment, film thickness and temperature of annealing on PEC activity of very-thin film hematite photoanodes deposited by advanced magnetron sputtering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhang Dong Inventor after: Li Yucai Inventor after: Zhao Yan Inventor after: Wang Jian Inventor after: Song Shiwei Inventor after: Wang Gang Inventor after: Ding Yanbo Inventor after: Wang Han Inventor after: Liu Liying Inventor before: Li Yucai Inventor before: Zhang Dong Inventor before: Zhao Yan Inventor before: Wang Jian Inventor before: Song Shiwei Inventor before: Wang Gang Inventor before: Ding Yanbo Inventor before: Wang Han Inventor before: Liu Liying |
|
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |