CN108803161A - 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置，包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一金属层、第一透明电极层、第二金属层和第二透明电极层；第一金属层包括多条沿第一方向延伸的扫描线，第二金属层包括多条沿第二方向延伸的数据线，多条扫描线和多条数据线交叉限定出多个像素区域；像素区域包括透光区和非透光区，透光区包括像素电极；第一透明电极层包括多个第一电极，在垂直于衬底基板的方向上，第一电极和像素电极一一相对设置，且和漏极交叠、和源极不交叠。相对于现有技术，由于设置了第一透明电极层，在图案化第二绝缘层时，不会对第一绝缘层造成影响，提高了显示面板膜层制作的精度和显示面板的合格率。

Description

显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。
背景技术
现有技术的显示面板一般设置有多层导电层，导电层之间可以通过绝缘层隔开，防止不同电位的导电层之间产生干扰。绝缘层通常由氮化硅或氧化硅等无机材料形成。
但由于导电层通常是由导电材料经刻蚀工艺图案化而成，后续形成在该导电层上的绝缘层与已形成的绝缘层之间会有直接接触部分，在对后续形成在该导电层上的绝缘层进行图案化过程中，容易因两者采用相同的干刻工艺而刻蚀掉部分已新形成的绝缘层，从而影响后续膜层的制作精度。如果采用不同的刻蚀工艺，工艺难度又比较大，不利于生产成本的降低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。
本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板以及依次设置在衬底基板上的第一金属层、第一透明电极层、第二金属层和第二透明电极层；第一金属层和第一透明电极层之间设置有第一绝缘层，第二金属层和第二透明电极层之间设置有第二绝缘层；第一金属层包括多条沿第一方向延伸的扫描线，第二金属层包括多条沿第二方向延伸的数据线，多条扫描线和多条数据线交叉限定出多个像素区域；像素区域包括透光区和非透光区，透光区包括像素电极，非透光区包括薄膜晶体管和公共电极；其中，薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，栅极和公共电极位于第一金属层，源极和漏极位于第二金属层；像素电极位于第二透明电极层，并延伸至非透光区，像素电极和漏极电连接；第一透明电极层包括多个第一电极；其中，在垂直于衬底基板的方向上，第一电极和像素电极一一相对设置，且和漏极交叠、和源极不交叠。
本发明提供了一种显示面板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、第一透明电极层、第二金属层、第二绝缘层和第二透明电极层；第一金属层包括多条沿第一方向延伸的扫描线，第二金属层包括多条沿第二方向延伸的数据线，多条扫描线和多条数据线交叉限定出多个像素区域；像素区域包括透光区和非透光区，透光区包括像素电极，非透光区包括薄膜晶体管和公共电极；其中，薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，栅极和公共电极位于第一金属层，源极和漏极位于第二金属层；像素电极位于第二透明电极层，并延伸至非透光区，像素电极和漏极电连接；第一透明电极层包括多个第一电极；其中，在垂直于衬底基板的方向上，第一电极和像素电极一一相对设置，且和漏极交叠、和源极不交叠。
本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置，至少实现了如下的有益效果：
1、第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二金属层之间，使得第一透明电极层可以和第二金属层同电位，从而无需另外增加走线即可为第一透明电极层提供电位，也不会影响其他膜层电位；
2、由于第一透明电极层可以采用不同于绝缘层的刻蚀工艺进行图案化，在图案化第二绝缘层时，第一电极覆盖第一绝缘层，不会对第一绝缘层造成影响，提高了显示面板膜层制作的精度和显示面板的合格率；
3、第一透明电极层可以和薄膜晶体管的半导体层直接形成在第一绝缘层上，虽然增加了一步刻蚀步骤，但不会影响显示面板整体的厚度，有利于实现显示装置的轻薄化。
4、第一电极相比像素电极更靠近公共电极，并且第一电极和像素电极同电位，第一电极和公共电极之间形成更大的存储电容，保持显示稳定。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图2是图1中像素区域的一种结构示意图；
图3是图2中沿A-A方向的一种剖面结构示意图；
图4是图2中沿A-A方向的另一种剖面结构示意图；
图5是图2中沿A-A方向的又一种剖面结构示意图；
图6是图2中沿A-A方向的又一种剖面结构示意图；
图7是图1中像素区域的另一种结构示意图；
图8是图7中沿B-B方向的一种剖面结构示意图；
图9是图7中沿B-B方向的另一种剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；
图11-图17是图10中制造方法所制造的显示面板的剖面结构示意图；
图18是本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法所制造的显示面板的剖面结构示意图；
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法所制造的显示面板的剖面结构示意图；
图20-图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的制造方法所制造的显示面板的剖面结构示意图；
图23是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图1、图2和图3所示，本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板10以及依次设置在衬底基板10上的第一金属层11、第一透明电极层13、第二金属层14和第二透明电极层16；第一金属层11和第一透明电极层13之间设置有第一绝缘层12，第二金属层14和第二透明电极层16之间设置有第二绝缘层15；
第一金属层11包括多条沿第一方向X延伸的扫描线G，第二金属层14包括多条沿第二方向Y延伸的数据线D，多条扫描线G和多条数据线D交叉限定出多个像素区域P；像素区域P包括透光区P1和非透光区P2，透光区P1包括像素电极20，非透光区P2包括薄膜晶体管T和公共电极30；其中，薄膜晶体管T包括栅极T1、半导体层T2、源极T3和漏极T4，栅极T1和公共电极30位于第一金属层11，源极T3和漏极T4位于第二金属层14；像素电极20位于第二透明电极层16，并延伸至非透光区P2，像素电极20和漏极T4电连接；
第一透明电极层13包括多个第一电极130；其中，在垂直于衬底基板10的方向上，第一电极130和像素电极20一一相对设置，且和漏极T4交叠、和源极T3不交叠。
具体的，请继续参考图2所示，像素电极P由扫描线G和数据线D交叉限定出，像素区域P包括透光区P1和非透光区P2，非透光区P2位于透光区P1的***，透光区P1包括像素电极20，像素电极20通过薄膜晶体管T和数据线D电连接。其中，薄膜晶体管T的栅极T1可以和与其最接近的扫描线G一体形成，薄膜晶体管T的源极T3可以和与其最接近的数据线D一体形成。
需要说明的是，为了更加直观地示意本发明的技术方案，图2中未示意出其他膜层结构，后续不再赘述；同时，图2中所示意的像素电极20和公共电极30只是平面区域上的位置关系，两者的膜层结构请参考图3所示。
本实施例中，第一透明电极层13和第二透明电极层16可以由ITO(铟锡氧化物)形成，从而可以采用湿刻工艺进行图案化。通过薄膜晶体管T为第二透明电极层16的像素电极20供电时，显示面板的像素电极20和位于对置基板上的公共电极之间会形成电场，从而在电场的作用下控制液晶分子转动，使显示面板处于显示状态。公共电极30的形状可以有多种，本实施例对此并不作具体限制，并且，像素电极20和公共电极30之间会形成存储电容，用以在显示状态下保持稳定的显示画面。
第一透明电极层13中的第一电极130和薄膜晶体管T的漏极T4交叠、和薄膜晶体管T的源极T3不交叠，从而第一电极130可以和漏极T4同电位。同时，由于像素电极20和漏极T4是电连接的关系，故像素电极20可以和漏极T4及第一电极130都同电位，无需另外增加走线为第一电极130提供电位。并且，由于第一电极130和半导体层T2可以直接形成在第一绝缘层12上，虽然增加了第一电极130的刻蚀步骤，但不会影响显示面板整体的厚度，有利于实现显示装置的轻薄化。
第一绝缘层12和第二绝缘层15可以由无机材料形成，比如氮化硅(SiN或Si3N3)或氧化硅(SiO2)等，从而可以采用干刻工艺进行图案化。请继续参考图3所示，第一绝缘层12和第二绝缘层15之间还设置有第一电极130，由于第一电极130位于第一透明电极层13，故在采用干刻工艺图案化第二绝缘层15时，干刻工艺不会对第一电极130产生工艺影响，从而有效确保了显示面板各膜层的制作精度。
当然，本实施例中的各透明电极和绝缘层还可以由其他材料形成，本实施例对此并不作具体限制。
本实施例提供的显示面板，至少具有如下的技术效果：
1、第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二金属层之间，使得第一透明电极层可以和第二金属层同电位，从而无需另外增加走线即可为第一透明电极层提供电位，也不会影响其他膜层电位；
2、由于第一透明电极层可以采用不同于绝缘层的刻蚀工艺进行图案化，在图案化第二绝缘层时，第一电极覆盖第一绝缘层，不会对第一绝缘层造成影响，提高了显示面板膜层制作的精度和显示面板的合格率；
3、第一透明电极层可以和薄膜晶体管的半导体层直接形成在第一绝缘层上，虽然增加了一步刻蚀步骤，但不会影响显示面板整体的厚度，有利于实现显示装置的轻薄化；
4、第一电极相比像素电极更靠近公共电极，并且第一电极和像素电极同电位，第一电极和公共电极之间形成更大的存储电容，保持显示稳定。
在一些可选的实施例中，请结合参考图2和图4所示，像素电极20靠近衬底基板10的一侧设置有反射金属40；或者，像素电极20远离衬底基板10的一侧设置有反射金属40。
具体的，反射金属40的材料可以为铝、铝合金、银、铝和钼的复合层等；反射金属40既可以设置在像素电极20靠近衬底基板10的一侧，也可以设置在像素电极20远离衬底基板10的一侧；反射金属40的面积及平面形状可根据实际需要设计；当然，反射金属40和像素电极20之间既可以直接接触，也可以设置其他膜层，本实施例对此均不作具体限制。
根据应用的不同，显示面板可以分为透射型显示面板、反射型显示面板和半反半透型显示面板。其中，反射型显示面板和半反半透型显示面板通过利用反射金属层反射光源达到显示的目的。
本实施例中，由于设置了反射金属40，所说的显示面板可以是反射型显示面板，或者，也可以是半反半透型显示面板，本实施例对此并不作具体限制。
此外，位于相邻像素区域P的反射金属40间的距离不应太小，否则反射金属40之间容易出现短路现象，影响显示面板的正常显示。
可选的，反射金属40覆盖像素电极20的表面。具体的，反射金属40可以是覆盖在像素电极20靠近衬底基板10一侧的表面，也可以是覆盖在像素电极20远离衬底基板10一侧的表面，本实施例对此并不作具体限制。
请继续参考图4所示，本实施例中的反射金属40覆盖在像素电极20靠近衬底基板10一侧的表面时，由于反射金属40和像素电极20之间没有绝缘层，而是直接接触，故反射金属40可以和像素电极20同电位，也无需另外增加走线。这种情况下，像素电极20既可以经过孔19和薄膜晶体管T的漏极T4电连接，也可以直接通过反射金属40经过孔19和薄膜晶体管T的漏极T4电连接。
可选的，请参考图5所示，反射金属40和像素电极20之间设置有第三绝缘层17，反射金属40和像素电极20电连接。
本实施例中，反射金属40设置在像素电极20靠近衬底基板10的一侧，通过设置第三绝缘层17将反射金属40所在膜层与像素电极20所在的第二透明电极层16隔开，防止反射金属40所在膜层和第二透明电极层16采用刻蚀工艺图案化的过程中相互影响，提高了显示面板膜层制作的精度。
为了确保电位的一致性，反射金属40仍然需要和像素电极20电连接，这种情况下，可以通过反射金属40和薄膜晶体管T的漏极T4电连接来达到像素电极20和漏极T4电连接的目的。
当然，反射金属40设置在像素电极20远离衬底基板10的一侧时，像素电极20仍然直接同图3所示的电连接方式。
可选的，请参考图6所示，显示面板为反射型显示面板时，由于不设置背光源，位于非透光区P2的薄膜晶体管T中，漏极T4可以延拓至透光区P1，也即延拓部18位于透光区P1。由于第一电极130的存在，延拓部18可以直接形成在第一电极130上，从而可以通过延拓部18使第一电极130和漏极T4同电位，此时在平行于衬底基板10的方向上，第一电极130和漏极T4之间可以存在间隙。
在一些可选的实施例中，请参考图7和图8所示，反射金属40包括开口部401和非开口部402；在垂直于衬底基板10的方向上，开口部401和透光区P1交叠，漏极T4延拓至开口部401的***；第二绝缘层15包括绝缘开口150，绝缘开口150和开口部401相对设置，像素电极20通过开口部401和绝缘开口150与第一电极130电连接。
需要说明的是，为了更加直观地示意本发明的技术方案，图7中未示意出其他膜层结构，后续不再赘述；同时，图7中所示意的反射金属40和公共电极30只是平面区域上的位置关系，两者的膜层结构请参考图8所示。
本实施例中，漏极T4延拓至开口部401的***，也即延拓部18避开开口部401，背光源不会被延拓部18遮挡，在垂直于衬底基板10的方向上，开口部401所在的区域即为透射区域，透射区域除绝缘层外只有部分第一电极130和像素电极20，而第一电极130和像素电极20均为透明电极，第一电极130的设置基本不会影响透射区域的亮度。开口部401的形状、位置及开口面积也可以根据实际需要设计，只要满足上述结构关系即可，本实施例对此并不作具体限制。
像素电极20通过开口部401和绝缘开口150与第一电极130电连接，从而像素电极20直接与第一电极130接触。但由于薄膜晶体管T的漏极T4与像素电极20之间距离较大，为了避免电信号从漏极T4经延拓部18或第一电极130传至像素电极20时出现延迟现象，漏极T4仍然需要与像素电极20电连接，确保了显示面板显示的均一性。
此外，由于刻蚀工艺的不同，反射金属40、第二绝缘层15和延拓部18在图案化过程中对于除自身以外的膜层均不会产生影响，使得显示面板的透射区域具有高精度的透射盒厚，确保了显示面板的光学稳定性。
可选的，请继续参考图7和图8所示，在垂直于衬底基板10的方向上，公共电极30半包围开口部401。本实施例中，公共电极30半包围开口部401，也即在垂直于衬底基板10的方向上，公共电极30与开口部401不交叠，从而公共电极30不会影响显示面板的透光率。其中，公共电极30的半包围形式可以有多种，本实施例对此并不作具体限制。
可选的，请参考图9所示，显示面板还可以包括黑矩阵50、色阻60和透明基板70。其中，黑矩阵50和色阻60均设置在透明基板70靠近衬底基板10的一侧，黑矩阵50采用透光率极低的材料制成，色阻60采用透光率极高的材料制成，从而光线只能从色阻60透过。显示面板的液晶层80则位于黑矩阵50、色阻60与像素电极20之间。
本实施例中，色阻60可以是透明色阻、彩色色阻中的一种或者两种的组合。具体的，当色阻60为透明色阻时，显示面板只能显示黑白图像；当色阻60为彩色色阻时，显示面板可以显示彩色图像；当色阻60为透明色阻和彩色色阻的组合时，显示面板的一部分区域可以显示黑白图像，另一部分区域则可以显示彩色图像。
由于光只能从色阻60所在区域透过，故在垂直于衬底基板10的方向上，色阻60与开口部401交叠的区域即为透射区域Q1，透射盒厚为h1；而色阻60与非开口部402交叠的区域即为反射区域Q2，反射盒厚为h2，使得显示面板为半透半反型显示面板，h1与h2的差值即为显示面板中各像素的透反段差。请继续参考图9所示，该透反段差实际上也是延拓部18、第二绝缘层15、非开口部402三者的厚度和。
请结合参考图1-3、图10以及图11-图17所示，本发明提供了一种显示面板的制造方法，包括：
S101、提供衬底基板10；
S102、在衬底基板10上依次形成第一金属层11、第一绝缘层12、第一透明电极层13、第二金属层14、第二绝缘层15和第二透明电极层16；
第一金属层11包括多条沿第一方向X延伸的扫描线G，第二金属层14包括多条沿第二方向Y延伸的数据线D，多条扫描线G和多条数据线D交叉限定出多个像素区域P；
像素区域P包括透光区P1和非透光区P2，透光区P1包括像素电极20，非透光区P1包括薄膜晶体管T和公共电极30；其中，薄膜晶体管T包括栅极T1、半导体层T2、源极T3和漏极T4，栅极T1和公共电极30位于第一金属层11，源极T3和漏极T4位于第二金属层14；像素电极20位于第二透明电极层16，并延伸至非透光区P2，像素电极20和漏极T4电连接；
第一透明电极层13包括多个第一电极130；其中，在垂直于衬底基板10的方向上，第一电极130和像素电极20一一相对设置，且和漏极T4交叠、和源极T3不交叠。
本实施例提供的显示面板的制造方法中，薄膜晶体管T的半导体层T2和第一透明电极层13的图案化顺序可以根据实际情况调节先后，本实施例对此并不作具体限制。第一透明电极层13和第二透明电极层16采用湿刻法图案化，第一绝缘层12和第二绝缘层15采用干刻法图案化，从而在图案化第二绝缘层15时，不会对第一绝缘层12造成影响，提高了显示面板膜层制作的精度和显示面板的合格率。
需要说明的是，显示面板的制作过程中，主要通过刻蚀工艺形成显示面板中的膜层结构，可以理解的是，显示面板的制造方法中图案化所采用的刻蚀工艺可以是湿法刻蚀工艺(即湿刻法)或者干法刻蚀工艺(即干刻法)。当采用湿刻法时，可以针对显示面板中形成的各膜层的材料等的不同，可以选择不同的刻蚀液；当采用干刻法时，可以针对显示面板中形成的各膜层的材料等的不同，可以选择不同的刻蚀气体。
在一些可选的实施例中，本发明的显示面板的制造方法，还包括在像素电极20靠近衬底基板10的一侧形成反射金属40，或者在像素电极20远离衬底基板10的一侧形成反射金属40。
本实施例中，请参考图18所示，在像素电极20靠近衬底基板10的一侧形成反射金属40所在膜层时，反射金属40所在膜层需要先形成在第二绝缘层15上，对其图案化形成反射金属40后再形成第二透明电极层16或者其他膜层。由于反射金属40的存在，本实施例制造方法制造的显示面板可以是反射型显示面板，或者，也可以是半反半透型显示面板，本实施例对此并不作具体限制。
在对反射金属40所在膜层进行图案化时，应确保反射金属40间的距离不至于太小，否则反射金属40之间容易出现短路现象，影响显示面板的正常显示。
可选的，反射金属40覆盖像素电极20的表面。具体的，反射金属40可以是覆盖在像素电极20靠近衬底基板10一侧的表面，也可以是覆盖在像素电极20远离衬底基板10一侧的表面，本实施例对此并不作具体限制。
本实施例中，请继续参考图18所示，反射金属40覆盖在像素电极20靠近衬底基板10一侧的表面时，反射金属40所在膜层需要先形成在第二绝缘层15上，对其图案化形成反射金属40后再形成第二透明电极层16，最后图案化第二透明电极层16以形成像素电极20。由于反射金属40和像素电极20之间没有绝缘层，而是直接接触，故反射金属40可以和像素电极20同电位，这种情况下，在形成第二绝缘层15和反射金属40所在膜层时，还需要图案化形成与各像素电极20相应的过孔19，从而在图案化第二透明电极层16时像素电极20可以和薄膜晶体管T的漏极T4电连接。
可选的，本发明的显示面板的制造方法，还包括在反射金属40和像素电极20之间形成第三绝缘层17，反射金属40和像素电极20电连接。
请参考图19所示，本实施例仅以反射金属40形成于像素电极20靠近衬底基板10的一侧为例进行说明。通过形成第三绝缘层17将反射金属40所在膜层与像素电极20所在的第二透明电极层16隔开，防止反射金属40所在膜层和第二透明电极层16采用刻蚀工艺图案化的过程中相互影响，提高了显示面板膜层制作的精度。
为了确保电位的一致性，反射金属40仍然需要和像素电极20电连接，这种情况下，在形成第二绝缘层15和第三绝缘层17时，可以分别图案化形成过孔19，从而在形成反射金属40所在膜层和第二透明电极层16时，可以通过反射金属40和薄膜晶体管T的漏极T4电连接来达到像素电极20和漏极T4电连接的目的。
可选的，请结合参考图7、图20-图22所示，反射金属40包括开口部401和非开口部402；在垂直于显示面板10的方向上，开口部401和透光区P1交叠，漏极T4延拓至开口部401的***；第二绝缘层15包括绝缘开口150，绝缘开口150和开口部401相对设置，像素电极20通过开口部401和绝缘开口150与第一电极130电连接。
本实施例中，在采用干刻工艺图案化第二绝缘层15以形成绝缘开口150的过程中，由于第一绝缘层12上已经形成了第一电极130，故不会对第一绝缘层12产生影响，有效确保了透反段差的精度，提高了显示面板的光学稳定性。
像素电极20通过开口部401和绝缘开口150与第一电极130电连接，从而像素电极20直接与第一电极130接触。但由于薄膜晶体管T的漏极T4与像素电极20之间距离较大，为了避免电信号从漏极T4经延拓部18或第一电极130传至像素电极20时出现延迟现象，漏极T4仍然需要与像素电极20电连接，以确保显示面板显示的均一性。这种情况下，在分别对第二绝缘层15和反射金属40所在膜层进行图案化以形成绝缘开口150和开口部401时，还需要分别图案化形成过孔19，从而在形成第二透明电极层16时，可以通过过孔19来达到像素电极20和漏极T4电连接的目的。
可选的，请结合参考图7和图22所示，在垂直于衬底基板10的方向上，公共电极30半包围开口部402。
本实施例中，公共电极30半包围开口部401，也即在垂直于衬底基板10的方向上，公共电极30与开口部401不交叠，从而公共电极30不会影响显示面板的透光率。
由于公共电极30与扫描线G、栅极T1和公共电极30均位于第一金属层11，从而可以在图案化第一金属层11时，公共电极30和与其同膜层的其他结构可以一同刻蚀出。公共电极30的半包围形式可以有多种，本实施例对此并不作具体限制。
本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。
请参考图23所示，本实施例的显示装置200包括本发明上述任一实施例提供的显示面板100。图23仅以手机为例，对显示装置200进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置200还可以是电脑、电视、手表、车载显示等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此并不作具体显示。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置，至少实现了如下的有益效果：
1、第一透明电极层设置在第一绝缘层和第二金属层之间，使得第一透明电极层可以和第二金属层同电位，从而无需另外增加走线即可为第一透明电极层提供电位，也不会影响其他膜层电位；
2、由于第一透明电极层可以采用不同于绝缘层的刻蚀工艺进行图案化，在图案化第二绝缘层时，第一电极覆盖第一绝缘层，不会对第一绝缘层造成影响，提高了显示面板膜层制作的精度和显示面板的合格率；
3、第一透明电极层可以和薄膜晶体管的半导体层直接形成在第一绝缘层上，虽然增加了一步刻蚀步骤，但不会影响显示面板整体的厚度，有利于实现显示装置的轻薄化。
4、第一电极相比像素电极更靠近公共电极，并且第一电极和像素电极同电位，第一电极和公共电极之间形成更大的存储电容，保持显示稳定。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的第一金属层、第一透明电极层、第二金属层和第二透明电极层；
所述第一金属层和第一透明电极层之间设置有第一绝缘层，所述第二金属层和所述第二透明电极层之间设置有第二绝缘层；
所述第一金属层包括多条沿第一方向延伸的扫描线，所述第二金属层包括多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述扫描线和多条所述数据线交叉限定出多个像素区域；
所述像素区域包括透光区和非透光区，所述透光区包括像素电极，所述非透光区包括薄膜晶体管和公共电极；其中，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述栅极和所述公共电极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于所述第二金属层；所述像素电极位于所述第二透明电极层，并延伸至所述非透光区，所述像素电极和所述漏极电连接；
所述第一透明电极层包括多个第一电极；其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极和所述像素电极一一相对设置，且和所述漏极交叠、和所述源极不交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述像素电极靠近所述衬底基板的一侧设置有反射金属；或者，所述像素电极远离所述衬底基板的一侧设置有反射金属。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述反射金属覆盖所述像素电极的表面。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述反射金属和所述像素电极之间设置有第三绝缘层，所述反射金属和所述像素电极电连接。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述反射金属包括开口部和非开口部；
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述开口部和所述透光区交叠，所述漏极延拓至所述开口部的***；
所述第二绝缘层包括绝缘开口，所述绝缘开口和所述开口部相对设置，所述像素电极通过所述开口部和所述绝缘开口与所述第一电极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
在垂直于所述衬底基板的方向上，所述公共电极半包围所述开口部。
7.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、第一透明电极层、第二金属层、第二绝缘层和第二透明电极层；
所述第一金属层包括多条沿第一方向延伸的扫描线，所述第二金属层包括多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述扫描线和多条所述数据线交叉限定出多个像素区域；
所述像素区域包括透光区和非透光区，所述透光区包括像素电极，所述非透光区包括薄膜晶体管和公共电极；其中，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述栅极和所述公共电极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于所述第二金属层；所述像素电极位于所述第二透明电极层，并延伸至所述非透光区，所述像素电极和所述漏极电连接；
所述第一透明电极层包括多个第一电极；其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一电极和所述像素电极一一相对设置，且和所述漏极交叠、和所述源极不交叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
还包括在所述像素电极靠近所述衬底基板的一侧形成反射金属，或者在所述像素电极远离所述衬底基板的一侧形成反射金属。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
所述反射金属覆盖所述像素电极的表面。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
还包括在所述反射金属和所述像素电极之间形成第三绝缘层，所述反射金属和所述像素电极电连接。
11.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
所述反射金属包括开口部和非开口部；
在垂直于所述显示面板的方向上，所述开口部和所述透光区交叠，所述漏极延拓至所述开口部的***；
所述第二绝缘层包括绝缘开口，所述绝缘开口和所述开口部相对设置，所述像素电极通过所述开口部和所述绝缘开口与所述第一电极电连接。
12.根据权利要求10所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
在垂直于所述显示面板的方向上，所述公共电极半包围所述开口部。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至6中任一项所述的显示面板。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112015016A (zh) * 2020-09-07 2020-12-01 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
CN113138504A (zh) * 2021-04-27 2021-07-20 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113469079A (zh) * 2021-07-07 2021-10-01 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113811942A (zh) * 2020-03-27 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN113900311A (zh) * 2021-02-26 2022-01-07 友达光电股份有限公司 像素结构

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010020991A1 (en) * 1997-07-28 2001-09-13 Masumi Kubo Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US20010043175A1 (en) * 1996-10-22 2001-11-22 Masahiro Yasukawa Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
US20020063824A1 (en) * 2000-10-30 2002-05-30 Kyoung-Su Ha Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20060134684A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 삼성전자주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
US20070058117A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Liang-Neng Chien Pixel structure for transflective LCD panel and fabricating method thereof
FR2864704B1 (fr) * 2003-12-29 2007-05-18 Lg Philips Lcd Co Ltd Dispositif d'affichage a cristaux liquides de type transflectif et procede de fabrication associe
CN101609832A (zh) * 2008-06-17 2009-12-23 索尼株式会社 显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法
US20120142245A1 (en) * 2002-07-31 2012-06-07 Dong Guk Kim Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN203444218U (zh) * 2013-08-22 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103838043A (zh) * 2014-02-18 2014-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板
CN104269414A (zh) * 2014-09-25 2015-01-07 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104637872A (zh) * 2015-02-02 2015-05-20 昆山龙腾光电有限公司 氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN105204252A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
CN105487315A (zh) * 2016-01-19 2016-04-13 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板
CN105527767A (zh) * 2016-01-25 2016-04-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板以及液晶显示器
CN106298809A (zh) * 2016-09-22 2017-01-04 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
CN106483726A (zh) * 2016-12-21 2017-03-08 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN106990627A (zh) * 2015-12-22 2017-07-28 三菱电机株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN107942595A (zh) * 2017-12-21 2018-04-20 惠科股份有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及其制造方法
CN108074958A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 三星显示有限公司 显示设备

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010043175A1 (en) * 1996-10-22 2001-11-22 Masahiro Yasukawa Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
US20010020991A1 (en) * 1997-07-28 2001-09-13 Masumi Kubo Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
US20020063824A1 (en) * 2000-10-30 2002-05-30 Kyoung-Su Ha Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US20120142245A1 (en) * 2002-07-31 2012-06-07 Dong Guk Kim Transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
FR2864704B1 (fr) * 2003-12-29 2007-05-18 Lg Philips Lcd Co Ltd Dispositif d'affichage a cristaux liquides de type transflectif et procede de fabrication associe
KR20060134684A (ko) * 2005-06-23 2006-12-28 삼성전자주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
US20070058117A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Liang-Neng Chien Pixel structure for transflective LCD panel and fabricating method thereof
CN101609832A (zh) * 2008-06-17 2009-12-23 索尼株式会社 显示装置及其制造方法、以及半导体器件及其制造方法
CN203444218U (zh) * 2013-08-22 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103838043A (zh) * 2014-02-18 2014-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板
CN104269414A (zh) * 2014-09-25 2015-01-07 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104637872A (zh) * 2015-02-02 2015-05-20 昆山龙腾光电有限公司 氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法
CN105204252A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
CN106990627A (zh) * 2015-12-22 2017-07-28 三菱电机株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN105487315A (zh) * 2016-01-19 2016-04-13 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板
CN105527767A (zh) * 2016-01-25 2016-04-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板以及液晶显示器
CN106298809A (zh) * 2016-09-22 2017-01-04 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置
CN108074958A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 三星显示有限公司 显示设备
CN106483726A (zh) * 2016-12-21 2017-03-08 昆山龙腾光电有限公司 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和液晶显示面板
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107942595A (zh) * 2017-12-21 2018-04-20 惠科股份有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及其制造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
CN113811942A (zh) * 2020-03-27 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN112015016A (zh) * 2020-09-07 2020-12-01 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
CN112015016B (zh) * 2020-09-07 2022-11-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
CN113900311A (zh) * 2021-02-26 2022-01-07 友达光电股份有限公司 像素结构
CN113900311B (zh) * 2021-02-26 2023-07-04 友达光电股份有限公司 像素结构
CN113138504A (zh) * 2021-04-27 2021-07-20 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113138504B (zh) * 2021-04-27 2022-09-16 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN115421338A (zh) * 2021-04-27 2022-12-02 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113469079A (zh) * 2021-07-07 2021-10-01 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

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