CN108763100B - 一种固态存储设备快速trim方法及其*** - Google Patents

一种固态存储设备快速trim方法及其*** Download PDF

Info

Publication number
CN108763100B
CN108763100B CN201810523385.8A CN201810523385A CN108763100B CN 108763100 B CN108763100 B CN 108763100B CN 201810523385 A CN201810523385 A CN 201810523385A CN 108763100 B CN108763100 B CN 108763100B
Authority
CN
China
Prior art keywords
trim
module
mapping table
updating
judging whether
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810523385.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108763100A (zh
Inventor
李建
华荣
王猛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd filed Critical Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Priority to CN201810523385.8A priority Critical patent/CN108763100B/zh
Publication of CN108763100A publication Critical patent/CN108763100A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108763100B publication Critical patent/CN108763100B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/0292—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing using tables or multilevel address translation means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

本发明涉及一种固态存储设备快速TRIM方法及其***；其中，固态存储设备快速TRIM方法，包括以下步骤；S1，判断主机当前是否有请求需要处理；若是，则进入S2，若不是，则进入S4；S2，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；S3，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；S4，扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND。本发明采用标准化存储TRIM命令及TRIM后台处理方法，极大降低了SSD响应主机TRIM命令的时间。

Description

一种固态存储设备快速TRIM方法及其***
技术领域
本发明涉及固态存储设备领域，更具体地说是指一种固态存储设备快速 TRIM方法及其***。
背景技术
现有SSD***中，TRIM(ATA命令集的命令，用于通知设备哪些逻辑地址不再被占用)的实现方式可能是采用同步方式实现，即在接收到TRIM命令时，根据TRIM命令指定的逻辑地址空间，更新映射表，然后将更新过的映射表写入NAND 完成TRIM命令处理。同步处理方式的缺点是，当TRIM命令指定的逻辑地址空间很大时，更新映射表及存储更新后的映射表都会花费较长时间，使得TRIM命令响应时间过长。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种固态存储设备快速TRIM 方法及其***。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种固态存储设备快速TRIM方法，包括以下步骤；
S1，判断主机当前是否有请求需要处理；若是，则进入S2，若不是，则进入S4；
S2，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
S3，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S4，扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM 表和映射表写入NAND。
其进一步技术方案为：所述S2具体包括以下步骤：
S21，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
S22，判断是否获取一个待处理的TU；若是，则进入S23，若不是，则进入 S3；
S23，判断TU是否完整；若是，则进入S25，若不是，则进入S24；
S24，根据TU更新映射表，并返回S22；
S25，将TU转换为TRIM表中相应的比特，并返回S22。
其进一步技术方案为：所述S3步骤之后还包括：
发送TRIM信息通知至主机。
其进一步技术方案为：所述S4具体包括以下步骤：
S41，判断是否从TRIM表中获取一个TU；若是，则进入S42，若不是，则进入S45；
S42，根据TU更新映射表，将TU对应TRIM表中的比特设置为0；
S43，判断TU处理数量是否达到预设值；若是，则进入S44，若不是，则返回S1；
S44，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S45，结束TRIM后台处理。
其进一步技术方案为：所述S42具体包括以下步骤：
S421，根据TU更新映射表；
S422，清除TU对应TRIM表中的比特。
其进一步技术方案为：所述S43中，TU处理数量的预设值为5-50个。
一种固态存储设备快速TRIM***，包括主机判断单元，执行划分单元，更新写入单元，以及扫描更新单元；
所述主机判断单元，用于判断主机当前是否有请求需要处理；
所述执行划分单元，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
所述更新写入单元，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
所述扫描更新单元，用于扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND。
其进一步技术方案为：所述执行划分单元包括执行模块，待处理判断模块， TU完整性判断模块，更新模块，以及转换模块；
所述执行模块，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
所述待处理判断模块，用于判断是否获取一个待处理的TU；
所述TU完整性判断模块，用于判断TU是否完整；
所述更新模块，用于根据TU更新映射表；
所述转换模块，用于将TU转换为TRIM表中相应的比特。
其进一步技术方案为：所述扫描更新单元包括获取判断模块，更新清除模块，预设值判断模块，写入模块，以及处理模块；
所述获取判断模块，用于判断是否从TRIM表中获取一个TU；
所述更新清除模块，用于根据TU更新映射表，清除TU对应TRIM表中的比特；
所述预设值判断模块，用于判断TU处理数量是否达到预设值；
所述写入模块，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
所述处理模块，用于结束TRIM后台处理。
其进一步技术方案为：所述TU处理数量的预设值为5-50个。
本发明与现有技术相比的有益效果是：通过判断主机当前是否有请求需要处理；执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐(即上述所说的不完整的TU)的部分直接更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；将更新的TRIM表和映射表写入NAND；扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；采用标准化存储TRIM命令及TRIM后台处理方法，极大降低了SSD响应主机TRIM命令的时间。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为本发明一种固态存储设备快速TRIM方法的流程图；
图2为图1中S2的具体步骤流程图；
图3为图1中S4的具体步骤流程图；
图4为图3中S42的具体步骤流程图；
图5为映射表及TRIM表在RAM中的布局及TRIM命令执行后对表的更新示意图；
图6为写命令导致映射表和TRIM表更新的示意图；
图7为本发明一种固态存储设备快速TRIM***的方框图。
10 主机判断单元 20 执行划分单元
21 执行模块 22 待处理判断模块
23 TU完整性判断模块 24 更新模块
25 转换模块 30 更新写入单元
40 扫描更新单元 41 获取判断模块
42 更新清除模块 43 预设值判断模块
44 写入模块 45 处理模块
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。
如图1到图7所示的具体实施例，其中，如图1至图6所示，本发明公开了一种固态存储设备快速TRIM方法，包括以下步骤；
S1，判断主机当前是否有请求需要处理；若是，则进入S2，若不是，则进入S4；
S2，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
S3，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S4，扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM 表和映射表写入NAND。
具体地，如图2所示，S2具体包括以下步骤：
S21，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
S22，判断是否获取一个待处理的TU；若是，则进入S23，若不是，则进入 S3；
S23，判断TU是否完整；若是，则进入S25，若不是，则进入S24；
S24，根据TU更新映射表，并返回S22；
S25，将TU转换为TRIM表中相应的比特，并返回S22。
其中，在S3步骤之后还包括：发送TRIM信息通知至主机。
具体地，如图3所示，S4具体包括以下步骤：
S41，判断是否从TRIM表中获取一个TU；若是，则进入S42，若不是，则进入S45；
S42，根据TU更新映射表，将TU对应TRIM表中的比特设置为0；
S43，判断TU处理数量是否达到预设值；若是，则进入S44，若不是，则返回S1；
S44，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S45，结束TRIM后台处理。
具体地，如图4所示，S42具体包括以下步骤：
S421，根据TU更新映射表；
S422，清除TU对应TRIM表中的比特。
其中，S43中，TU处理数量的预设值为5-50个。
其中，TU处理数量的预设值是个变量，可根据S44花费时间及写入数据量权衡：若一次处理的TU过少，则S44总的写入数据量会多(因每次写入都有额外的 overhead)；若一次处理TU过多，则S44耗时过长，可能影响在此期间对主机命令的响应。
其中，在本发明中，将TRIM信息的标准化存储，将整个逻辑地址空间划分为固定大小的片段(简称为TU，TRIM Unit)，每个片段用1个比特描述该片段的逻辑地址空间是否需要被TRIM，每个片段描述的逻辑地址空间大小可根据*** RAM大小确定，在***RAM中保存整个位图信息，称此位图为TRIM表；TRIM表的存储方式和映射表存储方式相同，并与映射表一起存入映射块中；将TRIM命令转换为标准的TRIM表中的位图，既方便多个主机TRIM命令的合并，亦便于TRIM 信息和映射表采用同样的格式存储处理，无需新增额外的处理逻辑。
具体地，图5给出了一个有1TB逻辑地址空间SSD的映射表和TRIM表在RAM的布局及NAND中存储示例；
其中，LBN：Logical Block Number，用户读写基本单元，常见大小为 512Bytes；
LPN：Logical Page Number，映射单元，通常为4KB；
MPN：Mapping Page Number，映射表存储单元，本示例中为4KB；
PPN：Phys ical Page Number，NAND页号，本示例中页大小为8KB
其中，1TB的逻辑地址空间划分为256MLPN，对应256K的MPN；相应的TRIM表大小为32KB，分配的MPN为256K-256K+7。在收到TRIM LBN 8184-16383的命令后，其中，对LBN8192-16383的TRIM转换为TRIM表中的第二个比特，对LBN 8184-8191 的TRIM则转换为将映射表中的LPN1023处的表项设置为无映射值，然后将更新的 MPN0和MPN256K写入NAND，就可向主机报告TRIM命令处理完成。
其中，如图1至图4中的TRIM命令的执行过程，SSD接收到TRIM命令后，将非 TU对齐的部分直接更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特，在将更新的TRIM表和映射表写入NAND后即可通知主机TRIM命令完成；如此使得TRIM命令处理过程需要更新的映射表和写入NAND的数据都能保持在一个较低的水平，达到快速响应主机TRIM命令的目的。当主机没有请求需要处理时，***会在后台根据TRIM表中的TRIM信息将对应的映射表项设置为无映射值，直至清空TRIM 表
其中，如图1至图4中的TRIM命令的后台处理流程，当主机没有请求需要处理时，扫描TRIM表，逐个TU处理；当处理到一定数量时，保存映射表和TRIM表，防止因异常掉电导致过多的重复处理；当***非空闲时，退出后台处理。
其中，在写命令处理过程中，对于写命令涉及的每个LPN，若其对应的TU在 TRIM表置位，则先根据TU更新映射表，然后清除TU在TRIM表中对应的比特。待后续保存映射表时，同时保存更新过的TRIM表部分。
如图6所示，描述了写命令导致映射表和TRIM表更新的示例，当收到用户写LBN8192-8199(对应LPN1024)命令时，检查到该写入区间对应的TU在TRIM表中已被标记，故先将该TU对应的映射表(LPN1024-2047)项设置为无映射值，并清除TRIM表中相应的标记，后再处理用户的写命令(LPN1024映射到新分配的写入地址)，之后待***内部发起保存映射表时，上述被更新的MPN1和MPN256K也会被写入NAND。
其中，读命令的执行过程，对于读命令涉及的每个LPN，若其对应的TU在TRIM 表置位，则表示该LPN无映射，返回固定的数据给主机即可，否则进行正常的读处理。
如图7 所示，本发明还公开了一种固态存储设备快速TRIM***，包括主机判断单元10，执行划分单元20，更新写入单元30，以及扫描更新单元40；
主机判断单元10，用于判断主机当前是否有请求需要处理；
执行划分单元20，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分直接更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
更新写入单元30，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
扫描更新单元40，用于扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND。
其中，执行划分单元20包括执行模块21，待处理判断模块22，TU完整性判断模块23，更新模块24，以及转换模块25；
执行模块21，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
待处理判断模块22，用于判断是否获取一个待处理的TU；
TU完整性判断模块23，用于判断TU是否完整；
更新模块24，用于根据TU更新映射表；
转换模块25，用于将TU转换为TRIM表中相应的比特。
其中，扫描更新单元40包括获取判断模块41，更新清除模块42，预设值判断模块43，写入模块44，以及处理模块45；
获取判断模块41，用于判断是否从TRIM表中获取一个TU；
更新清除模块42，用于根据TU更新映射表，清除TU对应TRIM表中的比特；
预设值判断模块43，用于判断TU处理数量是否达到预设值；
写入模块44，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
处理模块45，用于结束TRIM后台处理。
进一步地，TU处理数量的预设值为5-50个。
本发明采用标准化存储TRIM命令及TRIM后台处理方法，极大降低了SSD响应主机TRIM命令的时间。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (8)

1.一种固态存储设备快速TRIM方法，其特征在于，包括以下步骤；
S1，判断主机当前是否有请求需要处理；若是，则进入S2，若不是，则进入S4；
S2，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
S3，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S4，扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
所述S2具体包括以下步骤：
S21，执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
S22，判断是否获取一个待处理的TU；若是，则进入S23，若不是，则进入S3；
S23，判断TU是否完整；若是，则进入S25，若不是，则进入S24；
S24，根据TU更新映射表，并返回S22；
S25，将TU转换为TRIM表中相应的比特，并返回S22；
所述S3步骤之后还包括：
发送TRIM信息通知至主机；
将TRIM信息的标准化存储，将整个逻辑地址空间划分为固定大小的片段，简称为TU，每个片段用1个比特描述该片段的逻辑地址空间是否需要被TRIM，每个片段描述的逻辑地址空间大小可根据***RAM大小确定，在***RAM中保存整个位图信息，称此位图为TRIM表；TRIM表的存储方式和映射表存储方式相同，并与映射表一起存入映射块中；将TRIM命令转换为标准的TRIM表中的位图，既方便多个主机TRIM命令的合并，亦便于TRIM信息和映射表采用同样的格式存储处理，无需新增额外的处理逻辑。
2.根据权利要求1所述的一种固态存储设备快速TRIM方法，其特征在于，所述S4具体包括以下步骤：
S41，判断是否从TRIM表中获取一个TU；若是，则进入S42，若不是，则进入S45；
S42，根据TU更新映射表，将TU对应TRIM表中的比特设置为0；
S43，判断TU处理数量是否达到预设值；若是，则进入S44，若不是，则返回S1；
S44，将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
S45，结束TRIM后台处理。
3.根据权利要求2所述的一种固态存储设备快速TRIM方法，其特征在于，所述S42具体包括以下步骤：
S421，根据TU更新映射表；
S422，清除TU对应TRIM表中的比特。
4.根据权利要求2所述的一种固态存储设备快速TRIM方法，其特征在于，所述S43中，TU处理数量的预设值为5-50个。
5.一种固态存储设备快速TRIM***，其特征在于，包括主机判断单元，执行划分单元，更新写入单元，以及扫描更新单元；
所述主机判断单元，用于判断主机当前是否有请求需要处理；
所述执行划分单元，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分，非TU对齐的部分更新映射表，其余部分转换为TRIM表中相应的比特；
所述更新写入单元，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
所述扫描更新单元，用于扫描TRIM表，逐个对TU处理；当TU处理到一定数量时，将更新的TRIM表和映射表写入NAND。
6.根据权利要求5所述的一种固态存储设备快速TRIM***，其特征在于，所述执行划分单元包括执行模块，待处理判断模块，TU完整性判断模块，更新模块，以及转换模块；
所述执行模块，用于执行TRIM命令，将TRIM区间按TU划分；
所述待处理判断模块，用于判断是否获取一个待处理的TU；
所述TU完整性判断模块，用于判断TU是否完整；
所述更新模块，用于根据TU更新映射表；
所述转换模块，用于将TU转换为TRIM表中相应的比特。
7.根据权利要求5所述的一种固态存储设备快速TRIM***，其特征在于，所述扫描更新单元包括获取判断模块，更新清除模块，预设值判断模块，写入模块，以及处理模块；
所述获取判断模块，用于判断是否从TRIM表中获取一个TU；
所述更新清除模块，用于根据TU更新映射表，清除TU对应TRIM表中的比特；
所述预设值判断模块，用于判断TU处理数量是否达到预设值；
所述写入模块，用于将更新的TRIM表和映射表写入NAND；
所述处理模块，用于结束TRIM后台处理。
8.根据权利要求7所述的一种固态存储设备快速TRIM***，其特征在于，所述TU处理数量的预设值为5-50个。
CN201810523385.8A 2018-05-28 2018-05-28 一种固态存储设备快速trim方法及其*** Active CN108763100B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810523385.8A CN108763100B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种固态存储设备快速trim方法及其***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810523385.8A CN108763100B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种固态存储设备快速trim方法及其***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108763100A CN108763100A (zh) 2018-11-06
CN108763100B true CN108763100B (zh) 2020-10-09

Family

ID=64002991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810523385.8A Active CN108763100B (zh) 2018-05-28 2018-05-28 一种固态存储设备快速trim方法及其***

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108763100B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110362276A (zh) * 2019-07-10 2019-10-22 深圳忆联信息***有限公司 基于固态硬盘的Trim执行效率提升方法和装置
CN113031866B (zh) * 2021-03-24 2022-08-05 山东华芯半导体有限公司 一种应用于SSD的Trim管理方法
CN113190472B (zh) * 2021-05-27 2023-10-13 深圳忆联信息***有限公司 固态存储设备nomap信息快速重建方法、装置、计算机设备及存储介质
CN114296642A (zh) * 2021-12-15 2022-04-08 合肥大唐存储科技有限公司 一种固态硬盘中trim指令的处理方法和固态硬盘

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103412727A (zh) * 2013-07-17 2013-11-27 记忆科技(深圳)有限公司 优化固态硬盘的删减命令的方法及其固态硬盘
CN104461387A (zh) * 2014-12-02 2015-03-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种提高固态硬盘对未映射区域的读性能的方法
CN105205009A (zh) * 2015-09-30 2015-12-30 华为技术有限公司 一种基于大容量固态存储的地址映射方法及装置
CN107481762A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘的trim处理方法及装置
CN107562646A (zh) * 2017-08-28 2018-01-09 记忆科技(深圳)有限公司 一种提升固态存储垃圾回收性能的方法
CN107632942A (zh) * 2017-08-29 2018-01-26 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘实现lba级别trim命令的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10474362B2 (en) * 2016-10-14 2019-11-12 Smart Modular Technologies, Inc. Flash-based block storage system with trimmed space management and method of operation thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103412727A (zh) * 2013-07-17 2013-11-27 记忆科技(深圳)有限公司 优化固态硬盘的删减命令的方法及其固态硬盘
CN104461387A (zh) * 2014-12-02 2015-03-25 记忆科技(深圳)有限公司 一种提高固态硬盘对未映射区域的读性能的方法
CN105205009A (zh) * 2015-09-30 2015-12-30 华为技术有限公司 一种基于大容量固态存储的地址映射方法及装置
CN107562646A (zh) * 2017-08-28 2018-01-09 记忆科技(深圳)有限公司 一种提升固态存储垃圾回收性能的方法
CN107481762A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘的trim处理方法及装置
CN107632942A (zh) * 2017-08-29 2018-01-26 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘实现lba级别trim命令的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108763100A (zh) 2018-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108763100B (zh) 一种固态存储设备快速trim方法及其***
US8453021B2 (en) Wear leveling in solid-state device
US20170228154A1 (en) Device and method for power loss protection in solid state drive
EP1739565A1 (en) Storage system using flash memory
US20030093610A1 (en) Algorithm of flash memory capable of quickly building table and preventing improper operation and control system thereof
US10635358B2 (en) Memory management method and storage controller
US8510502B2 (en) Data writing method, and memory controller and memory storage apparatus using the same
US8909895B2 (en) Memory apparatus
US20120290769A1 (en) Flash memory device, memory control device, memory control method, and storage system
US10203899B2 (en) Method for writing data into flash memory apparatus, flash memory apparatus, and storage system
CN109933545A (zh) 数据储存装置与存储器装置的数据处理方法
CN103678144A (zh) 数据储存装置与快闪存储器控制方法
CN104239229A (zh) 数据储存装置及用于快闪存储器的数据读取方法
US20200117378A1 (en) Method for performing read acceleration, associated data storage device and controller thereof
CN108628543B (zh) 垃圾回收方法以及使用该方法的装置
KR20210041159A (ko) 정정 가능한 독출 오류가 발생한 데이터를 복구하는 메모리 시스템 및 호스트의 동작 방법
CN107632943B (zh) 一种固态硬盘数据保护的方法及固态硬盘
CN110989918A (zh) 写入控制方法以及数据存储装置及其控制器
US11488671B2 (en) Method, associated memory device and controller thereof for performing programming management
CN106598504B (zh) 数据存储方法及装置
JP2011242833A (ja) メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
CN105512047A (zh) Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置
CN111198825B (zh) 存储设备和包括存储设备的存储***
US20200110543A1 (en) Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device
CN110865945B (zh) 存储设备的扩展地址空间

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant