CN108768355B - 快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 - Google Patents
快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108768355B CN108768355B CN201810313823.8A CN201810313823A CN108768355B CN 108768355 B CN108768355 B CN 108768355B CN 201810313823 A CN201810313823 A CN 201810313823A CN 108768355 B CN108768355 B CN 108768355B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- capacitor
- resistor
- pmos tube
- resistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04206—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明提供了一种快速导通Pmos管驱动电路及实现方法,将处于截止状态的Pmos管快速导通。若驱动信号由低电平翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1一端电压突变为0,由于电容电压不能突变,因此电容C1另外一端电压亦突变为0,造成三极管Q3的发射极与基极之间基极电流突然增大,该电流给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,且电阻R4为小阻值电阻,电压VG通过电阻R4对地快速放电。此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,快速使电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,合理选取电阻R1、R2即可实现Pmos管快速导通。本发明电路结构简单,易于工程实现。
Description
技术领域
本发明涉及航天电源控制技术领域,具体涉及一种快速导通Pmos管驱动电路实现及方法。
背景技术
针对航天器使用S4R(Series Sequential Switching Shunt Regulator)电路的特点,S4R主功率回路一方面通过功率二极管给全调节母线供电,另一方面通过Pmos管给蓄电池组充电,当母线及蓄电池组都不需要功率时,S4R主功率通过Nmos管对地分流掉。
查阅现有Pmos管驱动电路文献,主要分为如下两大类,一是采用自举式驱动电路;另外一种是采用隔离变压器实现。这两种驱动方式,均需要Pmos管处于调制状态,而航天用S4R电路的Pmos管除了处于调制状态外,还有可能处于全导通或全截止状态。此外,根据目前公布的图腾柱式驱动电路,虽然也满足上述三种Pmos的三种工作状态,但Pmos导通时间过长,对S4R电路而言,一方面有可能在调制过程中,抬高母线电压;另外一方面在蓄电池组电压比较低时,影响全调节母线动态响应,具体描述过程为——全调母线负载满载→Pmos管关断,Nmos管关断→全调节母线功率瞬间减载→蓄电池组电压较低,Nmos管关断,Pmos管导通→但此时由于Pmos未能及时导通,太阳阵功率持续向全调母线供电,造成全调母线电压瞬间升高,动态性能变差,极易影响全调母线电压稳定性,给电源***带来隐患。
此外,Pmos管导通时间过长,Pmos管工作在放大区的时间过长,使Pmos管热耗增加,造成Pmos管散热设计比较复杂,对Pmos管长寿命使用不利。
目前,针对航天器用S4R电路的Pmos管驱动电路一般采用稳压管工作的方式实现Pmos管源极S与栅极G之间的压差,使Pmos管导通。一方面稳压管长期工作,若稳压管失效,则Pmos管源极S与栅极G之间的压差过大,造成Pmos管源栅击穿;同时未针对Pmos管的快速导通进行专门设计,仅靠驱动电路一般匹配实现Pmos管的导通与关断,给航天器用S4R电路的使用带来局限性。因此必须设计专门的快速导通Pmos管驱动电路及方法,一方面在S4R电路调整过程中S4R全调母线支路电压无波动;另一方面降低Pmos管工作过程中的热耗,降低Pmos管散热设计的复杂度。
图1是一般Pmos管驱动电路及方法的基本原理图,一般Pmos管驱动电路及方法直接通过比较器U1的低电平输出信号B实现Pmos管的导通,由于稳压管D1长期处于工作状态,其限流电阻R2不能太小,太小将造成流经稳压管D1的反向电流过大,影响稳压管使用寿命,因此R2的阻值一般比较大,一般为几千欧姆;同时芯片U1的供电电源为二次电源电压,一般为+12V,而Pmos管M1的源极电压VS为高电压,若电阻R4短路失效,将造成功率侧高电压串入二次电源端,严重影响控制电路正常工作。
图1中,芯片U1输出信号B为高阻态时,三极管Q1导通,VS=VG,使Pmos管M1截止;此时,若U1输出信号B为电平时,Q2基极电流足够大,迅速使Q2导通,但由于电阻R2阻值为几千欧姆,阻值偏大,M1栅极G电压VG通过电阻R2放电时间过长,造成Pmos管M1导通时间过长,Pmos热耗增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快速导通Pmos管驱动电路及实现方法,该电路结构及工艺流程简单,器件选型均为常规元器件,易于工程实现。
所述快速导通Pmos管驱动电路,包括电阻R0~R5、三极管Q1~Q3、稳压管D1、电容C1等。
为了达到上述的目的,本发明提供的快速导通Pmos管驱动电路,其一端与Pmos管的源极(S)及栅极(G)相连,一端驱动控制信号A相连。所述Pmos管M1为单P-沟道MOSFET,内部有寄生二极管;所述驱动控制信号A为一般常用反馈电路发生的脉宽调制信号;所述Pmos管驱动电路包括驱动信号A输入电阻R0、取反三极管Q1、分压电阻R1与R2、加快导通电容C1、Pmos管M1S极与G极保护稳压管D1、驱动功率放大三极管Q2与Q3、限流电阻R3与R4、驱动输入电阻R5。若驱动信号A为低电平,则经过电阻R0后,三极管Q1工作在饱和截止区,Pmos管源极电压VS经过电阻R2使电容C1电压VC1+=VC1-=VS,即电容两端压降为0,由于VC1+=VS,则三极管Q2导通,Q3截止,VS经过电阻R3与R5使Pmos管栅极电压VG=VS,最终使Pmos管M1截止;若此时驱动信号A翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1一端电压VC1-突变为0,由于电容特性--电容电压不能突变,因此电容C1另外一端电压VC1+亦突变为0,造成三极管Q3的发射极与基极之间基极电流Ib3突然增大为(VG-0.7V)/R5,该电流给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极IC3同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,且电阻R4为小阻值电阻,电压VG通过电阻R4对地快速放电。此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,快速使电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,即VC1+=VS×R1/(R1+R2),从而使VG=VS×R1/(R1+R2),因此Pmos管M1源极S与栅极G压差为VS×R2/(R1+R2),经过合理选取电阻R1、R2即可实现Pmos管M1快速导通,R2=0.8×R1,R1取值1K-100K欧姆。
所述三极管Q1与源极S电压VS通过电阻R1与R2相连,实现驱动控制信号A与高压VS的保护限流隔离,当三极管Q1基极与集电极发生短路失效时,高电压VS通过电阻R2、R1、R0反灌至控制电路中,由于限流电阻R2、R1、R0的作用,电流最大不超过VS/(R1+R2+R0),保护前端控制电路,提高驱动电路的可靠性应用;所述三级管Q2、Q3与Pmos管M1通过电阻R3、R5相连,实现驱动功率放大,根据实际选用M1的型号规格,选取合适的阻值,实现M1的导通与关断,实际应用时,电阻R3、R4、R5为小阻值电阻,取值范围在几欧姆至几百欧姆(如0-100欧姆),其中电阻R4可取0欧姆电阻,最大化实现Pmos管快速导通;所述电容C1为无极性电容,其两端与分压电阻R1并联使用,其特征在于,利用电容电压不能突变的特性,实现Pmos管M1的快速导通,而对Pmos关断过程无影响;所述保护稳压管D1,防止三极管Q3基极-集电极短路失效时,避免VG=0,防止Pmos管M1栅源击穿,D1的正常工作保护稳压值大于分压电压VS×R2/(R1+R2),小于Pmos管M1源极S与栅极G最大允许电压(16V-22V);所述电阻R1与R2在实际工作过程中瞬间热耗较大,可采取多只(比如4只)同型号规格电阻并联或采取大功率(1W以上)阻值使用。
本发明提供的一种快速导通Pmos管驱动电路实现方法,包括以下步骤:若驱动信号A由低电平翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1一端电压VC1-突变为0,由于电容特性--电容电压不能突变,因此电容C1另外一端电压VC1+亦突变为0,造成三极管Q3的发射极与基极之间基极电流Ib3突然增大为(VG-0.7V)/R5,该电流给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极IC3同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,且电阻R4为小阻值电阻,电压VG通过电阻R4对地快速放电。此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,快速使电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,即VC1+=VS×R1/(R1+R2),从而使VG=VS×R1/(R1+R2),因此Pmos管M1的源极S与栅极G压差为VS×R2/(R1+R2)。合理选取电阻R1、R2即可实现Pmos管M1快速导通,电阻R1取值范围为1K-100K欧姆,R2=0.8R1。
综述,本发明的提供的一种快速导通Pmos管驱动电路实现及方法,一方面体现在一方面在S4R电路调整过程中使Pmos管快速导通,将太阳阵功率通过Pmos管快速传输至蓄电池组,避免太阳阵功率通过功率二极管传输至全调节母线,实现全调母线支路电压无波动;另一方面降低Pmos管工作过程中的热耗,降低Pmos管散热设计的复杂度。
附图说明
图1是一般Pmos管驱动电路及方法的基本原理图。
图2是本发明实施例快速导通Pmos管驱动电路基本原理图。
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
本实施例的快速导通Pmos管驱动电路的基本原理图如图2所示,具体包括电阻R0~R5、三极管Q1~Q3、稳压管D1、电容C1等。所述驱动控制信号A为一般常用反馈电路发生的脉宽调制信号;所述Pmos管驱动电路包括驱动信号A输入电阻R0、取反三极管Q1、分压电阻R1与R2、加快导通电容C1、Pmos管M1S极与G极保护稳压管D1、驱动功率放大三极管Q2与Q3、限流电阻R3与R4、驱动输入电阻R5。若驱动信号A为低电平,则经过电阻R0后,三极管Q1工作在饱和截止区,电压VS经过电阻R2使电容C1电压VC1+=VC1-=VS,即电容两端压降为0,由于VC1+=VS,则三极管Q2导通,Q3截止,VS经过电阻R3与R5使VG=VS,最终使Pmos管M1截止;若此时驱动信号A翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1一端电压VC1-突变为0,由于电容特性--电容电压不能突变,因此电容C1另外一端电压VC1+亦突变为0,造成三极管Q3的发射极与基极之间基极电流Ib3突然增大为(VG-0.7V)/R5,该电流给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极IC3同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,且电阻R4为小阻值电阻,电压VG通过电阻R4对地快速放电。此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,快速使电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,即VC1+=VS×R1/(R1+R2),从而使VG=VS×R1/(R1+R2),因此Pmos管M1源极S与栅极G压差为VS×R2/(R1+R2),经过合理选取电阻R1、R2即可实现Pmos管M1快速导通。
此外,所述保护稳压管D1,其特征在于,D1的正常工作保护稳压值大于分压电压VS×R2/(R1+R2),小于Pmos管M1源极S与栅极G最大允许电压(16V-22V)。
需要说明的是,上文只是对本发明进行示意性说明和阐述,本领域的技术人员应当明白,对本发明的任意修改和替换都属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种快速导通Pmos管驱动电路,其特征在于,驱动信号经过电阻R0进入三极管Q1,三极管Q1通过电阻R1和R2与Pmos管的源极相连,电容C1与电阻R1并联,三极管Q2、Q3通过电阻R3、R5与Pmos管的栅极相连,稳压管D1阴极与Pmos管的源极相连,稳压管D1阳极与三极管Q2、Q3的基极相连,Pmos管栅极电压通过电阻R4对地放电;
所述Pmos管为单P-沟道MOSFET,内部有寄生二极管;
所述稳压管D1的正常工作保护稳压值大于分压电压VS×R2/(R1+R2),且小于Pmos管源极与栅极最大允许电压,其中VS为Pmos管源极电压。
2.如权利要求1所述的一种快速导通Pmos管驱动电路,其特征在于,所述驱动信号为反馈电路发生的脉宽调制信号。
3.如权利要求1所述的一种快速导通Pmos管驱动电路,其特征在于,所述电容C1为无极性电容。
4.如权利要求1所述的一种快速导通Pmos管驱动电路,其特征在于,所述电阻R3、R4、R5取值范围为0-100欧姆。
5.一种快速导通Pmos管驱动电路实现方法,其特征在于,采用如权利要求1-4中任一权利要求所述的快速导通Pmos管驱动电路,若驱动信号由低电平翻转为高电平,则经R0使三极管Q1导通,电容C1电压VC1-和VC1+突变为0,三极管Q3的发射极与基极之间基极电流Ib3给电容C1充电,同时三极管Q3的集电极IC3电流同步放大,三极管Q3工作在饱和导通区,电压VG通过电阻R4对地放电;此外,电压VS通过电阻R2也给电容C1充电,使电容电压VC1+嵌位在电阻R1与R2的分压处,通过选取电阻R1、R2即可实现Pmos管快速导通;三极管Q3的发射极与基极之间基极电流Ib3增大为(VG-0.7V)/R5,VC1+=VS×R1/(R1+R2),从而使VG=VS×R1/(R1+R2),Pmos管源极与栅极压差为VS×R2/(R1+R2)。
6.如权利要求5所述的一种快速导通Pmos管驱动电路实现方法,其特征在于,电阻R1取值范围为1k-100k欧姆,R2=0.8*R1。
7.如权利要求6所述的一种快速导通Pmos管驱动电路实现方法,其特征在于,电阻R1与R2采用4只相同规格的电阻并联或者采用1W以上的电阻。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810313823.8A CN108768355B (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810313823.8A CN108768355B (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108768355A CN108768355A (zh) | 2018-11-06 |
CN108768355B true CN108768355B (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=63981539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810313823.8A Active CN108768355B (zh) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108768355B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109687858B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-06-20 | 深圳航天东方红海特卫星有限公司 | 一种卫星用高电压端pmos驱动电路 |
CN109525206B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-12-28 | 中科特思信息技术(深圳)有限公司 | 一种射频功率放大器实时监测保护电路 |
CN109921400B (zh) * | 2019-04-03 | 2021-08-17 | 昆山通达测科电子科技有限公司 | 高速大功率浪涌电压抑制电路 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101355352A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 上海空间电源研究所 | P型功率mos开关管驱动电路 |
CN201528324U (zh) * | 2009-11-23 | 2010-07-14 | 宁波德斯科电子科技有限公司 | 一种igbt驱动与保护电路 |
CN104795976A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-07-22 | 西安科技大学 | 可快速关断pmos开关管的驱动控制电路及其设计方法 |
CN206023569U (zh) * | 2016-08-30 | 2017-03-15 | 苏州泰思特电子科技有限公司 | 超快速mosfet电子开关驱动电路 |
CN206180991U (zh) * | 2016-08-29 | 2017-05-17 | 成都信息工程大学 | 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路 |
CN107547070A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-01-05 | 西安科技大学 | 采用有源泄放技术的pmos管驱动电路及其设计方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9184586B2 (en) * | 2012-06-26 | 2015-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | SiGe based gate driven PMOS trigger circuit |
-
2018
- 2018-04-10 CN CN201810313823.8A patent/CN108768355B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101355352A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 上海空间电源研究所 | P型功率mos开关管驱动电路 |
CN201528324U (zh) * | 2009-11-23 | 2010-07-14 | 宁波德斯科电子科技有限公司 | 一种igbt驱动与保护电路 |
CN104795976A (zh) * | 2015-05-12 | 2015-07-22 | 西安科技大学 | 可快速关断pmos开关管的驱动控制电路及其设计方法 |
CN206180991U (zh) * | 2016-08-29 | 2017-05-17 | 成都信息工程大学 | 一种基于线性光耦隔离的mosfet/igbt高速驱动电路 |
CN206023569U (zh) * | 2016-08-30 | 2017-03-15 | 苏州泰思特电子科技有限公司 | 超快速mosfet电子开关驱动电路 |
CN107547070A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-01-05 | 西安科技大学 | 采用有源泄放技术的pmos管驱动电路及其设计方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108768355A (zh) | 2018-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108768355B (zh) | 快速导通Pmos管驱动电路及实现方法 | |
CN212183126U (zh) | 一种带软启动的防反接保护电路 | |
CN105762854A (zh) | 一种电池供电电路及供电方法 | |
CN211123821U (zh) | 一种应用于电表和终端的线性稳压电路 | |
CN216216786U (zh) | 升压保护电路、功率放大器及相关芯片 | |
CN204905985U (zh) | 一种oring控制电路和电源*** | |
CN213817709U (zh) | 一种大功率igbt驱动控制电路 | |
CN212457333U (zh) | 一种钳位保护电路、驱动***以及空调器 | |
CN210724728U (zh) | 可快速关断的mos管驱动电路 | |
CN210822113U (zh) | 一种上电缓冲电路 | |
CN109980600B (zh) | 一种tr组件供电的负偏压保护电路 | |
CN107465334B (zh) | 驱动源电路及带箝位的功率开关管栅极驱动电路 | |
US10340909B2 (en) | Buffer circuit and semiconductor device | |
CN110798325A (zh) | 一种自动调整供电电压的供电电路 | |
CN113422500A (zh) | 一种卫星电源功率使能n沟道mosfet驱动电路 | |
CN112256076B (zh) | 用于开关晶体管的驱动电路及包括其的驱动装置 | |
CN105515357B (zh) | 一种dcdc限流电路 | |
CN110071491B (zh) | 负载拖尾电流消除电路 | |
CN218633684U (zh) | 一种驱动关断控制电路 | |
CN208923811U (zh) | 过压保护电路 | |
CN113690855A (zh) | 过压保护电路及电器设备 | |
CN107919792B (zh) | 一种三极管驱动电路、驱动方法及开关电源 | |
CN100472953C (zh) | 具有减小的关断电流的可逆放大器电路 | |
CN110706977A (zh) | 一种pwm控制型继电器 | |
CN109687858B (zh) | 一种卫星用高电压端pmos驱动电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |