CN108761849B - 磁致变色显示器 - Google Patents

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Abstract

一种磁致变色显示器包括第一基板、多个第一磁场调变元件、第二基板以及磁致变色层。第一基板具有多个第一像素区。多个第一磁场调变元件分别设置于多个第一像素区。第二基板设置于第一基板的对向。磁致变色层设置于第一基板与第二基板之间。

Description

磁致变色显示器
技术领域
本发明涉及一种显示器，且特别涉及一种磁致变色显示器。
背景技术
目前反射式显示器主要分为传统液晶式、胆固醇液晶式及电泳式等几大类。传统液晶式显示器通过偏光片极化环境光后才能以液晶调控之，其所反射出的光束的量非常少。另外，传统液晶式显示器是利用彩色滤光片实现色彩化，但彩色滤光片的设置却使反射率下降。胆固醇液晶式显示器的反射率虽较传统液晶式显示器高，但受限于胆固醇液晶的模态，其反射率仍不如电泳式显示器。电泳式显示器利用电泳粒子直接反射环境光，被电泳粒子反射的部分环境光无需通过偏光片便可做为显示之用，因此电泳式显示器的反射率较高。其中，电泳粒子不是磁性粒子。电泳式显示器目前仍以单色显示为主。若欲使电泳式显示器彩色化，可使用彩色滤光片或彩色电泳粒子。然而，在电泳式显示器中设置彩色滤光片会减损反射率；若使用彩色电泳粒子，则使电泳式显示器的调控更趋复杂。此外，由于电泳粒子的移动较慢，因此电泳式显示器还存在反应时间过长的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磁致变色显示器，其性能佳。
本发明的磁致变色显示器包括第一基板、多个第一磁场调变元件、第二基板以及磁致变色层。第一基板具有多个第一像素区。多个第一磁场调变元件分别设置于多个第一像素区。第二基板设置于第一基板的对向。磁致变色层设置于第一基板与第二基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的磁致变色显示器更包括第一驱动线路层。第一驱动线路层设置于第一基板上，且与第一磁场调变元件电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一驱动线路层包括多个第一薄膜晶体管、多条第一扫描线以及多条第一数据线。多个第一薄膜晶体管分别设置于第一基板的多个第一像素区且分别与多个第一磁场调变元件电性连接。第一扫描线及第一数据线设置于第一基板上，彼此交错且分别与多个第一薄膜晶体管电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一驱动线路层更包括第一薄膜电容。第一薄膜电容设置于第一基板上且与第一薄膜晶体管电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一磁场调变元件包括设置于第一基板上的线圈。
在本发明的一实施例中，上述的第一磁场调变元件更包括多个磁芯材料。多个线圈分别产生多个磁场，而多个磁芯材料分别设置于所述多个磁场的范围内。
在本发明的一实施例中，上述的磁致变色显示器更包括第一驱动线路层。第一驱动线路层设置于第一基板上，且通过磁芯材料与线圈电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一磁场调变元件更包括蓄磁材料与绝缘层。蓄磁材料与线圈至少部分重叠。绝缘层设置于蓄磁材料与线圈之间。
在本发明的一实施例中，上述的第二基板具有分别与多个第一像素区重叠的多个第二像素区。磁致变色显示器更包括分别设置于第二基板的多个第二像素区的多个第二磁场调变元件。
在本发明的一实施例中，上述的磁致变色显示器更包括第二驱动线路层。第二驱动线路层设置于第二基板上，且与第二磁场调变元件电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第二驱动线路层包括多个第二薄膜晶体管、多条第二扫描线以及多条第二数据线。多个第二薄膜晶体管设置于第二基板的多个第二像素区且分别与第二磁场调变元件电性连接。多条第二扫描线及多条第二数据线设置于第二基板上，彼此交错且分别与多个第二薄膜晶体管电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的多个第二磁场调变元件包括透光的多个线圈。
在本发明的一实施例中，上述的磁致变色显示器更包括吸光层。吸光层设置于磁致变色层与第一基板之间。
一种驱动方法用以驱动磁致变色显示器。磁致变色显示器包括具有多个第一像素区的第一基板、分别设置于多个第一像素区的多个第一磁场调变元件、设置于第一基板的对向的第二基板以及设置于第一基板与第二基板之间的磁致变色层。磁致变色层具有位于任一第一像素区上的多个磁性粒子。所述驱动方法包括下列步骤：利用任一第一像素区上的一第一磁场调变元件产生一磁场，以使多个磁性粒子沿着磁场的方向排成一团簇链，所述团簇链包括多个团簇，每一团簇包括聚集的多个磁性粒子；藉由调整磁场的升降速率以及强度大小来调控团簇链的结构周期，以控制第一像素区的绕射波长及亮度。
在本发明的一实施例中，上述的驱动方法，更包括：利用磁场大小控制团簇链的长度，以决定任一第一像素区显示的亮度。
基于上述，本发明一实施例的磁致变色显示器通过适当调控第一磁场调变元件所产生的磁场能使各第一像素区上的部分磁致变色层反射具有指定波长及指定强度的光束。藉此，磁致变色显示器能显示全彩画面。特别是，磁致变色显示器系利用磁致变色层本身的光学特性来显色，其无需设置彩色滤光片便能实现全彩化，故磁致变色显示器的反射率高。此外，由于磁致变色层的磁性粒子的移动速度快，因此磁致变色显示器还具有反应时间短的优点。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的磁致变色显示器的立体示意图；
图2绘示本发明一实施例的磁致变色层的多个磁性粒子；
图3为本发明另一实施例的磁致变色显示器的立体示意图；
图4为本发明又一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图；
图5为本发明再一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图；
图6为本发明一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图；
图7示出本发明另一实施例的第一磁场调变元件的线圈；
图8示出本发明又一实施例的第一磁场调变元件的线圈的示意图；
图9为本发明另一实施例的第一磁场调变元件的示意图；
图10为本发明又一实施例的第一磁场调变元件的示意图；
图11为本发明再一实施例的第一磁场调变元件的示意图；
图12为本发明一实施例的第一磁场调变元件的示意图。
其中，附图标记
100、100A：磁致变色显示器
110：第一基板
110a：第一像素区
120、120E～120J：第一磁场调变元件
122：线圈
122a、122b、122c、122d、122e、122f：端
124、126：磁芯材料
127：蓄磁材料
128、152、182：绝缘层
130：第二基板
130a：第二像素区
140：磁致变色层
142：团簇
142a：磁性粒子
144：团簇链
150、150B、150C、150D：第一驱动线路层
154：二极管
160：吸光层
170：第二磁场调变元件
172：线圈
172a、172b：端
180：第二驱动线路层
Cs：薄膜电容
D：漏极
DL1：第一数据线
DL2：第二数据线
d：距离
G：栅极
K：长度
L1、L2：光束
S：源极
SL1：第一扫描线
SL2：第二扫描线
T1：第一薄膜晶体管
T2：第二薄膜晶体管
W：直径
x、y、z：方向
θ：入射角
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的精神或范围。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，”连接”可以指物理及/或电性连接。而且，电性连接是为二元件间存在其它元件。
本文使用的”约”、”近似”、或”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量***的限制)。例如，”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、”近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明一实施例的磁致变色显示器的立体示意图。请参照图1，磁致变色显示器100包括第一基板110、多个第一磁场调变元件120、第二基板130以及磁致变色层140。第一基板110具有多个第一像素区110a。多个第一磁场调变元件120分别设置于第一基板110的多个第一像素区110a。第二基板130设置于第一基板110的对向。磁致变色层140设置于第一基板110与第二基板130之间。在本实施例中，第一基板110的材料可以是透光或不透光/反射材料，第二基板130的材料是透光材料。上述的透光材料例如是玻璃、石英、有机聚合物、或其它可适用的材料，上述的不透光/反射材料例如是导电材料、晶圆、陶瓷、前述透明材料上设置反射材料、或其它可适用的材料，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一磁场调变元件120例如:可包括线圈(coil)122及/或其它合适的元件。线圈122的匝数可视驱动磁致变色层140所需的磁场大小而定，线圈122的匝数并不限于图中所绘。在本实施例中，线圈122可选择性地利用黄光微影制程形成于第一基板110上。举例而言，在本实施例中，线圈122的材质可以是金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、有机导电材料(如PEDOT/PSS)、碳素材料(如纳米碳管、石墨烯、石墨)、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。本实施例的线圈122例如是二维线圈，但本发明不以此为限。此外，在本实施例中，线圈122的每一匝大致上可呈矩形。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，线圈122的每一匝也可呈其它适当形状，以下将于后续段落配合其它附图举例说明之。
在本实施例中，磁致变色显示器100更包括第一驱动线路层150。第一驱动线路层150设置于第一基板110上且与多个第一磁场调变元件120电性连接。举例而言，在本实施例中，第一驱动线路层150包括多条第一扫描线SL1及多条第一数据线DL1。多条第一扫描线SL1可沿着方向x延伸，多条第一数据线DL1可沿着方向y延伸，其中方向x与方向y交错，但不限于此。于其它实施例中，第一扫描线SL1与第一数据线DL1的沿着方向可互相交换。第一驱动线路层150更包括绝缘层152，以隔开第一扫描线SL1及第一数据线DL1。绝缘层152可为单层或多层结构，且其材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:聚亚酰胺、聚酯类、聚烯类、聚甲基丙烯酸类、苯并环丁烯(BCB)、光阻、或其它合适的材料)、其它合适的材料、或前述材料的组合。
在本实施例中，每一第一磁场调变元件120的线圈122的两端122a、122b可分别与对应的一条第一扫描线SL1及对应的一条第一数据线DL1电性连接。藉此，当第一扫描线SL1与第一数据线DL1被施予适当的信号时，线圈122上的电流能产生磁场，以驱动磁致变色层140。
需说明的是，图1所绘的第一驱动线路层150的样态仅是用以举例说明本发明而非用以限制本发明，在其它实施例中，第一驱动线路层150的样态也可设计为其它适当样态，以下将于后续段落配合其它图示举例说明之。
图2示出本发明一实施例的磁致变色层的多个磁性粒子。请参照图1及图2，磁致变色层140包括多个磁性粒子142a。在本实施例中，磁性粒子142a例如是纳米磁性粒子，但本发明不以此为限。第一磁场调变元件120用以施加磁场至磁致变色层140。所述磁场未施加于磁致变色层140时，多个磁性粒子142a分散于溶液(未绘示)中。所述磁场施加于磁致变色层140时，原本分散的磁性粒子142a会聚集成多个团簇(cluster)142。藉由调控磁场的升降速率，团簇(cluster)142的直径W可被控制。举例而言，施加于磁致变色层140的磁场的增加速率大时，可获得直径W小的团簇142；施加于磁致变色层140的磁场的增加速率小时，可获得直径W大的团簇142。此时，若持续施加磁场于磁致变色层140，则具有指定直径W的多个团簇142会沿着第一磁场调变元件120所产生的磁场的方向z排成具周期结构的团簇链144。具有周期结构的团簇链144沿磁场方向排列，结构周期(即距离d，例如:一个团簇142的直径W以及与其相邻的团簇142之间一个间隙(未标示)的总和)受磁吸力主导，尚有分散斥力、溶液浮力、重力等的影响，而且团簇直径W限制结构周期(即距离d)的最小值，故结构周期(即距离d)的与磁力相关，且d≧W。
请参照图2，团簇链144的多个团簇142的排列具有周期性，根据布拉格定律(Bragg’s Law)，外界光束L1(例如：白光)入射至团簇链144时，部分的外界光束L1会被具有周期结构的团簇链144反射产生相干绕射(coherently diffracted)，被相干绕射出的光束L2的波长λ满足下式(1)：nλ＝2d×sin(θ)，其中n为正整数(无单位)，θ为入射角(单位:度数，°)。又在最终饱和磁力作用下，彼此接触且相邻的多个团簇142的间隔的距离d(单位:nm)，实质上等于团簇142的直径W(单位:nm)，而上式(1)可改写为下式(2)：nλ＝2W×sin(θ)。由上式(2)可知，藉由控制团簇142的直径W(或者说，控制磁场的增加速率)，便能控制团簇链144所相干绕射出的光束L2的波长，亦即，能控制团簇链144所在的第一像素区110a显示的颜色。此外，藉由控制磁场的大小能控制团簇链144的长度K，长度K的范畴例如约在纳米～微米等级之间，团簇链144的长度越长，团簇链144能相干绕射出的光束L2的量越大。从另一方面观之，可藉由控制磁场的大小能控制团簇链144所在的第一像素区110a显示的亮度。通过上述机制，磁致变色显示器100的每一第一像素区110a能显示约为指定的颜色及亮度，进而显示指定画面。
请参照图1及图2，在本实施例中，磁致变色显示器100可进一步包括吸光层160。吸光层160覆盖第一基板110的多个第一像素区110a，且设置于磁致变色层140与第一基板110之间。举例而言，在本实施例中，吸光层160可设置于磁致变色层140与第一驱动线路层150之间，但本发明不以此为限。吸光层160用以吸收未被磁致变色层140绕射的光束L1及未达绕射条件的其余波长，以优化磁致变色显示器100的显示效果。
图3为本发明另一实施例的磁致变色显示器的立体示意图。图3的磁致变色显示器100A与图1的磁致变色显示器100类似，只要有可能相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。请参照图1及图3，磁致变色显示器100A与磁致变色显示器100的差异在于：磁致变色显示器100A还包括多个第二磁场调变元件170及第二驱动线路层180，其余的描述可参阅前述，于此不再赘言。
请参照图3，在本实施例中，第二基板130具有分别与多个第一像素区110a实质上重叠的多个第二像素区130a。多个第二磁场调变元件170分别设置于第二基板130的多个第二像素区130a。第二磁场调变元件170例如:可包括线圈172及/或其它合适的元件。第二驱动线路层180设置于第二基板130上且与多个第二磁场调变元件170电性连接。举例而言，第二驱动线路层180包括多条第二扫描线SL2及多条第二数据线DL2。多条第二扫描线SL2沿着方向x延伸，多条第二数据线DL2沿着方向y延伸，其中方向x与方向y交错，但不限于此。于其它实施例中，第二扫描线SL2与第二数据线DL2的沿着方向可互相交换。第二驱动线路层180更包括绝缘层182，以隔开第二扫描线SL2及第二数据线DL2。绝缘层182可为单层或多层结构，且其材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:聚亚酰胺、聚酯类、聚烯类、聚甲基丙烯酸类、苯并环丁烯(BCB)、光阻、或其它合适的材料)、其它合适的材料、或前述材料的组合，而绝缘层152与绝缘层182的材料可实质上相同或不同。每一第二磁场调变元件170的线圈172的两端172a、172b可分别与对应的一条第二扫描线SL2及对应的一条第二数据线DL2电性连接。藉此，当第二扫描线SL2与第二数据线DL2被施予适当的信号时，线圈172上的电流可产生磁场，以驱动磁致变色层140。
当第一磁场调变元件120及第二磁场调变元件170上均通有电流时，作用在磁致变色层140上的磁场在方向z上的分量会较增加，进而能提升磁致变色显示器100的性能。在本实施例中，为避免线圈172的设置影响磁致变色显示器100的显示品质(例如：亮度)，线圈172可选择性地透光或至少半透光的材料(例如:铟锡氧化物、铟氧化物、锌氧化物、铟镓氧化物、铟镓锌氧化物、纳米炭管/杆、钙钛矿、或其它合适的材料、或前述材料至少二种的组合或堆叠)，但本发明不以此为限。
图4为本发明又一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图。请参照图1及图4，图4的第一驱动线路层150B与图1的第一驱动线路层150类似，第一驱动线路层150B与第一驱动线路层150的差异在于：第一驱动线路层150B还包括多个二极管154，其余的描述可参阅前述，于此不再赘言。请参照图4，每一二极管154电性连接于第一磁场调变元件120的线圈122的一端122a与对应的一条第一扫描线SL1之间。多条第一扫描线SL1与扫描线驱动单元(未绘示)电性连接。多条第一数据线DL1与数据线驱动单元(未绘示)电性连接。扫描线驱动单元可依序提供电压Vs至多条第一扫描线SL1，数据线驱动单元可依据各第一像素区110a的磁场所需调控各第一数据线DL1的电压Vd。如此一来，因电压差(Vs-Vd)所产生的电流可经由各第一像素区110a的线圈122转换成相对应的磁场大小，进而达到调控各第一像素区110a的颜色及/或亮度的目的。第一驱动线路层150B可用以取代前述任一磁致变色显示器100及/或100A的第一驱动线路层150，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。
图5为本发明再一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图。请参照图1及图5，图5的第一驱动线路层150C与图1的第一驱动线路层150类似，第一驱动线路层150C与第一驱动线路层150的差异如下：请参照图5，第一驱动线路层150C还包括多个第一薄膜晶体管T1，其余的描述可参阅前述，于此不再赘言。多个第一薄膜晶体管T1分别设置于多个第一像素区110a且分别与第一磁场调变元件120电性连接。举例而言，每一第一薄膜晶体管T1具有与第一数据线DL1电性连接的源极S、与第一扫描线SL1电性连接的栅极G以及与第一磁场调变元件120的线圈122的一端122c电性连接的漏极D，而第一磁场调变元件120的线圈122的另一端122d可选择性地接地，但本发明不以此为限。
请参照图5，多条第一扫描线SL1与扫描线驱动单元(未绘示)电性连接。多条第一数据线DL1与数据线驱动单元(未绘示)电性连接。扫描线驱动单元依序开启多列的第一薄膜晶体管T1，以使数据线驱动单元提供的电压Vd经由各第一数据线DL1传递至各第一像素区110a的线圈122中，因线圈122的两端122c、122d的电压差所产生的电流可转换成相对应的磁场大小，进而达到调控各第一像素区110a的颜色及/或亮度的目的。第一驱动线路层150C可用以取代前述任一磁致变色显示器100或100A的第一驱动线路层150，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。
图6为本发明一实施例的磁致变色显示器的第一驱动线路层的示意图。请参照图1及图6，图6的第一驱动线路层150D与图1的第一驱动线路层150类似，第一驱动线路层150D与第一驱动线路层150的差异如下：请参照图6，第一驱动线路层150D还包括多个第一薄膜晶体管T1、多个第二薄膜晶体管T2以及多个薄膜电容Cs，其余的描述可参阅前述，于此不再赘言。
请参照图6，多个第一薄膜晶体管T1分别设置于多个第一像素区110a且分别与第一磁场调变元件120电性连接。举例而言，每一第一薄膜晶体管T1具有与第一数据线DL1电性连接的源极S、与第一扫描线SL1电性连接的栅极G以及与薄膜电容Cs和第二薄膜晶体管T2电性连接的漏极D。每一第二薄膜晶体管T2具有源极S、栅极G及漏极D，其中第二薄膜晶体管T2的源极S具有一参考电位，第二薄膜晶体管T2的栅极G与第一薄膜晶体管T1的漏极D电性连接。薄膜电容Cs的一端与第一薄膜晶体管T1的漏极D电性连接，薄膜电容Cs的另一端可接地。在本实施例中，第一磁场调变元件120的线圈122的一端122e可电性连接至第二薄膜晶体管T2的漏极D，而线圈122的另一端122f可接地。提供电压Vs至第一薄膜晶体管T1时，第一薄膜晶体管T1开启；此时，通过第一数据线DL1提供的电压Vd传递至薄膜电容Cs，以对薄膜电容Cs充电；第二薄膜晶体管T2藉由薄膜电容Cs来决定可提供多少电流至第一磁场调变元件120的线圈122，线圈122上的电流可转换成相对应的磁场大小，进而达到调控各第一像素区110a的颜色及/或亮度的目的。第一驱动线路层150D可用以取代前述任一磁致变色显示器100或100A的第一驱动线路层150，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。
图7示出本发明另一实施例的第一磁场调变元件的线圈。在图7的实施例中，第一磁场调变元件120E的线圈122的每一匝可呈多边形，例如但不限于：六边形。图8示出本发明又一实施例的第一磁场调变元件的线圈的示意图。在图8的实施例中，第一磁场调变元件120F的线圈122的每一匝可呈圆形或类圆形。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，第一磁场调变元件120的线圈122也可设计为其它适当形状，例如：三角形、椭圆形等。第一磁场调变元件120E、第一磁场调变元件120F、或具有其它形状的第一磁场调变元件可用以取代前述任一磁致变色显示器100及/或100A的第一磁场调变元件120，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。
图9为本发明另一实施例的第一磁场调变元件的示意图。图9的第一磁场调变元件120G除了线圈122外还可进一步包括磁芯材料124。线圈122用以产生磁场，而磁芯材料124设置于所述磁场的范围内。磁芯材料124通常较佳地为软磁性材料，但不限于此。由于软磁材料具有极高的导磁率(Permeability)，因此较能集中并可增加磁通密度(Magnetic fluxdensity)，进而降低驱动第一磁场调变元件120G所需的电压/电流。在图9的实施例中，磁芯材料124可选择地与线圈122电性隔离或者是分隔开来。然而，本发明不限于此，图10为本发明又一实施例的第一磁场调变元件的示意图，在图10的实施例中，第一磁场调变元件120H的磁芯材料126也可选择性地与线圈122电性连接。更进一步地说，磁芯材料126可电性连接于线圈122与第一驱动线路层150(绘于图1)之间，以做为线圈122与第一驱动线路层150的导通路径。
第一磁场调变元件120G及/或第一磁场调变元件120H可用以取代前述任一磁致变色显示器100或100A的第一磁场调变元件120，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。
图11为本发明再一实施例的第一磁场调变元件的示意图。图11的第一磁场调变元件120I也包括线圈122及蓄磁材料127。不同的是，第一磁场调变元件120I还包括绝缘层128。绝缘层128覆盖线圈122。蓄磁材料127设置于绝缘层128上且与线圈122重叠。绝缘层128可为单层或多层结构，且其材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或其它合适的材料)、有机材料(例如:聚亚酰胺、聚酯类、聚烯类、聚甲基丙烯酸类、苯并环丁烯(BCB)、光阻、或其它合适的材料)、其它合适的材料、或前述材料的组合，而绝缘层128、绝缘层152与绝缘层182其中至少一者的材料可实质上相同或不同。在本实施例中，蓄磁材料127可覆盖整个线圈122的面积。第一磁场调变元件120I的蓄磁材料127除了可记忆磁场强度、增加磁通密度外，还可均匀化磁场分布。在图11的实施例中，线圈122可选择性地配置于绝缘层128下，线圈122可位于绝缘层128与第一驱动线路层150(绘于图1)之间。然而，本发明不限于此，图12为本发明一实施例的第一磁场调变元件的示意图，在图12的实施例中，第一磁场调变元件120J的线圈122也选择性地配置于绝缘层128上，第一磁场调变元件120J的蓄磁材料127可位于绝缘层128与第一驱动线路层150(绘于图1)之间。
第一磁场调变元件120I及/或第一磁场调变元件120J可用以取代前述任一磁致变色显示器100或100A的第一磁场调变元件120，以此方式构成的磁致变色显示器也在本发明所欲保护的范畴内。蓄磁材料127可以记忆线圈122所形成的磁场强度，以稳定维持磁致变色显示器的色彩显示，即达到双稳态显示(例如静态显示不耗电)的目的。
再者，于前述实施例中，二极管、第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2其中至少一者的半导体层(未绘示)，可为单层或多层结构，且其材料包含非晶硅、微晶硅、纳米晶硅、多晶硅、单晶硅、纳米炭管/杆、氧化物半导体、有机半导体、钙钛矿、或其它合适的材料。
综上所述，本发明一实施例的磁致变色显示器包括第一基板、多个第一磁场调变元件、第二基板以及磁致变色层。第一基板具有多个第一像素区。多个第一磁场调变元件分别设置于多个第一像素区。第二基板设置于第一基板的对向。磁致变色层设置于第一基板与第二基板之间。磁致变色显示器的反射率高、显示效果佳。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种磁致变色显示器，其特征在于，包括：
一第一基板，具有多个第一像素区；
多个第一磁场调变元件，分别设置于该些第一像素区，其中该些第一磁场调变元件包括多个线圈；
一第二基板，设置于该第一基板的对向，其中该第二基板具有分别与该些第一像素区重叠的多个第二像素区；
多个第二磁场调变元件，分别设置于该第二基板的该些第二像素区；一磁致变色层，设置于该第一基板与该第二基板之间；
一第一驱动线路层，包含多条第一扫描线以及多条第一数据线，且设置于该第一基板上，其中该些第一扫描线与该些第一数据线彼此交错设置，且每一该第一磁场调变元件的该线圈的两端分别与对应的一条该第一扫描线及对应的一条该第一数据线电性连接；以及
一吸光层，设置于该磁致变色层与该第一驱动线路层之间。
2.根据权利要求1所述的磁致变色显示器，其特征在于，该第一驱动线路层更包括：
多个第一薄膜晶体管，分别设置于该第一基板的该些第一像素区且分别与该些第一磁场调变元件电性连接；其中，该些第一扫描线与该些第一数据线分别与该些第一薄膜晶体管电性连接。
3.根据权利要求2所述的磁致变色显示器，其特征在于，该第一驱动线路层更包括：
多个第一薄膜电容，设置于该第一基板上且分别与该些第一薄膜晶体管电性连接。
4.根据权利要求1所述的磁致变色显示器，其特征在于，该些第一磁场调变元件更包括：
多个磁芯材料，其中该些线圈分别产生多个磁场，而该些磁芯材料分别设置于该些磁场的范围内。
5.根据权利要求4所述的磁致变色显示器，其特征在于，其中该第一驱动线路层通过该些磁芯材料与该些线圈电性连接。
6.根据权利要求1所述的磁致变色显示器，其特征在于，该些第一磁场调变元件更包括：
多个蓄磁材料，与该些线圈至少部分重叠，以及
一绝缘层，设置于该些蓄磁材料与该些线圈之间。
7.根据权利要求1所述的磁致变色显示器，其特征在于，更包括：
一第二驱动线路层，设置于该第二基板上，且与该些第二磁场调变元件电性连接。
8.根据权利要求7所述的磁致变色显示器，其特征在于，该第二驱动线路层包括：
多个第二薄膜晶体管，设置于该第二基板的该些第二像素区且分别与该些第二磁场调变元件电性连接；
多条第二扫描线以及多条第二数据线，设置于该第二基板上，其中，该些第二扫描线与该些第二数据线彼此交错且分别与该些第二薄膜晶体管电性连接。
9.根据权利要求1所述的磁致变色显示器，其特征在于，该些第二磁场调变元件包括多个线圈，而该些线圈透光。
10.一种磁致变色显示器的驱动方法，其特征在于，该磁致变色显示器包括具有多个第一像素区的一第一基板、分别设置于该些第一像素区的多个第一磁场调变元件和设置于该第一基板的对向的一第二基板，其中该第二基板具有分别与该些第一像素区重叠的多个第二像素区，该磁致变色显示器还包括分别设置于该第二基板的该些第二像素区的多个第二磁场调变元件、设置于该第一基板与该第二基板之间的一磁致变色层、一第一驱动线路层以及设置于该磁致变色层与该第一驱动线路层之间的一吸光层，该些第一磁场调变元件包括多个线圈，该第一驱动线路层包含多条第一扫描线以及多条第一数据线且设置于该第一基板上，该些第一扫描线与该些第一数据线彼此交错设置，且每一该第一磁场调变元件的该线圈的两端分别与对应的一条该第一扫描线及对应的一条该第一数据线电性连接，该磁致变色层具有位于任一第一像素区上的多个磁性粒子，而该驱动方法包括：
利用该任一第一像素区上的一该第一磁场调变元件产生一磁场，以使该些磁性粒子沿着该磁场的方向排成一团簇链，该团簇链包括多个团簇，每一该团簇包括聚集的该些磁性粒子；以及
藉由调整该磁场的升降速率以及强度大小来调控该团簇链的结构周期，以控制该第一像素区的绕射波长及亮度。
11.根据权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，更包括：
利用该磁场大小控制该团簇链的长度，以决定该任一第一像素区显示的该亮度。
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