CN108736967A - 红外线接收芯片电路及红外线接收*** - Google Patents

红外线接收芯片电路及红外线接收*** Download PDF

Info

Publication number
CN108736967A
CN108736967A CN201810446400.3A CN201810446400A CN108736967A CN 108736967 A CN108736967 A CN 108736967A CN 201810446400 A CN201810446400 A CN 201810446400A CN 108736967 A CN108736967 A CN 108736967A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
capacitance
resistance
infrared receiver
gain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810446400.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108736967B (zh
Inventor
苏奎任
莫冰
朱吉涵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
XIAMEN SILICON ELECTRONIC Co.,Ltd.
Original Assignee
Cimnet Department (shenzhen) Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cimnet Department (shenzhen) Electronic Technology Co Ltd filed Critical Cimnet Department (shenzhen) Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201810446400.3A priority Critical patent/CN108736967B/zh
Priority to PCT/CN2018/110807 priority patent/WO2019214164A1/zh
Publication of CN108736967A publication Critical patent/CN108736967A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108736967B publication Critical patent/CN108736967B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
    • H04B10/112—Line-of-sight transmission over an extended range
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/60—Receivers
    • H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
    • H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
    • H04B10/697—Arrangements for reducing noise and distortion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明提供了一种红外线接收芯片电路，包括红外线感应二极管和芯片内部***；所述芯片内部***包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于所述比较器的输出与所述增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，其源极端连接至接地端，其漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端。本发明还提供一种包括所述红外线接收芯片电路的红外线接收***。与相关技术相比，本发明的红外线接收芯片电路和红外线接收***抗干扰性强、可靠性好且准确性高。

Description

红外线接收芯片电路及红外线接收***
技术领域
本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种红外线接收芯片电路及红外线接收***。
背景技术
随着信息时代的发展，各种无线通讯成为主流。红外线接收芯片电路即为其中无线通讯中信号接收的主要部分。
相关技术的红外线接收芯片电路中是通过自动增益控制模块读取比较器输出的数字信号并判断是否为噪声或有用信号。所述红外线接收芯片电路在外部干扰信号强度比较弱时，尤其是电磁波干扰，干扰信号不会在所述红外线接收芯片内产生较大波形失真的情况下，所述红外线接收芯片内部的带通滤波器可以有效滤除大部分的干扰信号。
但当外部干扰信号强度较强，会导致信号在芯片内部放大链路上波形幅值过大，导致波形失真。而波形失真会产生谐波低频分量，部分低频分量会落在所述红外线接收芯片电路的带通范围内，进而导致该红外线接收芯片电路的输出端出现噪声误输出，增加信号传输误码率。
因此，实有必要提供一种新的红外线接收芯片电路及红外线接收***解决上述问题。
发明内容
针对以上现有技术的不足，本发明提出一种抗干扰性能强，可靠性好且准确率高的红外线接收芯片电路及红外线接收***。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种红外线接收芯片电路，包括：
红外线感应二极管，用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号；以及芯片内部***，用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出；
所述芯片内部***包括：
输入端，用于接收所述载波电信号；
电磁波反射单元，用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理；
预放大器，用于对经所述电磁波反射单元处理后的所述载波电信号进行预放大处理；
增益可变放大器，用于对经所述预放大器处理后的所述载波电信号进行放大处理；
带通滤波器，用于对经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行滤波处理；
比较器，用于对经所述带通滤波器处理后的所述载波电信号进行数字信号转化处理；
自动增益控制单元，用于判断经所述比较器处理后的所述载波电信号是否为干扰噪声并反馈至所述增益可变放大器，以控制所述增益可变放大器的增益输出；
积分器，用于将经所述比较器处理后的所述载波电信号进行还原处理；
施密特触发器，用于对经所述积分器处理后的所述载波电信号进行整型处理；
第一晶体管，用于对经所述施密特触发器处理后的所述载波电信号进行放大并出输；以及
输出端；
所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端。
优选的，所述电磁波反射单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及第二晶体管；
所述第一电阻的第一端连接至所述红外线感应二极管的输出，所述第一电阻的第二端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；
所述第二电阻的第二端分别连接至所述第五电阻的第一端和第二电容的第一端；
所述第三电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第一端以及所述第一电容的第一端；
所述第四电阻的第二端连接至所述第二晶体管的源极端；
所述第五电阻的第二端分别连接至所述第七电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第三电容的第二端以及所述第五电容的第一端；
所述第六电阻的第二端分别连接所述第七电阻的第一端、所述第二电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端；
所述第四电容的第二端连接至所述预放大器的正输入端，所述第五电容的第二端连接至所述预放大器的负输入端；
所述第二晶体管的漏极端连接至电源端，所述第二晶体管的栅极端连接至所述第二晶体管的漏极端。
优选的，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS晶体管。
优选的，所述红外线接收芯片电路还包括增益抑制单元，所述增益抑制单元连接于所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理。
优选的，所述增益抑制单元包括第八电阻、第六电容、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管；
所述第三晶体管的源极端、所述第六晶体管的源极端以及所述第七晶体管的源极端分别连接至所述增益可变放大器的正输出端；
所述第四晶体管的源极端、所述第五晶体管的源极端、所述第七晶体管的源极端以及所述第六电容的负端分别连接至所述增益可变放大器的负输出端；
所述第三晶体管的栅极端分别连接至所述第三晶体管的漏极端、所述第六晶体管的栅极端、所述第四晶体管的漏极端、所述第四晶体管的栅极端；
所述第六晶体管的漏极端分别连接至所述第五晶体管的栅极端、所述第五晶体管的漏极端以及所述第八电阻的第一端；
所述第八电阻的第二端分别连接至所述第六电容的正极端和所述第七晶体管的栅极端；
所述第七晶体管的源极端和所述第七晶体管的漏极端分别连接至所述带通滤波器的输入。
优选的，所述第三晶体管和所述第六晶体管均为PMOS晶体管；所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管均为NMOS晶体管。
本发明还提供一种红外线接收***，包括本发明提供的上述红外线接收芯片电路。
与相关技术相比，本发明的红外线接收芯片电路及红外线接收***通过在所述预放大器的前端增设电磁波反射单元，通过所述电磁波反射单元接收所述载波电信号并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理，有效的反射进入到所述红外线接收芯片电路的电磁波干扰信号，进而避免了所述红外线接收芯片电路的输出因外部电磁波信号干扰而输出错误信号的问题，提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的抗干扰能力，特别是抗电磁波干扰能力，进而增加了其可靠性和准确性。另外，所述红外线接收芯片电路还在所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间增设所述增益抑制单元，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理，从另一方面提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的抗干扰能力，特别是抗WIFI干扰能力，进一步提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的综合抗干扰能力和可靠性。
附图说明
下面结合附图详细说明本发明。通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
图1为本发明红外线接收芯片电路的结构框图；
图2为图1中电磁波反射单元的电路结构图；
图3为图1中增益抑制单元的电路结构图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本发明实施方式及本发明范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本发明的保护范围之内。
请参图1所示，本发明提供了一种红外线接收芯片电路100，本发明提供了一种红外线接收芯片电路100，包括红外线感应二极管1和与所述红外线感应二极管1电连接的芯片内部***2。
所述红外线感应二极管1用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号。所述芯片内部***2用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出。
具体的，所述芯片内部***2包括依次电连接的输入端IN、电磁波反射单元21、预放大器(Pre-amplifier，Pre-amp)22、增益可变放大器(variable gain amplifier，VGA)23、增益抑制单元24、带通滤波器(band pass filter，BPF)25、比较器(Comparator)26、积分器(Integrator)27、施密特触发器(Schmitt trigger)28、第一晶体管M1、输出端OUT，以及连接于所述比较器26的输出与所述增益可变放大器23的输入之间的自动增益控制单元(Automatic gain control，AGC)29。
所述第一晶体管M1的栅极端连接至所述施密特触发器28的输出，所述第一晶体管M1的源极端连接至接地端GND，所述第一晶体管M1的漏极连接至所述输出端OUT且所述第一晶体管M1的漏极通过串联一过压电阻R连接至电源端VDD。
需要说明的是，所述输入端IN、所述预放大器22、所述增益可变放大器23、所述带通滤波器25、所述比较器26、所述积分器27、所述施密特触发器28、所述第一晶体管M1、所述输出端OUT以及所述自动增益控制单元29即可实现所述红外线接收芯片电路100的信号接收与发射功能。而所述电磁波反射单元21和所述增益抑制单元24是为了有效提高所述红外线接收芯片电路100的抗干扰能力，使其可靠性更优，准确性更高。
其中，所述电磁波反射单元21可反射大部分干扰信号，特别是电磁波干扰信号；而所述增益抑制单元24则可以滤除大部分干扰信号以及抑制部分干扰信号的放大输出，特别是滤除WIFI干扰信号。
也就是说，本发明的红外线接收芯片电路100中，为了实现其抗干扰能力和信号准确性，可以只增设所述电磁波反射单元21、或只增设所述增益抑制单元24，或者同时增设所述电磁波反射单元21和所述增益抑制单元24，这三种方案都可以解决本发明提及的技术问题。
本实施方式中，以同时增设所述电磁波反射单元21和所述增益抑制单元24为例进行详细说明。
所述红外线感应二极管1接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号。所述输入端IN接收所述载波电信号并输送至所述电磁波反射单元21，所述电磁波反射单元21接收所述载波电信号后，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理。
请结合参图2所示，具体的，所述电磁波反射单元21包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5以及第二晶体管M2。
所述第一电阻R1的第一端连接至所述红外线感应二极管1的输出，所述第一电阻R1的第二端分别连接至所述第二电阻R2的第一端和所述第三电阻R3的第一端；所述第二电阻R2的第二端分别连接至所述第五电阻R5的第一端和第二电容C2的第一端；所述第三电阻R3的第二端分别连接至所述第四电阻R4的第一端、所述第六电阻R6的第一端以及所述第一电容C1的第一端；所述第四电阻R4的第二端连接至所述第二晶体管M2的源极端；所述第五电阻R5的第二端分别连接至所述第七电阻R7的第二端、所述第一电容C1的第二端、所述第三电容C3的第二端以及所述第五电容C5的第一端；所述第六电阻R6的第二端分别连接所述第七电阻R7的第一端、所述第二电容C2的第二端、所述第三电容C3的第一端、所述第四电容C4的第一端；所述第四电容C4的第二端连接至所述预放大器22的正输入端，所述第五电容C5的第二端连接至所述预放大器22的负输入端；所述第二晶体管M2的漏极端连接至电源端VDD，所述第二晶体管M2的栅极端连接至所述第二晶体管M2的漏极端。
本实施方式中，具体的，所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2均为NMOS晶体管。
请继续结合参图1所示，所述预放大器22对经所述电磁波反射单元21处理后的所述载波电信号进行预放大处理。
所述增益可变放大器23对经所述预放大器22处理后的所述载波电信号进行放大处理。
所述增益抑制单元24将经所述增益可变放大器23处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理。
请结合参图3所示，具体的，所述增益抑制单元24包括第八电阻R8、第六电容C6、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6以及第七晶体管M7。
所述第三晶体管M3的源极端、所述第六晶体管M6的源极端以及所述第七晶体管M7的源极端分别连接至所述增益可变放大器23的正输出端；所述第四晶体管M4的源极端、所述第五晶体管M5的源极端、所述第七晶体管M7的源极端以及所述第六电容C6的负端分别连接至所述增益可变放大器23的负输出端；所述第三晶体管M3的栅极端分别连接至所述第三晶体管M3的漏极端、所述第六晶体管M6的栅极端、所述第四晶体管M4的漏极端以及所述第四晶体管M4的栅极端；所述第六晶体管M6的漏极端分别连接至所述第五晶体管M5的栅极端、所述第五晶体管M5的漏极端以及所述第八电阻R8的第一端；所述第八电阻R8的第二端分别连接至所述第六电容C6的正极端和所述第七晶体管M7的栅极端；所述第七晶体管M7的源极端和所述第七晶体管M7的漏极端分别连接至所述带通滤波器25的输入。
需要说明的是，本实施方式中，涉及电阻、电容等电子元器件的两端的描述中，若该元器件存在正、负极性，则第一端即为正极端、第二端即为负极端；若不区别正、负极性，则根据电信号的流向依次定义为第一端和第二端，以方便描述。
本实施方式中，更优的，所述第三晶体管M3和所述第六晶体管M6均为PMOS晶体管；所述第四晶体管M4、所述第五晶体管M5以及所述第七晶体管M7均为NMOS晶体管。
请继续参图1所示，所述带通滤波器25对经所述增益可变放大器23处理后的所述载波电信号进行滤波处理。需要说明的是，因所述增益抑制单元24的设置，此时，所述带通滤波器25则是接收经所述增益抑制单元24进行波形失真增益抑制处理后的所述载波电信号并对其进行滤波处理。
所述比较器26对经所述带通滤波器25处理后的所述载波电信号进行数字信号转化处理。
所述自动增益控制单元29判断经所述比较器26处理后的所述载波电信号是否为干扰噪声并反馈至所述增益可变放大器23，以控制所述增益可变放大器23的增益输出。
所述积分器27将经所述比较器26处理后的所述载波电信号进行还原处理。
所述施密特触发器28对经所述积分器27处理后的所述载波电信号进行整型处理。
所述第一晶体管M1对经所述施密特触发器28处理后的所述载波电信号进行放大并出输。
所述输出端OUT则接收经所述第一晶体管M1处理后的所述载波电信号后将其输出，从而实现所述红外线接收芯片电路100的输出。
以下从整体电路进一步进行说明：
所述红外线感应二极管1接收包含有用信号(目标信号)的红外线载波信号并且将其转换为载波电信号输入到所述芯片内部***2的所述输入端IN。
当芯片内部***2的所述输入端IN存在强电磁波干扰信号时，所述电磁波反射单元21可以调整自生阻抗匹配，使电磁波干扰信号大部分反射回去，而不会在芯片内部***2的放大链路上产生谐波失真，影响有用信号(目标信号)接收。然后，电磁波反射单元21输出含有有用信息的载波电信号，通过所述预放大器22和所述增益可变放大器23进行放大，再通过所述带通滤波器25进行滤波，然后通过所述比较器26转换为数字信号，再经过所述积分器27将所述载波电信号中的有用信号还原出来，最后经过所述施密特触发器28整型并且经过所述第一晶体管M1(NMOS晶体管)与所述过压电阻R放大输出到所述输出端OUT。
该芯片内部***2中，所述自动增益控制单元29可以读取所述比较器26输出的载波电信号的数字信号并且判断该信号为有用信号或是环境光干扰噪声，并且基于该判断反馈至所述增益可变放大器23，以控制所述增益可变放大器23的增益，使噪声被抑制而有用信号可以被放大输出。
由于所述电磁波反射单元21的设置，当所述红外线接收芯片电路100存在较大电磁波干扰信号时，该电磁波反射单元21可以避免高频信号在所述带通滤波器25输入节点产生幅值饱和失真，从而避免产生低频干扰分量，进而使得该红外线接收芯片电路100不被外部强电磁波干扰信号所影响，提高其可靠性称准确性能。
所述电磁波反射单元21的原理如下：为有效的抑制电磁波的辐射和传导及高次谐波，利用麦克斯韦电磁波理论，调节所述电磁波反射单元21输入的反射系数S11，使得电磁干扰信号的S11值较大，进而使得电磁干扰信号的输入匹配性很差，大部分电磁干扰信号都可以反射出去，而不会进入所述红外线接收芯片电路100内部。避免由于外部强电磁波干扰信号而在所述带通滤波器25的输入产生低频干扰分量，避免所述红外线接收芯片电路100在外部强电磁波干扰信号下产生错误输出，即极大程度提高了所述红外线接收芯片电路100的抗干扰，尤其是抗电磁干扰(EMI)能力。
另外，结合所述增益抑制单元24说明：
载波电信号输入至所述红外线接收芯片电路100，通过所述预放大器22与所述增益可变放大器23进行放大。所述增益抑制单元24作为所述增益可变放大器23的负载，当所述增益可变放大器23输出信号的幅值过大产生轻微饱和失真时，所述增益抑制单元24可以调整自生阻抗降低并维持一段时间，使所述增益可变放大器23输出信号的幅值下降，仿真其幅值严重饱和失真。然后所述增益抑制单元24输出信号通过所述带通滤波器25进行滤波，再通过所述比较器26转换为数字信号，再经过所述积分器27将载波电信号中有用信号还原出，最后施密特触发器28整型并且经过第一晶体管M1与所述过压电阻R放大输出到所述输出端OUT。该红外线接收芯片电路100中，所述自动增益控制单元29可以读取所述比较器26的输出的载波电信号的数字信号并且判断该信号为有用信号还是环境光干扰噪声，并且基于该判断反馈至所述增益可变放大器23，以控制所述增益可变放大器23的增益，使噪声被抑制而有用信号可以被放大输出。
由于所述增益抑制单元24的设置，当红外线接收芯片电路100外部存在较大WIFI干扰信号时，该所述增益抑制单元24可以避免高频信号在所述带通滤波器25的输入节点产生幅值饱和失真，从而避免产生低频干扰分量，进而使得该红外线接收芯片电路100不被外部强WIFI干扰信号所影响。
所述增益抑制单元24的原理如下：当所述增益可变放大器23输出幅值超过所述第三晶体管M3阈值电压与第四晶体管M4阈值电压之和，所述第三晶体管M3和所述第四晶体管M4这两个MOS晶体管将开启，并且工作在亚阈值区。此时所述增益可变放大器23输出信号产生轻微饱和失真。所述第三晶体管M3产生电流从其源极端流向其漏极端，该电流被镜像到所述第六晶体管它M6与所述第五晶体管M5中，使所述第五晶体管M5的栅漏电压上升。所述第五晶体管M5的栅漏电压经过所述第八电阻R8和第六电容C6滤波后送给所述第七晶体管M7，使所述第七晶体管M7开启，并且降低所述增益可变放大器23的正负输出端之间的等效电阻，从而降低其输出幅值，避免饱和失真。由于所述第八电阻R8与所述第六电容C6的RC时间常数一般为5ms，故所述第七晶体管M7所设置的等效导通阻抗会维持一段时间。
所述增益抑制单元24的设置，使得所述红外线接收芯片电路100在所述带通滤波器25的输入不会因为外部强WIFI干扰信号而产生波形饱和失真。从而避免产生低频干扰分量，进而使得该红外线接收芯片电路100不被外部强WIFI干扰信号所影响。
而本发明的红外线接收芯片电路100中，本实施方式同时在该电路中增加所述电磁波反射单元21和所述增益抑制单元24，使得红外线接收芯片电路100的抗干扰能力更强，可靠性更好，且准确率更高。
本发明还提供一种红外线接收***(图未示)，包括本发明提供的上述红外线接收芯片电路。
与相关技术相比，本发明的红外线接收芯片电路及红外线接收***通过在所述预放大器的前端增设电磁波反射单元，通过所述电磁波反射单元接收所述载波电信号并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理，有效的反射进入到所述红外线接收芯片电路的电磁波干扰信号，进而避免了所述红外线接收芯片电路的输出因外部电磁波信号干扰而输出错误信号的问题，提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的抗干扰能力，特别是抗电磁波干扰能力，进而增加了其可靠性和准确性。另外，所述红外线接收芯片电路还在所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间增设所述增益抑制单元，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理，从另一方面提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的抗干扰能力，特别是抗WIFI干扰能力，进一步提高了所述红外线接收芯片电路及红外线接收***的综合抗干扰能力和可靠性。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本发明而非限制本发明的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本发明的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。

Claims (7)

1.一种红外线接收芯片电路，包括：
红外线感应二极管，用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号；以及芯片内部***，用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出；
其特征在于，所述芯片内部***包括：
输入端，用于接收所述载波电信号；
电磁波反射单元，用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理；
预放大器，用于对经所述电磁波反射单元处理后的所述载波电信号进行预放大处理；
增益可变放大器，用于对经所述预放大器处理后的所述载波电信号进行放大处理；
带通滤波器，用于对经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行滤波处理；
比较器，用于对经所述带通滤波器处理后的所述载波电信号进行数字信号转化处理；
自动增益控制单元，用于判断经所述比较器处理后的所述载波电信号是否为干扰噪声并反馈至所述增益可变放大器，以控制所述增益可变放大器的增益输出；
积分器，用于将经所述比较器处理后的所述载波电信号进行还原处理；
施密特触发器，用于对经所述积分器处理后的所述载波电信号进行整型处理；
第一晶体管，用于对经所述施密特触发器处理后的所述载波电信号进行放大并出输；以及
输出端；
所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端。
2.根据权利要求1所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述电磁波反射单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及第二晶体管；
所述第一电阻的第一端连接至所述红外线感应二极管的输出，所述第一电阻的第二端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；
所述第二电阻的第二端分别连接至所述第五电阻的第一端和第二电容的第一端；
所述第三电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第一端以及所述第一电容的第一端；
所述第四电阻的第二端连接至所述第二晶体管的源极端；
所述第五电阻的第二端分别连接至所述第七电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第三电容的第二端以及所述第五电容的第一端；
所述第六电阻的第二端分别连接所述第七电阻的第一端、所述第二电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端；
所述第四电容的第二端连接至所述预放大器的正输入端，所述第五电容的第二端连接至所述预放大器的负输入端；
所述第二晶体管的漏极端连接至电源端，所述第二晶体管的栅极端连接至所述第二晶体管的漏极端。
3.根据权利要求2所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述红外线接收芯片电路还包括增益抑制单元，所述增益抑制单元连接于所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理。
5.根据权利要求4所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述增益抑制单元包括第八电阻、第六电容、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管；
所述第三晶体管的源极端、所述第六晶体管的源极端以及所述第七晶体管的源极端分别连接至所述增益可变放大器的正输出端；
所述第四晶体管的源极端、所述第五晶体管的源极端、所述第七晶体管的源极端以及所述第六电容的负端分别连接至所述增益可变放大器的负输出端；
所述第三晶体管的栅极端分别连接至所述第三晶体管的漏极端、所述第六晶体管的栅极端、所述第四晶体管的漏极端、所述第四晶体管的栅极端；
所述第六晶体管的漏极端分别连接至所述第五晶体管的栅极端、所述第五晶体管的漏极端以及所述第八电阻的第一端；
所述第八电阻的第二端分别连接至所述第六电容的正极端和所述第七晶体管的栅极端；
所述第七晶体管的源极端和所述第七晶体管的漏极端分别连接至所述带通滤波器的输入。
6.根据权利要求5所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述第三晶体管和所述第六晶体管均为PMOS晶体管；所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管均为NMOS晶体管。
7.一种红外线接收***，其特征在于，包括如权利要求1-6任意一项所述的红外线接收芯片电路。
CN201810446400.3A 2018-05-11 2018-05-11 红外线接收芯片电路及红外线接收*** Active CN108736967B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810446400.3A CN108736967B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 红外线接收芯片电路及红外线接收***
PCT/CN2018/110807 WO2019214164A1 (zh) 2018-05-11 2018-10-18 红外线接收芯片电路及红外线接收***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810446400.3A CN108736967B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 红外线接收芯片电路及红外线接收***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108736967A true CN108736967A (zh) 2018-11-02
CN108736967B CN108736967B (zh) 2021-04-06

Family

ID=63937306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810446400.3A Active CN108736967B (zh) 2018-05-11 2018-05-11 红外线接收芯片电路及红外线接收***

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108736967B (zh)
WO (1) WO2019214164A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112686357A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 莫冰 超高频rfid标签及其抗电磁干扰模块

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113328764B (zh) * 2021-06-04 2022-10-28 深圳诺博医疗科技有限公司 智能空箱检测***及智能空箱检测方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020116196A1 (en) * 1998-11-12 2002-08-22 Tran Bao Q. Speech recognizer
CN1761042A (zh) * 2004-10-11 2006-04-19 天瀚科技股份有限公司 覆晶构装制造方法及其装置
CN1885222A (zh) * 2005-06-21 2006-12-27 深圳市大族激光科技股份有限公司 激光功率反馈电路
JP2008157789A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 光検出装置、及びそれを用いた照明装置、照明器具
US20100258729A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Niles Audio Corporation Infrared Repeater System
CN102355298A (zh) * 2011-05-26 2012-02-15 泉芯电子技术(深圳)有限公司 具有数字式增益控制电路的红外接收器
CN203590168U (zh) * 2013-07-25 2014-05-07 上海智浦欣微电子有限公司 增益控制电路
CN107070437A (zh) * 2017-01-23 2017-08-18 厦门思力科电子科技有限公司 一种脉宽稳定电路
CN107508562A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 天津大学 用于全球定位导航***的l波段宽带低噪声放大器
CN107733375A (zh) * 2017-11-03 2018-02-23 西安电子科技大学 超宽带低噪声放大器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081762A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Nec Saitama Ltd 高電力入力保護回路及びその方法並びにそれを用いた受信装置
KR101332407B1 (ko) * 2008-03-06 2013-11-22 실리콤텍(주) 적외선 무선 포인팅 장치
CN102760590A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 光宝新加坡有限公司 近接式传感器
US9116046B2 (en) * 2013-03-15 2015-08-25 Infineon Technologies Austria Ag Device and method for determining a direction from a surface of one or more photodetector elements of an integrated circuit to a source providing electromagnetic waves and method for manufacturing an device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020116196A1 (en) * 1998-11-12 2002-08-22 Tran Bao Q. Speech recognizer
CN1761042A (zh) * 2004-10-11 2006-04-19 天瀚科技股份有限公司 覆晶构装制造方法及其装置
CN1885222A (zh) * 2005-06-21 2006-12-27 深圳市大族激光科技股份有限公司 激光功率反馈电路
JP2008157789A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 光検出装置、及びそれを用いた照明装置、照明器具
US20100258729A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Niles Audio Corporation Infrared Repeater System
CN102355298A (zh) * 2011-05-26 2012-02-15 泉芯电子技术(深圳)有限公司 具有数字式增益控制电路的红外接收器
CN203590168U (zh) * 2013-07-25 2014-05-07 上海智浦欣微电子有限公司 增益控制电路
CN107070437A (zh) * 2017-01-23 2017-08-18 厦门思力科电子科技有限公司 一种脉宽稳定电路
CN107508562A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 天津大学 用于全球定位导航***的l波段宽带低噪声放大器
CN107733375A (zh) * 2017-11-03 2018-02-23 西安电子科技大学 超宽带低噪声放大器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
彭龙新: "X波段单片集成低噪声接收子***", 《固体电子学研究与进展》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112686357A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 莫冰 超高频rfid标签及其抗电磁干扰模块

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019214164A1 (zh) 2019-11-14
CN108736967B (zh) 2021-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101925985B1 (ko) 고속 수신기 회로 및 방법
US20120083205A1 (en) Nfc device having a differential input envelope detector
Song et al. A 2Mb/s wideband pulse transceiver with direct-coupled interface for human body communications
US9252928B2 (en) Ultra-wideband loss of signal detector at a receiver in a high speed serializer/deserializer (SERDES) application
CN108736967A (zh) 红外线接收芯片电路及红外线接收***
US10797658B1 (en) Low power optical link
CN105429656B (zh) 基于短波宽带接收解调前端的信号处理装置
CN208094554U (zh) 红外线接收芯片及其***
CN208174687U (zh) 红外线接收芯片电路及红外线接收***
CN110504928A (zh) D类功放的上电噪声抑制电路、方法和装置
CN104359455A (zh) 基于背景噪声消除的光电二极管电路及激光测距***
CN108718216A (zh) 红外线接收芯片及其***
CN205453707U (zh) 一种抗电源干扰红外接收电路及红外接收器
US9008332B2 (en) Processing chip for a digital microphone and related input circuit and a digital microphone
CN108109631A (zh) 一种小体积双麦克风语音采集降噪模组及其降噪方法
Wang et al. A 170cm transmission distance, high speed IntraBody Communication receiver design and its application to FPGA audio player
CN205510055U (zh) 一种白光音频通信装置
CN108155893A (zh) 用于宽禁带半导体探测器的脉冲信号放大方法
CN110061786B (zh) 一种红外信号接收处理电路模块
CN211557469U (zh) 声音信号收发处理电路
CN218038283U (zh) 一个具有抵抗射频信号干扰的红外接收芯片电路
CN210072908U (zh) 有限脉冲解调方波整形电路及其构成的红外线接收芯片
CN105938012A (zh) 太赫兹探测装置
EP4273867A3 (en) Data sampling circuit and data sampling device
CN202111843U (zh) 一种可抑制tdma噪声的音响

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200511

Address after: 361101 room a, 13th floor, building 2, No. 1888, Hongxiang West Road, Xiang'an District, Xiamen City, Fujian Province

Applicant after: XIAMEN SILICON ELECTRONIC Co.,Ltd.

Address before: 518000 Guangdong Shenzhen Nanshan District Guangdong Bay Street Shenzhen Bay science and Technology Park 7 B block 1106

Applicant before: SILICTEC (SHENZHEN) ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant