CN108761944A - 一种阵列面板 - Google Patents
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Abstract
一种阵列面板，至少包括：设置于间绝缘层表面的第一过孔；设置于平坦化层表面的第二过孔；设置于钝化层表面的第三过孔；像素电极层；遮光层；其中，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠或所述第一过孔上连通有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向。有益效果：本发明所提供的阵列面板，将间绝缘层上设置的过孔与钝化层上设置的过孔部分重叠或间绝缘层上设置的过孔连通有源层的两端组成的连线平行于栅极信号线的排列方向，减少了位于像素中间岛状桥接区域的源漏极金属层占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列面板。
背景技术
目前低温多晶硅技术已广泛应用于手机、电脑显示屏等中小尺寸面板，且随着市场对面板分辨率要求的逐步提升，使得各像素尺寸逐渐变小。尺寸较小的像素，由于开口率的降低，会极大的影响面板穿透率。此外，在像素尺寸相同的情况下，穿透率较高的面板也有助于降低面板能耗，提高产品的续航能力。
综上所述，现有的阵列面板，由于位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用一定的像素面积，造成像素的开口率下降，进一步限制了光利用率，更进一步造成显示亮度不足。
发明内容
本发明提供一种阵列面板，能够减少位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用的像素面积，以解决现有的高开口率的像素结构，由于位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用一定的像素面积，造成像素的开口率下降，进一步限制了光利用率，更进一步造成显示亮度不足的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种阵列面板，包括基板、设置于所述基板上的有源层、设置于所述基板的表面并覆盖所述有源层的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层的间绝缘层、设置所述间绝缘层的第一过孔、设置于所述间绝缘层上的源漏极金属层、设置于所述源漏极金属层上的平坦化层、设置于所述平坦化层上的第二过孔、设置于所述平坦化层上的钝化层、设置于所述钝化层上的第三过孔、设置于所述钝化层上的像素电极层、设置于所述基板上的栅极信号线、设置于所述基板上的源极信号线以及沿所述栅极信号线的排列方向设置的遮光层；
其中，所述源漏极金属层通过所述第一过孔与所述有源层连通；所述像素电极层通过所述第二过孔以及所述第三过孔与所述源漏极金属层连通；所述源极信号线通过所述第一过孔与所述有源层连通；所述遮光层完全覆盖所述栅极信号线、所述源漏极金属层以及部分所述像素电极层；所述第三过孔与所述第二过孔连通，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠或所述第一过孔上连通所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向。
根据本发明一优选实施例，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度。
根据本发明一优选实施例，所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第三过孔的横截面为倒梯形。
根据本发明一优选实施例，所述第一过孔贯穿所述间绝缘层以及所述栅极绝缘层并止于所述有源层。
根据本发明一优选实施例，所述第二过孔贯穿所述平坦化层并止于所述源漏极金属层。
根据本发明一优选实施例，所述第三过孔贯穿所述钝化层并止于所述源漏极金属层。
根据本发明一优选实施例，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠时，所述源漏极金属层的长度小于所述第三过孔与所述第一过孔未重叠时的长度。
根据本发明一优选实施例，所述第一过孔上连通的所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向时，所述源漏极金属层为长边平行于所述栅极信号线的矩形。
根据本发明一优选实施例，所述源漏极金属层与所述栅极信号线部分重叠。
根据本发明一优选实施例，所述第三过孔的一部分位于所述源漏极金属层与所述栅极信号线的重叠区域。
本发明的有益效果为：本发明所提供的阵列面板，将间绝缘层上设置的过孔与钝化层上设置的过孔部分重叠或间绝缘层上设置的过孔连通有源层的两端组成的连线平行于栅极信号线的排列方向，减少了位于像素中间岛状桥接区域的源漏极金属层占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的像素结构截面示意图。
图2为现有技术的像素结构示意图。
图3为本发明阵列面板方案一截面示意图。
图4为本发明阵列面板方案一示意图。
图5为本发明阵列面板方案二示意图。
图6为本发明阵列面板方案三示意图。
图7为图2以及图4-图6中的各类像素结构所对应的开口率示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的阵列面板，由于位于像素中间岛状桥接区域的部分源漏极金属层占用一定的像素面积，造成像素的开口率下降，进一步限制了光利用率，更进一步造成显示亮度不足的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
图1为现有技术的像素结构截面示意图。其中，提供一基板，在所述基板的表面形成了一层有源层101，然后在所述基板和所述有源层101的表面上利用物理气象沉积法沉积出栅极绝缘层102；之后，在位于所述栅极绝缘层102的表面制备间绝缘层103；接着在所述间绝缘层103的表面制备源漏极金属层104；之后，在所述源漏极金属层104的表面制备平坦化层105；之后在所述平坦化层105的表面制备一层钝化层106；最后，在所述钝化层106的表面制备像素电极层107。
图2为现有技术的像素结构示意图。其中，竖排的信号线为像素的源极信号线201，横排的信号线为像素的栅极信号线202；有源层203通过所述间绝缘层上设置的过孔205将所述源极信号线201以及源漏极金属层204相连通，且在是TFT器件开启时，将所述源极信号线201上的信号传导至所述源漏极金属层204；像素电极层208通过钝化层上的过孔206以及平坦化层上的过孔207和所述源漏极金属层204相桥接，使得所述源极信号线201上的信号能传导至所述像素电极层208上；所述像素结构上还设置有遮光层209，所述遮光层209沿所述栅极信号线202方向设置，所述遮光层209完全覆盖所述栅极信号线202、所述源漏极金属层204以及部分所述像素电极层208，所述遮光层209对上述区域进行遮挡，防止漏光及色偏等显示不良的技术问题。
图3为本发明阵列面板方案一截面示意图。其中，提供一基板，在所述基板的表面形成了一层有源层301，然后在所述基板和所述有源层301的表面上利用物理气象沉积法沉积出栅极绝缘层302；之后，在位于所述栅极绝缘层302的表面制备间绝缘层303，所述间绝缘层303的表面设置有第一过孔308；接着在所述间绝缘层303的表面制备源漏极金属层304，所述源漏极金属层304通过所述第一过孔308与所述有源层301连通；之后，在所述源漏极金属层304的表面制备平坦化层305，所述平坦化层305的表面设置有第二过孔309，所述平坦化层305完全覆盖所述第一过孔308；之后在所述平坦化层305的表面制备一层钝化层306，所述钝化层306的表面设置有第三过孔310，所述第三过孔310与所述第二过孔309连通；最后，在所述钝化层306的表面制备像素电极层307，所述像素电极层307通过所述第二过孔309以及所述第三过孔310与所述源漏极金属层304连通。
其中，所述第三过孔310与所述第二过孔309连通，所述第三过孔310与所述第一过孔308部分重叠；所述第一过孔308、所述第二过孔309以及所述第三过孔310的横截面为倒梯形；所述第三过孔310的深度大于所述第一过孔308的深度；所述第一过孔308贯穿所述间绝缘层303以及所述栅极绝缘层302并止于所述有源层301；所述第二过孔309贯穿所述平坦化层305并止于所述源漏极金属层304；所述第三过孔310贯穿所述钝化层306并止于所述源漏极金属层304。
图4为本发明阵列面板方案一示意图。其中，竖排的信号线为像素的源极信号线401，横排的信号线为像素的栅极信号线402；有源层403通过所述第一过孔405将所述源极信号线401以及源漏极金属层404相连通，且在是TFT器件开启时，将所述源极信号线401上的信号传导至所述源漏极金属层404；像素电极层408通过所述第三过孔406以及所述第二过孔407和所述源漏极金属层404相桥接，使得所述源极信号线401上的信号能传导至所述像素电极层408上，所述像素电极层408的材料为氧化铟锡；所述像素结构上还设置有遮光层409，所述遮光层409沿所述栅极信号线402方向设置，所述遮光层409完全覆盖所述栅极信号线402、所述源漏极金属层404以及部分所述像素电极层408，所述遮光层409对上述区域进行遮挡，防止漏光及色偏等显示不良的技术问题。
其中，所述第三过孔406与所述第一过孔405部分重叠。制备本发明阵列面板方案一时，应提高对制程精度的管控，防止所述第一过孔405与所述第二过孔407以及所述第三过孔堆叠。
本发明阵列面板方案一设计相对于现有技术来讲，将所述第一过孔405与所述第二过孔407以及所述第三过孔406部分重叠，使所述源漏极金属层404的长度缩短，进一步压缩了所述遮光层409的宽度，更进一步拉长了所述像素电极层408中的裂缝长度，增加了有效电场作用区域，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
图5为本发明阵列面板方案二示意图。其中，竖排的信号线为像素的源极信号线501，横排的信号线为像素的栅极信号线502；有源层503通过所述第一过孔505将所述源极信号线501以及源漏极金属层504相连通，且在是TFT器件开启时，将所述源极信号线501上的信号传导至所述源漏极金属层504；像素电极层508通过所述第三过孔506以及所述第二过孔507和所述源漏极金属层504相桥接，使得所述源极信号线501上的信号能传导至所述像素电极层508上，所述像素电极层508的材料为氧化铟锡；所述像素结构上还设置有遮光层509，所述遮光层509沿所述栅极信号线502方向设置，所述遮光层509完全覆盖所述栅极信号线502、所述源漏极金属层504以及部分所述像素电极层508，所述遮光层509对上述区域进行遮挡，防止漏光及色偏等显示不良的技术问题。
其中，所述第三过孔506与所述第二过孔507连通，所述第一过孔505上连通所述有源层503的两端组成的连线平行于所述栅极信号线502的排列方向，所述源漏极金属层504为长边平行于所述栅极信号线502的矩形。
本发明阵列面板方案二设计相对于现有技术来讲，将所述第一过孔505连通所述有源层503的两端组成的连线平行于所述栅极信号线502的排列方向，使所述有源层503的长度缩短，进一步使所述源漏极金属层504设置为长边平行于所述栅极信号线502的矩形，进一步压缩了所述遮光层509的宽度，更进一步拉长了所述像素电极层508中的裂缝长度，增加了有效电场作用区域，更进一步大幅度降低位于像素中间岛状桥接区域的源漏极金属层504占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
图6为本发明阵列面板方案三示意图。其中，竖排的信号线为像素的源极信号线601，横排的信号线为像素的栅极信号线602；有源层603通过所述第一过孔605将所述源极信号线601以及源漏极金属层604相连通，且在是TFT器件开启时，将所述源极信号线601上的信号传导至所述源漏极金属层604；像素电极层608通过所述第三过孔606以及所述第二过孔607和所述源漏极金属层604相桥接，使得所述源极信号线601上的信号能传导至所述像素电极层608上，所述像素电极层608的材料为氧化铟锡；所述像素结构上还设置有遮光层609，所述遮光层609沿所述栅极信号线602方向设置，所述遮光层609完全覆盖所述栅极信号线602、所述源漏极金属层604以及部分所述像素电极层608，所述遮光层609对上述区域进行遮挡，防止漏光及色偏等显示不良的技术问题。
其中，所述第三过孔606与所述第二过孔607连通，所述第一过孔605上连通所述有源层603的两端组成的连线平行于所述栅极信号线602的排列方向，所述源漏极金属层604与所述栅极信号线602部分重叠；所述第三过孔606的一部分位于所述源漏极金属层604与所述栅极信号线602的重叠区域。
本发明阵列面板方案三设计相对于本发明阵列面板方案二设计来讲，缩短了像素中所述源漏极金属层604以及所述第一过孔605的尺寸，重塑了所述源漏极金属层604的形状使其在与像素电极桥接区域部分和所述栅极信号线602部分重叠，进一步压缩了所述遮光层609的宽度，更进一步拉长了所述像素电极层608中的裂缝长度，增加了有效电场作用区域，更进一步大幅度降低位于像素中间岛状桥接区域的所述源漏极金属层604占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
本发明阵列面板方案三设计中由于所述栅极信号线602位于所述源漏极金属层604的下方，所以不会影响所述源漏极金属层604与所述像素电极层608的桥接。但是此方案需同时增强电性方面的设计，以期在提升面板穿透率的同时，也能保证其正常显示。
图7为图2以及图4-图6中的各类像素结构所对应的开口率示意图。其中，701为彩色滤光片，702为液晶，703为TFT，704为现有技术的第一遮光层，705为本发明阵列面板方案一设计的第二遮光层，706为本发明阵列面板方案二设计的第三遮光层，707为本发明阵列面板方案二设计的第四遮光层。
其中，所述第二遮光层705的宽度小于所述第一遮光层704的宽度；所述第三遮光层706的宽度小于所述第二遮光层705的宽度；所述第四遮光层707的宽度小于所述第一遮光层706的宽度。
本发明阵列面板的改善使得栅极信号线方向的遮光层的宽度在不断减小，使得像素开口率得到不同程度的提升，因此对增强面板穿透率具有显著效果。
本发明的有益效果为：本发明所提供的阵列面板，将间绝缘层上设置的过孔与钝化层上设置的过孔部分重叠或间绝缘层上设置的过孔连通有源层的两端组成的连线平行于栅极信号线的排列方向，减少了位于像素中间岛状桥接区域的源漏极金属层占用的像素面积，提高了像素结构的开口率，更进一步提高了像素结构的显示效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种阵列面板，其特征在于，包括：
基板；
有源层，位于所述基板的表面；
栅极绝缘层，位于所述基板的表面并覆盖所述有源层；
间绝缘层，位于所述栅极绝缘层的表面，所述间绝缘层的表面设置有第一过孔；
源漏极金属层，位于所述间绝缘层的表面，所述源漏极金属层通过所述第一过孔与所述有源层连通；
平坦化层，位于所述源漏极金属层的表面，所述平坦化层的表面设置有第二过孔；
钝化层，位于所述平坦化层的表面，所述钝化层的表面设置有第三过孔；
像素电极层，位于所述钝化层的表面，所述像素电极层通过所述第二过孔以及所述第三过孔与所述源漏极金属层连通；
栅极信号线，设置于所述基板上；
源极信号线，设置于所述基板上，所述源极信号线通过所述第一过孔与所述有源层连通；
遮光层，所述遮光层沿所述栅极信号线的排列方向设置，所述遮光层完全覆盖所述栅极信号线、所述源漏极金属层以及部分所述像素电极层；
其中，所述第三过孔与所述第二过孔连通，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠或所述第一过孔上连通所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向。
2.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第三过孔的深度大于所述第一过孔的深度。
3.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第三过孔的横截面为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述间绝缘层以及所述栅极绝缘层并止于所述有源层。
5.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第二过孔贯穿所述平坦化层并止于所述源漏极金属层。
6.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第三过孔贯穿所述钝化层并止于所述源漏极金属层。
7.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠时，所述源漏极金属层的长度小于所述第三过孔与所述第一过孔未重叠时的长度。
8.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述第一过孔上连通的所述有源层的两端组成的连线平行于所述栅极信号线的排列方向时，所述源漏极金属层为长边平行于所述栅极信号线的矩形。
9.根据权利要求1所述的阵列面板，其特征在于，所述源漏极金属层与所述栅极信号线部分重叠。
10.根据权利要求9所述的阵列面板，其特征在于，所述第三过孔的一部分位于所述源漏极金属层与所述栅极信号线的重叠区域。
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